TEORÍA DE SEMICONDUCTORES: EL EFECTO

FOTOVOLTAICO
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Índice
Presentación 4
Antecedentes del efecto fotovoltaico 5
Estructura atómica I 6
Estructura atómica II 7
Estructura atómica III 8
Conductores, aislantes y semiconductores 10
Impurezas o dopantes 11
Semiconductores tipo N: ejemplo silicio dopado con antimonio 12
Semiconductores tipo P: ejemplo silicio dopado con aluminio 13
Efecto fotovoltaico I 14
Efecto fotovoltaico II 16
Resumen 17

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Presentación
La energía solar fotovoltaica se basa en el efecto fotovoltaico , descubierto en 1839 por el
físico francés Alexandre-Edmond Becquerel y que consiste en la transformación directa de
la radiación solar en energía eléctrica.

Dado que esta transformación se realiza en dispositivos llamados células solares es preciso
conocer estas células solares y analizar sus componentes.

En primer lugar se introducen conceptos básicos de la teoría de semiconductores,

comenzando por el modelo atómico como punto de apoyo para explicar la unión p-n en
semiconductores partiendo de su estructura atómica como fuente de la fuerza
electromotriz que crea un movimiento de cargas eléctricas (intensidad de corriente
eléctrica) a lo largo de un conductor realizando un trabajo (denominado diferencia de
potencial).

Seguidamente, se explican los principios físicos según los cuales funciona una célula
solar fotovoltaica así como su curva característica I-V y los factores que influyen en su
eficiencia.

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Antecedentes del efecto fotovoltaico

A continuación se señalan los hitos más
importantes de su desarrollo.

El efecto fotovoltaico fue reconocido

por primera vez en 1839 por el físico
francés Alexandre-Edmond Becquerel
(1820-1891). Sus estudios sobre el
espectro solar, magnetismo,
electricidad y óptica son el pilar
científico de la energía fotovoltaica.

E n 1883 el inventor norteamericano

Charles Fritts construye la primera
celda solar con una eficiencia del 1%.
La primera celda solar fue construida
utilizando como semiconductor el
selenio con una muy delgada capa de
oro. Debido al alto costo de esta celda
se utilizó para usos diferentes a la
generación de electricidad.

E n 1905 Albert Einstein consigue

explicar el efecto fotovoltaico y en
1921 recibe el premio Nobel de Física
por sus servicios “a la teoría de la
Física y en especial su descubrimiento
de las leyes del efecto fotovoltaico”.

La celda de silicio que hoy día utilizan proviene de la patente del inventor
norteamericano Russell Ohl (1898-1987). Fue construida en 1940 y patentada en 1946.

La época moderna de la celda de silicio llega en 1954 en los Laboratorios Bell

Telephone. Experimentando con semiconductores se encontró de forma accidental que
el silicio con algunas impurezas era muy sensible a la luz.

En 1958, Estados Unidos lanzó al espacio el satélite Vanguard I que integraba el primer
sistema fotovoltaico operado con éxito, constituido por seis paneles montados sobre
superficie exterior de cuerpo esférico. Cada panel alojaba 18 células de silicio
policristalino. La potencia que suministró fue de 50-100W durante seis años.

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Estructura atómica I
El átomo es la partícula estable más pequeña que
compone la materia y está formado por el núcleo y
la corteza o envoltura. En el núcleo se encuentran
los protones con carga positiva y los neutrones que
no poseen carga. La corteza está formada por
electrones que tienen carga negativa y giran
alrededor del núcleo en diferentes órbitas. El
número de electrones de la corteza es igual al de
protones del núcleo.

Los electrones que se encuentran orbitando

alrededor del núcleo no pueden tener cualquier
energía sino solamente unos valores determinados llamados niveles energéticos (1s, 2s, 2p,
3s, 3p, etc.) y giran en órbitas casi elípticas (orbitales).

El número máximo de electrones que se pueden alojar en cada órbita es de 2n 2, siendo "n"
el número de órbitas). En el nivel energético s hay cabida para dos electrones; en el p, para
seis electrones; en el d para 10 y en el f para 16.

Así, la distribución energética en orbitales de los 14 electrones del silicio (nº atómico=14)
sería la siguiente: 1s2, 2s2, 2p6, 3s2, 3p2.

Las propiedades químicas de los elementos y materiales están determinadas por los
electrones que tienen en la última capa y por el número de ellos quefaltan para
completarla. En el caso del silicio, en su última capa (orbital 3) posee cuatro electrones
(dos en el nivel 2 y otros dos en el nivel p) y faltan también cuatro electrones para
completarla.

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Estructura atómica II
Atendiendo a la carga eléctrica, los
átomos se pueden clasificar en
positivos, negativos y neutros .

Los átomos de elementos simples,

cuando sus órbitas están completas
s o n neutros, es decir, tienen igual
cantidad de electrones que de
protones; pero dado que los
electrones de la última órbita son los
más alejados del núcleo y por tanto,
perciben menos su fuerza de
atracción, pueden salirse de dicha
órbita denominada de valencia,
dejando al átomo cargado
positivamente por contener más
protones que electrones. Si por el
contrario en el último orbital del
átomo hubiese alojado un electrón
libre exterior al átomo habría
adquirido carga negativa, a estas dos
situaciones se les denomina iones.

Se llama átomo estable al que tiene completa de electrones su última órbita o al menos
dispone en ella de ocho electrones. Los átomos inestables, que son los que no tienen llena
su órbita de valencia ni tampoco ocho electrones en ella, tienen una gran propensión a
convertirse en estables, bien desprendiéndose de los electrones de valencia o bien
absorbiendo del exterior electrones libres hasta completar la última órbita; en cada caso
realizarán lo que menos energía requiera.

Cuando los átomos de un elemento (por ejemplo silicio) se unen con otro, comparten los
electrones de sus últimas capas con los átomos del vecino mediante enlaces covalentes
(estables y sólidos). Estas agrupaciones se pueden realizar de forma ordenada dando origen
a un sólido de estructura cristalina .

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Estructura atómica III

Los electrones de un cristal tampoco pueden tener cualquier energía. Lo que antes en el
átomo era un nivel único de energía ahora son agrupaciones de niveles muy próximos
llamadas bandas de energía. La banda de energía más alta recibe el nombre de banda de
conducción (Ec) y a la de energías más bajas, banda de valencia (Ev). Ambas bandas están
separadas por una energía (Eg), denominada energía de gap (o energía de la banda
prohibida).

En general, a una temperatura dada, habrá electrones con energía suficiente para desligarse
de los átomos, a estos electrones libres se les asocia un nivel energético de la banda de
conducción. A los enlaces que han dejado vacíos se les denomina huecos y a los electrones
que siguen ligados a los átomos se les asocian los niveles energéticos correspondientes a la
banda de valencia.

El número de huecos de un semiconductor [que llamaremos concentración intrínseca, (n i)]

es proporcional a:

Donde T es la temperatura y k la constante de Boltzman.

Así, por ejemplo:

300 K para el Silicio con Eg = 1,11 eV.

a 350 K.

300 K para el Arseniuro de Galio con Eg = 1,42 = eV.

Se puede observar que la afección de la energía de la banda prohibida (o energía de

gap) y la temperatura es muy significativa, ya que pequeñas diferencias provocan
grandes variaciones en la concentración intrínseca.

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Conductores, aislantes y semiconductores

Los cuerpos conductores son aquellos cuyos átomos permiten fácilmente el paso de
electrones a través de ellos (tienen una Eg = 0), por ejemplo, el cobre, que dispone de un
electrón inestable en su cuarta órbita con una gran tendencia a desprenderse). En cambio,
los aislantes ofrecen elevadísima resistencia al paso de electrones (Eg > 4eV muy elevado) y
los semiconductores que presentan una resistencia intermedia.

Los semiconductores se pueden dividir a su vez en :

Semiconductores intrínsecos: la
característica fundamental de los cuerpos
semiconductores es la de poseer cuatro
electrones en su órbita de valencia. Con esta
estructura el átomo es inestable, pero para
hacerse estable se le presenta un dilema, ya
que le cuesta lo mismo desprenderse de
cuatro electrones y quedarse sin una órbita
q u e absorber otros cuatro electrones para
hacerse estable al pasar a tener ocho
electrones. En estas circunstancias
especiales, ciertos elementos como el silicio
y el germanio (Ge) agrupan sus átomos de
manera muy particular, formando una
estructura reticular en la que cada átomo
queda rodeado por otros cuatro iguales
mediante enlaces covalentes. En esta
situación, la estructura de los cuerpos
semiconductores, al estabilizarse, debería
trabajar como buen aislante, pero no es así,
como consecuencia de la temperatura. Al subir la temperatura aumenta la agitación de
los electrones y por consiguiente se originan enlaces covalentes rotos, dando lugar a
electrones libres y huecos (falta de electrón).

Semiconductores extrínsecos: las corrientes que se producen en el seno de un

semiconductor intrínseco a la temperatura ambiente son insignificantes, dado el bajo
valor de portadores libres. Para aumentarlas se les añaden otros cuerpos, que se
denominan impurezas o dopantes. Así se obtienen los semiconductores extrínsecos tan
importantes en la energía solar fotovoltaica.

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Impurezas o dopantes
Las impurezas o dopantes que se añaden a los semiconductores extrínsecos para aumentar
las corrientes en su seno pueden ser de dos tipos:

Donadoras: en su última capa tienen un electrón más que los átomos que constituyen la
red cristalina.

Aceptadoras: aquellos que poseen un electrón de menos.

Cuando en el semiconductor se pierden impurezas donadoras, éstas pueden perder el

electrón fácilmente. Introduciendo un número adecuado de impurezas se puede conseguir
que el número de electrones en el semiconductor venga dado por este número de
impurezas y no por la concentración intrínseca, dando origen a un semiconductor
extrínseco tipo N (por ejemplo, dopaje del silicio con elementos del grupo V, tipo fósforo o
antimonio).

Sin embargo, si en el semiconductor introducimos impurezas aceptadoras, éstas capturan

un electrón fácilmente dando lugar a un hueco en la red cristalina . Si se introduce en el
semiconductor un número lo suficientemente elevado de impurezas de este tipo se puede
obtener que el número de huecos venga determinado por el número de impurezas y se tiene
así un semiconductor extrínseco de tipo P (por ejemplo, dopaje del silicio con elementos del
grupo III, tipo boro, aluminio, indio o galio).

Dada la dependencia exponencial que tiene la concentración intrínseca respecto a la

temperatura, si ésta aumenta lo suficiente, el semiconductor extrínseco puede pasar a
intrínseco. No obstante, en los semiconductores habituales de la industria electrónica
no se presenta este problema ya que en el entorno de 80ºC se sigue manteniendo el
carácter extrínseco.

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Semiconductores tipo N: ejemplo silicio dopado con

antimonio
En la figura siguiente se presenta la estructura cristalina del silicio (Si) dopado con
antimonio (Sb).

El átomo de Sb no sólo cumple con los cuatro enlaces covalentes, sino que aún le sobra un
electrón, que tiende a salirse de su órbita para que quede estable el átomo de Sb. Por cada
átomo de impurezas añadido aparece un electrón libre en la estructura. Aunque se añadan
impurezas en relación de uno a un millón, en la estructura del silicio además de los 1010
electrones y los 1010 huecos libres que existen por cm 3, a la temperatura ambiente, hay
ahora que sumar una cantidad de electrones libres equivalente a la de átomos de
impurezas. En estas condiciones el Si con impurezas de Sb alcanza 10 16 electrones libres y
1010 huecos libres por cm3, siendo en consecuencia el número de portadores eléctricos
negativos mucho mayor que el de los positivos y por el mismo motivo, se le asigna a este
tipo de semiconductores extrínsecos la clasificación de semiconductor tipo N.

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Semiconductores tipo P: ejemplo silicio dopado con

aluminio
La figura siguiente muestra la estructura cristalina del silicio (Si) dopado con aluminio (Al).
Por cada átomo de impurezas que se añade al semiconductor intrínseco aparece en la
estructura un hueco, o lo que es lo mismo, la falta de un electrón . Añadiendo un átomo de
impurezas por cada millón de átomos de semiconductor existen 1016 huecos libres y 10 10
electrones libres por cm3, a la temperatura ambiente. Como hay mayor número de cargas
positivas o huecos, el semiconductor extrínseco así formado recibe el nombre de Tipo P.

A l colocar parte del semiconductor tipo P junto a otra parte del semiconductor tipo N,
debido a la ley de difusión los electrones de la zona N, donde hay alta concentración de
estos, tienden a dirigirse a la zona P, que apenas los tiene, sucediendo lo contrario con los
huecos, que tratan de dirigirse de la zona P, donde hay alta concentración de huecos, a la
zona N. Eso ocasiona su encuentro y neutralización en la zona de unión. Al encontrarse un
electrón con un hueco desaparece el electrón libre, que pasa ocupar el lugar del hueco, y
por lo tanto también desaparece este último, formándose en dicha zona de la unión una
estructura estable y neutra .

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Efecto fotovoltaico I
El efecto fotovoltaico consiste en la
transformación directa de la radiación solar
e n electricidad cuando ésta incide sobre
determinados materiales denominados
semiconductores, los cuales en
determinadas circunstancias son capaces de
producir una fuerza electromotriz que
origina un movimiento de cargas eléctricas a
lo largo de un conductor realizando un
t r a b a j o (denominado diferencia de
potencial).

Existen dos tipos de materiales semiconductores: los denominados de tipo N y los

denominados de tipo P.

A los de tipo N se les puede forzar mediante el dopaje o adición de pequeñas impurezas
a tener un exceso de electrones en determinadas posiciones del átomo.

A los de tipo P igualmente a un defecto de electrones o exceso de huecos (lugares

vacíos que dejan los electrones al emigrar estos a otras posiciones por la interacción de
la radiación solar).

Al ponerse en contacto un material semiconductor tipo N con otro tipo P , se crea una unión
P-N. Los electrones en exceso de la capa N y los huecos de la capa P tienden a difundirse a
través de la superficie común de separación de forma que el semiconductor de tipo N se
carga positivamente y el tipo P negativamente, estableciéndose así una diferencia de
potencial de décimas de voltios, la cual da lugar a un campo eléctrico que restablece el
equilibrio.

Sin embargo si incide radiación solar sobre la unión P-N, los fotones liberarán electrones
adicionales y al mismo tiempo dejarán huecos en su lugar. Estos pares electrón-hueco, por
efecto del campo eléctrico adquieren movimiento (energía) y pueden ser recogidos
mediante un conductor apareciendo una corriente eléctrica.

Para que se produzca el efecto fotovoltaico debe cumplirse que:

 Variables

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En detalle

Variables

Significado de las variables:

h es la constante de Planck.

c es la velocidad de la luz.

λ es la longitud de onda.

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Efecto fotovoltaico II
El efecto fotovoltaico también se puede explicar desde un punto de vista cuántico. Según
esta perspectiva, su funcionamiento se basa en la capacidad de transmitir la energía de los
fotones de la radiación solar a los electrones de valencia de los materiales
semiconductores, de manera que estos electrones rompen su enlace que anteriormente los
tenía ligados a un átomo y pasan a la banda de conducción. Por cada enlace que se rompe
se genera un par electrón y un hueco (falta de electrón en un enlace roto) para circular
dentro del semiconductor.

E l movimiento d e los electrones y huecos en sentidos opuestos (conseguido por la

existencia de un campo eléctrico como se verá posteriormente) genera una corriente
eléctrica en el semiconductor, corriente que puede circular por un circuito externo y liberar
la energía cedida por los fotones para crear los pares electrón-hueco. El campo eléctrico
necesario al que hacíamos referencia anteriormente se consigue con la unión de dos
semiconductores de diferente dopado, como se vio al principio de esta sección: un
semiconductor tipo P (exceso de huecos) y otro tipo N (exceso de electrones), cuya unión
crea el campo eléctrico E.

Las células fotovoltaicas suministran un voltaje que es proporcional a la intensidad de la

radiación incidente. No todas las longitudes de onda son aprovechables sino que depende
del material. Sólo son aprovechables las radiaciones incidentes que tengan una energía
similar al gap de energía que presenta el material. En el silicio, por ejemplo, las longitudes
de onda aprovechables están entre los 3.000A y 11.000A, con un máximo de eficiencia
alrededor de los 8.000A.

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Resumen
A lo largo de este tema se ha analizado el efecto fotovoltaico , descubierto en el siglo XIX por
Alexandre-Edmond Becquerel, que consiste en la transformación directa de la radiación
solar en energía eléctrica. También hemos sabido que esta transformación se realiza en
dispositivos denominados células solares, constituidas básicamente por una unión tipo p y
tipo n de materiales semiconductores (sobre todo de silicio) y hemos analizado distintos
tipos de semiconductores, así como sus características. Asimismo se ha estudiado que la
electricidad producida es consecuencia de un balance positivo entre los pares electrón-
huecos generados y los que se recombinan antes de poder extraerlos del material
semiconductor mediante un circuito externo.

¡Enhorabuena! Has finalizado con éxito.

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