CHƯƠNG 7 BỘ NHỚ BÁN DẪN

Bài 7.1 Làm thế nào để phân biệt giữa hai bộ nhớ như các hình (a) và (b) sau đây:

a/ Bộ nhớ 1 chế độ : Read

b/ Bộ nhớ 2 chế độ : Read - Write

Bài 7.2 Đối với mảng ROM trong hình vẽ sau, hãy xác định các đầu ra cho tất cả các kết hợp đầu vào có thể và tóm tắt chúng ở dạng
bảng (Ô màu xanh là 1, ô màu xám là 0).
ĐÁP ÁN:
A1 A0 O3 O2 O1 O0
0 0 0 1 0 1
0 1 1 0 0 1
1 0 1 1 1 0
1 1 0 0 1 0

Bài 7.3 Thiết kế ROM để chuyển đổi số đơn BCD sang mã thừa 3.
Ký hiệu:

Bảng trạng thái:

A3 A2 A1 A0 O7 O6 O5 O4 O3 O2 O1 O0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1
0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0
0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 1
0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 1 0
0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1
0 1 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0
0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1
0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0
1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1
1 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0
Bài 7.4 Cho bộ nhớ có 9 đường địa chỉ, 8 đường dữ liệu, có CE tích cực mức thấp
 a. Tính dung lượng bộ nhớ theo bit.
b. Xác định vùng địa chỉ của bộ nhớ.
c. Có một chương trình dung lượng 128 byte ghi vào địa chỉ 020H. Xác định địa chỉ cuối cùng của chương trình.
d. Ghép các bộ nhớ trên thành (1Kx8), (2Kx8), (1Kx16)
ĐÁP ÁN:
a/ Dung lượng bộ nhớ : C = 2^9 (byte)= 512x8 = 4096 (bit)
b/ 9 đường địa chỉ A0 – A8
Vùng địa chỉ: 000H -1FFH
c/ Địa chỉ cuối: 09FH
d/ Ghép 1Kx8
Dùng 2 IC có bộ nhớ 512byte để ghép thành bộ nhớ 1Kbyte
Bộ nhớ 1Kbyte có 10 đường địa chỉ ngõ vào A0-A9
2 bộ nhớ IC1 (515byte), IC2 (512byte) có 2 chân cho phép CE1 và CE2
A9 CE1 CE2 Trạng thái
0 0 1 Cho phép IC1 cấm IC2
1 1 0 Cho phép IC2 cấm IC1
CE1 = A9; CE2 = A9\
Vẽ mạch kết nối.

Bài 7.5 Cho bộ nhớ có các đường địa chỉ (A0 - A12), dữ liệu (D0 - D7) có CE tích cực mức thấp
a. Tính dung lượng bộ nhớ theo byte.
Dung lượng bộ nhớ : C = 213 =8Kbyte=8*1024byte= 8192 byte
b. Xác định vùng địa chỉ của bộ nhớ.
Vùng địa chỉ : 0000H - 1FFFH
c. Nếu cho A10 = 1, xác định vùng địa chỉ truy xuất được và tính tổng dung lượng của các vùng truy xuất.
 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Hex Dung Lượng
0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0400H 1Kbyte
… … … … … … … … … … … … … …
0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 07FFH
0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0C00H 1Kbyte
… … … … … … … … … … … … … …
0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0FFFH
1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0C00H 1Kbyte
… … … … … … … … … … … … … …
1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0FFFH
1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1C00H 1Kbyte
… … … … … … … … … … … … … …
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1FFFH

d. Nếu cho A10 = 0, xác định vùng địa chỉ truy xuất được và tính tổng dung lượng của các vùng truy xuất.

A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Hex Dung Lượng

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0000H 1Kbyte
… … … … … … … … … … … … … …
0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 03FFH
0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0800H 1Kbyte
… … … … … … … … … … … … … …
0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0BFFH
1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1000H 1Kbyte
… … … … … … … … … … … … … …
1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 03FFH
1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1800H 1Kbyte
… … … … … … … … … … … … … …
1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1BFFH

e. Vẽ mạch truy xuất 40 byte đầu tiên của bộ nhớ.

Địa chỉ bắt đầu 0000H
Địa chỉ kết thúc: 0027H
Địa chỉ Reset: 0028H

f. Vẽ mạch truy xuất 40 byte bắt đầu từ địa chỉ 200H.

Địa chỉ bắt đầu: 200H
Địa chỉ kết thúc: 227H
Địa chỉ Reset: 228H
Mạch:
Câu 4: (1,5 điểm) Cho DAC ngõ ra điện áp n bit, có kích thước bậc thang (Stepsize) K =
10mV
a. Tìm n nhỏ nhất của DAC để có điện áp ngõ ra VO = 5V.
Số bậc của VO là 5V/10mV = 500 bậc 2 n - 1 ≥ 500  n ≥ 9 Vậy n nhỏ nhất n = 9
(0,5đ)

b. Với n = 8. Tính giá trị điện áp ngõ ra cực đại VOmax.

VOmax = (2n - 1)K = (28 - 1)10mV = 2,55V (0,5đ)
c. Với n = 10. Tính điện áp ngõ ra VO khi ngõ vào số là 1100100000B.
1100100000B = 80010 VO = 800.10mV = 8V (0,5đ
Câu 6: (1.5 điểm) Cho bộ nhớ EPROM 4KBx8
a. Xác định vùng địa chỉ nhớ.
A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -> 000H
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ->FFFH
Vùng địa chỉ nhớ là (000H – FFFH) 0,5đ
b. Xác định vùng địa chỉ nhớ có thể truy xuất được khi A10 = 0.
A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 000H
0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 -> 3FFH
1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -> 800H
1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 -> BFFH
Vùng địa chỉ nhớ có thể truy xuất được (000H – 3FFH) và (800H – BFFH) 1đ

Câu 5: (1,5 điểm) Cho DAC ngõ ra điện áp n bit.

a. Tìm số bit nhỏ nhất của DAC để có VO = 8,184V, với kích thước bậc thang
(Stepsize) K = 20mV Số bậc của VO là: 8,184V/20mV = 409,2 bậc
(2 ^n) -1 ≥ 409,2 → n ≥ 9 Vậy số bit nhỏ nhất của DAC là n = 9 (1đ)
b. Với n = 10. Tìm K khi VOmax = 8,184V
K = VOmax/((2^n) -1) = 8,184V/(2^10 -1) = 8mV (0,5đ)

Câu 6: (1 điểm)
a. Hãy vẽ mạch đơn ổn (định thời) sử dụng IC555 (0,5đ)
b.Cho C = 10µF. Tìm R để có độ rộng xung ra là 3s
T = 1,1RC R = T/1,1C = 3s/(1,1x10 µF) = 273kΩ (0,5đ)

Câu 7: (1,5 điểm) Cho bộ nhớ EPROM như hình vẽ

a. Tính dung lượng theo đơn vị bit

C = 2^11x8 = 16384 bit (0,25đ)

b. Xác định vùng địa chỉ nhớ có thể truy xuất được khi A9 = 0.
(000H → 01FFH) và (400H → 5FFH) (0,5đ)
c. Ghép các bộ nhớ trên thành bộ nhớ có dung lượng (byte) tăng gấp đôi.