EGZAMIN III TD 11.02.

2009 (w rozwiązaniach podaj ostateczny wzór i obliczoną wartość)

…………………………………………………………….
1.
W układzie jak na rysunku wykonano pomiary
UCC = 5V Odp.
dla różnych wartości napięcia EG:
ΔI C ΔUWY / RC E [V] UWE [V] UWY [V]
1k RC h21 = =
ΔI B ( ΔE − ΔUWE ) / RB 0.738 0.688 3.944
RB WY = 256 0.720 0.680 4.200
Oblicz współczynniki wzmocnienia prądowego
10k WE I (U − UWY ) RB tranzystora:
E β = C = CC = 200
IB RC ( E − UWE ) (a) statyczny β [1p]
(b) dynamiczny (różniczkowy) h21 [1p]
2. Odp. Wyznacz moc admisyjną PZmax diody jeśli
R=0,3kΩ rezystancja obciążająca może się zmieniać
U Z2
PZ max = U Z I Z max = = 1W w granicach 100Ω < RO < ∞ . W oblicze-
U WE RO RO min
niach przyjmij następujące parametry
(Przy rozwarciu wyjścia dioda diody Zenera: U
Z = 10 V, rZ = 0 Ω. (Moc
przejmuje prąd z obciążenia. admisyjna to maksymalna moc, która mo-
Wartość maksymalna tego prądu UZ/ROmin nie może przekro-
że wydzielić się w przyrządzie.) [2p]
czyć maksymalnego prądu diody. Zatem jest IZmax = UZ/ROmin.)
3. Oblicz wartości napięcia UCE odpowiadające wartościom napięcia uWE. [3p]
UCC =5V
uWE [V] 0 1 2
RC=1 kΩ UCE
iC (wzór) UCE=UCC UCE=UCC-RCβ(uWE-0.7V)/RB UCEnas
RB=10 kΩ
(zatkany) (aktywny) (nasycony)
β=
uWE 100 UCE [V] 5 2 0.2
(wartość)

4. E =15V
Uzupełnij zdania:
IA=1,5mA RC=4 kΩ Tranzystory T1 T2 tworzą układ [1p]……lustra prądowego..………

uwe uwy
Tranzystor T3 pracuje w układzie [1p]…..wzmacniacza WE (OE)….
T3
R B=
10kΩ Oblicz uwy(t) jeśli uwe(t) = 15sin(ωt) mV. Obliczenia przeprowadź dla
średnich częstotliwości (przyjmij η =1, UT = 25mV) [2p]

T1 T2 uwy(t) = -gmRCuwe(t) = -40IARCuwy(t) = -3.6sin(ωt) V

-E = -15V

5. EDD =15V W układzie wzmacniacza OS transkonduktancja tranzystora w

RD=5 kΩ punkcie pracy wynosi gm=1,5 mS. Oblicz wzmocnienie na środ-
C1 ID ku pasma ku0 [1p] oraz górną częstotliwość graniczną fg [1p]. W
C2
obliczeniach przyjmij rds= ∞, Cgs= Cgd = 200 pF oraz że rezy-
Rg=600 Ω
stancja wewnętrzna źródła napięcia zmiennego Eg jest równa Rg
RO = = 600 Ω.
RG= RZ = CZ
Eg 20 kΩ Odpowiedz na pytania:
1 MΩ 8/9kΩ
-jak nazywa się tranzystor zastosowany w układzie? [0,5p]
n-JFET
ku0= -gmRD||R0=-6
-jak nazywa się układ polaryzacji tranzystora? [0,5p]
automatyczna polaryzacja bramki
Cwe= Cgs+(1+ku0)Cgd=1600pF
Oblicz napięcie UGD i określ zakres pracy tranzystora jeśli wia-
domo, że ID =9/5mA a napięcie odcięcia wynosi UP= - 4V? [1p]
fg≅1/(2πCweRg)=170kHz
UGD= - (EDD - IDRD) = -(15-9)V = -6V

zakres pracy:……..nasycenie……….bo.…UGB < UP…

6. Oblicz (w przybliżeniu) wzmocnienie ku0
-10V Odp. [1p] oraz rezystancję wyjściową Rwy [2p]
RC=1 kΩ Wtórnik emiterowy: układu. Obliczenia przeprowadź dla średnich
uwe ku0 ≅1 częstotliwości. Przyjmij wartość h21=120.
R B=
4kΩ uwy gm = 40I = 60mS

I=1,5mA h11=h21/gm=2kΩ

Rwy = (h11+RB)/(1+h21) = 50Ω

B

7. Oblicz w przybliżeniu napięcie uWY(t) dla obu pozycji przełącznika

E C=12V jeśli uwe(t) = 10sin(ωt) mV oraz wiadomo, że współczynnik tłu-
R C = 2kΩ mienia sygnału współbieżnego dla wyjścia nieodwracającego
CMMR+ = 40dB. Obliczenia przeprowadź dla średnich częstotli-
wości. [4p]
u WY(t)
uwe(t) a
Odp.
b 1 I
RE = IE = 2mA, k ur+ = g m RC = 40 E RC = 40 ,
6,15kΩ 2 4
+
kus+ = kur+ / 10CMMR / 20
= 0.4
E E = -13V

uwy − b (t ) = kur+ uwe (t ) = 0.4sin(ωt) V,

uwy − a (t ) = kus+ uwe (t ) = 4sin(ωt) mV

8. Oblicz [1p] i narysuj logarytmiczną charakterystykę amplitudową

[0÷2p] i fazową wzmacniacza [0÷2p]. Na wykresie zaznacz istotne
R=1kΩ C=1nF
wielkości: wzmocnienie i fazę dla ω → ∞ i ω → 0, częstotliwości
4R graniczne, nachylenie charakterystyki amplitudowej. Przyjmij, że
wzmacniacz operacyjny jest idealny.
Rx

Uwy
U we
k uf 5(14 dB) -20 dB/dek

Odp. 1(0 dB)

Z
kuf ( jω ) = 1 + 2 =
Z1 1/(8πRC) 5/(8πRC) f
=12,5 =62,5 kHz
4 R || (1 / jωC ) ϕ
1+ =
R π/2
1 + jω 4 RC / 5
5
1 + jω 4 RC 0
f
-π/2

Oblicz górną częstotliwości graniczna jeśli zastosowany WO ma

pole wzmocnienienia GB = 1MHz [1p]

β w.cz. ≡ β (f > 62,5kHz) = 1, fg = GBβ w.cz. = GB = 1MHz

9. E =12V Dla układu przerzutnika Bowesa wyznacz wartość UX
R2= napięcia wejściwego, dla której przerzutnik zmienia stan z
10kΩ niskiego na wysoki (rysunek). W obliczeniach przyjmij, że
dla obu tranzystorów współczynnik β >> 1. [2p]
RB=20 kΩ
Uz=4,3V V UWY
UWE 7 Uwy1
R1=2kΩ UWY

2 Uwy2
UWE
UX = Uwy2+0.7V = 2.7V 0 UX 7,7 V

10. UCC = 5V
2kΩ=RC1 RC2 =1kΩ Uzupełnij zdania:
Linią ciągłą oznaczono charakterystykę [0.5p] …uC2(uB1)
T1 T2
u C1 u C2 Linią przerywaną oznaczono charakterystykę 0.5p] … uC1(uB1)….
u B1
Oblicz wartości napięć Ux, Uy1, Uy2, UM zaznaczone w polu charaktery-
I =1,5mA
styk przejściowych układu. W obliczeniach przyjmij UBCP = 0,5V. [2p]

Odp.
uC1 uC2
Ux = UCC = 5V
Ux
Uy1= UCC-RC2I=3.5V
Uy1
Uy2
Uy2 = UCC-RC1I=2V

UM = Uy2+UBCP = 2.5V
-UBCP UM uB1

11.

Odp.

(a) IE = (IR1-0.7V)/Re = 2mA

(b)
k ur+ = g m Rc / 2 = 40 I E Rc / 4 = 100
U wy = kur+ U n = 1V
(a) Oblicz wartość prądu IE (podaj wzór i wartość) [1p]
(b) Oblicz amplitudę Uwy napięcia na wyjściu modulatora
jeśli amplituda napięcia modulowanego (nośnej) na wej- (c)
ściu układu Un= 10mV, a amplituda sygnału modulującego
Um= 0. [1p] Uac= 2Um = 2V (wzm. odwracający o wzm. |ku|
(c) Oblicz głębokość modulacji m jeśli Um = 1V. [Wska- = 2 + wtórnik emiterowy),
zówka: głębokość modulacji jest równa stosunkowi ampli-
tudy napięcia modulującego pojawiającego się na Re (Uac) Udc = IR1 - 0.7V = 5V
do napięcia stałego na tym rezystorze m = Uac/Udc]). [3p].
m = Uac/Udc ≅ 0,4.
12. Zmierzono charakterystyki częstotliwościowe dB ku
wzmacniacza. 0
a) Która z podanych niżej transmitancji członu
sprzężenia zwrotnego β zapewni, że układ sta- -10
nie się generatrem po zamknięciu pętli s.z.? [1p] f
β = 0 β =-1 β =1 β =-1/20 β =1/20 -20
b) Który z poniższych warunków będzie speł- 0,1 1 10 100 103 kHz
nieć częstotliwość fg powstałego generatora
[1p] rad ϕ = arg(ku)
fg << 103Hz fg ≅ 103Hz fg >> 103Hz −π/2
c) Jaki w przybliżeniu będzie kształt generowa- f
nego sygnału [1p] −π
wykładniczy logarytmiczny 0,01 0,1 1 10 100 kHz
sinusoidalny prostokątny −3π/2
(zaznacz odpowiednią odpowiedź)
13. Oblicz częstotliwość rezonansową f0 oraz 3dB szerokość
pasma B wzmacniacza selektywnego. W obliczeniach
przyjmij, że cewka jest idealna (QL= ∞), a impedancja
E =10V
wyjściowa tranzystora jest nieskończenie duża, gce=0.
L=25 μH [2p]
IBB= C=1nF
0,5mA
Odp.
CS
CS=1 μF 1
R0= f0 = ≅ 1MHz
RB= 3.18kΩ 2π LC
RE= CE=
10 kΩ 4,3kΩ 1 μF
Q = 2πf0CR0 ≅ 20,

B = 2Δf3dB = f0/Q ≅ 50 kHz.

14. Przerzutnik jest wyzwalany przebiegiem impulsowym o czę-

stotliwości f = 1kHz. Oblicz czas trwania pojedynczego im-
pulsu, T, oraz współczynnik wypełnienia przebiegu wyjścio-
wego k. (k =”czas w stanie wysokim”/okres). [2p]

Odp.

T ≅ R4Cln2 = 0.1ms

k = Tf = 0.1
15. Transmitancją filtru z obciążeniem
W układzie pętli PLL zastosowano detektor fazy o Ug Rwe 1
charakterystyce Ud = 2sin(ϕ) V, filtr pętlowy RC o z H ( jω ) ≡ =
U d Rwe + R 1 + jω ( Rwe || R )C
elmentami R = 10kΩ i C = 2.4nF oraz generator
VCO o częstotliwości własej f0 = 10,7 MHz i współ-
czynniku przestrajania Kg=3MHz/V. Oblicz zakresy H(0) = Rwe/(R+Rwe) = 0.33
trzymania ΔfL i chwytania ΔfC synchronizacji jeśli
wiadomo, że wejście generatora VCO obciąża filtr zakres trzymania synchronizacji:
rezystancją Rwe = 20kΩ (rysunek). [4p] ΔfL = UdmaxH(0)Kg = 2MHz,

R stała czasowa filtru z obciążeniem (patrz H(jω))

Ud Ug τ = (R||Rwe)C = 16μs,
detektor VCO
fazy C cz. graniczna filtru pętlowego f1 = 1/(2πτ) = 10kHz,
Rwe
zakres chwytania synchronizacji:

ΔfC = (ΔfLf1)1/2 = 144kHz