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Environmental Science (Dr. Filemon C. Aguilar Memorial College of Las Piñas)

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Amplificador Multi
Multietapa
etapa BJT y MOSFET
MOSFET
.

Amplificador Multietapa BJT y MOSFET

Carolina Arango Gonzalez
u5600239@unimilitar.edu.co
Laura Daniela Acevedo Virgues
u5600267@unimilitar.edu.co

RESUMEN: Pa
Para
ra este
este labo
labora
rato
tori
rio
o se re
real
aliz
izó
ó una
una Los MOSFET también trabajan en 3 regiones: corte,
prác
prácti
tica
ca dond
dondee se dise diseñó
ñó un ampl
amplifific
icad
ador
or mu
mult
ltie
ieta
tapa
pa,, y lineal u óhmica, saturación o activa.
para
para ello
ello se ut
utililiz
izar
aron
on dos
dos tr
tran
ansi
sist
stor
ores
es un MO
MOSF
SFET ET y un
BJT. Como primera etapa se acopló un MOSFET de Para utilizar un transistor BJT co com
mo amplificador es
enri
enriqu
quececim
imie
ient
nto
o en auto autopo
pola
lari
riza
zaci
ción
ón y cocomo
mo segu
segund
nda a nece
necesa sari
rio
o ap
aplilica
carr al
algú
gúnn ti
tipo
po de po
pola
lari
riza
zaci
ción
ón con
con el fin
fin de
etapa un BJT en polarización universal. mantenerlo en la zona de activación. También se
Además, se implementó un pre-amplificador con la util
utiliz
izar
aran
an popola
laririza
zaci
cion
ones
es para
para ma
mant
nten
ener
er al MO
MOSF
SFET
ET en
función de aumentar el nivel de la señal. región óhmica.

ABSTRACT: Fo Forr th
this
is labo
labora
rato
toryry a pr
prac
acti
tice
ce was
was Par
araa re
real
aliz
izar
ar un am
ampl
plif
ific
icad
ador
or se tom
omaa en cu
cuen
entta qu
que e se
ca
carr
rrie
ied
d out
out wher
wheree a mu
mult
lti-
i-st
stag
agee ampl
amplif
ifie
ierr was
was desi
design
gned
ed,, acopla un transistor BJT y/o y/o un MOSFET en cascada.
and for this purpose two transistors were used, a Cada
Cada sisist
stem
emaa se re
repr
pres
esenenta
ta por
por un
una
a ga
gana
nanc
ncia
ia de vo
volt
ltaj
aje
e
MOSFET and a BJT. As a first stage a MOSFET in Av en condiciones de carga, es por esto que se
self-polarization enrichment was coupled and as a co
cons
nsid
ider
eran
an imp
mpededan
anci
cias
as de enentr
trad
adaa e im
impe
peda
danc
nciias de
second
In addi stage
on,, a apr
additition BJT
pre-
e-aminplif
ampl universal
ifie
ierr wi
with polarization.
th th
the
e fu
func
nctition
on of incr
increa
easi
sing
ng salida de las configuraciones conectadas.
the signal level was implemented. Hay 3 formas de conectar estos sistemas:

El acop
acoplele RC,
RC, ut
utililiz
iza
a un ca
capa
paci
cito
torr de acop
acopla
lami
mien
ento
to para
para
1. INTR
INTROD
ODUC
UCCI
CIÓN
ÓN aislar las dos etapas desde un punto de vista DC.

Una
Una de laslas ca
cara
ract
cter
erís ísttic
icas
as más imp
mpor
orttan
anttes de
dell FET es
su alta impedancia de entrada. Los FET son más
est
estable
abless a la te
temmpe
pera rattur
uraa que
que los
los BJT
JT,, y en gener
eneral
al so
sonn
más pequeños que los BJT, lo que los hace
part
partic
icul
ular
arme
ment
nte
e út
útililes
es en ch chip
ipss de circ
circui
uito
toss inte
integr
grad
ados
os..
Las ganancias de voltaje de CA típicas para
ampl
amplif
ific
icad
ador
ores
es de BJ
BJT T soson
n mu
muchcho
o ma
mayo
yoreress que
que para
para los
los
FET[1].

Imagen 2. Conexión RC. [2]

Como se observa en la imagen 2, ambos sistemas se

co
cone
nect
ctan
an a trav
través
és de un ca
capa
paci
cito
tor.
r. Es
Este
te se cone
conect
cta
a en la
salida de la primera etapa y a la entrada de la segunda
etapa.

Imagen 1. Transistor MOSFET y BJT. [1]

Los
Los BJT so son
n disp
dispos
osit
itiivo
voss de cocorr
rrie
ient
nte
e co
cont
ntro
rola
lado
doss por
por La conexión cacasc
sco
odo no tiene un capacitor de acople
corrie
corriente
nte.. Est
Este
e trabaj
trabaja
a en trestres region
regiones:
es: corte,
corte, satura
saturació
ción
n entr
entre
e et
etap
apa
a y et
etap
apa,
a, si
sino
no qu
que
e si
simp
mple
leme
ment
nte
e se co
cone
nect
ctan
an
con un cable.
y activación.

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Amplificador Multi
Multietapa
etapa BJT y MOSFET
MOSFET
.

Esta
sta co
con
nfiguración elimina la necesidad de tener dos
fu
fue
ent
ntes
es DC el vo
vollta
tajje de la re
resi
sist
sten
enci
cia
a RS de
detter
erm
min
ina
a el
control de la compuerta.

Imagen 3. Conexión cascodo. [2]

La co
cone
nexi
xión
ón ca
casc
scod
odo
o pr
prop
opor
orci
cion
ona
a una
una imp
mped
edan
ancicia
a de
entrada relativamente alta, como una ganancia de
voltaje baja para la primera etapa, lo cu
cuaal hace que la Figura 4. Configuración de polarización del JFET. [3]
capacitancia de Miller esté en su valor mínimo. [2]
Para el desarrollo de las ecuaciones se tiene que:
Final
inalm
ment
ente est
stá
á la co
cone
nexi
xión
ón Darl
Darlin
ing
gto
ton,
n, la cu
cual
al es una
una
conexión entre dos tra
ran
nsis
sistores de unión bipolar que -VGS - VRS=0
operan como un transistor “super beta”. [2]
VGS= -IDRS (5)

Además se tiene:
ID= IS

VDS= VDD- ID(RS+RD)

VS=ID RS

VD= VDS
VDS+VS
+VS = VDD-VRD (6)

Se tiene en cuenta que, el transistor BJT utilizado es tipo

npn y tiene las siguientes ecuaciones en análisis DC:

IE= ( β +1
+1)I
)IB
B (7
(7))

Imagen 4. Conexión Darlington. IC= β IB (8)

26mV
En esta
esta co
cone
nexi
xión
ón el tr
tran
ansi
sist
stor
or co
comp
mpue
uest
sto
o actú
actúa
a co
como
mo re = IE
(9)
una sola unidad de ganancia de corriente. [2]

2. MA
MATE
TERI
RIAL
ALES
ES Y M
MÉT
ÉTOD
ODOS
OS
Se tiene en cuenta que, el transistor MOSFET utilizado
es de tipo enriquecimiento, por lo tanto se hace uso de
las siguientes ecuaciones:

Figura 5. Configuración de polarización por medio del

divisor de voltaje. [3]

CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN
AUTOPOLARIZACIÓN Se tiene que:
Rth= R1//R2 (10)

2
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Amplificador Multi
Multietapa
etapa BJT y MOSFET
MOSFET
.

R2 V C C
E th = R1+R2
(11)

Eth- IB(Rth) - V
VBE
BE - IERE= 0 (12)
Altas Frecuencias
Eth −V B E
IB = Rth + (β+1)RE
(13)

-VCC + RCIC + VCE +

+REIE=
REIE= 0 (14)

VCE= V
VCC
CC - IC(RC+RE) (15)
26mV
re = IE
(16)

Teni
Tenien
endo
do en cuen
cuentata las
las co
conf
nfig
igur
urac
acio
ione
ness ante
anteri
rior
ores
es,, se
implementó el siguiente multietapa:

CÁLCULOS

MOSFET

Figura 6. Amplificador multietapa con acople por RC. [4]

Figura 7. Amplificador multietapa circuito en AC. [4]

Teniendo en cuenta la figura anterior, se tienen las BJT

siguientes ecuaciones en análisis AC:

Etapa 1:

Zi= RG (17)

Zo= RD (18)

Av= -gm (RD//Rth// β re ) (19)

Etapa 2:

Zi= R1//R2// β re (20)

Zo= RC (21)

RC (22)
Av= −re

Para los capacitores (bajas frecuencias)

3
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Amplificador Multi
Multietapa
etapa BJT y MOSFET
MOSFET
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Ganancia total de voltaje

Potencia

Capacitores (bajas frecuencias)

PreAmplificador

Figura 7. Preamplificador. [3]

Par
ara
a es
estte lab
abor
orat
ator
orio
io se hi
hizo
zo uso
uso de
dell am
ampl
plif
ifiica
cado
dorr de la
figura 3.
Capacitores Altas frecuencias IE = 2.86mA

26mV
re = IE

re
= 9.64
.64 Ω

4
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Multietapa
etapa BJT y MOSFET
MOSFET
.

Av = R1//R2 divisor de voltaje, ya que la impedancia de salida de

re estos es muy baja.
La configuración del MOSFET tuvo una ganancia
(47k Ω// 3.3k Ω) medediaiana
na y neg egat
atiiva (p
(por
or es
esto
to se el elig
igiió)
ó).. El BJT ta tammbibiéén
Av = 9.64 obtuvo una ganancia negativa y alta; al realizar los
re
resp
spececti
tivo
voss cá cálc
lcul
ulos
os,, la ga
gana
nancnciaia to
totatall de ampl
amplif ific
icad
ador or
multietapa fue de 30.6294.
Av =− 319.7 En el análisis DC, se tuvo en cuenta un voltaje de 20V
como alimentación del circuito, esto quiere decir que
ambas etapas fueron alimentadas con el mismo voltaje.
Zi = R1// re Este
ste ananál
áliisi
siss se re real
aliz
izó
ó de forormma in inddepepen endi
dien
ente
te ya quque e
lo
loss ca
capa
paci
cito
tore
ress se co comp
mpororta
tann como
como un co cort
rto
o ci
circ
rcui
uito
to en
DC,
DC, po porr lo qu
que e se ob obttuv
uvie
iero
ronn mal alllas de en enttra
rada
da y sasalilid
da
Zi = 82kΩ//(295)(9.0
Ω//(295)(9.09Ω)
9Ω) para
para ca cada
da pola
polaririza
zacición
ón.. En el caso
caso del del MOMOSF SFET ET,, el VG
VGS S
fue obtenido a partir de la corrie riente, de K y del Vp, con
es
estete val
valor
or ob
obteteni
nido
do se pu pudo
do ha
hallllar
ar la tran
transc scon
onduduct
ctan
anciciaay
Zi = 2288.601
288.601 Ω a su ve vez,
z, est
está á tran
transcscon
ondu
ductctan
anci
ciaa fu
fuee ut
utililiz
izad
ada a pa
parara ha
hallllar
ar
la ganancia de voltaje. se obtuvo un análisis en AC el
1 ANÁLISIS DE RESULTADOS cual la primera se tiene en cuenta las impedancias de
sa
salilida
da , de enenttra
rada
da y ga gana
nanc
nciias . La pr primimereraa et
etap
apa a es
esttá
afe
afectad
ctadaa po
porr la se segu
gundndaa po
porr lo que
que ca cambmbió ió la gananananciciaa
de la primera etapa cambia con respecto a las
resistencias que tiene en paralelo.

En el caso del BJT, se realizó el respectivo análisis,

do
dond
nde
e es
este
te no
noss pe
perm
rmitite
e en
enco
cont
ntra
rarr lo
loss pu
punt
ntos
os im
impo
port
rtan
ante
tess

pa
para
fuerane
fue es
este
necetesari
cesa de
desa
osarr
rio rrol
buollo
busc lo.ar
scar. Pa
Para
lara
las ob
obte
s re tene
resi ner
sist
sten rcias
encilaasga
gana
nanc
co
corrncia
iatas
rrec
ecta de
desea
s seada
si
sien da,
do,
endo
ce
cerc
rcan
anas
as papara
ra qu
que e RTH
RTH fue uera
ra gr
gran
and de y as
asíí ob
obte
tene
nerr una
co
corr
rrie
ient
nte
e gr
gran
andede,, ya ququee de es
esta
tass se de
deri
riva
va to
toddo. A raraííz
de que la ganancia de voltaje de esta polarización
depe
depend nde
e de la cocorrrrie
ient
nte
e IE, se tuvo
tuvo ququee ten
ener
er en cu
cue ent
ntaa
que para obtener el resultado esperado se tuvo que
Figura 7. Simulación en multisim. jugar con el valor de las resistencias, ya que de estas
depende también el valor de la corriente IB la cual es
deriva en IE. se obtuvo en esta polarización fue un Rth
alto, al hallar re esta fuera pequeña y así gara ran
ntizar el
valor que se necesitaba para obtener la ganancia de
voltaje de 30
En el análisis AC se re rea
alizó no hubo ningún cambio en
las impedancias y ganancia de la segunda etapa, se
tuvo en cuenta que la frecuencia es inversa a la
capacitancia.
S
fre uenc
frec
ecuerencia
aliias
zasroynot doen
otro
ro s tal
iptas.
oss. Pa
alta deraala
Para nsálba
las isisjas
baja , s ufrec
frnecue
o uenc
encia
n ias
bas ja
ses
tu
tuvo
vo en cu
cuenentta los ca capa
paci
cittor
ores
es C1,
C1, C2 y C3. C3. ComComo ya se
te
tennía
íann la
lass frec
frecue uen nci
cias
as,, lo qu
quee se re
real
alizizó
ó fu
fue e un dedespspej
ejee
para
para hall
hallar
ar el vavalolorr de ca
cada
da ca
capa
paci
cito
torr te
teni
nien
endo do en cucuenentata
que
que la FR es in inve
versrsam
amenente
te pr
prop
opor
orci
cion
onal al a la re resi
sist
sten
enciciaa
que se asignaron los valores de las a cada una, para
obt
obten
ener
er un fililttro pa
pasasa al
alto
toss co
conn un
unaa frec
frecue uen nci
ciaa de cocortrte
e
de 100 Hz .
Figura 8. Señal del amplificador multietapa.
En la ecuación se tiene que hallar otra resistencia, y
para
para elello
lo es nec eceesa
sari
rio
o mir irar
ar el an
análáliisi
siss fre
recucuen
encicial
al qu
que e
Pa
Para
ra la re
real
aliz
izacació
ión
n de este
este ampl
amplifific
icad
ador
or mu
multltie
ieta
tapa
pa co
con
n se realizó anteriormente.
las indicaciones dadas, se tuvo que hacer uso de las La frecuencia más baja que se pedía en la guia era de
ecua
ecuacicion
ones
es vist
vistas
as.. Como
Como prprim
imer
era
a inst
instan
anci
cia,
a, para
para sabe
saberr 100Hz, al tener la resistencias, se observó la más
que
que co
conf
nfig
igur
urac
acióiónn iría
iría prim
primer
ero,
o, se tutuvo
vo en cu
cuenenta
ta que
que la pequeña (la cual fue de 110Ω), y a esa se le asignó el
impedancia de entrada de todo el amplificador valor de 100Hz, mientras que a las mas grandes, se le
multietapa debía de ser de 10K como mínimo, es por fu
fuer
eron
on asig
asignanadodoss va valo
lore
ress má
máss pequ
pequeñ eños os quque e fufuer
eron
on de
eso que se empleó un transistor MOSFET en
aut
autop
opolola
ari
riza
zaci
ciónón,, ya que
que la imp
mpe edanc
danciaia de ententra
rada
da de 10Hz.
Pa
Para
ra el an
anál
ális
isis
is en al
alta
tass frec
frecue
uenc
ncia
iass se di
dife
fere
renc
ncia
ia po
porq
rque
ue
esto
estoss es alta
alta.. En el cacaso
so de la impe
impeda danc
ncia
ia de sali
salida
da,, que
que se hace en base al modelo AC , donde se pedía un
tenia que ser máximo de 8Ω se empleo un BJT en máximo de 17KHz, se obtuvo que Ri=12KΩ y

5
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Amplificador Multi
Multietapa
etapa BJT y MOSFET
MOSFET
.

Ro=4
Ro=49.9.72
729Ω
9Ω.. Teni
Tenien
endo
do en cu
cuen
enta
ta esto
esto,, a la re
resi
sist
sten
enci
cia
a am
ampl
plifific
icad
ador
or mu
multltie
ieta
tapa
pa la ga
gana
nanc
ncia
ia se ve
verá
rá af
afect
ectad
ada
a ya
más pequeña se le asignó el valor de 17KHz, y a la más que va a reducirse.
grande se le asignó un valor de 1,7KHz. Así, con estos
valores ya fue posible hallar los capacitores
interelectricos.

Pa
Para
ra la pote
potencncia
ia,, se tu
tuvo
vo que
que la corr
corrieient
nte e se podí
podía a hall
hallar ar
teniendo resistencia y voltaje entre la etapa uno y la
etapa dos; el voltaje utilizado es el dado por el voltaje
pico
pico pico
pico,, y la re
resi
sist
sten
encicia,
a, al sa
sabe
berr que la pote potencncia
ia queque
se pide es de salida, fue Rth, y de esta forma se halló la
co
corr
rrie
ient
nte.
e. Se
Segu
guid
idoo de esto
esto,, se mu
mult ltip
iplilicó
có esta
esta cocorr
rrie
ient nte
e
por
por el beta
beta obte
obteni
nien
endo
do la cocorr
rrie
ient
ntee de co cole
lect
ctor
or,, para
para así así
este
este reresu
sult
ltad
ado
o conv
conver erti
tirl
rlo
o en rms
rms y por por últi
último
mo de ut utililiz
izar
ar Figura 11. Simulación del preamplificador en Tinkercad
la fó
fórm
rmul
ula
a para
para obte
obtenenerr la pote
potencncia
ia.. As
Asíí de esta
esta fo
form
rma, a, el
resu
resultltad
ado
o de la pot
potenci
encia a fue de 0.0.09
095 5 W, el cu cual
al no es el
resultado esperado.

Figura 12. Simulación del preamplificador en tinkercad.

Las figuras 11 y 12, hacen una muestra de cómo la

se
seña
ñall va va
vari
ria
and
ndo
o . As
Asíí co
com
mo se pue
uede
de ve
ver,
r, qu
que
e la fi
fig
gur
ura
a
Figura 9. Simulación en tinkercad.
11 muestr
stra cu
cuaando la señal se amplifica y la figura 12
muestra la señal cuando es pequeña.
Cómo
Cómo se obse
observ
rva
a en la fi
figu
gura
ra 9, la se
seña
ñall sali
salió
ó re
reco
cort
rtad
ada,
a,
esto debido a que el generador de señales tenia un
máximo de 10V, por lo tanto no se iba a observar la
imag
imagen
en en el osci
oscilo
losc
scop
opio
io co
como
mo se pued
puede e obse
observrvar
ar en el
osciloscopio de multisim.

Figura 13. Osciloscopio preamplificador.

Se ob
obse
serv
rva
a que
que la se
seña
ñall sa
salilió
ó re
reco
cort
rtad
ada,
a, y el volt
voltaj
aje
e Vc
Vcq
q
es 2.11V. Esta señal se recortó ya que el VCC es de
12V, por lo tanto el Vcq debía de ser de 6V, por lo tanto
Figura 10. Simulación en multisim Preamplificador
la señal se obtuvo de es
esta
ta forma.

Básic
ásicamamenentte paparara est
este preream
amp pliliffic
icad
ador
or,, se apli
aplica
ca un
anál
anális
isis
is AC sim similar
ilar pa
para
ra hall
hallar
ar los
los ca capa
paci
cito
tore
res.
s. Aq
Aqu uí la
gana
ganan nci
cia
a de vovoltltaj
aje
e estu
estuvo
vo dadadda por
por R1, R1, R2,
R2, y re
re.. Dic
icha
ha
gananciacia fue negativa. Para hallar la impedancia de
ent
entra
rada
da simp
simplelemment
ente se rereal
aliz
izó
ó un pa para
rale
lello ent
entre R1 y
re.
re. Los va valo
lore
ress de las
las re
resi
sist
sten
encicias
as fueuero
ron n tomad
omados os de
un ejemplo.
En el análisis AC el capacitor de 10ⲙF se asume como
un co
cort
rto
o ci
circ
rcui
uitto, y al co
conenect
ctar
ar est
este pr prea
eam mplif
plific
icad
adoror al

6
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Amplificador Multi
Multietapa
etapa BJT y MOSFET
MOSFET
.

2 CONCLUSIONES [3] BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS,

Electr
Electróni
ónica:
ca: teoría
teoría de circui
circuitos
tos y dispos
dispositi
itivos
vos electr
electróni
ónicos
cos,, 8ª.ed,
8ª.ed,
Ed. PEARSON EDUCACIÓN, México, 2003.
- Para este laboratorio fue necesario tener los
co
conc
ncep
epto toss clar
claros
os,, ya queque para
para la re real
aliz
izac
acióiónn de [4]
[4] Ampl
Amplif
ific
icad
ador
or mult
multie
ieta
tapa
pa co
con
n acop
acople
le po
porr RC real
realiz
izad
ado
o por:
por:
la guia
guia,, la crcrea
eacición
ón del
del prea
preampmplilifi
fica
cado
dorr fu
fue
e de 0 Laura Acevedo y Carolina Arango.
pr
prác
ácti
tica
camementnte,
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erttos
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paráme
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cias
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co
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mplilica
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corrrrie
ient
ntes
es,, y de es esta
ta fo
form
rma a no se cu cumpmpllía
con los paramentos. Amplificador Multietapa
- Para la obtención de una ganancia de voltaje https://www.tinkercad.com/things/iw7fs3lNnS8
variable, fue necesario implementar un -frantic-migelo/editel?sharecode=YFr--r2I2q14l
pote
potenc
nció
ióme
metr
tro
o en la pola
polaririza
zaci
ción
ón del
del divi
diviso
sorr de
voltaje, más específicamente en RC, esto divLhHiBT5cIuLDox_UGlQPGjS5oJU
debi
debido
do a que,
que, al pone
ponerr el pote
potenc
nció
ióme
metrtro
o en 0, la
ganancia de voltaje tenía que ser mínima de Preamplificador
30. https://www.tinkercad.com/things/iw6MHr
- No fue posible la obtención de la potencia mT2nU-shiny-bruticus-kasi/editel?shareco
pedida en la guía, la cual fue de 20W. La de=FAvCODPnJCeTORPf7RvylmhpruEe-
potenc
potencia
ia obteni
obtenida
da según
según los cál
cálcul
culos
os realiz
realizado
adoss Jmw7urn8t9-rAM
fue
fue mu
muchcho
o me
meno
nor.
r. Pa
Para
ra obt
obtener
ener una
una pote
potenc
nciia
más alta, se debía de jugar con el voltaje.
Aunque se intentó, no fue posible obtener el
resultado esperado.

- Se tuvo que tener en cuenta que las

polarizaciones que se escogieran tuvieran
amba
ambass un re resu
sult
ltad
ado
o nega
negati tivo
vo en la gana
gananc
ncia
ia de
vo
voltltaj
aje,
e, ya que
que al mu
multltip
iplilica
carr am
amba
bas,
s, la gana
gananc
ncia
ia
sería positiva.

- Fue relativamente sencillo encontrar la forma

de que
que las
las impe
impeda
dancncia
iass dada
dadass en la guía
guía fu
fuer
eran
an
las correctas en el diseño, ya que, se tenía la
posibi
posibilid
lidad
ad de esco
escogerger una polari
polarizac
zación
ión sen
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cilla
la
y si
sim
mplem
plemenentte da
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lorr de la imp
mpeeda
danc
ncia
ia
de en
entr
trad
adaa o sa
sallida
ida a una
una re
resi
sist
sten
enci
cia.
a. Adem
demás
se tuvo en cu cue
enta el funcionamiento de cada
transistor y que convenía más a la hora de
implementar el amplificador multietapa.

- Para el preamplificador se tomó un diseño

re
real
aliz
izad
ado,
o, únic
únicam
amen
ente
te se cam
cambi
bióó el beta
beta,, lo que
que
quiere decir que se implementó un tra ran nsi
sisstor
BJ
BJT.
T. Se co
conc
nclu
luye
ye que
que el circ
circui
uito
to ente
entero
ro ti
tien
enee un
solo transistor MOSFET, y dos transistores
BJT.

- La señal del osciloscopio en la simulación de

mu
mult
ltiisi
sim
m sa
salilió
ó re
reco
cort
rtad
ada
a, es
esto
to debi
debid
do a que
que el
generador de voltaje solo llega hasta 10V.

REFERENCIAS
[1] Tomado de:
https://circuitoslistos.com/
https://circuitoslistos.com/index.php/2019/11/
index.php/2019/11/10/cual-es-la-difer
10/cual-es-la-difere
e
ncia-entre-un-tra
ncia-entre-un-transistor-bjt-y-un-
nsistor-bjt-y-un-mosfet/
mosfet/

[2] Material de clase de electrónica, realizado por: Angie

Julieth Valencia Catañeda.

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Descargado por jhon Velez (jhoncarta0706@gmail.com)