CHUONG 3 Lop Kim Loai, lép Tick Cuc, lop Select va Lép Poly 3.1 Méi han pad (Bonding pad) 3.1.1 Gidi thigu vé méi han pad 3.1.2. Thiét ké layout cho méi han... 3.1.3 Tu dién gitta kim loai véi lop nén 3.1.4 Lép overglass cho mdi han .. : 3.2. Hign tugng tan dign tir (EM-Electromigration) 3.3. Thiét ké va layout cho céc lop kiniflogi 3.3.1 Metall and Vial ... 3.3.2 333 34 35 3.6 3.7. Lay 34 3.8 So luge quytrink cong ngh¢ QMOS véi cac lép active, n/p-select, silicide, polycide 3.9 Két néi daydin (64)l6p poly, Voi lép active; va cdc wu ¥ khiic 3.9.1 Kétndi lop’ nen loai PGF aa 3.9.2" Layout NMOS va PMOS 3.9.3 OMOt SOK. Higu mach dign cho MOSFET 39.47 Khiing-layoutcho Standard cell 3.9,5 Luatthiét ké Design Rule lién quan dén cdc lép active, avec “select, va tiép Xiic SL 340 RaW v¢ phng tinh ai BAL TAY (ESD-ElectroStatic Discharge).Cac lép kim loai hode day din trong mach tich hop CMOS duge sit dung dé két ndi cée phan tir mach bao gém cée MOSFET, tu dién, dign tro. G mite d6 gido trinh cung cép kién thife nén ting, chuong nay sé trinh bay vé cdch thiét ké layout cua bondi , tu dign lign quan dén cdc I6p kim loai, nhiéu xuyén kénh, dign tro tim (sheet res ) va hign tong dich chuyén din tir (EM- ElectroMigration). Trong quy trinh CMOS téng quat, hai lop kim logi duge sir dung va duoc dat tén la metall va metal2, Vat figiding cho céc Isp kim loai nay la nhom hoje dang. S/ Ké tiép, tir phn 3.7 dén 3.9 cia chuong nay sé trinh bay ve ede thay con goi 18 lip tich cue), n-select, p-select, poly Li nhiing lp dugg sir dung dé-tao’thinh NMOS PMOS. Nhting lép nay thudg duge sir dung dé lop kim vot ~ tqo mgt lign két C6 tinh thuan tr (ohmic contact) véi lop nén hode w ae ig ehong trinh layout, lép tich eye sé tao ving ho trén bE mt chat ban dn SiQeHFe quanhyehat nén. Va ede lép n- select va p-select cho biét cn cdy loai tap chit Sy ay : Thong thong, cdc lop active va select duge sir dung di ddi véi nhau. tive ih phan ho trén lop oxit va lp select pha tap ban dan logi n hay logi p vag-khe/hé d6> ngudi dgc doc eae ndi dung lign quan trong chwong nay, s® cm nhin Jy tia l6p tich cye-l6p active. nham lan véi Poly hoae Polygon, yng (gate hay cén goi li eye G) cua thé nhé cia silicon. Do dé, poly khong mang tinh thé duge 16 chite ngau nhign), é ng han nhur tm e tao thanh MOSFET. Trong thiét ké, ching ta Be V6i lop active dé dém s6 lgng MOSFET. Lop poly, ten ngin cho Polysili trong chwong trinh thiét ké), dink hi MOSFET. Lép nay durge tao thanh tf 24¢ vit phai la silicon v6 dinh hinh (ca va né ciing khéng phai la SiliChuan du ra cua chuong 3:3.1 Méi han pad (Bonding pad) 3.1.1 Gidi thigu vé méi han pad Vé co ban, sau khi thiét ké va sin xudt xong cdc die, méi die sé duc va duge gin dinh vao mét khung ché tao sin (thong thudng, duge-g trong hinh 3.1.a. M6i han (Bonding pad) la phan lign két gitta di han dé giao tiép én ngoai. Liic nay, mot dau ciia day sé duge han v6i méi han eotvlai cua day duge ndi véi khung ché tao sin (Lead frame). Dé hinh dung i hinh 3.1.b, Hinh 3.1.c 1a hinh phéng to ca m6t mdi han pi nay cho thdy cn cénh mét méi han pad va day néi. dé cap ige thiét ké va ché di ha g ign (ESD), day la mit thiét ké quan trong can xem xét khi thiét ké mpi nghiém cia téc gia, thiét ké vige nay 14 mOt linh vue khé, doi hoi nhid , va thong thudng 1a cae bi mat cong nghé ciia cdc hang sin xudt.Méi han pad — (phan dign tich miu sing. 1G hinh vuéng) day ndi_/ chat'dé dinh die méi han pad () Hinh 3.1, Die duge dinh trén khung lead apes (b), méi han pad va day néi nes Qi, ni, méi han pad my (0) 3.1.2. Thiét ké layout cho méi han Kich thug co ban eta méi hin pad do. Mi oh Y hinh vudng 100 pm x 100 pm iach die (thong thing, céc die trén riéng biét dé di déng goi) (tir chuyén t. Kich thuée cudi cing ‘vi mach ma khéng thay di khi cic kich thud huong 2 da ban vige nay, thong qua hé sé ich layout cia m6t pad sir dung lop metal2 . khi nhin theo mat ct ngang, cdc lép cach 1) 1a ndim duéi va trén 1ép metal2. Céc lop nay vic trong qua trinh CMOS.Layout (hoge nhin ti trén xudng) cm 1mm OY - OY NG ‘rén 2%, Vat ligu ding c6 mite nguéng nay cao hon nhiéu, vi thé nhigu quy trinh sin xuat vi mach pgay nay chi yeu ding day dan bang dong. Vidu3.3 Cho hé s6 ti 1g 50 nm, ude Iugng ding eye dai ma day metal] Voichiéu rong 3 don vi c6 thé dat duge. Ngoai ra, ude Irgng ding cue dai mi méi }tigypad véi kich thude 100 x 100 uum? cé thé nhan tir day lién két. Gia str day kim loai dyde chésfte, bang nhém. G wa Chiéu rong thye té cua day metal] trong vi dy la 3x50nny=\1 50 nmGia str rang Jy = 1 = dong eye dai qua diy din nhém 6 bé rong 0.15 wm ho Boi Tmax = Jar" W = 107? 0.45 = 150"A ‘in pad kich thude 160% P00 jm 15100 mA. Dang cyte dai qua méi Vidu34 Hay ude lugng sut ap khi qua dafydahy (dygedé cap dén trong vi dy tréc) khi chiéu dai day din 14 1 em va ding trong day@in 18 160A (ax). Giai: Dién tro tm cita metal] LOY Q/Yudnig. Dign ap roi khi qua day metall voi dé rong 3 (0.15 jm) va dai 10,000..liht coping ding 150 pA 1a Vs = (0% By 101000 150 wa = 1V p67 OS vilong) 0.15 Day 1a mot githiff sut ap Wang kéeN&w day din duge ding cho muc dich dan ngudn cap Vop, ching ta.can tang ¢hiew rongeday dan mét cach dang ké; tuy nhién, néu day dan chi ding cho truyén dit ligu, Rich thitde/trén cing cé thé tam on. Néfehung ny quy tFImlYCMOS, nhimng lép kim loai cao hon (metal2, metal3, v.v) dugeding ¢hoviée tfiyén dan nguén cap. Metal2 day khoang gap 2 lan metal] 6 (Cth Aanthip/ Metél3) Gay hon metal2, v.v. Nhin chung trong nhiéu trudng hop, khi taper danyhguGn cAp\cdng ding nhiéu kim loai, c’ing xay ra it van d&, Néu c6 thé, toan bo Tap ‘kim(oai/nén durgc/diing cho Vop hay dat. Cang nhiéu ty gitta cde day ngudn va dat, 4p DC sé én dinh hon,3.3. Thiét ké va layout cho ede lép kim logi, pa metal2, va overglass. Trong phan nay, ching ta cing sé tim hiéu vé cdc va hai théng s6 dign tro, dign dung ky sinh cua cae lép nay. CY 3.3.1. Metall and Vial OY Metall 14 1dp kim logi durge dt ngay bén dui metal2. Hin layout va mit cit ngang cia 2 lép kim logi nay. Lop vial la Tén goi via durge str dung rng rai, trong ¢: Board), do vay, quyén sich nay ciing gitr lai tén goi phé bi hign phan dign tich ciia lp céch dign durge an mon, duge. hop vi dy nhur tungsten (wolfram, i chat kim logi chi cao) durge ché tao, lap day 16 trng tai vj tri layo. dat xudng, kim logi tai lop vial s& két ndi hai ki lic nay, trong quyén sich nay, chimg ta da tim hiéu vé layout cac lop n-well, fall, vial Tuong ty nh liu ¥ & phan trén, nd loai, thi sé cé thém cdc Iép via2 (ndi metal ‘Néu quy trinh CMOS ding 5 lép kim doai, metal5 6 trén cing. ©Mit cit ngang, Metall Hinh Error! No text of specified style metalDya én thoi diém nay, ching overglass. Dé tng két, 6n Tai RFR thi sau day thé hign 1 vi du lay hin kha i 6 well, metall, vial, metal2, va 4c nGi dung tiép theo, hinh 3.7 trén. Ching ta cin du: gc nhin mat cat ngang cia ching ta sé 01 igang duge sir dung trong Hinh 3.5 xuéng eweh cal? vi overglass? Tra li: mat eft ngang sé ee va vial sé bi mat.Mat cit hgang Mit oft nang Vial Metall Lop cach dign Lép cach dign Lép céch dign FOX Lép nén loai p Hinh Error! No text of specified fle in dcumént..7 Vi du vé layout cde lop n-well, metall, vial, metal2, va QVerglass, va mat cit ngang 3.3.2. Cae van dé ky sinh Jigm quam Gén cdc I6p kim loai Ky sinh lin quan détcav loppRiiifoai encdc logi dién dung ky sinh (durge trinh bay trong Bang 3.1-khi cé 6p kinrlggvmetall ya metal2) va dign tre ky sinh. Gidéng nur n- well trong chuong 22c8¢ lép/Rilivlogi dae-trimg bei dign tre mat, nhung dign tré mat cita cae Iép kim loai thapyhon démy/ké so\VGi/Aién tro mat ctia n-well. Trong cae vi dy quyén ch nay, ching ta/Sé si Aine glintti,0.1 O/6 vudng cho dign tro mat cia 6p kim loai. Ngoai ra, digh. 8 cla J6p via ciing-¢é mot gid tri nhdt dinh nao 46 (dit rit nho). Dé hig v6 EAB Pn dBKY, sinh lién quan dén vi dy Shutay, lop kim loai, ching ta xem xét Vi dass Use Vint trg"kitihg cla mgt thanh kim logi véi lép metall, c6 chiéu dai 18 1 mm va hide rong 18200 nm. Néu hé sé ti 1é 1 50 nm, hay tinh kich thude vé thanh kim loai nay? Hong thdi ude tinh dé tré truyén qua thanh kim loai trén, xem dudng day kim loai tuong ty thu duéng truyén RC. Kiém chirg lai cau tra lai bang m6 phéng trén SPICE.Kich thuée vé cia duéng day kim logi 18: 20.000 x 4 (1 (200nm/S0nm)). Hinh 3.8 thé hign layout eta day kim loai (Iu ys ve v6i kich thude that cia day kim loai). Day kim loai bao gdm 1,000/0.2 kim loai: vi dy 3.1: C= (1,000-0.2):23 aF + (2, hofe dign dung cho mdi 6 vuéng 200nm x 200 TyM6t 6 yudng Layout cia lop metall trong vi dy 3.3 . - a 20,000 oa y, Y Kich thude vé layout cho lop metall véi hg sé t eee z Lép nén loai'y 1 2 3 00 St Téng cng c6 5000 6 vudng Ee a Lay Dos metal Hinh Error! No text of specified st a mat cit ngang cho thay dung day kim loai va et pha sinh trén timg 6 vudng eta 16 tré cia mot during day ki nguyén nhin do ty va dién tro se : aa hi khong c6 két néi) la 28 psimm véi vin, duge biéu dign 6 hinh 3.9. Ban doe vui ccontro| destroy all run plot vin vout vende tran 1p 250p 1 Vin 0 Vout 0 TRE Rload Vout 0 1G Vin vin 0 DC 0 pulse 0 1 50p 0 -model TRC ltra R=0.1 C=32e-18 len=5k end y y /. a Sane ‘No text of specified style in document..9 Mé phng d6 tré cita gy AS ‘during day kim loai metall (Imm dai va 200nm réng) 7Dé tré lan truyén do ky sinh va D6 tré lan truyén ndi tai: Két qua cia vi du trén (thanh kim logi v6i d6 tré lan truyén 28 ps/mm) can duge so ‘Anh v6i d6 tré ndi tai cua mot tin hiéu lan truyén trong vat ligu voi hing s6, i Gi, €, (nghia li d6 tré do ban chat, ndi tai khi khong ©6 dign tro ky sinl tin higu trong truémg hop nay duge tinh theo e6ng thie sau (trong d6.« fa. t5¢ 6 nh sing): Nw (m/s) SY (0.3) 7 GY, Néu ching ta gid dinh tin higu dang duoc lan truyn trong $i>(Idp il bao phi lop metall) voi hang s6 dign mdi tong d6i xp xi 4, thi ta cathe us /duge d6 tré lan truyén noi tai trong duréng day kim loai bing c v fa meter (0.4) 1 v 2 7 fe Nehia li d6 tr Jan truyén néi tai la ayn Ko sinh véi gid ti db tré lan truyén 28 ps/mm khi xét ede gid tr] ky sinh, Va, chiing ta c6 mt nhjin xét qhan ton; Rvs véi bat ki dudng day mach tich hgp nao trong thu té vi mach, céc Seon “6 thé goi la d tré RC) déng vai trd chinh trong vige gay ra d@ tré lan imag %, nhu trong vi du nay). or dén vige gidm dign tre ky sinh, tang dign “an nhu khéng thay ddi. Lamu y thém: khi tang elt dung ky sinh ca day dan, vi ee Vidy3.6 fay ude tinh dign, ie cé cling kich iw thio ban layout va cho mat cat 10 voi tam metal i al ir hé 1a 50 nm. Hay phéc URS) lop kim loai nay. Déng thai vé thém ky higu ty dign y Va es cS glasba cue ty dign (xem Bang 3.1, sir dung gid tri tiéu biéu), gitta a 3S ‘a dign dung vién 1a 100 aF/im. Hai lop kim logi tao thanh Sor song, nhur trong hinh 3.10. Gié tri dign dung gitta hai bin cue ye a ae dung ban phing va dign dung vién: 00-(0.05)?-35 aF + 40-(0.05)-100 aF = 209 aF Giai: /Ban Layout cua 2 lop kim loai metal] va metal: (dién tich 10x10) Metal2 la ban cue trén cua tu dién Metall 1a ban cye dui cua tu dién Vidy3.7 Tir vi dy trude, hay wée tinh st irén metal! khi dign dp trén metal2 thay d6i tir 0 én 1V. Kiém “a ok se phong trén SPICE. Gi Dign dung gitta metal va ve a vi dy trude, 18 209 aF. Dign dung tir meals dt, fing on. gi tri bang 3.1, céch tinh trong tr cite vi du OY oO” Posed 3 +40(005)78= 164 aF Sodd — “pe hinh 3.11. ch (nghfa 1a, nguyén tie trong vat IY néu ring dign tich ng tich biét, hung c6 thé duge chuyén hoje cach khac, tng dign tich trong duy tri khéng di), nén ta c@ thé ghi nhu sau; @ C12-(AV netat2 — AV netatt) = Ctsuts* AVnetatt Su thay aiden ap trén Crue (nghia 1a trén metal) theo d6 durge tinh bai:— Ciz*Cisub 2094146 m a2 C124 Cisub AV netatt = AVmeiat?* AV metal Hinh Error! No text of specified style in documenteTt a tuong duong duge sir dung dé tinh thay d6i ap trén lop H@y 1 vy d6i dign 6H metall v6i gid tri 560mV i thay a6 trén lop metal ny Jogi trong mach CMOS duge Dang dign thay déi chay qua ty, gay nén su khi c6 sy thay d6i trén J6p metal? tit OV- la lon. Tuy nhién, ching ta nén nhé ri ai boi mGt ngudn tro khang thdp; va kim logi khong 6 trang thai dién 4p lo lig nao dé, ma duge gitt lai oF od pup nao d6 (diéu nay, khong ap dyng trong trung hop vii cdc nuit c6 to ead ib dudng kim logi dai). M6 phéng SPICE dé kiénrehinig tink. 19an, duge biéu dién & Fong thir nghigm véi SPICE dénte transient. control destroy all run plot vmetal2 vmetalt -ende tran 10p 5n UIC vmetal2 vmetal2 0 DC 0 pulse 0 1 2n 1n C12 vmetal2 vmetal1 209¢-18 Ctsub vmetalt 0 1640-18 Y DS end y SY, . “Hh 2 (ong anh hung cia sy thay d6i dign ap trén lép metal2 Ién dign 4p 4 KS trén lép metal]. 7 213.3.3 Cae Nguyén tie Thiét ké cho cae lép Kim logi Cc nguyén tic thiét ké cho Iép metal, vial va metal2 duge thé hign trong Hinh 3.13 nhu la 1 vi dy. Trong hinh nay, khoang céch tdi thiéu cho phép gitta hai Alas, trong khi khoang cach 16i thiéu cho phép gitta hai day metal2 la 2. Khér y tic ndo vé khoang cach gitta metall va metal2 vi cdc diy kim loai duge lam Daeg va metal2 bj c6 Lap bai mat lop cach dign (nhur thé hign & cdc hinh vé 3.6, 3,7, 3:10; lp cach dign nay con duge goi li lép dign méi gitta cde lop, ILD- InterLaye ‘etric). Kich thie cua vial li dung 1.5 x 1.5 (va 4p dung cho eae via khéc) vi kim ogi bat via 8 0.5. Dé tiét kigm thi gian khi thiét ké layout, mOt cell duge tgoera, goi lasWial”. Thay vi ve nhiing 6 trén I6p vial, metall va metal2 méi khi cén ndi kétnétal Asp ta? ta ch dom gidn dat cell “vial” trén thiét / Y layout. YS. ‘M6t cau hdi ggi ¥ cho ban doc: tai sao khoang ee hip edu abi v6i lop metal2 lai la 2, 1én hon so véi yéu cau 1,5 cua lép metal] Digu, |Pdo4 dya trén hign tugng tan ign tir EM? y & Ge vial: 1.5x1.5 2 <> Phin dé fen cia 2} H be vit so vi = cat pe metal2 161 thiéu & 1a0.5 & a ° (23 2\28/9 2)2 <—> => Chiéu rdng téi thigu 1.5 fied style in document..13 Vi dy vé nguyén tie3.3.4 Lién quan dén bat ky tiép xtic nao déi vai kim loai hodc bat ky Iép nao khdc trong quy trinh CMOS la dign tro tiép xite. Trong quyén sich nay, khi cdc Iép kim loai(tidp xtc nhau qua via, ching ta s& ding mét dign tro tiép xtc c6 gid tr] 10 OMiép xvedVPde nhu trong hinh 3.14 sau day. Bao: +6 vial 1.5x05/ + 6 metal] 23x2.5 +6 metal? 25x2,5 || dat chink ¥ac.bén wen 6,méta}) Nhin trén xuéng Mat c&t ngang Hinh Error! No text of specified stylbin dotujnent..14 2 kim loai metall va Vidy3.8 Hay vé mach dign tuoin8 duarifsclio layout trong Hinh 3.15a, Use lugng dign ap roi trén dign tro tiép xe ene viaRhi,6 dag, mA qua via. Lam lai tuong ty cho layout trén Hinh 3.15b. M2 | an ao Khoang cach téi thiéu A 15 gilta cde via (a) (b) Hinh 3.15 Cac layout cho vi dy 3.8 So dé‘nach dign trong duong cho 2 layout trén hinh 3.15 (a) va (b) duge thé hign 6 Hinh 3.16 (a) va (b) tuong ting. Néu dign tra tiép xite ca via 1a 10 Q, va 1 mA qua 23via trong (a), thi dign ap roi 1a 10 mV. Théng thuéng trong vi mach (dura theo kinh nghiém thy t8), cho phép dong t6i da 100 A trén via. Véi bén via trén Hinh 3.15(b), tuong img mach dign hinh 3.16 (b): 18 10/4 = 2.5 Q. Nghia li Khi ching ta tang sur chéng lip gitta eée aN 4p roi va hién tong tan din tir. Hon ni duy nhit c6 18 khéng cao khi ding 1 mA qua né do hign tat tir EM M2 10: MI (a) Dign tro tiép xtc cla tiép xtc cua via trong hinh 3.15a 0, a ‘ong hinh 3.15b Hinh Error! No text ac The woSt ent..16 Mach dign tong durong ciia cde dign WF Céc 5p trong hinh 3.15 Lan ¥: + Théng thurdng, ding + Nhiéu via thi t6t hi thuat ngit img a8 din ta sy anh huromg khong (t dy dn khac. Syrah huréng dé la do gitta hai day rong hd. Va do vay, nhiéu xuyén kénh la van dé chi ddi / In = Cn (0.5) ey, a Voi Cn I 2 twong hd, fy 1a dong dign duge ghép va V, la tin higu dign ap trén day din nguén (tt day din nguén 6 day, y nghia 1a day din ma tin hiéu dp thay déi xudt hién trén day 46, sé gay anh hudng trén day dan cén lai).Diu chinh dign dung gitta hai dy dan xét trong tréng hop don gidn nay thi khé hiru ich trong hau hét cde truong hop. Xac dinh CG, tir thye nghigm bang céch ap dung mot dign ap buse vao mét day din, vi ta do dign ap duge ghép (duge anh huéng) trén daydin ké ben. Vi biét dign dung gitta bat ky day din ndo va lép nén (xem 1 s6 gid tri ee 3.1), ta 06: y AV =V,-—"— N JY (0.6) Cm*Cisub V6i AV la dign dp nhigu duge ghép cia hai day dn ké nhau, va-Chy, 1a ding cua dy dan chju anh huéng (trong trudng hop hinh 3.17 nay, la ee s lat (lop nén). Sf 7 Metall ; Y eo) y Lép cach dién y / FOX SS” Lop nén loai p Gée nin layout =o SS hin 3 chigu Hinh Error! NOV} sere oS style iv document..17 Cép day din ding dé minh yvnuan keh fn finh 3.17 cing cé mot dién cdm tong hd, va do 46, io fi 6 ap chay trong 1 day din sé anh hung, cm img m lay lai. Higu ting c6 thé duge hiéu don gidn nur lién két hai CS ee re) thu nho, Dyin an eae ech bom dong vio mot trong hai day dn, rOi tién hanh ey, oO Vin = Ly 24 (0.7) véi [4 1a ddn/durge bom vio I day din (Ia tin higu AC, tin higu vao ban dau), V, 1a dign p do cam img (Ia. tin higu ra, tin higu duge tqo ra do cam mg) va Lyy 1a hd cam. 25Nhigu xuyén kénh 6 thé durge gid xuéng bing céch tng khoing cach gitta cée day dn ké nbau, Trong nhiéu img dung (ching han nh thiét ké b6 nhé DRAM), neues ky sur thiét ké khong thé quyét biing cdc tin higu trén cde day du nhut céu tric mé-open va gip-folded trong thiét ké b6 nhé ae 3.5 Nay ait ~ Nay dit (va sut ép DD) la cde thust ngie di ta ning swe Si ic-hO 6 ndi dit va nguon cp trong mot mach. Trong khi nhiéu xuyén ke 48 chihadi véi tin bigu i ca tim higu AC va DC. Oa VDD va dit thong AC trong mach; thi nay dat, sut ap nguén cap Iai la van 4 mings tr 6.67 kQ). Tiép dén, oS Vin dé DC Xét so dd Hinh 3.18a. Trong so dé nay, mot m: qua hai day din c6 d6 dai 10 mm va rong 150nn{( xét trong Hinh 3. 15b, diéu gi sé xay ra néu bit dau @ dign DC 50 pA qua mach dign. ‘Thay vi gid tri dign ap cia mach digm thi gid tri dign dp chinh xac cua Ngoai ra, mite dign 4p ciia “dat” vay, higu dign ap (1a khdc biét gitta nguén cap tai mach xem xét s® gidm tai mach dign xem xét duge ting dé ap thye t8 /DD va dat cia mai dign ap ly tuéng 1V mong mu thi phai tang chiéu rong eta dy,itin din). y Tir day, ching ta t id ma lai phy thude vaosthiérké |: ign ap ly tuomgNguén VDD J. ly tugmg (1 V) [Diy kim loai metall dai 10mm, rong: 150am|5 VDD S VDD 7 Mach Bign, 6 trudmg hop wi xem xét | oS ly tuéng GND yo }| [Day kim loai metall dai 10mm, rong: 150am|— y — We, SZ ; fd psn cp aén mach ign 667 mV (khdc 1 V) Moi han 4 LL Vv | (b) truong hop | thyc te Méi ~ han oO “dat cila mach dién: 330 mV (kha 0 V) Hinh Error! No text of sp SS document..18 Minh hoa vé vin dé nay dat, sut ap DC *S in < yy véi kich thuée khong phii hop Ss yy i ay tien qua mach trong m@t thoi gian ngfin thi hign trong es tr (i gian ngan d6, xem 1a n dinh thi nhur phan tich & dig ap, xudng va dign ap dat tang lén trong khong thoi gian dong dign trung binh duge cap boi nguén VDD cé thé gee on ee ASK hon 1 JHA). Thong thudng, trong thiét ké mach CMOS, ; bai hau hét thoi gian mach trong trang thai nghi (khong lim ign xem xét gitta VDD va dat (during nét dirt & hinh 3.18b). Tu dign (on thudg duge str dung li tu decoupling. Nhé tinh chat cia ty dign (6n ir d6 gitp dign 4p nap-xa tng hoa gidm dan, khong phai dt ng6t), tu dign nay gitip gittn dinh hon vé dign ap trén mach dign xem xét tai gid tr VDD. Chinh vi vay, 27ching ta thay rng khi gan, hin chip trén bo mach PCB, ching ta lu6n sit dung thém nhigu tu tach rOi c6 cdc gid tr] khée nhau bén ngoai chip. Céc ty dign edn duge dit gitta VDD va chan néi dit cua chip, va thuring duge goi la ty I tri ty dign nay yet dinh hn gBW rong 10ns. ign tach roi m"vayhéu cd yéu cu khéng qua 10 mV troig ko: ‘gian trén. oy , Y Ta cé dién tich trén tu dién la OY & Q=1-At = (50 uA)+10 ©) sansexss () y Hay xac dinh gid trj dign dung dign Ap trén toan mach thay Gi Dién dung cita ty dign tach roi la Key, Y ys a giita mach logic trén chip va tai ngoai chip gid tr] nay 1a du dé lai tai 30 pF 5 ngoai dinh dign dung cia ty decoupling nay. tu dign C tach réi Ra Ngoaii chip | 30 pF BrrorlNo text of specified style in document..19 Xéc dinh dign dung Vtich roi diing b6 dém dau ra(dinh kém file Hinh3.18.vsde) fabeiooea tu dign 30 pF (ty tai) durge dém bai bo dém dau ra i “ Q = (900 mV) - (30 pF) = 27 pcCo thé thay dign tich trén ty dién 30 pF duoc nap boi ty decoupling (bé qua tu ki sinh do day din nguén ciia b6 buffer). G trang thai ban dau, ty decoupling duge nap dén VDD (\ V). Néu VDD (dign dp trén ty dign tach réi) giam xuéng con 900 mY, tong ‘ur phuong trinh (3.8) 6 vi dy phia trén, ta tinh duge dign dung cua ty dign-découpling PC = 270 pF m 2 [00 mv a Day khong phai 1 gid tr thye té cba tu dign trén chip trong niu trang hop. Gia phap cho nay [a din e6 tiét dign rng. Thong thug, ta mach dién khac trén chip. Sir dung cac tm pad rigna\biét s®'am giam dign dung thiét cua tu dign decoupling va loai bé nhigu (fy dat v8 Ap VDD) tir cdc téc d9ng cita mach dign dang hoat dong trong chip. Tyaign deeonpling ngoai chip van nén duge sir dung trén céc chan nguén va dat cho/boedém dau ra> Luu § thém, vi dy nhur khi bo dgm dang chay/voi tin 86°S00 MHz (chu ky 2 ns), thi dong trung binh dén tai la 27-06 avg = ge = IES IAA Day 1a mét gia tri dang ké cho mOf daw ra/Eua\ehip. Két ludn quangtyoug qua phainfich 5 phan tir 3.1 dén 3.5 Cin phai hiéu 1% kich ed: Bae l6p)kit loai, va s6 Iurong via duege sir dung khi chuyén tir lop kim loai nay sang \épikiin logitigp a cic ¥ sinh anh hudng lién din trong MONIC chae Phan Ac hau qua 16 3.6 Vi dy thiét kEIaYout chd-pad, Kfiung pad (padframe) Trong phan nag ta's€ trao ddither vé mot vi dy thiét ké layout cho lép kim loai, ding cho pad va kung pad.Gid/sit ta(thiét ké m6t con chip véi quy trinh 50 nm, kich thude thye cia die (chip) méi-chiéwa x4p X11 mm, kich thude cia pad 1a 100 jum? (kich thude pad co théyahe kon phi.thude_yao)Guy trinh sin xuat khéc nhau). Theo luat thiét ké MOSIS, khoang Gich gia Séc pachphat it nhat 1a 30 um véi quy trinh hai lop kim loai (metal va metal?) Banga,7 tom taDkich thude thue va ti Ié cde pad. 29Baing Error! No text of specified style in document..2 Kich thurée chip | mm? voi hé 86 ty 16 50 nm Kich thuée thyre Kich thude pad 100 pm 100 pm. 2 Khoang cdch pad 130 um Saw (gitta cae diém trung tam) “” 7. S6 lugng pad (bo trong cde 6 SS pad & cae géc) Tong 86 long pad a FZ Kich thude lop overglass | 88 um er m “vial” durge layout oo, hign theo géc nhin 3 chiéu 6 Hinh 3. va metal2 véi nhau. Day din lien k uum, théng thing, ta s& v8 mot lap phic (0 khung pad (padframe), va hic 46, ta sé ve feta ra phic thao 1a 15 um. hin 3 chiéu ciia layout phia bén trai Lép metal2 Lép metal Hinb Error! No text of specified style in document..20 Layout Vial*| + metal va metal2 31Lop overglass Lap cfich dign Lap eich dign Lap céch dign nh). Kich e@ cia pad trong Hinh 3.21 14 130 : chiéu dai m6t canh die chia cho kich thuée mm $6 lugng pad = Te 6 cho ng chtta pad nén sé pad thye t€ trén mot canh 18 6 nhur Hinh ge dit trong khu vc bén trong khung pad, cén phan bén ngoai ach ké sé duge cit di khi cite die durge téch ra. Chi ¥ ring trong dinh m6t quy trinh CMOS 2 lép kim logi, va cae layout ndy ¢6 nay duge singing dé do kiém) c6 thé khdng phai la dang hinh vas, hinh chi nhat, thay vao dé cé thé la dang hinh chit thap. Quy trinh bé tri cic pad diu do, dinh cho cic diekhéng cin dng géi, néi chung vé co ban cing theo quy trinh twong ty nhur pad lién két binh thuéng. Sy khéc biét 1 céc pad dau d6 c6 thé nim bat ky dau trén chip va ching thuréng nh6 hon pad lign két. Vi mach CMOS nim trong wes Baas G 333.7 Cie lép active, lép poly, lp n-select, p select va layout Trong phan truée, ching ta da dé ca cae lop n-well, metal], vial, metal2 va overglass. Trong phan nay chiing ta chi dé cap tdi cac lép ché tao bd sung sau: lop actite)yyelect, p- select, poly1, silicide va tiép xiic OY Lop active . Y Dé hiéu vé /6p active, dau tién, ching ta xem trong hinh 3.24. thudng ©6 dang hinh chit nhat, ding dé tao an mon | khu vue cé dign tich turong ‘in ich cia lop active, va nhur trong hinh 3.24 la ving 6 gitta, lam xudng cia SiOs (vi ta hay ding FOX-Field Oxide khi nhac dén SiO:). Khu vye lm xudng.lydhg ting voi lép active nay durge goi la ving tich cue, bai vi day la khu vue hoat d61 ET (NMOS hoje PMOS). Dén day, ngudi doc cé thé khé hiéu, tuy nhié tiép theo dé rd vé y nay. Nhiing viing bé mat xu (xung quanh khu vue hoat déng cia MOSFET, xin nhac lai, trong hinh gdm xudng, chinh la khu vue hoat dong ctia MOSFET) duge sit dung cho-di céoda (61 cdc MOSFET hae nhau. Cée MOSFET duge ché tgo trong cae Ikhu yue.nitong lép active, trong khi dé FOX ngoai tinh nang dé di day két néi cic MO! con.duok sit dung dé cach ly cic MOSFET véi nhau (ce ving hoat déng duge ¢ 4 XY. Luu ¥ ring sé c6 cdc két néi dign tr6 gidta cée ving tich cue (hode thé FOX duge phat trién du day dé git cho Cac tugng tic gitta cée ving tich eye lin en 6 mite t6i thigu. fem xét cde phan tich(ip nas)abwoviagion => mask) dé ta0 q 5 Ky dong cia 1 MOSFET cp hinh tuong img cua sit dung két hop cic lap active, n- ip hinh (a) va (b), (c) va (d), (e) va (B), (g) va (h), (i) va Gj). Vi '5(a) va (b) khi sir dung lap active va p-sclect dé tao lép ban din 6 trén trinh bay vé l6p active, ving gitta FOX durge tao b6i lop mask ngudi é dat cau hoi tai sao l6p active va lop p-select khong thé c6 kich thuie nhur nhau, hay nd¥céch khde chi edn sir dung 1 trong 2 l6p li di? Ly do cia vige can e6 2 lép rigng biét, trong dé Iép p-select tong ty vé hinh dang nhu Iép active nhung cé6 kich thude 35Jon hon, la dén tit vige sai sé khi san xudt ma cu thé la vige canh vi tri chinh xéc etia 2 lop active va lép p-select. Chiing ta hay hinh dung vige nay nhur sau: l6p active ban dau duge str dung dé tao ving tich ewe (ving 16m xudng ca lép FOX, li khu vue hbat dong ctia MOSFET) qua qua trinh quang khac (lithography, bao gdm nhiéu bude, » SB duge trinh bay trong ehuong 6). Sau dd, néu ching ta sir dung lép p-select;c6)kich thu nhu lop active (nghia li ching ta sir dung lai lop mask active) dé tao vi din loai p qua gua trinh quang khée va qué trinh cay ion (implantation) hoge khugeb vige canh vj tri tuong déi gitta lép p-select va lp active khon; xée tuyét ddi, nén sé din dén trong khu vue tich eye (ving gitta i ban dan loai p duge tao ra nhung bi Iéch trai (nhw trong hinh 3. vic 6p ban din loai p bj Iéch phai (nhur trong hinh 3.26 vad). B6 1a : ay A select va lop active riéng biét, trong dé lop p-select ddhg Wang M6t vin dé c6 thé duge dat ra la, khi lop p-select [6 op al loai p duge tao ra sé 1én hon ving dién tich quy eri I Jn boi FOX cé di d9 day, l6p ban din loai p ngay duéi lép FOX? Vike nay duge lop FOX nay sé ngin can vige c4y ion/hoaé(klnuéch tétmgy chat acceptor dé tgo l6p ban din loai p ngay duéi Isp FOX. Luu ¥ th ‘OK thong thing durge ché tao bai qué trinh oxy héa eye b§ (LOCOS-LOCal OxiditiongP Silicon) hoge qua trinh STI (Shallow Trench Isolation) lon hon lép active. We, thi ligu_ving ban din ive, nghia la c6 thé tao ra (i ta chi vé mét lép duy nhat thay vi 2 lop: lép active va lép n-select finh 3.25,j i mt trudng hgp thé hign don gian cita 2 lép active va lopLép p-select @)Lép mit na Tayout (nhin trén xuéng) Lop neselect ‘©Lap mak na layout (ihn ten xuéna) (f) Hinh chigu mat cit ngang cia (e) ‘Ban din logi n vap khong duge xée (h) inh chin mat cét ngang cia (a) Buge ve nhur mt lop rigng re @ Due vé nhur mot op layer duy nhit cia ()) Hin 3.25 M6t sé hinh anh két hop sir dung cdc lop active, n-select, p-select 37Lop p-select n (a) Lép mask p-select léch trai so véi lép active (nhin trén xuong) Lop p-select u mat cat ngang ciia (c), ting ban dan loai p bi loi fe (©) Lép mask p-select Co léch phai so véi lép active (nhin trén xuéng) ia Ldp p-select va lop active Iéch khi Hinh 3.26 Cac trong hop Idi do a a i nly 1a bing nhau kichytt Lép poly: Lép poly duge ask dé tao cue G (cyte céng, Gate) trong MOSFET. Do cute edi lié tao voi vat ligu polysilicon (Silic da tinh thé), nén lop mask dy ig duge dit tén 1a lop poly. dung l6p active, dé thy duge lop nén (vi dy nhur , ching ta sé ché tao mot lap oxide (SiO2) méng trén Ia bx va duge goi i GOX (Gate Oxide). Ké tiép, lop cuc céng v6i vat ligu polysilicon. Tiép sau dd, nho vao ce nin ‘ngin cho qué trinh cy ion tap chat Donor kh6ng thé n vao lép nén ol Ge . Nho do, ching ta hinh thanh nén eye 8, G va eye D. Véi qua trinh a &n, hai céng $ va D cé thé hoan déi cho nhau, va ty canh kich thude voi nhau khi l6py1ask poly 6 thé dich qua trai hoe dich qua phai trong qué trinh sin xudit ma khdng gay ra Ii nao. Luu y khée vé ki higu trong hinh 3.27 nay, vé Wanuvn Va Larewa? chinla cdc théng sé W, L trong mé hinh MOSFET. Ki ty nhé drawn chi ¢6 chi y day li cde kich thuée vé trén layout véi cong cu thiét ké, sau khi sin xudt, kich thude that ctia MOSFET duroc san xuat 06 thé khéc Werawn V8 Lawn S Voi trinh ty sin xudt trén, 1ép poly duge vé, ché tgo trén lop active DE xée dinh sé Iugng MOSFET trong vi mach, ching ta chi cin don giin dém s6 lép(pdly duge vé, ché tao. . Vidy 3.1 Cho y kién vé van dé cita bé tri cla MOSFET sau day trot Trong hinh vi dy 3.11, lop active dinh hinh ving he duge tgo ra, Bé mat duge chon trong Hinh (a) duge duge thay trong hinh 3.26. Tuy nhién, do sy xé dip khu vye ngay canh eye céng sé khong duge cay vé bén trai hode phai). Chit ¥ cdch bé tri Khon véi cdch bé tri ding trong hinh 3.26a, Diém. 39Lép nén loi p (c)Hinh 3D ctia (a) Hinh 3.27 Layout va céc hinh cia MOSFET v6i lop poly.Day noi bang vat liéu Polysilicon (goi tat la Day Poly) Lép poly ciing cé thé duge sir dung nhu mét day néi, giéng nhu metall. Lac nay, lép Poly duge dinh tuyén trén FOX. Han ché chi yéu khi sir dung lép Pol déykét néi 1 dign tré tm (sheet resistance) ca lép Poly kha 1én so véi lép kim logi, Nhtvda xét trong chuong trude, dign tré tm ciia cae lép kim loai x4p xi 0.1 0/5 vuéng(Rs¥0.10 /square), trong khi d6, dign tré tim cia poly duge pha tap chat c6 thé 1én dén 200 0/6. Dign dung gitta lép poly va lép nén cing Ién hon, don gin vi khoang cach gitta 1ép poly va lép nén nhé hon so véi trong cdc truéng hop trong Bang 3.1. (nhac laindd day th 86 eid tri nho - lép GOX méng, nhu durge trinh bay & phan vé lép Poly). Do 6, 46 tré qua dirong day poly c6 thé dai hon dang ké so véi do tré qua dudng day kim 10ai/Dé gianvdign tro tim cua Poly, m6t loai chit duge goi Ia silicide (duge tao boi vigurGn Lisiliéon va kim logi chiu duge nhiét 49 cao nhur tungsten) duge King dong (defOsite) tréy7NIOSFET nhu trong hinh 3.28. Phan tao bai lép silicide va l6p poly (nhur kiwsandwigh) ditge goi la polycide. Silicide, Kiéu sandwich silicide va poly: yo duge goi la polycide Lép nén loai p Hinh 3.28 Cac Che G,SiD)ctia MOSFET due silicide héa dé gidm dign tro tim Bang,3.5)cho thay indt s6 gid tri dién hinh cita dign tré tim, Requare, cling véi well, poly, n+ a¢p¥ tfong qué trink ni cla CMOS. Khi ta sir dung poly kim mit na dé tw edn chinh leviingyngedn (Soue’) va ranh (Drain) cia MOSFET so véi céng (Gate), xem trong.hinh 3.26” pha-tap ac poly mOt trong hai ogi 1a logi n (NMOS) hoje loai p ceMos), Sawtho/charsiligide duge sit dung nham dé trénh tao thanh két ndi pn (di-6 cae Long palysilicos ey PMOS vi NMOS duge Két néi véi nhau trong viing oxit (silicide bi cig CGN (Gate) poly loai n va p véi nhau). Cac théng sé ky thuat con Iai c6 trong bang sé dygehdi vapphirong sau. 4lBang 3.5 Céc tinh chat dc trung cho vat ligu dign tr6 trong quy trinh san xudt CMOS Din |, Saisd Silicide | tre cde Dign ne a ( a ay vey Losi (pp ppm/C*) | (pp ( AR/R NA | Well [300210] 2400250| 7£05 | 80002200 |» s00¥50 | <0.1 No [ntpoly| 20021 | 20210 | 0620.03 | 700250 0 & =05 No [prpoly) 40025 | 160410 [OR 003 | en250 7” 180495" | <02 No n> | 10022 | 1500 10 | 0.042 0.1 2500530 LHF <04 No | p> | 12523 [1400220 | 04201 SOF oe 25 | <06 Yes |n+poly| 5£03 | 3300290] 1.04 epee 38004 400 | <04 Yes | p+poly| 7401 | 3600250] 1.02027 25 3500+ 250 | <0.7 Yes | mt | 1020.1 [3700250 2 150 | 600260 | <1.0Khéi Silicide Trong mét sé tinh hudng (nhuw trong ché tao dign tra), didu cn thiét 1a dé silicide gin vao trén céng poly hoac cde ving ngudn / rinh. Cé mét 6p duge goi 1a silicide, c6 thé duge sit dung cho muc dich nay. Hay xem xét vi dy sau, Vi dy 3.12 ~y Use tinh d6 tr8 qua day poly trong hinh VD 3.12 6 va wes silicide. BG rong cia day 1a 1 va chiu dai 1a 1000. Hay diing hé s6 ty 16 ign dung trong bang 3.1. Dang thdi, m6 phong d6 tré bing ae cide, Cang v6i sir in dung cia day poly véi chat nén nhu sau: Cpoty = Cptate * Area, ma eel? Cringe * perimeterarawn * scale (3.10) y kJ Sy Cooty = a hig oe + (88 aF) - (2,002) - (0.05) = 9fF Dign tre OS 5 Ue ti nt i ebng he su y oY R= Raguore YS ciia day 1a 200k (khéng cé silicide) hoe Sk (c6 foan nhu sau: 935 79 fF + 200k = 630ps vatg = 0.35 -9 fF -5k = 16ps uge xem trong Hinh 3.29. Trong netlist mé phéng, ta chia ra t6i 1.000 6 vudng. Dig dung/6 1a 9 aF (Inu ¥, mot sé trinh mé phonh SPICE c6 thé khong nhan ra ‘a” nén ta sindung e-18). Dign tro/6 li 200 0 (Khong c6 silic) hoe 5 0 (66 silic).. hoae 1) 43oT vivo) out a wen woo.) 10 10 05) 05 on on 00) 00) (tangata Oo Hinh 3.29: M6 phong 46 tré 625, Luu § ring lép khéi silicide khong duge dat hoe ving active. Néu khdng cé thé hinh 3.8 So' luge quy trinh cong nghé cas polycide Quy trinh chung dé sa Xo: trinh bay trong Hinh 3.30. Viée ché tao ca PMOS vi NMOS duge trink bay’ehi 1g hinh nay, véi ban dau di c6 ché tao sin n-well (hode p-well) (pha cape vel di duge trinh bay trong chuong 2), i gale mét lép oxit mong lén trén toan b6 tém wafer. Tigp theo la li itride (lite nay, lép oxit mong trude db duge str dyng nhu la lop phii lop cam quang/can quang photoresist. Lép photoresit a (Be) ci 1ép mt na active, va nhw tinh nding cia lép active da duge pu 8 ig photoresist nay sé x4c dinh khu vyc hoat dong cite MOSEDF Py Buse dau tién, tr O. Khéng durge phii béi lop cin quang s8 duge An mon, ing tim wafer dé hinh thanh céc rnh néng. Ké tiép, hinh, (oxit héa va mai mén kim phing bé mat (polishing), 6 d6 cac )2. CAc rdnh nay lic nay chinh 1a FOX dé phan cach biét cac (cdc vig chira MOSFET). Kiéu cach ly cac MOSFET dya vao FOX nhu / duro Bot la cach ly ranh néng (Shallow Trench Isolation-STI). Luu y nho & Ooday: trong mt sé tai ligu vé sin xudt, thiét ké vi mach, d6i khi 2 thudt ngtr FOX va STI duge sit dung thay thé cho nhau. Trong hinh 3.30d, sir dung cae bude trong qué trinh quang khic cnbleyrouranhy, sé duge ban chi tiét hon trong ‘CHE) nhu bao gém phi lp cam, in mon, iy (implant) cdc ion cia tap cht Donor vao ving n-well walgbéptor vao ving p-well, dé diéu chinh dign ap nguéng cua MOSFET. wy Hinh 3.30 cho thy két qua sau qué trinh quang khie d Gate ca cde MOSFET. Ké tiép, lép poly ciia eye Gate nay duge cho qua trinh cy tiép theo, dé pha nhe tap chat vao 2 vin} Jalé cia MOSFET (vide nay, ngudi ta goi li Lightly Doped Drain-LDD, di. rin, dp chat nay cho ca cue D va eye 8, nhung tir chuyén mén duge ding la L] vy bigt LDS va LDD). CAy ghép LDD voi mye dich ngan khong cho dig) tré nén qua cao (diéu nay sé duge ban ludn trong| Bude tiép theo 1a tao lop Oxit dgm eg 9 3.30g. Sau d6, thy hign vige cy nt/p+ vacsPs cae ving n+/p* tai cde eye S, D vaG cin eM hinh 3.30h, ngudi ta sé silicide héa e: ciia cde vat ligu polysilicon va n+ / ‘Mot diém can nén luu sori trinh ché tao, ngudi ta thudn; kim loai va cdc tiép diém/K6 nigm Front-End, Back- ng phan nay, trong hinh 3.30, trong qua Of the Line (FEOL). Vige ché tao cdc lop foe goi la Back-End Of the Line (BEOL). Khai ché tao vi mach c6 thé durge phan biét nhu vay, cn trong, qua trinh thigt KEvi m: nay eiing xuat hign nhung & cée pham vi khée nhau, va segue tng1a Fi fend Of the Design, Back-End Of the Design (FEOD, BEOD). y S 45Lép cam quang (sau khi tao hinh) ~ AS sn Ss rox T/ “= Fryar xs eae ey CoD cigrat do eds oyna tos v3 tap chat: LDD SS, D - yy spe . dem. DOP Pe Implant them = = @ 3D @ Thém silicide a) Hinh 3.30: Cac bude ché tao CMOS 6 bude Front-End3.9 Két néi day din véi lép poly, voi lép active; va cde liu ¥ khic Phan trudc da thao é hiéu vé cach layout ving active va polysilicon. Trong phan nay, chiing ta sé ban vé lim thé nao dé két ndi day kim loai véi lép poly va lip active va cae luru y quan trong khi thytc hin vige d6. fa sé khong bao hign vay, ching i 66 ti i Lép contact sé két néi metall véi l6p active (n+/p+) hodc poly. gio két ndi truc tiép gitta 6p kim loai vai lop nén hoje well, boi nin ta s€ tgo ra mét diode chinh luru (diode Schottky, 1a mot dang lop kim logi va ban dan logi n hoge p). Hon nita, ching ta sé lop poly ma khong c6 chat silicide trong d6. Khong ms xung quanh méi két néi véi lop poly. < Hinh 3.31a trinh bay thiét ké layout va mat cep cht poly. Hinh 3.31b cho thy két néi tir lop metal apt thé két ndi voi lop metal2 (théng qua vial, dui loai) hofc metall két ni véi lop active, 16 ndi trye tiép vi lép active, lép poly ma ¢ contact. lop metal, contact, ¥ thém: lép metall c6 ig phan truée vé lbp kim (6, ldp metal2 khong thé két két néi trude véi metal vaaS : as thudmg xem fing lop nén loi p cé thé ning la 0, nghia la durge xem nhu két ni voi dat. (@) Lop Metall Reali ly week. D) oo S Lép nén loai p a tidp xtc select Ry (b) Két ndi véi lop Active Chat cach ign Chat cach Chat cach dign FOX Lép nén loai p +h lép metal] két ndi vai lép active, lop poly EY loai P véi dat ing chuong 2 vé n-well, ching ta chii yéu ban vé cong nghé n-well liTuy nhién, céch thite két ndi lép nén véi dat chua duge trinh bay. Hinh 3.32 cho cai nhin vé cach két néi lop nén logi p (la lép nén chung cho NMOS va cho PMOS, khi ding well) véi dit thing qua lép metal. Xin duge nhac lai ngudi doc Iuu metall véi p+ (hoic n+/poly) ma khéng két néi metal truc tiép voi lop poly nim 6 phia trén FOX trong khi metal! nim phia trén cua k nay nim 6 bén trén FOX. Ngoai ra, cdn nhé rang khéng chi két néi | mot két néi, giéng nhu da thay 6 hinh 3.32, va két lun rang lop nén{bua toan b6 chip hoan chinh déu duge két néi véi dat. Mat ly do cho vige nay Ia lop né “ait vyatligu thuan tro. M6t mach dién cla chip hon chinh duge ché tao trong lop nén Hose di bulk) luén cé cde dong rd (DC vi AC) chay trong lop nén\Chinh ‘Sy (88 tao cic cdc viing cuc bé nao dé trong toan bé chip c6 céc mite dién dp cai rong diéu kién ly tudng, cae ding r6, dong chay trong lop nén 6 gid shh eo thyc té thi sé khong bing 0, nhung né sé cé gid tr) nho ma gid tr} i thé {io vi tri ctia mach cing nhu cach hoat dng eta mach dién trong chip, fing.fatad két néi lop nén véi dat théng qua metal, gidng nu tao | diém thoat cho dong anak gitt dign thé cia lop nén luén 6 dat. Trong thye t6, khi ché tao, ngudt @Séta0 igu két néi lop nén voi dat & bat ky vi tr ndo Ki c6 thé tao duge. — SO7” Cy ~ J WwW 5 Chat cich dign Chit cich di Chat cich dign FOX Lop nén loai p Gée nhin canh bén Hinh 3.32 Két néi lép nén v6i dat 49