1.

Principe Photovoltaïque - Généralité

2. Physique des cellules solaires

3. Cellules Solaires de 3ème génération

4. CONCLUSION

Coûts et marché photovoltaïques | 05/2013 | 40

PHYSIQUE DES CELLULES SOLAIRES

Motivations

Amélioration des propriétés optoélectroniques

Optique + Électronique
Caractérisation fine des cellules solaires
Nouvelles perspectives, cellules de troisième génération

| 41
PHYSIQUE DES CELLULES SOLAIRES

Ce que nous allons voir:

| 42
 PLAN

1. Généralités sur semi-conducteurs

2. Génération Recombinaison
3. Jonction pn
4. Notion de transport dans les SCs

| 43
4
3
2.2 Généralités sur semi-conducteurs

2.1 Généralités sur semi-conducteurs

| 44
 2.2 Généralités sur semi-conducteurs

Énergie de bande, bande de conduction, bande de valence

2
Schrödinger H0 n, k ( r )=
2m0 r V(r ) n, k (r )=En ,k n ,k ( r )

Structure cristalline,
potentiel périodique
1
n ,k r )= u n,k eik .r
V

Gap direct / Gap indirect

| 45
 2.2 Généralités sur semi-conducteurs

Densité de porteurs : Densité électroniques + occupation

m¿n 2 m (E Ec ) 1
n0= g( E)f (E)dE
Ec c
gc ( E)= 2 3
cm 3 eV 1 f ( E )= ( E E )/kT
F
1+e
Ev m¿n 2m( E v E)
Distribution de
gv( E)[1 f (E)]dE
gv ( E)= cm 3 eV 1
p=
0
2 3
Fermi

( EF E c)/kT ( Ev E F )/kT
On trouve : n 0 =Nc e p0 = N v e
¿ 3/2 ¿ 3/2
2 n kT 2 p kT
Nc=2 2
N=2
v 2
h h

Concentration intrinsèque de porteurs:

( E v Ec )/2 kT EG /2kT
ni = n0 p0= N c N v e = Nc Nve
Ni=1010cm-3 dans le Si
| 46
2.3 Génération Recombinaisons

2.3 Génération Recombinaisons

| 51
2.3 GÉNÉRATION, RECOMBINAISONS

Absorption directe

Absorption indirecte (phonons)

| 53
2.3 GÉNÉRATION, RECOMBINAISONS

1- Shockley-Read-Hall - Recombinaison sur un niveau discret

NT concentration de pièges, section efficace de vth

pn n 2i Taux de
R SRH = ( Ei E T )/kT ) E E )/kT )
Recomb.
SRH ,n ( p +ni e )+ SRH , p ( n+ni e )
i T

1 Temps
avec SRH
=
th NT de Vie.
Matériau dopé P: Matériau dopé N:
p0>>>n0 p0<<<n0
p0>>> p= p0+ = p0 p0<<< p= p0+ =
n0<<< n= n0+ = n0>>> n= n0+ = n0

TD : Simplification et signification si
1 - faible injection dans matériau dopé p à niveaux profonds
(n0<n<<p0; np=p0>>n0 ; ET~Ei)
2- Forte injection p~n>>p0,n0 | 57
2.3 GÉNÉRATION, RECOMBINAISONS

dopage

Plus le niveau
est proche du niveau de
Fermi à plus
la tension de dégrade

| 58
2.3 GÉNÉRATION, RECOMBINAISONS

2- Recombinaison radiative (gap direct)

Recombinaison bimoléculaire : Rbim=Bpn
Chimie = vitesse réactio n e s t prop ortionnelle
à la c o n c e n tr a t i o n d e s réacta nts

Taux de Recombinaison net : Rrad=Rbim G éné =Bn 2 Bpn=B( pn n2 )

i i

Simplification matériau dopé p à faible injection

(n0<n<<p0; np=p0>>n0 )

n n0 1
R rad = avec = p0 B

Fonction de la concentration des

porteur minoritaires

| 59
2.3 GÉNÉRATION, RECOMBINAISONS
2.3 Génération Recombinaisons

4- Recombinaison de surface

Rupture périodicité du cristal (liaisons chimiques manquantes)

Impuretés en surface

Donc

États (quantiques) localisés à du gap

États de surfaces
Nouveaux centres de recombinaison

| 61
2.4 JONCTION PN

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