Conversión Energía, Laboratorio

Conceptos Básicos
Sebastián Henao Valencia,
Sergio Montenegro Ávila
Universidad Autónoma de Manizales, Área de Ingeniería,
Colombia
Sebastian.henao@autonoma.edu.co
Sergio.montenegroa@autonoma.edu.co
Abstract– In this laboratory, a comprehensive study of Sin embargo, ningún componente es perfecto, y
harmonics in an RL load was conducted through the
implementation of a specifically designed circuit. A a medida que se mejoran sus características,
signal generator was used to apply alternating current también aparecen nuevos inconvenientes. Uno
(AC) to the RL load, and an oscilloscope was employed de estos inconvenientes y en el que se enfoca
to analyze the resulting waveform and detect harmonic
distortions. Transistors and protective diodes were este laboratorio, es la aparición de armónicos.
also incorporated into the circuit to safeguard Los MOSFET, que son interruptores
components against unwanted voltage or current
spikes. electrónicos, hacen parte junto con los
The primary focus was on evaluating the efficiency of capacitores, diodos y otros componentes, de un
the IRF3710 MOSFET through measurements that mundo denominado cargas no lineales, y estas
provided crucial information regarding its
performance in terms of power losses and energy cargas no lineales absorben de las fuentes
efficiency under various load and input signal componentes de corrientes no senoidales, estas
conditions. This experiment yielded valuable insights
into the behavior of harmonics in RL loads, as well as componentes son múltiplos de la frecuencia
the protection of sensitive components and the fundamental con la que trabaja la fuente. Todo
practical efficiency of MOSFETs. esto lo que hace es que la señal de tensión de
Key words: Harmonics, RL load, MOSFET, Energy entrada que recibe el dispositivo se distorsione
efficiency. y genere un pulso de corriente distorsionado
con respecto al pulso de entrada. Estos
I. INTRODUCCIÓN armónicos tienen efectos negativos en los
circuitos electrónicos, afectando el
El mundo de la electrónica es un campo en funcionamiento de los componentes, llevando
constante crecimiento y requiere cada vez de hasta su avería o un envejecimiento temprano
una más amplia variedad de componentes de estos.
electrónicos que suplan las necesidades y
requerimientos de las nuevas invenciones. Por ende, el objetivo principal de este estudio
Entre estos componentes, se encuentra el es la comprensión del funcionamiento de uno
MOSFET, un transistor encargado de regular el de los principales interruptores electrónicos en
voltaje de entrada a un componente electrónico. el mundo de la electrónica, y analizar los
Los transistores ya de por si se encargan de efectos y el comportamiento de los armónicos
cumplir esta función, pero este cuenta con otras en un circuito eléctrico.
bondades, entre las principales están su alta
impedancia de entrada y baja impedancia de
salida, manejo de altos voltajes de entrada, al II. MARCO TEÓRICO
igual de corrientes de grandes magnitudes,
La esencia del circuito gira entorno al transistor
además de su baja disipación de potencia de efecto de campo metal-oxido semiconductor
cuando se trabaja en su rango de corte y o MOSFET, el cual, de forma general, se
saturación adecuado. encarga de regular la salida de voltaje a partir
de una tensión de entrada dada. Se cuenta con
un MOSFET de enriquecimiento de canal N, el
cual funciona esencialmente como un
interruptor electrónico, este se encuentra
normalmente abierto, y para que el circuito
cierre requiere de una tensión superior a la
tensión umbral en el Gate.
Este posee alta impedancia de entrada, y poca
impedancia de salida, por ende, toda la tensión
y la corriente se dirigen hacia la carga, y no se
pierde entre el Drais y el Source. Su
comportamiento inicia en la región óhmica, en
la cual el MOSFET se comporta como una
resistencia, hasta que el VGS sobrepasa el
voltaje umbral. En esta zona se calienta y
trabaja como amplificador y el VDS será alto
también.
Al superar la tensión umbral, que en nuestro
caso oscila entre los 2 y 4v, se dispara el
MOSFET, a mayor tensión VGS, menor será la
tensión VDS, y se disipará menos calor. Por
ende, resulta bastante útil y mucho más
provechoso, trabajar con el MOSFET en corte y
saturación, ya que una vez se llega a la
saturación, el MOSFET puede seguir
recibiendo altas tensiones, pero este trabajara a
un voltaje de salida constante y realiza poca
disipación de potencia.
Una desventaja es que la compuerta se
encuentra separada en estado de reposo del
circuito, a menos que un cambio de tensión en
el gate provoque la conmutación del
interruptor. Y en esta instancia, se comporta
como un capacitor, lo que va a generar un
efecto negativo en los tiempos de propagación.
Esto hace que la señal no sea cuadrada, sino
que cada vez que se aproxima a su voltaje pico,
presente una pequeña curvatura, que es donde
sucede la región de comportamiento óhmico y
además del calentamiento, provoca la aparición
de armónicos. Por ende, se debe buscar
aproximar la señal de pulso de salida, lo más
posible a la señal cuadrada de entrada.
Para tratar de minimizar el tiempo de
propagación, como en este caso que trabajamos
con PWM, se complementó el MOSFET con un
circuito auxiliar de tipo PUSH-PULL antes del
gate. En este circuito, se colocan dos
transistores, uno de tipo PNP, otro de tipo
NPN, cuando el pulso es positivo, el transistor
NPN se cierra y el PNP se abre, por lo que la
tensión circula, por un lado, mientras que
cuando el pulso es negativo, sucede de forma
contraria.
Garantizando así poner de forma rápida a
positivo o a negativo el Gate del MOSFET,
reduciendo el tiempo de propagación, además
de que permite la conexión adicional de otra
tensión, para el manejo de corrientes
superiores. Como medida adicional también se
coloca una resistencia y un diodo en
polarización inversa, para a su vez controlar la
llegada de tensión al Gate.
A pesar de los intentos realizados para reducir
el comportamiento óhmico y la curvatura en el
pulso de salida, debido a que se empleó un
interruptor electrónico, y adicionalmente se
trabajó con cargas no lineales, por la presencia
de capacitores y diodos, la señal se distorsiona
por la presencia de armónicos.
Esto se da debido a que las cargas no lineales
absorben corrientes periódicas no senoidales y
estas corrientes están formadas por un
componente fundamental de frecuencia 50 o 60
Hz, en este caso de 60 Hz, más una serie de
corrientes superpuestas de frecuencias,
múltiplos de la fundamental con la que estamos
trabajando.
Estos armónicos generan bastantes
inconvenientes, entre ellos problemas técnicos
y a gran escala costes importantes, por lo que
resulta conveniente su entendimiento y
comprensión para el manejo de circuitos
electrónicos.
III. OBJETIVOS
● Comprender el funcionamiento de los
interruptores electrónicos, aplicaciones,
características, ventajas, desventajas e
implicaciones derivadas de su
aplicación.
● Estudiar las causas y efectos de las
corrientes armónicas en un circuito
electrónico.
● Analizar las diferentes perdidas por
potencia que pueden darse en un
circuito con un interruptor electrónico
 y entender como los parámetros de la
señal inciden sobre estas pérdidas.
● Profundizar en la simulación de señales
y pulsos de onda por medio del
software LTSpice, además de la
implementación de una gran variedad
de componentes electrónicos, para el
contraste de los resultados obtenidos
mediante la teoría y la
experimentación.
IV. DESARROLLO DE CONTENIDOS
En la segunda parte del laboratorio, se realizó
el circuito presentado en la figura. Para la
realización del mismo, se empleó un transistor
PNP tip122 en lugar del transistor PNP tip127.
En la parte experimental, se omitió el uso del
inductor de 100uH, y se empleó únicamente la
carga resistiva de 10 Ohm y como diodo de
protección para la carga se empleó un IN5822
en paralelo a esta. Como pulso de entrada para
el circuito, se empleó un pulso cuadrado con
una amplitud de 2.5V Vp y un offset de 2.5 V,
con dos valores distintos de frecuencia, primero
de 1kHz y en segunda instancia de 100 kHz.
Circuito base
A. Materiales
Osciloscopio con 2 sondas, multímetro con
función true RMS, MOSFET IRF3710 (o
similar), 1 transistor darlington NPN tip121 (o
similar), 1 transistor Darlington PNP tip127 (o
similar) disipador de calor para TO220, 1
resistencia de 10Ω@1/2W, 2 resistencias
10Ω@10W, inductor de 100uH, Diodo de
conmutación rápida FR303 (o schottky
1N5822), 1 diodo schottky 1N4148, sensor de
corriente ACS712 de 5A.
B. Instrucciones
Utilizando el generador de señales, el
osciloscopio, el sensor de corriente acs712 y el
multímetro realice las diferentes operaciones
que se piden:
 Configure el generador de señales para
producir una onda cuadrada de 2.5V de
amplitud, 2.5V de offset y frecuencia
de 1kHz.
 Utilice el multímetro para medir
valores efectivos de voltaje y corriente
en la carga.
 Utilice el multímetro para medir
exactamente el valor de resistencia de
la carga.
 Calcule la potencia disipada de la carga
utilizando los armónicos de la corriente
y la resistencia de la carga.
 Calcule la potencia disipada en la carga
utilizando la medición de corriente
efectiva del multímetro y la resistencia
de la carga.
 Realice los pasos anteriores
configurando la frecuencia del
generador a 100kHz.
C. Simulaciones
1) Circuito para 1KHz
2) Irms sobre carga RL

8) Tercer armónico
3) Gráfica de salida
9) Cuarto armónico

4) FFT de la señal en dB
10) Quinto armónico

5) FFT lineal con armónicos

11) Circuito para 100KHz

6) Primer armónico

12) Irms sobre carga RL

7) Segundo armónico
 18) Tercer armónico
13) Gráfica de salida

14) FFT de la señal en dB 19) Cuarto armónico

15) FFT lineal con armónicos 20) Quinto armónico

16) Primer armónico D. Gráficas del osciloscopio para 1KHz

1) Salida de la señal cuadra

17) Segundo armónico

2) Armónicos producidos

7) Quinto armónico
3) Primer armónico

E. Gráficas del osciloscopio para 100KHz

4) Segundo armónico
1) Salida de la señal cuadrada

5) Tercer armónico 2) Armónicos producidos

6) Cuarto armónico
 7) Quinto armónico

3) Primer armónico

4) Segundo armónico F. Cálculos para 1KHz

1) Parámetro de entrada

2) Cálculos corrientes armónicas

En los valores de tensión para los armónicos se

5) Tercer armónico
obtienen a partir de la modelación del pulso de
onda cuadrada por medio de las series de
fourier, por medio de la siguiente expresión:

( 4πnA sin nωt )

∞
f ( x )= ∑
n=impar

Donde A corresponde al valor pico de la señal.

n al número del armónico y ω a la frecuencia
angular de la señal.

6) Cuarto armónico
 Para el cálculo de los Vrms a partir de los
armónicos, empleamos el espectro de
armónicos que nos arroja los valores de
potencia en Decibeles.

√
dB
10
Vrms= 10

G. Cálculo para 100KHz

Los valores correspondientes a la tabla anterior 1) Parámetro de entrada
se calculan mediante las siguientes formulas,
donde R corresponde al valor de la resistencia,
L al valor del inductor, Vn es el voltaje por
armónico, Zn es la impedancia por armónico e
In es el valor del armónico.

4A
Vn=
nπ
2) Cálculos corrientes armónicas
Zn=√ R +(ωL)
2 2

En los valores de tensión para los armónicos se

Vn obtienen a partir de la modelación del pulso de
¿= onda cuadrada por medio de las series de
Zn fourier, por medio de la siguiente expresión:

√( ) ( ) ( )
2 2 2

( 4πnA sin nωt )

∞
I1 I3 In
Irms=
√2
+
√2
+
√2
f ( x )= ∑
n=impar

Es importante recordar que los armónicos de
rango par (2,4, 6, 8…) no suelen estudiarse
porque se anulan gracias a la simetría de la
señal alterna, estos sólo se tienen en cuenta en
presencia de una componente continua.
Donde A corresponde al valor pico de la señal.
n al número del armónico y ω a la frecuencia
angular de la señal.

3) Porcentaje de error Irms

Los valores correspondientes a la tabla anterior

se calculan mediante las siguientes formulas,
donde R corresponde al valor de la resistencia,
L al valor del inductor, Vn es el voltaje por
4) Cálculo Vrms armónicos
armónico, Zn es la impedancia por armónico e
In es el valor del armónico.

4A
Vn=
nπ

Zn=√ R2 +(ωL)2

Vn
¿=
Zn
 carga resistiva que este tendrá cuando esta

√(
apagado.
)( )( )
2 2 2
I1 I3 In
Irms= + +
√2 √2 √2 La pérdida por conmutación depende de los
tiempos en los que se enciende y se apaga el
Es importante recordar que los armónicos de delay del MOSFET, es decir, los tiempos que
rango par (2,4, 6, 8…) no suelen estudiarse tarda en pasar de corte a saturación y
porque se anulan gracias a la simetría de la viceversa, pero a su vez depende de valores
señal alterna, estos sólo se tienen en cuenta en como la frecuencia fundamental del circuito,
presencia de una componente continua. la corriente máxima que puede ingresar por el
Drain y el voltaje que se maneja en el Drain.
3) Porcentaje de error Irms
1) Siendo f= 1KHz

4) Cálculo Vrms armónicos

2) Siendo f=100KHz
Para el cálculo de los Vrms a partir de los
armónicos, empleamos el espectro de
armónicos que nos arroja los valores de
potencia en Decibeles.

√
dB
Vrms= 10 10

H. Cálculo de potencia disipada en la carga

usando armónicos de la corriente y la
resistencia de la carga.

Las pérdidas de potencia en el MOSFET se

presentan en los momentos en los que este
pasa de corte a saturación debido a la señal
fluctuante del pulso que ingresa por el Drain.
Por ende, presenta dos tipos de perdidas por
potencia, una por conducción y la otra por
conmutación.

La pérdida por conducción se presenta cuando

el MOSFET está “apagado”, lo que lo lleva a
tener un comportamiento resistivo y la
perdida de potencia dependerá del valor de la
 3) Gráficas sobre pérdidas en
conmutación y conducción
I. Cálculo de potencia disipada en la carga
utilizando la medición de la corriente
efectiva y la resistencia de la carga.
Con las mediciones obtenidas por el
multímetro, podemos calcular la potencia
consumida por la carga en el laboratorio:
I RMS=305 mA
V RMS =16 , 56 V
Z=9 , 94 Ω
2 2
P AVG =I RMS ∗Z=( 512 , 3 mA ) ∗9 , 94 Ω=2 , 61W
Empleando la medición aportada por el sensor
de corriente, que pudo ser visualizada mediante
el osciloscopio, podemos calcular la potencia
consumida. Para ello debemos calcular la
amplitud de la señal de corriente
proporcionada, teniendo en cuenta que el
sensor empleado, de acuerdo con la hoja de
datos, entrega 185 mV/A. Es importante
también recordar que estamos trabajando con
un pulso de onda cuadrada, y el valor efectivo
se verá influenciado por el ancho del pulso, que
en nuestro caso es del 50%. El valor I RMS estará
dado por la siguiente expresión:
212 mV
I RMS= √ 0 , 5=0 ,81 A
185 mV / A
2 2
P AVG =I RMS ∗Z=( 810 mA ) ∗9 , 94 Ω=6 , 52W
J. Cálculo de eficiencia del circuito
V. PREGUNTAS Y CONCLUSIONES
Halle de forma teórica el voltaje máximo
inverso al que se ve sometido el transistor sin el
diodo de protección.
 Cuando el MOSFET es conmutado de
apagado a encendido, la corriente en el
circuito no se va a interrumpir de forma
instantánea, lo que resulta en la
generación de una fuerza electromotriz
en el inductor que se opone a la
reducción de la corriente. Este valor se
puede calcular por medio de la relación
entre la corriente y el voltaje en el
inductor.
 En donde el rango de tiempo que se
emplea será determinado por el tiempo
que demora el MOSFET en
desactivarse, el valor que encontramos
en el datasheet es de t=47ns. Teniendo
en cuenta lo anterior el voltaje máximo
que deberá soportar el MOSFET debe
ser el siguiente:
¿Qué relación existe entre la frecuencia y la
potencia disipada por la carga RL en la segunda
parte del laboratorio?
● La relación existente entre la
frecuencia y la potencia disipada por la
carga RL es inversamente
proporcional, debido a que, para el
valor de la impedancia de la carga, este
se ve influenciado directamente por la
reactancia inductiva, la cual es
 directamente proporcional a la
frecuencia. Al tener un mayor valor de
impedancia, la corriente efectiva será
menor, y por ende la potencia disipada,
también será menor.
¿Por qué no puede calcularse la potencia en la
segunda parte del laboratorio, simplemente
como el producto del voltaje efectivo y la
corriente efectiva en la carga?
● La potencia no puede calcularse
simplemente como el producto del
voltaje efectivo y la corriente efectiva
de la carga, debido a que no tenemos
una carga únicamente resistiva, sino
que la carga también posee un
elemento reactivo, el cual provoca
variaciones en la señal de corriente de
salida, con respecto a la señal de
tensión de entrada, lo que deriva en
cambios en la frecuencia y por ende
impide la potencia se calcule
directamente como el producto de estas
dos señales.
¿A la luz de los resultados del laboratorio, qué
relación tiene la frecuencia con la eficiencia en
el circuito de conmutación con el MOSFET?
tiempo en la zona óhmica del transistor y, por
ende, mayores pérdidas por potencia y una
menor eficiencia del circuito.
El avance en componentes electrónicos ha
introducido desafíos, como la distorsión de
señal por armónicos. Los MOSFET, como
interruptores electrónicos, junto con otros
componentes no lineales, generan corrientes no
senoidales. Esto podría afectar negativamente
los circuitos electrónicos y puede dañar los
componentes.
Se identificó una relación directa entre la
frecuencia y la eficiencia en el circuito de
conmutación con el MOSFET. A medida que la
frecuencia aumenta, las pérdidas de potencia
por conmutación del MOSFET también
aumentan. Esto se debe al menor período de la
señal con frecuencias más altas, que se acerca
al tiempo de conmutación del MOSFET,
afectando su rendimiento.
REFERENCIAS
[1] Introduction to Electric Circuits, 9.a
ed., vol. Richard C. Dorf.
[2] Cálculo simplificado del valor
medio y eficaz de una forma de
onda, 1.a ed. Jesús Fernández
Hernández, 2019.

● La influencia de la frecuencia en la
eficiencia del circuito de conmutación
con el MOSFET es directa y esto pudo
comprobarse tanto desde el método
grafico como en los cálculos del
circuito. Las pérdidas de potencia por
conmutación del MOSFET son
directamente proporcionales al valor de
la frecuencia, esto debido en parte a
una mayor frecuencia, implica un
menor periodo para la señal, que se
hace cada vez más cercano al tiempo
de conmutación del MOSFET,
afectando su funcionamiento.
Gráficamente, pudimos observar que el pulso
de salida del MOSFET para un valor mayor de
frecuencia, provoca una mayor variación en el
pulso de entrada, haciendo del pulso cuadrado
un poco más curvo, lo que indica un mayor