‫پاسخ ‪ DC‬و گذرا‬

‫مدار ترانزیستور عبوری‬

VDD VDD VDD

VDD VDD
VDD
Vs = VDD-Vtn VDD-Vtn
VDD-Vtn VDD-Vtn

VDD
VDD-Vtn
Vs = |Vtp|
VDD VDD-2Vtn
VSS

3 ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬

behzadebrahimielec@gmail.com
 ‫معکوس کننده ‪CMOS‬‬
‫‪VDD‬‬

‫‪Vin‬‬ ‫‪Vout‬‬
‫‪CL‬‬

‫‪4‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬

‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
‫پاسخ حالت ایستا‬-CMOS ‫معکوس کننده‬

VDD VDD

Rp
VOL = 0
Vout = 1 Vout = 0 VOH = VDD
VM = f(Rn, Rp)
Rn

Vin = 0 Vin = V DD
5 ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬
behzadebrahimielec@gmail.com
 ‫تحلیل ‪ DC‬معکوس کننده ‪CMOS‬‬

‫تحلیل ‪ :DC‬خروجی بر حسب ورودی‬ ‫⚫‬

‫برای مثال‪ :‬یک معکوس کننده ‪CMOS‬‬ ‫⚫‬

‫‪Vout = VDD‬‬ ‫‪Vin = 0‬‬ ‫⚫‬

‫‪Vout = 0‬‬ ‫‪Vin = VDD‬‬ ‫⚫‬

‫در این بین ‪ Vout‬به ابعاد ترانزیستورها از طریق جریان وابسته می شود‪.‬‬ ‫⚫‬

‫توسط ‪ KCL‬در حالت ایستا‪:‬‬ ‫⚫‬

‫‪VDD‬‬
‫|‪Idsn = |Idsp‬‬
‫‪Idsp‬‬ ‫معادالت را می توان با فرض های معقول حل کرد‬ ‫⚫‬
‫‪Vin‬‬ ‫‪Vout‬‬ ‫راه حل گرافیکی آسانتر به جواب می رسد‬ ‫⚫‬

‫‪Idsn‬‬

‫‪6‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬

‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
 IV ‫مشخصات‬

bn = bp ‫ عریض تر انتخاب کردیم تا‬nMOS ‫ را از‬pMOS ⚫

Vgsn5

Idsn Vgsn4

-Vdsp Vgsn3
-VDD Vgsn2
Vgsp1 Vgsn1
Vgsp2 0 VDD
Vgsp3 Vdsn

Vgsp4 -Idsp

Vgsp5
7 ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬
behzadebrahimielec@gmail.com
 PMOS IV ‫انتقال خطوط‬

IDn
‫میخواهیم از محور مختصات و پارامتر مشترک استفاده کنیم‬
IDSp = -IDSn
VGSn = Vin ; VGSp = Vin - VDD
VDSn = Vout ; VDSp = Vout - VDD

Vout
Vin = 0
Vin = 0 Vin = 1.5
Vin = 1.5

x ‫شیفت حول محور‬

VDD ‫ به اندازه‬x ‫شیفت محور‬ Vin = VDD + VGSp VGSp = -1
Vout = VDD + VDSp IDn = -IDp
VGSp = -2.5

8 ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬

behzadebrahimielec@gmail.com
 Vin ‫ و‬Vout ‫جریان ها بر حسب‬

Vin0 Vin5

Vin1 Vin4
Idsn, |Idsp|

Vin2 Vin3
Vin3 Vin2
Vin4 Vin1
VDD
Vout

9 ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬

behzadebrahimielec@gmail.com
 ‫تحلیل خط بار‬

‫برای یک ‪ Vin‬مشخص‬ ‫⚫‬

‫⚫ ‪ Idsn, Idsp‬را بر حسب ‪ Vout‬رسم می کنیم‬

‫⚫ ‪ Vout‬جایی است که اندازه جریان ها با هم برابر است‪.‬‬
‫‪Vin0‬‬ ‫‪Vin5‬‬

‫‪Vin1‬‬ ‫‪Vin4‬‬
‫|‪Idsn, |Idsp‬‬ ‫‪VDD‬‬

‫‪Vin2‬‬ ‫‪Vin3‬‬ ‫‪Idsp‬‬

‫‪Vin‬‬ ‫‪Vout‬‬
‫‪Idsn‬‬
‫‪Vin3‬‬ ‫‪Vin2‬‬
‫‪Vin4‬‬ ‫‪Vin1‬‬
‫‪VDD‬‬
‫‪Vout‬‬
‫‪10‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬
‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
 ‫تحلیل خط بار‬

Vin
❑◼ V = 00.2V
in = 0V0.8V
0.4V
0.6V
DD DD
DD

Vin0 Vin5
in5

Vin1 Vin4
dsn, |Idsp
Idsn dsp
|

Vin2 Vin3
Vin3 Vin2
Vin4 Vin1
in0
VDD
Vout
out
DD

11 ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬

behzadebrahimielec@gmail.com 11
 DC ‫منحنی مشخصه‬

Vout ‫ بر حسب‬Vin ‫انتقال نقاط به محور‬ ⚫

Vin0 Vin1
VDD Vin2
Vin0 Vin5
A B

Vout
Vin1 Vin4
C

Vin2 Vin3
Vin3
Vin3 Vin2 D Vin4 Vin5
Vin4 Vin1 E
0 Vtn VDD/2 VDD+Vtp
VDD VDD
Vout Vin

12 ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬

behzadebrahimielec@gmail.com
 ‫نواحی کاری ترانزیستورها‬
‫‪VDD‬‬

‫‪Vin‬‬ ‫‪Vout‬‬

‫‪Region‬‬ ‫‪nMOS‬‬ ‫‪pMOS‬‬

‫‪A‬‬ ‫قطع‬ ‫خطی‬
‫‪VDD‬‬
‫‪B‬‬ ‫اشباع‬ ‫خطی‬ ‫‪A‬‬ ‫‪B‬‬

‫‪C‬‬ ‫اشباع‬ ‫اشباع‬ ‫‪Vout‬‬

‫خطی‬ ‫اشباع‬ ‫‪C‬‬
‫‪D‬‬
‫‪E‬‬ ‫خطی‬ ‫قطع‬
‫‪D‬‬
‫‪E‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪Vtn‬‬ ‫‪VDD/2‬‬ ‫‪VDD+Vtp‬‬
‫‪VDD‬‬
‫‪Vin‬‬

‫‪14‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬

‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
 ‫منحنی مشخصه ‪DC‬‬
‫‪ VM‬معکوس کننده جایی است که ‪ Vin‬و ‪ Vout‬با هم برابر باشند‪.‬‬ ‫⚫‬

‫اگر ‪ VM ، bp / bn  1‬برابر ‪ VDD/2‬نخواهد بود‪.‬‬ ‫⚫‬

‫‪1.5‬‬
‫‪VDD‬‬
‫‪1.4‬‬
‫‪bp‬‬
‫‪1.3‬‬ ‫‪= 10‬‬
‫‪bn‬‬
‫‪1.2‬‬ ‫‪Vout‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1.1‬‬ ‫‪0.5‬‬
‫‪bp‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪= 0.1‬‬
‫‪bn‬‬
‫‪0.9‬‬
‫‪0‬‬
‫‪0.8‬‬
‫‪VDD‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪Vin‬‬
‫‪(W/L)p/(W/L)n‬‬
‫‪15‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬
‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
 ‫اثر تغییرات فرایند‬
‫تغییرات فرایند باعث‬ ‫⚫‬
‫تغییرات ‪VM‬خواهد شد‪.‬‬
‫‪2.5‬‬ ‫‪ PMOS‬سریع‬
‫‪2‬‬ ‫‪ NMOS‬کند‬

‫‪1.5‬‬
‫‪1‬‬
‫)‪Vout (V‬‬

‫نرمال‬

‫‪0.5‬‬ ‫‪ PMOS‬کند‬
‫‪ NMOS‬سریع‬
‫‪0‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪0.5‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1.5‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2.5‬‬
‫‪16‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬
‫)‪Vin (V‬‬ ‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
 ‫کاهش ولتاژ منبع تغذیه‬
‫‪2.5‬‬
‫‪0.2‬‬

‫‪2‬‬
‫‪0.15‬‬

‫)‪Vout (V‬‬
‫‪1.5‬‬
‫)‪Vout (V‬‬

‫‪0.1‬‬
‫‪1‬‬

‫‪0.05‬‬
‫‪0.5‬‬
‫‪=-1‬شیب‬
‫‪0‬‬ ‫‪0‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪0.05‬‬ ‫‪0.1‬‬ ‫‪0.15‬‬ ‫‪0.2‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪0.5‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1.5‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2.5‬‬
‫)‪Vin (V‬‬ ‫)‪Vin (V‬‬
‫‪17‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬
‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
‫معکوس کننده ‪-CMOS‬مدل سوییچ رفتار‬
‫‪V‬‬ ‫‪V‬‬
‫پویا‬ ‫‪DD‬‬
‫‪DD‬‬

‫‪Rp‬‬

‫‪Vout‬‬ ‫‪Vout‬‬
‫‪CL‬‬ ‫‪CL‬‬
‫‪Rn‬‬

‫‪Vin = 0‬‬ ‫‪Vin = V DD‬‬

‫زمان پاسخ گیت با زمان شارژ خازن ‪ CL‬از طریق ‪ Rp‬یا دشارژ خازن ‪ CL‬از طریق ‪Rn‬‬
‫مشخص می شود‪.‬‬
‫‪18‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬
‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
‫پاسخ گذرای معکوس کننده‬

‫)‪Vin(t‬‬

‫)‪Vout(t‬‬
‫‪t‬‬
‫‪t0‬‬

‫‪20‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬

‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
 ‫محاسبه تاخیر از روی شبیه سازی‬

‫حل معادالت دیفرانسیل با دست مشکل است‪.‬‬ ‫⚫‬

‫شبیه ساز اسپایس معادالت را به صورت عددی حل می کند‬ ‫⚫‬

‫از معادالت دقیق استفاده می کند‪.‬‬ ‫⚫‬

‫‪2.0‬‬
‫شبیه سازی می تواند زمان بر باشد و دید طراحی را بگیرد‪.‬‬ ‫⚫‬

‫‪1.5‬‬

‫‪1.0‬‬
‫)‪(V‬‬
‫‪tpdf = 66ps‬‬ ‫‪tpdr = 83ps‬‬
‫‪Vin‬‬
‫‪Vout‬‬
‫‪0.5‬‬

‫‪0.0‬‬

‫‪0.0‬‬ ‫‪200p‬‬ ‫‪400p‬‬ ‫‪600p‬‬ ‫‪800p‬‬ ‫‪1n‬‬ ‫‪21‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬
‫)‪t(s‬‬
‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
 ‫تخمین تاخیر‬

‫مدلی می خواهیم‬ ‫⚫‬

‫ساده باشد و سریع به جواب برسد‬ ‫⚫‬

‫دقت خوبی داشته باشد‬ ‫⚫‬

‫دید مناسب طراحی بدهد‬ ‫⚫‬

‫پاسخ گذرای معکوس کننده شبیه به پاسخ مدار ‪ RC‬مرتبه اول است‬ ‫⚫‬
‫(تغییرات به صورت نمایی)‬
‫از مدل ‪ RC‬برای تخمین تاخیر استفاده می کنیم‬ ‫⚫‬
‫‪ C‬کل خازن گره خروجی‬ ‫⚫‬

‫‪ R‬مقاومت موثر‪-‬بسته به جریان متوسط هنگامی که خروجی تغییر می کند‪.‬‬ ‫⚫‬

‫‪22‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬

‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
 ‫مدل تاخیر ‪RC‬‬

‫به جای ترانزیستور ‪ MOS‬از مدار معادل استفاده می کنیم‪:‬‬ ‫⚫‬

‫سوییچ ایده آل‪ ،‬مقاومت روشن و خازن‬ ‫⚫‬

‫‪ nMOS‬واحد مقاومت ‪ R‬و خازن ‪ C‬دارد‪.‬‬ ‫⚫‬

‫‪ pMOS‬واحد مقاومت ‪ 2R‬و خازن ‪ C‬دارد‪.‬‬ ‫⚫‬

‫خازن نسبت مستقیم با عرض کانال ترانزیستور دارد‪.‬‬ ‫⚫‬

‫مقاومت نسبت عکس با عرض کانال ترانزیستور دارد‪.‬‬ ‫⚫‬

‫‪d‬‬
‫‪s‬‬
‫‪kC‬‬
‫‪kC‬‬
‫‪R/k‬‬
‫‪d‬‬ ‫‪2R/k‬‬
‫‪d‬‬
‫‪g‬‬ ‫‪k‬‬ ‫‪g‬‬ ‫‪kC‬‬
‫‪g‬‬ ‫‪k‬‬ ‫‪g‬‬
‫‪s‬‬ ‫‪kC‬‬ ‫‪kC‬‬
‫‪kC‬‬ ‫‪s‬‬
‫‪s‬‬
‫‪23‬‬ ‫‪ d‬دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬
‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
 ‫تخمین تاخیر معکوس کننده‬

‫تاخیر یک معکوس کننده با بروندهی ‪ 1‬را تخمین بزنید‬ ‫⚫‬

‫‪2C‬‬

‫‪R‬‬

‫‪2C‬‬ ‫‪2C‬‬
‫‪2C‬‬ ‫‪2C‬‬
‫‪2 Y‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪A‬‬ ‫‪Y‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪R‬‬ ‫‪C‬‬
‫‪C‬‬
‫‪R‬‬ ‫‪C‬‬ ‫‪C‬‬

‫‪C‬‬

‫‪d = 6RC‬‬ ‫‪26‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬
‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
‫مقایسه مدل های تاخیر‬

‫‪27‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬

‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
 ‫طراحی سرعت باال‬

‫نسبت ‪ W/L‬ترانزیستور را باال می بریم‬ ‫⚫‬

‫به افزایش خازن پارازیتی درین دقت داریم‪.‬‬ ‫⚫‬

‫خازن را کاهش می دهیم‬ ‫⚫‬

‫مساحت درین را کوچک میکنیم‪.‬‬ ‫⚫‬

‫خازن اتصاالت میانی را افزایش نمی دهیم‪.‬‬ ‫⚫‬

‫خازن بار را افزایش نمی دهیم‪.‬‬ ‫⚫‬

‫‪ VDD‬را افزایش یا از ترانزیستورهایی با ولتاژ آستانه کمتر استفاده می‬ ‫⚫‬

‫کنیم‪.‬‬

‫‪28‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬

‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
‫اثر افزایش عرض کانال بر تاخیر معکوس‬
‫کننده‬

‫خازن خروجی را می توان به دو بخش تقسیم کرد‪.‬‬ ‫⚫‬

‫⚫ خازن ذاتی ‪ -Cd-inv‬خازن نفوذ‬

‫⚫ خازن بار و اتصاالت میانی ‪CL‬‬
‫⚫ )‪tp = Req (Cd-inv + CL)= Req Cg-inv (Cd-inv/Cg-inv + CL/Cg-inv‬‬
‫)‪= tinv (1 + CL/Cg-inv‬‬
‫⚫ ‪ tinv‬تاخیر ذاتی معکوس کننده است‪.‬‬
‫‪2K‬‬
‫⚫ به نسبت ‪ CL/Cg‬بروندهی الکتریکی ‪ f‬گویند‪.‬‬
‫⚫ بزرگ کردن ابعاد ترانزیستورها با ضریب ‪K‬‬
‫‪CL‬‬ ‫⚫ ))‪tp = (R/K) (3CK) (1 + CL/(3CK‬‬
‫‪K Cd-inv‬‬ ‫⚫ تاخیر ذاتی مستقل از ابعاد است‪3RC .‬‬
‫‪29‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬
‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬
 ‫اثر افزایش عرض کانال بر تاخیر معکوس‬
‫کننده‬

‫‪x 10-11‬‬
‫‪3.8‬‬
‫برای بار ثابت‬ ‫کاهش تاخیر با افزایش ابعاد به ازای‬
‫‪3.6‬‬
‫‪3.4‬‬ ‫‪ K=5‬تا حد خوبی به دست می آید‪.‬‬
‫‪3.2‬‬
‫‪3‬‬ ‫اگر ‪ K‬را از ‪ 10‬بیشتر کنیم بهبود کمی در‬
‫‪2.8‬‬ ‫تاخیر ایجاد می شود و فقط مساحت و‬
‫‪2.6‬‬ ‫هزینه زیاد می شود‪.‬‬
‫‪2.4‬‬
‫‪2.2‬‬
‫‪2‬‬ ‫خازن ذاتی غالب می شود‬
‫‪1‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪7‬‬ ‫‪9‬‬ ‫‪11‬‬ ‫‪13‬‬ ‫‪15‬‬
‫‪K‬‬
‫‪30‬‬ ‫دانشگاه آزاد اسالمی واحد علوم و تحقیقات‬ ‫بهزاد ابراهیمی‬
‫‪behzadebrahimielec@gmail.com‬‬