Materiales y Dispositivos Electrónicos

Guía Nº 3 - Semiconductores

Materiales Y Dispositivos Electrónicos

Guía De Estudio Nº 3
MATERIALES SEMICONDUCTORES

1.- REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS

1.1.- Jacob Millman y Christos C. Halkias
ELECTRONICA INTEGRADA: Circuitos y Sistemas Analógicos y Digitales
McGRAW-HILL
Capítulo 1 y Capítulo 2 Es un texto muy popular y que integra los elementos básicos de
los dispositivos con los de circuitos.

2.- CARACTERÍSTICAS ELECTROMAGNÉTICAS DE LOS MATERIALES

¿Cómo responden los diferentes materiales ante la incidencia de una onda
electromagnética?
Cuando se estudia la teoría de las ecuaciones de Maxwell se definen las Características
Electromagnéticas de los Materiales, que son la respuesta a esta pregunta.
Las grandes categorías de materiales son:
Conductores Aisladores Dieléctricos
Ferromagnéticos Semiconductores Diamagnéticos
Ferrimagnéticos Superconductores Ferrieléctricos

Estas características o comportamientos no son otra cosa que las relaciones, para cada
material, entre densidad de corriente y campo eléctrico, densidad de flujo magnético y
campo magnético, carga eléctrica y campo eléctrico. Estas relaciones macroscópicas
están definidas por características que relacionan el comportamiento macroscópico con
los fenómenos microscópicos de los materiales. Las fundamentales para nuestra área de
interés son las siguientes:

conductibilidad eléctrica 
constante dieléctrica 
permeabilidad magnética µ

Estas características aparecen en la formulación de las Ecuaciones De Maxwell. Todo

material tiene definida esta terna de características microscópicas, que definen su
comportamiento macroscópico.
2.1.- Clasificación Eléctrica de los Materiales
En función de la conductibilidad eléctrica  clasificamos a los materiales en tres
categorías:
Conductores con  > 1E4 (1/cm)
Aisladores con  < 1E-6 (1/cm)

Entre ambas zonas están los llamados SEMICONDUCTORES, que son

Materiales de conductibilidad intermedia.

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Ejemplos de conductibilidad
Material Símbolo Conductibilidad 
1/cm
Hierro Fe 1,02 E5
Aluminio Al 3,75 E5
Oro Au 4,52 E5
Cobre Cu 5,78 E5
Plata Ag 6,21 E5
Mica Entre 1 E-13 y 1 E-15
Polietileno Entre 1 E-17 y 1 E –19
Vidrio boro silicato Entre 1 E-12 y 1 E –17
Vidrio común 2,3 E-7

Pero los Semiconductores no sólo ofrecen una conductibilidad que no es ni alta ni baja,
sino que además la conductibilidad  está fuertemente controlada por la
CONTAMINACIÓN con IMPUREZAS y la TEMPERATURA de trabajo.
Los materiales semiconductores, para ser utilizados en dispositivos, deben procesarse
para lograr MONOCRISTALES. Un Monocristal es un material en estado sólido de forma
cristalina, que constituye UN SOLO CRISTAL. Toda la estructura cristalina del
Monocristal constituye un solo cristal. Los dispositivos semiconductores deben construirse
en base a Monocristales procesados adecuadamente y luego fraccionados para separar
cada dispositivo.

- ¿Qué son los portadores de corriente?

Llamamos portadores de corriente, o portadores de carga o simplemente portadores a
las partículas cargadas eléctricamente y dotadas de la facultad de moverse bajo la acción
de un campo eléctrico o cualquier otro estímulo (gradiente de concentraciones o campo
magnético). Es decir, se trata de portadores de carga eléctrica, dotados de la
capacidad de moverse. Por ejemplo, un electrón en el vacío (tubo de rayos catódicos),
un electrón libre en un conductor, un ion en el electrolito de una batería, responden a
nuestro concepto de portadores. En el caso del estado sólido, un átomo de Silicio que
forma parte de la estructura cristalina y no puede cambiar de ubicación, aunque se lo
ionice (gane o pierda electrones, quedando cargado eléctricamente) no será un portador
pues está anclado a la estructura y no se mueve.

- Hay dos tipos básicos de semiconductores:

PUROS o INTRÍNSECOS y CONTAMINADOS o EXTRÍNSECOS.

En todo lo que sigue hablaremos fundamentalmente del SILICIO como semiconductor

típico. Mencionaremos al ARSENIURO DE GALIO (As-Ga) por su relevancia como
material para alta frecuencia y Optoelectrónica. El GERMANIO (Ge) tiene importancia
histórica, fue el primer material semiconductor que se pudo industrializar.
En el Silicio intrínseco, material semiconductor de altísima pureza, con ningún tipo de
impureza, los portadores de corriente disponibles, se producen por la generación de
pares electrón-hueco. A la generación simultánea de un par electrón-hueco la
llamamos generación intrínseca.

- Equilibrio termodinámico
En los distintos casos y ejercicios que realizaremos, nos encontraremos con situaciones
donde la muestra de semiconductor está totalmente aislada del medio ambiente, sin
intercambiar energía con el medio externo y considerando que la temperatura de la
muestra es constante. A esta situación la llamamos equilibrio termodinámico. No hay
interacción energética con el exterior.

- Semiconductor EXTRÍNSECO:
Llamamos semiconductor extrínseco tanto al contaminado con impurezas Dadoras ND
(aumentan la cantidad de electrones libres y disminuyen la de huecos) como al

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contaminado con impurezas Aceptoras NA (aumentan la cantidad de huecos a

expensas de la concentración de electrones).
En nuestro estudio limitaremos el margen de las concentraciones de impurezas entre
1E14 y 1E20. Por debajo del límite inferior, por el momento no encontramos ventajas. No
se puede exceder el límite superior, por la limitación de la SOLUBILIDAD SÓLIDA. (Ver
Millman Fig. 7-8 donde se ve para B, P y As un límite entre 1E20 y 1E21)
Las impurezas útiles REEMPLAZAN los átomos de Silicio. El mecanismo se llama
Contaminación por sustitución. La impureza es como si reemplazara un átomo de
Silicio, sin alterar la regularidad cristalina.
En el caso de la impureza dadora (también llamada donadora), el átomo de impureza
tiene cinco electrones de valencia en lugar de los cuatro del Silicio. Ese electrón adicional
es de fácil extracción y es liberado del átomo con una mínima energía. Estas impurezas
dadoras generan materiales tipo N, ricos en electrones libres. Las impurezas dadoras más
usuales son Arsénico (As) y Fósforo (P).
Para las impurezas que generan materiales tipo P, llamadas aceptoras, el átomo tiene
sólo tres electrones de valencia. Dentro de la estructura mayoritaria del Silicio, con cuatro
electrones de valencia, el sistema fuerza al átomo de impureza a recibir por la fuerza un
electrón adicional, que resta del flujo del cristal, generando un hueco. La impureza
aceptora más usual es el B (boro) tipo P.
El fenómeno de GENERACIÓN DE PORTADORES es balanceado por la
RECOMBINACIÓN. La concentración de equilibrio se obtiene por la relación
p*n =ni2. Millman ecuación (2-15)

4.- CONDUCTIBILIDAD ELÉCTRICA

Indica la mayor o menor facilidad para transportar la Densidad de Corriente J medida en
(A/cm^2) bajo la acción de un Campo Eléctrico E medido en (V/cm).
La Ley de Ohm microscópica J =  * E vale para campos eléctricos E pequeños, pues
es esos casos la conductibilidad  es constante.

CARACTERÍSTICA COBRE ALUMINIO SILICIO

Número Atómico 29 13 14
Densidad (g/cm3) 8,96 2,7 2,34
Átomos / cm3 8,49 x 1022 6,0 x 1022 5 x 1022
Temperatura de fusión C 1083 660 1412
2,96 x 10-6
Conductibilidad 1/cm 5,9 x 105 3,75 x 105
Intrínseco
Conductibilidad Térmica
397 238 138
W/m*K a T=0K
Capacidad Térmica J/kg*K 380 917 729

En esta tabla comparamos algunas características eléctricas y térmicas del Cobre el

Aluminio y el Silicio. Tomamos al Cobre y el Aluminio como el CONDUCTORES Típicos y
el SILICIO será nuestro SEMICONDUCTOR de batalla.
Los conceptos de CONDUCTIBILIDAD TÉRMICA y CAPACIDAD TÉRMICA deberán
refrescarse en un texto de Física que trate el tema Calor.

EJERCICIO 1.1.-
Calcular el Campo Eléctrico E en (V/cm) que hace circular en un conductor de Cobre y en
uno de Aluminio una J = 5 A/mm^2.
Registrar este valor como referencia.
La Conductibilidad  está controlada por la estructura cristalina del estado sólido.

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Los electrones libres dentro del cristal se mueven permanentemente por la acción de la
temperatura. En este movimiento sufren choques con los átomos del cristal que los
desvían de su trayectoria. El tiempo promedio entre choque y choque lo llamamos
TIEMPO MEDIO ENTRE CHOQUES y lo representamos por tc en segundos.

El mayor o menor Tiempo Medio Entre Choques tc (s) determina la movilidad µ

(cm2/Vseg) de los portadores de carga en el material analizado.

µ (cm2/Vseg) = q tc/m siendo q = 1.602E-19 Cb, carga del electrón.

y m = 9.11E-31 kg la masa del electrón.

Bajo la acción del Campo Eléctrico E el electrón adquiere una componente de

VELOCIDAD DE DERIVA en la dirección del campo vD = µ E.

EJERCICIO 1.2.-
Calcular la vD (velocidad de Deriva) de los electrones del EJERCICIO 1.1.-
Calcular también el tiempo medio entre choque para el cobre y el aluminio, en base a los
datos de la tabla anterior.

5.- SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS

El silicio absolutamente puro a cero grado Kelvin (0 K) es un AISLADOR ( = 0).
A temperatura ambiente (300 K = 27 C) el Silicio muestra una conductibilidad pequeña:

 (Si intrínseco 300K) = 2.9E-6 1/cm que llamamos Conductibilidad Intrínseca.

Algunas ligaduras de valencia se rompen por acción de la energía térmica, generándose

igual cantidad de ELECTRONES y HUECOS.
Repensar las figuras de Millman : 2-3, 2-4 y 2-5 para Silicio, 2-6 para Si con Arsénico o
Fósforo y 2-8 para Si con Boro.

5.1.-REPASAMOS:
ESTADOS PERMITIDOS EN UN ÁTOMO AISLADO (Guía Nº1 y 2)
Los electrones que orbitan alrededor del núcleo en un átomo, por ejemplo el de
Hidrógeno, tienen Energías de valores determinados. Para que un electrón de carga
eléctrica negativa pueda orbitar alrededor del núcleo (que tiene carga eléctrica positiva),
deben equilibrarse dos fuerzas:
 fuerza de atracción eléctrica entre cargas positivas y negativas,
 fuerza centrífuga de la rotación.
Este balance significa que, para cada distancia electrón-núcleo hay una velocidad de
rotación para lograr el equilibrio.
A este equilibrio se suma otra limitación a las orbitales posibles:
los principios de la Mecánica Cuántica, que gobiernan esta microfísica del átomo, dicen
que :
de todas las orbitales posibles para lograr el equilibrio sólo están permitidas
algunas, expresadas por relaciones que dependen de un número llamado cuántico.
Por ejemplo en la figura 1-2 de Millman aparecen las energías de las orbitales permitidas
del Hidrógeno.

- ¿Qué significa ORBITALES PERMITIDAS?

Que los electrones orbitales solo pueden permanecer en ciertas órbitas definidas por los
Números Cuánticos. En la figura 1-2 aparecen las Energías Totales (Cinética + Potencial)
de las Orbitales Permitidas. A la izquierda figuran las energías y a la derecha los números
cuánticos.
Se dice que los electrones solo pueden ocupar los estados definidos por los números
cuánticos.
Las energías de esos estados se las llama ENERGÍAS PERMITIDAS.

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Las energías intermedias son ENERGÍAS PROHIBIDAS. Porque pertenecen a ESTADOS

PROHIBIDOS.

5.2.- ESTADOS PERMITIDOS EN UN CRISTAL. DIAGRAMA DE BANDAS:

Pasemos a la figura 1-3 de Millman. La Figura 1-2 a) muestra las energías de estados
permitidos para conjuntos de átomos que forman una estructura cristalina. Cada
estructura cristalina posible se la identifica por la separación interatómica d. En el extremo
derecho de la parte a) aparecen las energías de los estados permitidos para átomos
separados por distancias muy grandes. Casi como si fueran átomos aislados.
¿Qué pasa cuando los átomos de la estructura cristalina están más cerca?. Al disminuir la
distancia interatómica, comienza un "acoplamiento" o "interacción" entre los átomos
vecinos. Los electrones que ocupan los estados de mayor energía (estados externos por
que están más lejos del núcleo) interaccionan entre ellos. Los estados que pueden
ocupan están influidos por los otros átomos vecinos. Y las energías de estos estados
permitidos cambian o varían con respecto a las energías de esos estados cuando los
átomos estaban muy separados. Este cambio o variación aparece como una dispersión
del valor de la energía alrededor de la energía que tenía ese estado en el átomo aislado.
Decimos que los niveles de energía se "desdoblan" en muchos niveles cercanos. Tantos
como átomos están interactuando. Volviendo a la figura 1-3 a) de Millman, al movernos
hacia la izquierda vemos que los niveles que originalmente eran una línea (energía única)
se desdoblan en muchos niveles, formando una "banda" de niveles. Decimos entonces
que hay BANDAS DE ENERGÍAS PERMITIDAS separadas por BANDAS PROHIBIDAS.
Las Bandas Prohibidas son las mismas que antes separaban los Estados Permitidos. La
novedad es que los Estados Permitidos se desdoblaron en Bandas Permitidas.
Cada material en estado cristalino se caracteriza por una Separación Interatómica que
define un Diagrama de Bandas Permitidas. Los niveles de los estados más cercanos al
núcleo están mas "desacoplados", con menor interacción entre los electrones que los
ocupan. Por eso algunos niveles permitidos inferiores nunca llegan a convertirse en
bandas.
Cuando disminuye la distancia interatómica, las Bandas Permitidas se ensanchan. A
menor distancia mayor ensanchamiento.
El número de electrones que posee cada átomo (Número Atómico) me indica hasta donde
está lleno el Mapa de Estados Permitidos simbolizado por el Diagrama de Bandas.

Algunas definiciones útiles:

Supongamos tener Silicio a cero grado Kelvin (0 K).

 Los estados y bandas permitidas están llenos desde la menor energía hacia arriba.
 La última Banda totalmente llena a 0 K la llamamos BANDA DE VALENCIA (BV).
 La banda siguiente, la llamamos BANDA DE CONDUCCIÓN (BC).
 Para 0 K la Banda de Conducción (BC) está vacía en los Semiconductores.

La figura 1-4 de Millman muestra los diagramas de bandas para conductores, aisladores y
semiconductores.

6.- CONCENTRACIÓN INTRÍNSECA

La concentración INTRÍNSECA ni = 1E10 cm-3 es la concentración de electrones y huecos
generados por el salto de electrones desde Banda de Valencia a la Banda de Conducción
para Silicio a causa de la temperatura.
Cuando un electrón abandona la Banda de Valencia (BV) deja un lugar vacío. Este lugar
vacío crea una descompensación entre los restantes electrones de la BV. El
comportamiento de esos electrones remanentes en la BV lo MODELAMOS CREANDO
UNA PARTÍCULA FICTICIA DE CARGA POSITIVA LLAMADA HUECO.
Toda vez que un electrón abandona la BV crea un Hueco en BV.
El modelo del Hueco se completa removiendo a todos los electrones de BV que se
quedaron en ella.

Resumiendo el MODELO DEL HUECO:

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 La BV está realmente ocupada por electrones.

 Si actúa sobre los electrones de la BV la energía suficiente para hacer saltar un
electrón a la BC, tendremos un electrón en BC y un lugar vacío de BV.
 El lugar vacío de BV y al resto de los electrones de BV los reemplazamos, en
conjunto por una partícula ficticia de carga eléctrica positiva que llamamos HUECO.

La energía que actúa para generar estos pares de portadores electrón-hueco es

generalmente de tipo térmica, pero también pueden actuar fotones con la energía
adecuada.
Este proceso de Generación De Pares Electrón-Hueco (generación intrínseca) está
balanceado por la Recombinación De Pares Electrón-Hueco.
Las concentraciones de equilibrio resultan del balance entre estos dos fenómenos
antagónicos.
La Generación absorbe energía. Para lograr que un electrón salte desde el techo de la BV
hasta el piso de la BC necesitamos una energía de por lo menos Ec - Ev. Esta separación
o brecha Ec - Ev la llamamos Banda Prohibida EG.

Ec - Ev = EG

EG vale del orden de 1,12 eV para Silicio.

6.1.- EQUILIBRIO ENTRE GENERACIÓN Y RECOMBINACION

La variación temporal de la concentración de electrones (dn/dt) depende de las tasas de
generación y recombinación.

Llamamos TASA a la variación temporal d/dt.

La TASA DE GENERACIÓN será una función de la temperatura. Cuando aumenta la

temperatura aumenta la cantidad de saltos de electrones de BV a BC. A esta tasa de
generación la simbolizamos por la función g(T) que significa generación función de la T.
Para modelar la recombinación tomamos en cuenta que para que haya recombinación
necesitamos ambos portadores. Un electrón y un hueco.
Para que suceda la recombinación necesitamos que el electrón que está en la BC vuelva
a la BV ocupando el lugar dejado por otro electrón y haciendo desaparecer un hueco.
La tasa de recombinación será una constante por el producto de las concentraciones de
electrones y de huecos. R*n*p.
Por ser recombinación, esta tasa será negativa: hace disminuir la concentración.
Podemos escribir entonces, tanto para electrones como para huecos:

dn/dt = g(T) - R*n*p

¿Que significa esto? Que cuando las tasas de generación y de recombinación son
iguales, estamos en equilibrio: las concentraciones de electrones y de huecos son
constantes en el tiempo.
Como estamos en el caso de materiales intrínsecos, con n = p = ni, podemos escribir
para el equilibrio:

dn/dt = 0, g(T) = R*n*p = R*ni2

Llamamos concentración intrínseca a ni. La concentración intrínseca ni es una

referencia.
Cuando el producto n*p es mayor que ni2 la tasa de recombinación será mayor que la de
generación. Aumentará la recombinación con disminución de las concentraciones, hasta
que el producto n*p, que controla la tasa de recombinación, logre igualar ambas tasas.
Estaremos en una situación de desequilibrio con predominio de la recombinación.

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Por otra parte, si g(T) fuera mayor que la tasa de generación, o si además de la tasa de
generación térmica existieses otra fuente de generación de electrones o huecos, que
hiciera crecer la tasa de generación neta, deberán aumentar las concentraciones n, ó p, o
ambas hasta que la tasa de recombinación iguale a la de generación.

6.2.- VARIACIÓN DE ni CON LA TEMPERATURA.

Cuando aumenta la Temperatura también aumenta la generación intrínseca o salto de
Banda a Banda. Esta generación aumenta las concentraciones de electrones y huecos,
que aumenta también la tasa de recombinación de pares electrón-hueco.
Al aumentar la temperatura aumenta la generación intrínseca, aumentando las
concentraciones de electrones y huecos de equilibrio.
Al aumentar el producto p*n aumenta la tasa de Recombinación. Y deberá llegarse a un
equilibrio de concentraciones para cada temperatura. A las concentraciones de este
equilibrio entre generación de pares y recombinación de pares, lo llamamos concentración
intrínseca ni(T), que depende de la temperatura del semiconductor.

ni (cm-3) = 3,87E16*T(K)1,5*exp(-1,21/2*kT)

Esta ecuación vale para Silicio, pues 1,21 eV es la Banda Prohibida del Si a 0 K.
Esta expresión depende de dos factores que dependen de la temperatura:

T(K)1,5 y
exp(-1,21/2*kT)

¿Cuál de los dos factores es más sensible a la variación de temperatura?

Ambos aumentan con el incremento de temperatura.
Para que la exponencial aumente diez veces, hace falta que el argumento salte en 2,30
en su valor.
El cambio de temperatura para lograr este salto no llega a los 40 K.
El cambio de T(K)1,5 cuando la temperatura aumenta 50 K es del orden del 26 % (1,26)
Con un cambio de menos de 50 K la exponencial aumenta 10 veces y el término
potencial no llega a duplicarse. Es evidente la mayor sensibilidad del factor exponencial a
las variaciones de temperatura.
Calcule la concentración intrínseca ni, para tres temperaturas, por ejemplo 300 K, 400 K y
500 K.
Siguiendo con ésta tónica, calculemos, aprovechando la planilla electrónica, los valores de
temperatura necesarios para que ni(Tj)2 cambie en diez veces. Es decir los valores en que
ni(Tj) aumente en raíz cuadrada de 10.Además de tabular estos valores, calculemos los
saltos de temperatura, el valor de UT en mV para cada temperatura y el salto de UT en
mV.
Otro dato interesante a calcular como referencia es 2,30*UT. Este valor es el salto en
tensión o energía necesario para que la exponencial aumente diez veces. Cuando
veamos Juntura PN comprenderemos el sentido de éste dato.

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TABLA DE TEMPERATURAS A LAS CUALES LA DENSIDAD INTRINSECA AL

CUADRADO AUMENTA EN SALTOS DE DIEZ VECES
Tj Tj ni(Tj) ni^2(Tj)  Tj UT  UT 2,30*UT
C K cm^-3 cm^-3 C K mV mV mV
27,0 300,0 1,377E+10 1,897E+20 0 25,9 0 59,57
41,5 314,5 4,349E+10 1,892E+21 14,5 27,1 1,2 62,33
57,4 330,4 1,371E+11 1,881E+22 15,9 28,5 1,4 65,55
75,0 348,0 4,342E+11 1,886E+23 17,6 30,0 1,5 69,0
94,5 367,5 1,375E+12 1,890E+24 19,5 31,7 1,7 72,91
116,2 389,2 4,347E+12 1,890E26 21,7 33,5 1,8 77,05
140,5 413,5 1,374E+13 1,888E+26 24,3 35,6 2,1 81.88
167,9 440,9 4,346E+13 1,889E+27 27,4 38,0 2,4 87,4
199,0 472,0 1,375E+14 1,890E+28 31,1 40,7 2,7 93,61
234,6 507,6 4,352E+14 1,894E+29 35,6 43,8 3,1 100,74
Nota: si bien la concentración ni en Silicio a 300 K es 1,377E+10, para
simplificar los cálculos tomaremos ni (300 K) = 1E10 cm^-3

7.- CONTAMINACIÓN CON IMPUREZAS:

Para alterar las concentraciones de portadores, más allá del mecanismo de la Generación
Intrínseca, se recurre a contaminar con impurezas. Como estamos tratando con cristales
de Silicio, cualquier contaminación que se agregue no debe alterar la regularidad o
perfección cristalina del material. Decimos que las contaminaciones que sirven son las
contaminaciones por sustitución: se sustituye un átomo de Silicio por un átomo de
impureza, manteniendo la regularidad geométrica del cristal.
Este fenómeno de contaminación, se puede asimilar a la disolución de la impureza, en
estado sólido, en el Silicio. En el caso del estado sólido, sucede lo mismo que cuando
disolvemos en estado líquido. Si sobrepasamos un cierto límite de soluto, éste no se
disuelve más y precipita. En el caso del estado sólido, la consecuencia de esta
precipitación, es la pérdida de la regularidad cristalina, con sus efectos negativos
adversos sobre la conductibilidad y demás fenómenos de transporte.
La máxima concentración de impurezas Ns(T) que podemos disolver en Silicio
sólido a temperatura T se llama Solubilidad Sólida. Un valor típico para Ns para Silicio
es 1E20 átomos/cm^3. La Solubilidad Sólida de las impurezas en Silicio nos marca el
límite máximo para la contaminación con impurezas, que tomaremos con un valor de
1E20 cm^-3

8.- SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS:

Son los CONTAMINADOS DELIBERADAMENTE CON IMPUREZAS APROPIADAS. La
ionización de estas impurezas APROPIADAS genera UN PORTADOR (carga eléctrica
móvil) y una CARGA FIJA (el átomo ionizado, amarrado a la estructura cristalina).
En silicio, las concentraciones habituales de impurezas están comprendidas entre 1E14
cm^-3 hasta un máximo entre 1E20 cm^-3 y 1E21 cm^-3 (ver figura 7-8: solubilidad
sólida, en Millman).

8.1.- IMPUREZAS CONTAMINADORAS:

Para generar solamente electrones utilizamos impurezas que introducen un estado
permitido ocupado con un electrón en la Banda Prohibida del Silicio, muy cerca del piso
de la Banda de Conducción. Ver la figura 2-7 de Millman.

- Impurezas donadoras de electrones o tipo N típicas son:

P Fósforo Ed = 45 meV
As Arsénico Ed = 54 meV
Sb Antimonio Ed = 39 meV

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Ed es la separación entre el Nivel Donador (ubicado en la banda prohibida) y el piso de la

BC.
Queda claro la energía mucho menor que se necesita para que el electrón que ocupa ED
salte a la BC, comparada con la necesaria para atravesar toda la banda prohibida Eg para
la generación intrínseca. Para Silicio a 300 K Eg = 1,12 eV, unas 21 veces la energía
necesaria para el promedio de los donadores.
Con temperaturas del orden de 50 K ya se ioniza el estado donador. El quinto electrón
salta a la BC, dejando un ION POSITIVO ligado a la estructura cristalina.
La Generación Extrínseca genera un PORTADOR MÓVIL y un ION. El portador es móvil
y el ion es fijo.
Por eso las impurezas generan portadores de un solo tipo, aunque desde el punto de vista
eléctrico no se altera la neutralidad, pues se generan dos cargas opuestas.

- Impurezas aceptoras (tipo P), generadoras de huecos y cargas fijas positivas:

B Boro Ea = 45 meV
Ga Galio Ea = 72 meV
In Indio Ea = 160 meV
Al Aluminio Ea = 67 meV

Nuevamente, cuando hay impurezas tipo P, a partir de los 50 K los electrones de la BV

pueden saltar al estado vacío en Ea, generando un hueco en BV e ionizando el estado Ea
negativamente.

8.2.- CONCENTRACIONES DE PORTADORES EN SILICIO EXTRÍNSECO:

Supongamos tener Silicio intrínseco a temperatura ambiente (T = 300 K). Las
concentraciones serán:
n = 1E10 cm-3 p = 1E10 cm-3

Si ahora contaminamos a ese material con Fósforo (impureza donadora) con una
concentración ND = 1E14 cm-3, cada átomo de Fósforo producirá un electrón en BC y
un ion fijo en la Banda Prohibida, que no contribuye a la conducción de electricidad.

¿Cuántos portadores electrones y huecos hay ahora en el material?

Nueva situación:
Electrones huecos
n = 1E10 cm-3 p = 1E10 cm-3 Generación intrínseca
-3
n = 1E14 cm Generación extrínseca

Sumamos las concentraciones:

n = 1E10 cm-3 + 1E14 cm-3 Total inicial de electrones

p = 1E10 cm^-3 Total inicial de huecos

n = 10 001 E10 cm-3 p = 1E10 cm-3

El producto p*n = 10 001E20 cm-6 >> ni2 = 1E20 cm-6

Como p*n >> ni2 habrá una fuerte recombinación.

Desaparecerán simultáneamente y de a pares los electrones y los huecos,

hasta que p*n = 1E20 cm-6

n = ND = 1E14 cm-3 y p = ni2 / ND = 1E6 cm-3

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En el material contaminado con IMPUREZAS DONADORAS son mayoría los electrones y

minoría los huecos. Establecemos como nomenclatura un subíndice:
la primera letra nos dice el tipo de portador (n, p) y la segunda letra (subíndice) el tipo de
material (n, p).
nn = 1E14 cm-3 y pn = 1E6 cm-3
8.3.- VALORES LÍMITE DE CONTAMINACIÓN DE IMPUREZAS
En el punto 7 CONTAMINACIÓN CON IMPUREZAS dijimos que la típica concentración
máxima de impurezas es del orden de 1E20 átomos por cm-3. Es decir que la máxima
concentración de mayoritarios será del orden de 1E20 cm-3.
En la tabla de valores del Cu y el Si (pág. 4) dijimos que hay 5E22 átomos de Si por cm-3.
Es decir que en este caso límite habrá un átomo de impureza cada 500 átomos de silicio.

9.- TRANSPORTE DE PORTADORES POR CAMPO ELÉCTRICO

Las MOVILIDADES de electrones y huecos son distintas. Además dependen de la
contaminación y la temperatura. La movilidad disminuye con el aumento de
contaminación y también cuando aumenta la temperatura.
EJERCICIO 1.3.- Ensaye una justificación del hecho que la movilidad disminuye cuando
aumentan la concentración de impurezas y la temperatura del semiconductor.

CARACTERÍSTICAS del SILICIO en FUNCIÓN de las CONTAMINACIONES, A 300 K

NA ND 1E14 1E15 1E16 1E17 3E17 1E18 3E18 1E19
-3
cm
Mayorit 1E14 1E15 1E16 1E17 3E17 1E18 3E18 1E19
Minorit 1E6 1E5 1E4 1E3 333 100 33 10
2
µn cm 1358 1345 1248 801 521 270 158 115
V*seg
µp cm2 461 458 437 331 242 148 93 68
V*seg
Tau n 500 400 300 200 57 20 5 0,4
µseg
Tau p 500 400 200 50 12 1 0,16 0,01
µseg
Dn cm2 35,308 34,97 32,448 20,826 13,546 7,02 4.108 2,99
seg
Dp cm2 11,986 11,908 11,362 8,606 6,292 3,848 2,418 1,768
seg
Ln cm 0,1329 0,1183 0,0987 0,0645 0,0278 0,0118 0,00045 0,0011
Lp cm 0,0774 0,069 0,0477 0,0207 0,0087 0,0020 0,0006 0,0001
nn 0,0218 0,2155 1,9993 12,832 25,039 43,254 75,935 184,23
1/*cm
pn 7E-11 7E-12 7E-13 5E-14 1E-14 2E-15 5E-16 1E-16
1/*cm
np 2E-10 2E-11 2E-12 1E-13 3E-14 4E-15 8E-16 2E-16
1/*cm
pp 0,0074 0,0734 0,7001 5,3026 11,631 23,71 44,696 108,94
1/*cm
N 0,0218 0,2155 1,9993 12,832 25,039 43,254 75,935 184,23
1/*cm
P 0,0074 0,0734 0,7001 5,3026 11,631 23,71 44,696 108,94
1/*cm

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 Materiales y Dispositivos Electrónicos
Guía Nº 3 - Semiconductores

En esta tabla mostramos las propiedades de primer orden útiles del silicio en función de la
contaminación de impurezas: movilidad, tiempo de vida de los minoritarios.
Como magnitudes derivadas tenemos constante de Difusión, Longitud de Difusión y
Conductibilidades.
Especificamos las conductibilidades debidas a MAYORITARIOS (nn y pp) y las
conductibilidades debidas a los minoritarios (pn y np). Los valores totales N y
P muestran la influencia despreciable de la conducción óhmica por minoritarios.

EJERCICIO 1.4.- Calcular la conductibilidad intrínseca del SILICIO.

EJERCICIO 1.5.- Calcule lo que sea necesario para hacer comparaciones entre Cobre y
Silicio con todas las contaminaciones de las siguientes características, suponiendo que se
hace circular una densidad de corriente de 5ª/mm^2:

a) conductibilidades, movilidades y concentraciones de portadores.

b) Compare la disipación de calor en W/cm2 y para muestras de 1 cm de largo.

EJERCICIO 1.6: Explique la diferencia entre "tiempo medio de vida de los portadores" y
"tiempo medio entre choques". ¿Contra qué chocan los portadores?

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