Podstawy Technologii Komputerowych

dr inż. Krzysztof MURAWSKI

mgr inż. Józef TURCZYN
Tel.: 6837752, E-mail: k.murawski@ita.wat.edu.pl

1
 Tranzystory unipolarne

UNIPOLARNE (FET – Field Efect Transistor)

STEROWANE POLEM ELEKTRYCZNYM
występującym pomiędzy bramką i źródłem, czyli napięciem UGS
wytwarzającym to pole, ale IG ≈ 0

2
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Tranzystory unipolarne
Tranzystory unipolarne

JFET (polowy, złączowy) MOSFET

z kanałem z kanałem
wbudowanym indukowanym

typu N typu P typu N typu P

3
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Tranzystor JFET złączowy z kanałem typu N
(+) D Dren I D

ID (ang. Drain)
I DSS
Bramka
(ang. Gate)
G zubożanie
Źródło
(ang. Source) (depletion)

S
S G D
U P = U GS ( off ) U GS
n+ p n+ zamknięcie
p p kanału
n
p
JFET – Junction Field Effect Transistor
4
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Tranzystor JFET złączowy z kanałem typu P
( )
−
D Dren −I D
ID (ang. Drain) I DSS
Bramka zubożanie
(ang. Gate)
G
Źródło (depletion)
(ang. Source)
S
S G D
U P = U GS ( off ) U GS
zamknięcie
p+ n p+ kanału
n n
p
n

5
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Tranzystor unipolarny złączowy
p

ID D ′ > U GS
U GS ′′ > U GS
′′′ = U P
n+ ′ U GS
U GS ′′′ = U P
2
 U GS 
G I D = I DSS 1 − 
p p UP 

U DS U GS U GS

Przy UGS = UP następuje całkowite

n+ U GS′′ zamkniecie kanału. Oznacza to, że
S prąd drenu ID ≈ 0;
n
p
6
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Tranz. MOSFET z kanałem wbudow. typu N
D D
ID

G B zubożanie wzbogacanie
G (depletion) (enhancement)
I DSS

S S
S G D
U P = U GS ( off )
SiO2 U GS
zamknięcie
n+ n n+ kanału
p
Kanał wbudowany → normalnie otwarty
B
7
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Tranz. MOSFET z kanałem wbudow. typu P
D D −ID

wzbogacanie zubożanie
G B (enhancement) (depletion)
G I DSS

S S
U P = U GS ( off ) U GS
S SiO2
G D zamknięcie
kanału
p
p+ p+
n
Kanał wbudowany → normalnie otwarty
B
8
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Tranz. MOSFET z kanałem indukow. typu N
D D ID
lg.[ A] [ mA] wzbogacanie

G B 10 30
G
1 20
S S
S G D
0.1 10
SiO2

U T = U TH U GS
n+ n+ wytworzenie kanału
p
Kanał indukowany → norm. zamknięty
B 9
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Tranz. MOSFET z kan. induk. typu P
D D – ID
lg.
wzbogacanie [ A] [ mA]

G B 10 30
G
1 20
S S
S G
0.1 10
SiO2
D
U T = U TH U GS
wytworzenie kanału
p+ p+
n
Kanał indukowany → norm. zamknięty
B 10
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Wymiary tranzystorów MOSFET
S SiO2
G D S SiO2
G D

n+ n n+ n+ n+
p p

B L B L
W W
L – długość kanału; W – „długość” tranzystora

Przykładowe wymiary w układach scalonych VLSI:

1982 – L = 1.5µm, W = 30 ÷ 50µm;
1998 – L = 0.35µm.

11
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Charakterystyki tranzystora polowego
Charakterystyka przejściowa ID=f(UGS)
ID
I DSS id
Nachylenie charakterystyki lub
ID transkonduktancja w punkcie pracy Q
∆I D
Q
t
∂I D ∆I D i
g fs = g m = ≈ = d
∂U GS ∆U GS u gs
UGS

UP U GS

∆U GS

ugs
t

12
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Charakterystyki tranzystora polowego
Charakterystyka wyjściowa ID=f(UDS)
ID U DS = U GS − U P PMAX ′ > … > U GS
U GS ′′ > … > U GS
′′′

I DSS ′ =0
U GS

)
owy
d
(trio

′′ < 0
U GS
enia
c
asy
nien
zar
Obs

entodowy)
Obszar nasycenia (p
′′′ = U P
U GS
Obszar odcięcia kanału

−U P U DSmx = U GSmx U DS [V ] 13
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Punkt pracy tranzystora unipolarnego
Układ z automatyczną polaryzacją bramki
U DD

ID RD RG = 1M Ω;
C2

C1
U G = 0V ;
U DS

IS ≈ ID U S = RS I D ;
U GS

UWE UG RG US RS CS UWY
U GS = U G − U S .

14
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Charakterystyki tranzystora polowego
Punkt pracy Q na charakterystyce wyjściowej ID=f(UDS)
ID Prąd ID wyraża się wzorem:
′ =0
U GS

1
ID = − (U DS − U DD )
RS + RD
′′ < 0
U GS
gdzie:
Q 1
I Q
D −
RS + RD
′′′
U GS
wyznacza nachylenie prostej
obciążenia.
Q
U DS U DD U DS [V ]

15
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Małosygnałowy model tranzystora polowego
C gd
G id D

U gs C gs g mU gs rd U ds

S S
Cgs(Ciss) – pojemność wejściowa pomiędzy bramką i źródłem w układzie WS;
Cgd(Crss) – pojemność sprzężenia zwrotnego między bramką i drenem w układzie WS;
rd(1/rd = gos) – rezystancja (konduktancja) wyjściowa drenu w układzie WS.

∂U DS ∆U DS uds
rd = ≈ = [ M Ω]
∂I D U GS = CONST
∆I D id
16
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Małosygnałowy model tranzystora polowego
C gd
G id D

U gs C gs g mU gs rd U ds

S S
gm(gfs) – transkonduktancja (nachylenie charakterystyki) w układzie WS;

∂I D ∆I D id  mA 
g m = g fs = ≈ =  ; mS 
∂U GS U DS = CONST
∆U GS u gs  V 
2
można ją określić z charakterystyk lub ze wzoru: g m = − I DSS i I D
UP
gm, rd, cgs, cgd – podaje się w katalogach.
dla danego punktu pracy
17
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Punkt pracy tranzystora unipolarnego
Zadanie domowe

U DD
Dla układu pokazanego obok wyznaczyć
RD
RD i RS tak, aby punkt pracy Q wynosił:
ID
C2 1) UDS = 5V, ID = 2mA;

C1
2) UDS = 4V, ID = 3mA.
U DS

IS ≈ ID Do obliczeń przyjąć tranzystor 2N3819,

U GS dla którego UGS(off
GS(off)) = UP wynosi:

UWE UG RG US RS CS UWY a) UP = -2V;

b) UP = -3V.

18
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN