oaito12023 13:51 \. Dindes & semi-conducteur, Jonctions PN - Claude Giménés ° . Les cours de Claude Gimenés Electronique Semi-conducteurs V. Diodes a semi-conducteur. Jonctions PN Introduction et prévision de la théorie des bandes. Barriére de potentiel. Jonction PN polarisée en direct et en inverse. Injection des porteurs minoritaires. Caractéristiques d'une diode jonction PN. Capacité d'une diode Jonetion. 1. Introduction a la jonction PN Les diodes de redressement de tensions alternatives sont formées par la juxtaposition, la jonction de deux domaines d'un méme semi-conducteur, un de type P, 'autre de type N. Les impuretés généralement employées pour obtenir des semi-conducteurs sont : + type P : B, Al, Ga, Ti (Mendeleiev II* colonne) ; + type N : P, As, Sb, Bi (Mendeleiev V° colonne). Pour citation, les trois méthodes employées pour préparer une jonction par tirage de cristal, par alliage et par diffusion. 2. Prévision de la théorie des bandes Pour fixer les idées considérons une jonction PN au Ge Conduction (propos généralisables). La région P et la région N, S€- conduction | | conduction | Cemduction parées par la jonction, sont constituées de germanium. P25 Leurs bandes de valence et de conduction sont donc les memes. Une différence essentielle, sur laquelle repose le fonc- ene tionnement de la diode : de par existence de niveaux "ence | | Valence Valence accepteurs (région P) et des niveaux donneurs (région. —5 ze > 7 N), énergie de Fermi d'un échantillon de Ge P est infé- rieure a celle d'un échantillon de Ge N tant que les échantillons sont séparés. Par contre, en établissant un contact étroit, une jonction, il y aura égalisation des énergies de Fermi de la ré- gion P et de la région N, condition nécessaire équilibre thermique. Sil r’en était pas ainsi, les probabilités de Fermi resteraient inégales et des électrons passeraient de la ré- gion P ala région N jusqu’a établir cette égalité des niveaux. D’oil des translations égales des bandes de valence et de conduction * vers le haut pour la région P ; + vers le bas pour la région N De ces translations, nécessaires a l'égalisation des niveaux de Fermi (cf. fig.), résulte une barriére de poten- tiel de hauteur Vy qui fait apparaitre une dissymétrie électrique dans la jonction PN et permet d'expliquer la forme de la caractéristique (courant, tension) d'une jonction. hitpsielaude-gimenes.relecroniquelsemi-conducteurs!-v-iodes-a-semi-conducteurjonctons-pn 48oaito12023 13:51 \. Dindes & semi-conducteur, Jonctions PN - Claude Giménés 3. Barriére de potentiel 3.1. Interprétation physique Le niveau de Fermi se présente comme une prévision thermodynamique de l'existence de la barriére de po- tentiel Vo, mais sans expliquer, en détail comment elle se forme. C’est le phénomene de diffusion des trous de la région P, ou ils sont en exces, vers la région N et naturellement celle des électrons de la région N, ou ils sont en excés, vers la région P qui est a lorigine de cette barriére de potentiel. La théorie de la diffusion permet de calculer V en fonction des concentrations NV, en atomes accepteurs (région P) et Ny en atomes donneurs (région N). L'expression de la densité J, de courant électrique dd aux 6lectrons contient deux termes > = — Jn = Chinn EB +eDygradn [1 > Le premier dd au transport des électrons sous T'action du champ électrique E’ . Le second di a la diffusion D,, des électrons vers les régions ou N est faible. Méme raisonnement et équations analogues pour les trous A Féquilibre thermodynamique (plus de courant a travers la jonction) : oS oS +s 3 =0 ; L=0- [2 Partant de l'ensemble des relations maintenant bien connues + EB =—grad V D, . Po kT . ET (relations 4’Einstein) 3] Bn e Hp e np=n On obtient la relation kT NN, Ye mf) e Ed Habituellement, le dopage est assez abondant pour que (Na, Na #108 x nj) (Ge-intrinséque) Ceci donne pour le logarithme népérien In une valeur de Vordre de 14, donc pour Vy a la température ordi- naire une barrigre de 0,36 V. Voyons comment sont disposés, en régime d'équilibre et circuit ouvert, les différents porteurs de charges. 3.2. Répartition des charges Supposons une jonction graduelle : les concentrations N, et Ny des atomes (donneurs et accepteurs), passent de presque zéro (présence diimpuretés indésirables) a leur valeur maximale, ceci dans un intervalle de ordre du micromatre. Deux morceaux séparés de Ge P et Ge N sont électriquement neutres et 'on a toujours en chaque élément de volume : hitpsfelaude-gimenes.relectroniquelsemi-conducteurs!-v-odes-2-semi-conducteurjonctons-pn 25oartorz029 13:52 \. Dindes & semi-conducteur, Jonctions PN - Claude Giménés eM +n) =pe (up ~ Na) e(N;+p)=ne (oun © Ny) Il en est encore de méme pour deux éléments de volume de la jonction, loin de la jonction. Les atomes don- neurs ou accepteurs sont fixés au réseau, presque tous a |état d'ions, et ils ne diffusent pas. Par contre, prés de la jonction, la diffusion des trous [ e (p) — (n)] et la diffusion des électrons de la région [ | P: " (n) — (p)] produisent les phénoménes suivants La région P de la diode devient négative pras de la jonction départ de trous vers la droite et arrivée d’électrons provenant Vw par diffusion de la région N. De méme, la région N devient positive prés de la jonetion : ar- rivée de trous diffusés de la région P et départ d'électrons dif- fusés vers la gauche Par suite de cette double diffusion électrons-trous, il apparait une charge d'espace p négative du coté P de la jonction, positive du cété N. A partir de p, equation de Poisson : av+2=0 (4 € et deux intégrations permettent de retrouver V(x) et la hauteur de la barriére de potentiel Vy = V(+00) — V(—00) La région N est devenue positive par rapport a la région P. 4. Jonction PN polarisée en sens direct Relions la région P au péle positif d'une batterie et la région N au pole négatif, de maniére a établir une DDP Vj entre les deux régions. La barriére de potentiel passe de Vy a (Vy — Vi). Le circuit étant fermé, Vi est automatiquement compensé par les diffé- rences de potentiel de contact entre les conducteurs extérieurs, et entre ceux-ci et es régions N et P. Quand V; > Vp, tout se passe comme si nous avions une fem Vi en série avec la résistance du circuit extérieur et une faible résistance représentant la diode (fraction d’ohm a quelques ohms), due essentiel- lement a la résistance entre les contacts soudés et les deux semi- conducteurs. introduction de la batterie Vi détruit équilibre entre les courants de trous vers la droite et vers la gauche que nous avons vu précédem- ment (de méme pour les électrons). La diffusion des trous vers la droite augmente considérablement car ils n’ont plus a franchir qu'une barriere de potentiel (Vy — V;) au lieu de V;. Il en est de méme de celle des électrons vers la gauche. Une fois les trous arrivés en région N, ils se recombinent rapidement aux électrons, de méme pour les élec- trons arrivés en région P. hitpsfelaude-gimenes.relectroniquelsemi-conducteurs!-v-odes-2-semi-conducteurjonctons-pn 35oait0r2023 13:52 \. Diodes & semi-conducteur Joneions PN - Claude Giménés La somme (J, + [,) des courants transportés par trou et par électron est indépendante de la distance « a la jonction, mais I, décroit avec x tandis que J, croft Leensemble des deux diffusions permet d obtenir des courants importants des que Vi ~ 0,5 V. 5. Injection des porteurs minoritaires Au voisinage immédiat de la jonction, ily a + dans la région N injection de trous provenant de la région P ; + dans la région P injection d’électrons provenant de la région N. Dans chaque région, la jonction produit une injection de porteurs minoritaires. ‘Si nous dopons davantage la région P que la région N(N, >> Na), ily aura beaucoup plus de trous injec- tés dans la région N que d'électrons injectés dans la région P. Inversement, si c'est la région N la plus dopée (Ng >> Nq), ily aura beaucoup plus d’électrons injectés dans la région P que de trous dans la région N. On arrive facilement a une valeur 200 pour le rapport injection trous / injection électrons (ou vice versa). Lemploi d'une jonction PN comme injection de porteurs minoritaires dans une zone de quelques micro- metres au dela de la jonction est a la base du fonctionnement des transistors, 6. Jonction PN polarisée en inverse Branchons maintenant le péle positif de la batterio au fy semi-conducteur N. On observe un tras faible courant i. L La répartition des charges fixes (N,, Na) des ions, des charges mobiles des trous p et des électrons n est figu- rée ci-contre. Na eae La charge d’espace est > ~(N,+n-—p)e — (région P) = a . (Nut+p—n)e (région N) x ‘On voit quill y existe une région de largeur d vide de toute charge mobile. C'est la zone de déplétion. A cause de la barriére (Vj + Vj), les trous de la région P ne peuvent plus diffuser de maniére appréciable de gauche a droite, mais il subsiste un trés faible courant de trous de droite & gauche, d0 aux trous créés par ruptures thermiques de covalences dans la région (N) ainsi qu'un trés faible courant d’électrons dG aux élec- trons de la région (P) aidés a diffuser par (Va + Vi) Lensemble de ces deux courants constitue le courant i, dit courant inverse. Pratiquement, dés que V, > 0,1 V, le courant i atteint sa valeur de saturation i,, indépendante de V; 7. Caractéristique d’une diode jonction PN (On peut établir, avec quelques approximations, 'expression du courant i traversant une diode = i= tg {exp (SH) -1} (7) V, : DDP établie entre la région P et la région N ( Vi > O dans le sens direct, V; < 0 dans le sens inverse) La théorie donne l'expression de i, en fonction des coefficients et des longueurs de diffusion des électrons et des trous et de leur concentration loin de la jonction, hitpsfelaude-gimenes.relectroniquelsemi-conducteurs!-v-odes-2-semi-conducteurjonctons-pn 45oairor0zs 13:52 \. Diodes & semi-conductau Jonctions PN Claude Giménis Si V; est assez négatif (i ~ —%i,), i, est proportionnel a n?, MA) done a exp(—AE/k T). Le courant de saturation augmente done zt tras vite (en valeur absolue) avec la température, Le coude de la caractéristique se produit dans un intervalle [#0,05 V ; -0,05 V] environ Lorsque V; atteint quelques volts, les résistances extérieures com- mencent a intervenir et donnent des valeurs de i inférieures & celles prévues par (7). Tom) 8. Capacité d’une diode jonction On sait que dans une diode jonetion polarisée en sens inverse, il existe une zone vide de charges libres ou de déplétion séparant les électrons libres de la région N des trous libres de la région P. Par suite, une telle diode se comporte comme un condensateur fictif. Cette capacité C’ de décroit lorsque la polarisation Vj de la diode devient de plus en plus négative, a la fois, parce que la largeur de la zone de déplétion croft et parce que de moins en moins de charges y participent. Shockley et Schottky ont montré que a pour une jonction brusque (Vo — Va) é| K soneti Torys Pour une jonction graduelle Vi) Cette capacité est shuntée par une conductance o= Fz on(Gr) Celle-ci diminue, comme C,, quand Vj devient trés négatit. Cw Q = facteur de surtension, est maximal pour une valeur peu négative de V; Le schéma équivalent comprend + la capacité non linéaire C’ shuntée par la conductance non linéaire G ; + en série avec une petite résistance r d’environ 1 9. Les varicaps ou varactors, sont des diodes jonction & faible capacité (minimum 1 pF) et a capacité (maxima quelques dizaines de pF). Elles fonctionnent comme capacité variable sous I'action d'une tension (V;) jus- qu’a des fréquences de 3 Ghz (A = 10 cm) et méme 10 Ghz (A = 3 cm). Les principales applications de ces diodes a réactance variable sont + les amplificateurs paramétriques ; + des changeurs de fréquence, a augmentation de fréquence, avec ou sans réaction ; + des générateurs d'harmoniques et de sous-harmoniques. Actualisé le 2021-11-29 © 2013 - 2023 Claude Gimen’s =a © Contact Alo hitpsfelaude-gimenes.relectroniquelsemi-conducteurs!-v-odes-2-semi-conducteurjonctons-pn 35