TRANSISTORES

DE EFECTO DE CAMP0

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS

Laboratorio N°11

TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO
Curso: Dispositivos y Circuitos Electrónicos Sección:
Mesa
Lab. Nro.: 11
Nro.:
Transistores de efecto de
Tema: campo Fecha:

Observaciones:

Participantes

Nro. Apellidos Nombres

1 Montoya Mendoza Ender

Thiago

1
 TRANSISTORES
DE EFECTO DE CAMP0

2021
“TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO”

Objetivos

- Identificar los terminales de un FET.

- Probar el estado de un FET
- Mostrar y medir el efecto del voltaje de drenaje con polarización cero en la
compuerta y determinar el voltaje de estrangulamiento para producir una corriente
de drenaje constante.
- Medir el valor del voltaje de polarización inversa compuerta-fuente requerido para
producir estrangulamiento para un valor dado de voltaje de fuente a drenador.
- Implementar un circuito básico de polarización con FET.
- Dibujar los diagramas y medir los valores DC en un circuito básico con FET.

Introducción
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material
p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de
material que forma con el canal una unión p-n.
Son componentes semiconductores, que se basan en el manejo de tensión y
corriente de salida bajo el control del Campo Eléctrico (V / mm), es decir, su entrada
no toma corriente, en la práctica esa corriente es extremadamente baja, comparable
a la I de fuga en un capacitor debido al dieléctrico.
La conducción en esta tecnología, depende únicamente del flujo de portadores
mayoritarios, por eso son unipolares, (un solo tipo de portadores N o P).
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada
puerta (g-gate) en el collar.

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Símbolos gráficos para un FET

CANAL N CANAL P

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LA INTERPRETACIÓN DE LA CARACTERÍSTICA DE SALIDA

Tiene 3 zonas: VDS (aumenta)

1- Zona lineal. Ley de Ohm ID= VDS canal (cte.) 2-
Zona alineal o de codo.
3- Zona de saturación, es la utilización como amplificador

PRUEBA DE UN TRANSISTOR FET

Entre la compuerta G y Fuente S se conforma un diodo PN para el cual el canal N y

un diodo NP para el canal P.
La tensión VGS se debe polarizar en forma inversa y en directa siempre y cuando
en forma no se sobrepase la tensión de arranque V (= 0,6V, Si). AL sobrepasar 0,6
V el diodo conduce y se destruye, porque está fabricado para baja corriente directa.
En síntesis, es una barra de Si, con impurezas controladas, N si el canal es N, e
impurezas P para el de canal P, que tiene cierta resistencia

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VENTAJAS DEL FET

1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (10 7 a
1012 W).Ya que la impedancia de entrada es mayor que la de los BJT, se
prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada a un amplificador
multietapa.
2. Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Son más estables con la temperatura que el BJT.
4. Se comportan como resistores variables controlados por tensión para valores
pequeños de tensión drenaje a fuente.
5. Puede ser utilizado como conmutador y como almacenador de carga (Tao de
entrada grande T=R.C).
6. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.
7. Tamaño mucho más pequeño que los bipolares.
DESVENTAJAS DEL FET
1. Exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de
entrada.
2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
3. Se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad estática.

Preparación

Para el desarrollo de esta experiencia de laboratorio, el alumno deberá revisar ls

apuntes de clase el texto base, el manual de componentes electrónicos, asimismo
realizar sus diseños previos utilizando el software de diseño electrónico del curso.
01 Resistencia de 1M , ½ W. 01
Equipos y Materiales Resistencia de 47 , 1/2W. 01 FET de
canal N. 2N5433 o
01 Osciloscopio 2N3819 o k170
01 Generador de 01 Resistencia de 100
Funciones. 01 Multimetro 01 Diodo 1N4002GP
digital. 01 Fuente doble de
DC 01 Protoboard. 01
Pelacables.

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PRIMERA PARTE: RECONOCIMIENTO FÍSICO

- El Transistor JFET:

Símbolo:
El símbolo de JFET es el mostrado; en él identifique y nombre sus terminales:

Forma Física:

DRENADOR SURTIDOR

COMPUERTA

CANAL: N

CANAL: P

A continuación se muestran las diversas formas físicas que presentan los JFETs; con
la ayuda del manual ECG identifique sus terminales y anótelos en cada uno de ellos
así como su tipo de encapsulado (Nota: Si no sabe usar el manual ECG pida ayuda a
su profesor de laboratorio)

A) Tipo de empaquetamiento. TO-92

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B) Tipo de empaquetamiento=.TO-71

C) Tipo de empaquetamiento=. TO-220

....................................................................................................................................

SEGUNDA PARTE: CIRCUITO DE PRUEBA

Objetivo 1: Mostrar y medir el efecto del voltaje de Drenador en la corriente ID

con polarización cero en la compuerta y determinar el valor del voltaje de
Drenador – Surtidor (estrangulamiento) requerido para producir una corriente
constante de drenador.

1. Implemente el circuito mostrado en la figura 1. utilizar un JFET de canal N en él se

comprobará su funcionamiento a través del control de la corriente del drenador –
surtidor por medio de un voltaje aplicado en terminal de compuerta (Nótese que el
valor de R1 implica una corriente muy pequeña a través del resistor).

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Figura 1

2. Aumente el voltaje de la fuente VDD del Drenador hasta que la caída de voltaje
VDS indicada en el voltímetro sea 0.5 Vdc.
3. Mida la corriente Id del drenador y anote el resultado en la tabla 1
4. Siga aumentando VDD y registre el valor de Id para cada valor de VDS en la tabla
1

VDS(V) 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5

IDS(mA) 0.000 4.475 8.987 13.415 17.879 22.34 26.796 31.247

VDS(V) 4.0 4.5 5.0 6.0 8.0 10.0 15.0 20.0

IDS(mA) 35.695 40.138 44.576 53.438 71.097 88.659 132.003
147.061

5. ¿Que puede comentar de los datos obtenidos?

A partir de los datos recopilados en el laboratorio, se puede notar que el voltaje de
estrangulamiento cumple la función de demarcar las distintas regiones, como la zona
óhmica, saturada y la región de ruptura.

6. Muestre los datos obtenidos en el siguiente gráfico ID Vs VDS.

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7. En su curva, señale el punto donde termina el aumento rápido en I D y comienza el

flujo de corriente constante. Dibuje una línea vertical desde ese punto hasta la
escala VDS, registre el valor del voltaje en ese punto. Este es el voltaje de
estrangulamiento de Drenador- Surtidor: Vp

8. ¿Como se llama la zona en donde el valor es menor de Vp?

La zona óhmica se distingue por el aumento lineal de la corriente en relación con
el voltaje VDS.

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9. ¿Como se llama la zona en donde la corriente ID no aumenta?

En la zona de saturación
10. ¿Que pasa con la corriente en la zona Óhmica?
Esta incrementa de manera lineal
11. Baje el valor de la fuente VDD a cero voltios.
Cuando VDD esta en 0 V el transistor JFET esta en corte

Objetivo 2: Medir el valor del voltaje de polarización inversa Compuerta –

Surtidor (Fuente) requerido para producir estrangulamiento para un valor dado
de voltaje de fuente a Drenador.

12. Implemente el circuito mostrado en la figura 2

Figura 2

13. Ajuste el voltaje de la fuente de Drenador a 12 VDC.

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14. Lentamente aumente el voltaje VGS de polarización de Compuerta – Fuente hasta

que la corriente ID de drenador llegue a cero y repita el proceso hasta asegurarse
de cual es el punto exacto donde Id cae a cero, observe en el voltímetro XMM2 el
valor de VGS el cual representa el valor de Vp de estrangulamiento de compuerta
– fuente, anote el valor.

Vp = 5 Vcd.

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Informe

Modelo de Informe

Carátula

Deberá contener lo siguiente:

1. Logo de la institución.
2. Nombre del curso
3. Nombre del laboratorio
4. Nombre de los integrantes.
5. Sección a la pertenecen.
6. Fecha de realización.
7. Fecha de presentación.
8. Nombre del profesor.

Fundamento teórico

Deberá ser conciso y redactado con lenguaje propio. Estará basado en las lecturas
recomendadas o cualquier otra información relacionada con el tema. No debe de
exceder de una página.

PRIMERA PARTE: Resultado del Laboratorio

El informe deberá constar de los siguientes puntos:

I. Resultados del procedimiento desarrollado en el laboratorio indicando con

claridad las mediciones tomadas y los gráficos de las señales de acuerdo a las
escalas tomadas. (No copiar toda la guía del laboratorio).
II. Explique sustentando con fundamentos teóricos los resultados obtenidos en el
laboratorio.

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SEGUNDA PARTE: Observaciones y conclusiones

Observaciones: se deben resaltar los logros alcanzados y también las dificultades o

errores de carácter técnico que pudieran haber encontrado en el desarrollo de las
tareas, respaldados por los cálculos o gráficos pertinentes si fuese el caso.
Conclusiones: esta parte contiene la síntesis de los resultados alcanzados a la
finalización del experimento.

Nota: Utilice el software que requiere su informe

Observaciones Generales

1. La presentación del informe se realiza en el CANVAS en la fecha indicada.

2. Se tomará en cuenta las reglas de ortografía en la redacción del informe.
3. La evaluación se realizará de acuerdo a la rúbrica.

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