BACCALAUREFAT SCIENCES ET TECHNOLOGIES INDUSTRIELLES Spécialité génie électronique Session 2004 Etude des sysiémes techniques industriels JAUGE DE MESURE DE GRAMMAGE Partie électronique Durée conseillée 4h30 Tout document interdit Calculatrice a fonctionnement autonome autorisée (circulaire 99-186 du 16/11/99) Cette partie contient : = Questions et documents réponses : C14 C10 et CR1 a CRS Documents annexes : CAN1 & CANS IEELMEJ1) Exploitation de l'analyse fonctionnelle Q1) Quelle est la méthode utilisée pour déterminer le grammage d'un voile « non tissé » ? Il) Etude de FP2 « Régulation du courant de faisceau » Pour la précision des mesures, il faut que lintensité des rayons X soit stable. Celle-ci est propartionnelle a la valeur du courant de faisceau IFSC, il faut donc le maintenir constant. Ce courant, qui varie en fonction de la température du filament, est débité par l'alimentation haute tension, il circule a travers ie tube & ayons X et retourne au commun a travers le filament ou il s'additionne au courant de chauffage Ick (voir croquis du tube a rayons X ci-dessous). Le courant de chauffage est un courant haché, et la mesure de fa valeur du courant de faisceau a lieu pendant les temps de coupure du courant de chauffage du filament. Tube 4 rayons X : Chronogramme des courants lox IcHtlesc : i Irsc A Mey ie 258 € 2 = fro 6000v Chautiage 100uA - Sehéma fonctionnel de second degré de FP2 : CONS Elaboration [sm [ Génération des | MLI IcH du signal de signauxde | [—>| Adaptation de r modulation *| commande puissance F822 FS23 FS24 Production CECH de la durée ’échantilionnage sck a Acquisition de la E valeur du courant de faisceau FS21 Vane — Remarque sur la notation des tensions dans le questionnement : ‘Var est la différence de potentiel entre le point MIF de la structure et je OV: Voss entre le point SM de la structure et le OV, ete. Bac STIG Electronique [Etude des systémes techniques industriels| Partie électronique Page :C1/10_] IEELMETEtude de FS21 « Acquisition de la valeur du courant de faisceau » De acme, Po} Lon Ve gw cay Vr ° vet Fier ‘ia 7 eons] |¥213 = a7 th Le circuit 4066 est alimenté en +15Y, et les circuits TLOB2 en +/- 15V. Ils seront considérés comme partaits, avec +Vsat = +15V ef -Vsat = -15V. Cette fonction permet d'obtenir une tension image de la valeur du courant de faisceau IFSC. Remarque : Suivant |'intervalle de temps dans lequel on se situe, la grandeur d’entrée de FS21 est différente * cas n°: absence du courant de chauffage dans le filament, le signal d'entrée Ie est égal au courant de faisceau IFsc, U21A fonctionne alors én régime linéaire, * cas n°2: présence du courant de chauffage dans le filament, le signal d'entrée Ie est te! que U21A fonctionne alors en régime non linéaire, entrainant V211= -15V. Pour les questions Q2, Q3 et Q4, on suppose que l'on se trouve dans le cas n°t : ( le = Irsc) Q2} Exprimer V211 en fonction de {Fsc et R21, V212 en fonction de V211, R22 et R23, En déduire ‘expression de V212 en fonction de IFsc, R21, R22 et R23. Q3) R21 = R22 = R23 = 100 KO, donner la relation numérique entre V212 et IFSC. Quelle est la fonction réalisée par cette structure 7 Q4) Diaprés Je chronogramme de V212 fourni sur fe document réponse n°1 page CRI1/5, déterminer la valeur de IFsc. Pour la question QS. on suppose que l'on se trouve dans le cas n*2: ( Ie = Irsc* Ich) Q5) Lorsquil y a présence du courant de chauffage, justifier la valeur prise par V212 (voir le chronogramme sur le document réponse n°t page CR1/5). Q6) A l'aide de la documentation du circuit 4066 (page CAN2/9), préciser le niveau logique de CECH pour leque! le commutateur analogique A est fermé. Dans ce cas, déterminer la valeur typique et la valeur maximale de la résistance « Roy » 25°C. 7) Lorsque le commutateur analogique A est fermé, calculer la valeur maximale de la constante de temps t = Rox.C21, toujours a 25°C. Une durée d'échantillonnage (CECH) de 120 us permet-elle toujours une acquisition correcte de V212 (justifier)? Q8) Quelle est la relation entre les tensions VmuF et V213, Préciser le nom du montage réalisé par le circuit U23A. 9} En considérant que Rox = 150 9, compléter le chronogramme de VMIF sur le document réponse n°1 page CR1/5. IEELMES Bac STI G Electronique | Etude des systmes techniques industriels[ Partie électronique | Page . C2/10.Etude de FS22 « Elaboration du signal de modulation» La fonetion délivre une tension continue (ou lentement variable), qui permet de modifier la valeur da courant de chauffage du filament, ce qui entraine une modification du courant de faisceau. C'est la différence entre la valeur désirée du courant de faisceau (consigne) et celle mesurée qui provoque I’évolution de la tension de sortie de la fonction. Uczs Io ue vat ze nae C=} £1 pel, TH om el, can) to? 2 om TERRE THR JUMPERS: 7 4. 24 vour ve 4 yaa Te eo "a, God yea EFFI m7 th a Rappel : Charge d'un condensateur a courant constant : Uc(t) = I.t / C + Uco Q10) Exprimer Je courant lo en fonction de Vir, V222 et Req Avec Req = R24 + aRV21 (RV21 = 100kQ, et «variant de 0 a 1, donc aRV21 représente la portion restante de RV21 selon la position du curseur). Q11) Comment appelle-t-on le montage réalisé par U23B et C23 (fonction mathématique) ? Pour simplifier, dans un premier temps, on considére que C23 se charge & courant constant. Montrer que VsM = K.t + Uco + V2, avec K = lo/C23 et Uco tension aux bomes de C23 a un instant origine to. Le cavalier (voir schéma), placé en position J1, permet par régiage manuel de RV22, d'obtenir une tension continue V222 image de la valeur du courant de faisceau IFSC souhaitée (on parle de grandeur de consigne). Le réglage de RV22 est tel que V222 = BV. 12} On donne Ia fonction de transfert = 0,1 VipA le Déterminer la valeur du courant de faisceau IFSC correspondant au réglage de RV22, en régime permanent caractérisé par lo = 0A. Q13) On considére que Req = 20 ka. Compléter le tableau n° sur le document réponse n°2 page CR2/5, en y indiquant les valeurs de lo et de K en fonction des valeurs de VMiF (V222 = 8 volts). Q14) En vous aidant des résultats précédents, pour les 3 valeurs de VMIF correspondant aux différents chronogrammes (A, B, et C), tracer Vsm en fonction du temps sur le document réponse n°2 page CR2I5 Grace aux fonctions FS23 et FS24 étudiées par la suite, une augmentation de VSM aura comme conséquence I'augmentation de IFSC. De méme, si VSM diminue, cel entraine la diminution de la valeur du courant IFSC. TEELMEJ [Bac STIG Electronique [Etude des systémes fechniques industriels| Partie électronique Page . c3/10Etude de FS23 « Génération des signaux de commande » La fonction produit un signal de fréquence fixe, dont le rapport cyclique est commandé par la tension Vsm. La modulation de la largeur d'impulsion permet, aprés amplification, de faire varier la valeur moyenne du courant de chauffage du filament, donc par conséquent, la valeur du courant de faisceau. SOK oy ty “ sty ev rus : eel as], —U } or [ 8kL sdneser i uaa RL] Bikisee . : ESET el ares our {2 Cr] Ra7| 6 3 4 iL 2 THres oUt 1 TRIO oad 7 2 We 2 oso TRIG gueyl 7 FASE cont cas tcont vst | vase |vess | ozL, baad ESSE anf mu a th Les circuits intégrés sont alimentés en +5V. Q16) Compte tenu du schéma structurel, identifier la fonction réalisée par le circuit U25 (voir ia documentation du NESSS5 pages CAN3 et CAN4) Le signal de sortie du circuit U25 (V231) est représenté sur le document réponse n°3 page CR3/5. Les durées a l'état haut et état bas du signal sont les suivantes TH= 378 ps TL= 156 us Q17) Calculer le rapport cyclique TH/T. En vous aidant de fa documentation technique du NESSS (pages CAN3 et CAN4), déterminer expression du rapport cyclique et celle de la période, avec les éléments de la structure, Q18) On donne R26 = 6,8 kQ, calcuier la valeur de R27 qui permet d'obtenir le rapport cyclique désiré. Donner la valeur normalisée la plus proche dans la série E24. Série E24 :10-11-12-13-15-16-18-20-22-24-27-30-33-36-39-43-47-51-56-62-68-75-82-91 @19) Déterminer 'expression de C25 en fonction de R26, R27 et T. Puis, en reprenant la valeur de R27déterminée a la question Q18, calculer la valeur de C25 afin d'obtenir la période désirée et donner la valeur normalisée la plus proche dans la série E12 (voir série E24 ci-dessus). Q20) Tracer le chronogramme de V232 sur le document réponse n°3 page CR3/5. Q21) Caiculer la constante de temps R28C26 et tracer allure de V233 sur le document réponse n°3 page CR3/S TEELMES Bac STI G Electronique | Etude des systémes techniques industriels | Palle électronique Page | 4/10U26 réalise une fonction monostable, dont la durée de lmpulsion de sortie peut étre modulée par application d'une tension sur la broche 5 (CONT). II s'agit du montage donné dans la documentation technique, page CAN4/9 : MODULATION DE LARGEUR D'IMPULSION La relation entre la tension Vbr5 (tension en broche 5) du circuit U26 et la tension VSM, imposée par la présence de la résistance R210, est donnée par le graphe suivant : Vors w + Lt aa Vsw ttt ze T+ ++-+- FW) o 1 5 10 14 Q22) Compléter le tableau n°2 sur le document réponse n°3 page CR3/5, en déterminant la tension en broche 5 en fonction de la tension de commande VsM, et en calculant la durée de Timpulsion obtenue en fonction de la tension de commande VSM. Q23) Compiéter le chronogramme de VMLI sur le document réponse n°3 page CR3/5, si on considére que Vsm = 10V. TEELMEJ [Bac STI G Electronique [Etude des systémes techniques industriels | Partie électronique: Page: C5/10Etude de FS24 « Adaptation de puissance » La fonction permet d'adapter ie signal MLI en puissance afin d’alimenter le filament qui en chauffant permet I’émission du faisceau d'électrons. On désire vérifier le fonctionnement de FS24 et valider le choix du transistor T24. Q24) Compléter le tableau n°3 sur le document réponse n°4 en y précisant le VGS de 724, l'état des transistors 723, 724 (bloqué ou passant) en vous aidant de la documentation du BUZ71A (page CANS/S), ainsi que 'état du filament (alimenté ou non alimenté). 25) A l'aide de la documentation du BUZ71A (page CANS/9), déterminer la valeur maximale de la résistance entre drain et source lorsque le transistor 24 est passant et que sa température de jonction T’j = 80°C. Chronogramme du courant de drain Id du transistor T24 Id 2,58 T~ > 0 05 1 t(ms) 26) Déterminer, sous forme littérale, la valeur du courant moyen de drain, puis faire 'application numérique. On rappelle Ia relation entre la puissance dissipée P, I'élévation de température AT et la résistance thermique jonction-air ambiant Rthja pour un semi-conducteur sans dissipateur : Rthja = ATP avec AT°=T°j-T°a Q27) Extraire de la documentation du BUZ71A (page CANS/9), les valeurs des résistances thermiques entre jonction et boitier (Rth jmb), jonction et air ambiant (Rth ja), ainsi que la valeur de la température de jonction maximale (Timax). 28) Calculer la température de jonction T*j si !'on considére que la puissance moyenne dissipée est de 0,9 W et que la température ambiante est de 40°C. Conclure si un dissipateur est nécessaire ou pas (justifier) IEELMEI [Bac STIG Electtonique [Etude des systémes techniques industriels| Partie électronique | Page C6/10_|Synthése de la fonction FP2 (On donne ci-dessous ’évolution des signaux Vier et Vou Sur une durée beaucoup plus longue que celle des chronogrammes fournis sur le document réponse CR2/5, VME ms 9 10 15 30 1145 60 t@) Pour t > 7, la valeur du courant de faisceau est conforme a celle fixée par le réglage de RV22 (structure de FS22) et on a le rayonnement X souhaité. Q28) Que peut on dire du courant de faisceau et de lintensité des rayons X a t0 7 Expliquer, en quelques lignes, comment la fonction réagit pendant r'intervalle de temps t0 - tt, en décrivant comment évoluent les différents signaux IFSC, VMiF, VSM, VMLI, ICH, la température du filament et l'intensité des rayons X. IEELMEJ Bac ST! G Electronique [Etude des systémes techniques industriels| Partie électronique Page: C7/10_|lil) Etude de FP5 « Conversion analogique/numérique » L’exploitation des mesures étant effectuée par un microprocesseur, il est nécessaire de convertir les tensions représentatives des différentes grandeurs analogiques (températures, courant de faisceau et grammage) er grandeurs numériques. L'étude suivante permet de valider le fonctionnement de cette fonction. Schéma fonctionnel de second degré de FPS vreTx ——>} ; N VTeRK ——+| _ Sélection | yj, | Echantilonnage | yag | Conversion | ap VT°Entr ———»| dela grandeur |») de la grandeur Analogique VMiF 5] a convertir sélectionnée Numérique | star vMES ___ 4! F851 FS52 Fss3 STS 3 Entrées de sélection ces CC CSBL\ CSBH\ SO, St et S2 Q30) Entourer les structures associées aux différentes fonctions secondaires de FPS sur le schéma structurel, document réponse n°4 page CR4/5. Etude de FS51 « Sélection de la grandeur a convertir » Q31) Préciser la grandeur présente en sortie de U51 lorsque les entrées de sélection SO, $1 sont 40 et S241 (documentation du circuit HI508 page CAN9/9). Etude de FS53 « Conversion analogique numérique » A partir de ta documentation du circuit ADC 76 (pages CAN/9 4 CANB/9) et d'aprés le cAblage de ses différentes broches, repondre aux questions suivantes : Q32) Quelles sont les résolutions numériques possibles du convertisseur ? Dans notre application, déterminer la résolution numérique et le temps de conversion (justifier) . 33) Déterminer la gamme de tension d'entrée utilisée dans notre application puis calculer la valeur du quantum (1 LSB) en microvolt (justifiez vos réponses). Q34) Compléter le tableau n°4 sur le document réponse n° 5 page CR5/S Q35) Quel est le rdle des circuits USS et U56 ? (voir table de vérité des circuits en page CAN2/9) Préciser les niveaux logiques de CSBL\ et CSBH\ pour que octet de poids fort du convertisseur soit présent sur le bus des données (justifiez votre réponse) TEELMEJ Bac STI G Electronique | Etude des systémes techniques industriels | Partie électronique Page: C8/10_ |IV) Etude de FP6 « Traitement numérique » La fonction traitement est réalisée par un microcontrOleur Inte! 80C196 et son environnement. On se limite volontairement aux fonctions et liaisons utiles 4 notre étude. ‘Schéma fonctionnel de second degré de FP6 Démultiplexage _|..Bus “adresses basses : adresses/données \ ALE FS63 r 7 i Bus dadresses/données ADO & AD’ Mémorisation des données Traitement FS64 >| Mémorisation du programme Bus d'adressos hautes AB 3 AIS, | cera | pécodage _CSEPROM > dadresses | csalv L CSBHI —— Fs62 a FS65 Ports dentréesisorties Le schéma structurel partiel de FP6 est donné sur le document annexe page CAN1/9 Etude de FS64 et FS65 « Mémorisation » Q36) A partir du schéma structurel, déterminer les capacités des circuits mémoires RAM et EPROM en Ko (justifier vos réponses). Q37) Quel est le rdle de la broche 27 (WE) sur le circuit U65 (RAM) ? Pourquoi le circuit U66 (EPROM) ne comporte pas cette broche ? IRELMES Bac STIG Electronique [Etude des systémes techniques industieis[ Partie électronique | Page: C9/i0_|Etude de FS62 « Décodage d’adresses » La fonction est réalisée par le circuit programmable PAL16L8 et par le circuit décodeur 74HCT138 (U64 et U63). Les équations des signaux de sélection des circuits U63 et U5 sont les suivantes : CSt\ = CSI = A1S.A14.A13.A12. ATT. A10. AS. AB CSRAM\ = CSRAM= A15.A14.A13 38) Compléter ie tableau n°5 sur le document réponse CR5/S avec les consignes suivantes * Mettre une croix (X) pour les fils d’adresses non utilises, * Déterminer, en hexadécimal, la valeur des adresses de début et de fin associées & chaque composant, Pour cela, on donnera a X la valeur logique 0. Les signaux CSBL\ et CSBH\ en sortie du décodeur U63 sélectionnent respectivement les circuits USS et US6 de la fonction conversion analogique-numérique. Q39) Compléter le tableau n°6 sur le document réponse 5 page CR5/S (documentation du 74HCT138, page CANS/9) IEELMEJ Bac STIG Electronique [Etude des systémes techniques industiiels| Partie électronique | Page. C10/10 |Document réponse n°1 Questions Q4, Q5, Q9 Présence du ‘courant de chauffage (cas n°2) Beec eee B86 8 aig B83 gees ese ge * s CECH Ww) * VME w) IEELMEJ Bac STI G Electronique | Etude des systémes techniques industriels | Page: CRIS Partie Sfectronique[ _ Document réponse n°2 Question Q13 Tableau N°4 \VMIF (Vv) 1 7 8 9 | to (wa) [Kos Questions Q14, Q15 VMIF MIF wA wt > ' > ‘ > OT 02 03 04 Tims) [OT 02 03 04 tims) [OT 02 OF 04 Tims) Vsm | VsM | Vs oy : m4 wh ‘ 3.26 t 982 1087 t 324 i 980 1085 i 322 i 978 1089 $ Hl 3.20 ' 976 1081 I 318 i art 10.59 i 316 i 972 1087 ' 3.14 i 9,70 10,55, H 32 ! 968 1053, i sf i 966 + 1081 i 9 OT OF OF OF Ping) © 0 OT OF BT OF Yims) °° to OT OE OF OF Yims) Ato, Vem = 3,10 Ato, VSM = 9,74 v Ato, Vsm = 10,63 Chronogramme A. Chronogramme B Chronogramme C IEELMEJ Bac STI G Electronique | Etude des systémes techniques industrieis | Partie électronique Page. CRISQuestions Q20, Q21, 231 ws Document réponse n°3 Q23 378 uS 156 US —> Question Q22 Vsme W) 05 Tableau N°2 t (ms) > 14 ! | Vbrs “ Durée d'impuision broche 3 (en ps) TEELMEJ (Bac STIG Electronique [ Eude des systémes techniques industriels | Partie électronique_| Page CRIS,[ ____ Document réponse n°4 Question Q24 Tableau n°3 . a). Ves | Eiatde | Elatde | Etatau fo vs | eatce | mse | io, | 08, | Sa | tee’ | finer ™ w (v)__(P.0uB) | (Pou B)| (Alimenté ou non) }+— | LK asrneni a 0 B st 0 — 5 so B | +10 (1) S : on considére les transistors saturés avec Vcesat = Ov B : Bloqué Question Q30 Schéma structurel de FP5 De] oy = oo —— Flan — sal aI cm so de ae ‘al a He GE & ons gu 8 EES 8 SEE a Bloc Hc ose aT a ae Foe cE ; =e ae 5 Ta {EELME] [Bac STIG Electronique. Etude des systémes techniques industriels Partie électronique | Page : CR4/5Document réponse n°5 Tableau n°4 ise BS B16 T TT = I Question Q38 Tableau n°5 “Circuit —Tass[Ata[ana]aizaii|Ato| AT] AG | AS pam | Debt |_| IE || | U65. Fin _| | . _| eprom Debut|O/OT1lololololololo ofolo|o[olo |s2000 |_ues [Fin [1 /ola[a[4[1[1]4[4 [1 [4 [41/1/11 4 [serre| becopeur!_Debut | — ues | Fin C a Question Q39 Tableau n°6 Az At G28 Sortie — Broche 3 | Broche Broche 5| sélectionnée CSBL\ CSBH\ (EELMEJ Bac STI G Electronique | Etude des systémes techniques industrieis | Partie électronique | Page : CR5/SPARTIEL DE LA FONCTION TRAITEMENT: SCHEMA STRUCTU zisoueny 29 — —__] 9di dd TalLuvd THYNLONYLS YWAHOS seme z 9 8 488): [ssiststsis 588388: snoo0 oat Ta Partie électronique | Page : CAN1/9 | IEELME} [Bac S71 G Electronique [Etude des systémes techniques industrielskyr SeScnioMson DESCRIPTION : Les HCC/HCF4066B sont des circuits intégrés monolithiques disponibles en boitier DIL 14 broches. Le circuit comporte quatre commutateurs bidirectionnels utilisés pour la transmission de signaux analogiques ou HCC/HCF4066B wor PSL fe veo bum 2(] > como: mst |S LL fie con oo a Ma pow ei ee L numériques. Chaque — commutateur posséde une entrée de commande active aU niveau fogique haut. i ——— coupe 6 [+ our Entrée de | Etat du jee | _contréle | commutateur vs 7 » amour} © 0 OFF (ouvert) | C1 ON (fermé) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS [Symbor| Parameter T Value Unit Veo" | Supply Volage :HEC Types = 0510+ 20 v HGF Types =05t0+ 18 v Vi | Input Volga =05t0Ve0+05 | _V 1 [106 input Current (any one input) 210 mA Caractéristiques électriques : r T ‘Test Conditions Symbol Parameter Voo. | —4 |» HCC r - ‘Types 15 Ron r —# CF a - Sret| 15 Resistance 3 RL between any 2 10 | AON | Pace! | toca 8 74HCT245 Entrées de Entrées eee / sorties ie | DIR An, Bn L L ‘A=8 _[enentrées L H[enEntrées| B=A | H Xx Zz Zz Z @ état haute impédance, IEELMEJ X @ état indifférent, [Bac STIG Electronique [Etude des systémes techniques industriels | Partie électronique | Page : CAN2/99 texas NE555, NESSSY, SASS, SE555, SESS5C INSTRUMENTS. PRECISION TIMERS DESCRIPTION : © Timing From Microseconds to Hours Les NxS55x/Sx585x sont des circuits SE eee eee intégrés —temporisateurs capables de © Adjustable Duty Cycle produire des oscillations ou des © TTL-Compatible Output Can Sink or temporisations de précision. Source up to 200 mA En mode temporisateur (monostable), \a durée d'impulsion de sortie est contrélé par un simple circuit RC. En mode astable, la fréquence et le rapport —cyclique sont ~—_contrdlés indépendamment par deux résistances et un condensateur. La sortie est compatible avec la technologie TTL sie circuit est alimenté en 5 volts. Dans tous les cas, elle peut débité jusqu’a 200 mA. Brochage : snot} afl Voc TRiGf}2 7 JoIscH ouTf]s af] THRES Reset[}s sf] ConT © Designed To Be Interchangeable With Signetics NES55, SA555, SESS5, and SESSSC Diagramme fonctionne! : T a) NOTES D’APPLICATIONS MONTAGE MONOSTABLE : (SVt015V) Toa Expression de la durée de I’ IEELME} Voltage - 2 Vidiv Output Voltage | | Capacitor Voltage pulsion de sortie : tw = 4,1. Ra.C Bac STI G Electronique [Etude des systémes techniques industries Partie électronique: Page CANS/9NOTES D’APPLICATIONS (suite) MODULATION DE LARGEUR D'IMPULSION : II s'agit du montage monostable, Vee (svie1sv) mais on utilise la broche 5 (CONT) pour contréler la durée de limpulsion is de sortie. En fonction de la tension appliquée sur cette broche, la durée varie de la maniére suivante : RESET Vor crook 2] re on Input Tw = - R,.C.in(1 - Vbr5/Vcc) isch Modlation 5 Le déclenchement est identique au eat {eoNT ae montage monostable {200 Note A) ono MONTAGE ASTABLE : Nee, T 1 sviisy) ha! al TT [Ra=3i2 SeoFigure zz Pee otsur z 8 yt Ouipal vokage Capacitor Voltage Time 0.5mm Expressions des durées 4 l'état haut, a |'état bas et de la période : ty =0,693(Ra+Re).C —, = 0,693.Rp.C T= ty + t.0,693.(Rq + 2Re).C Ro+Re _ 4__Re Rapport cyclique = ty/T = Rat 2Re — Rt Re IBELMEJ Bac STI G Electronique | Etude des systémes techniques industriels | Partie électronique [Page : CAN4/9_}transistors MOS de puissance > canal N BUZ71 BUZ71A Ces transistors de puissance au silcium, en technologie MOS canal N, en bottier TO-220, présentent une faible résistance & état passant ROS (ON). Applications: commande de moteurs, alimentation & décaupage, applications de puissance etc. \VALEURS A NE PAS DEPASSER (limites absolues selon publication CEI 134) euz7, [uz 1A Tetons Two source one. PER RES saa eB OY ES oz wes BY cores Sombie) BE ome BP tom de (Se)! Fk = [ 6h Goorent din (wSour CB); Tg = 36°C 2.2 1B ‘max 36 a renee Paes i; Tn moo Oo oO Temperure Torrone sete cl] a] aH} ) a} a} of a | a] a] Hla tote fu|alatatojlal ala Hoa} oc} aw] a) a} a] ap a) a a Ho owiaH|ocfalala| a} a}a ola Howtatlatat ata lalate a | IEELMEJ Bac STI G Electronique | Etude des systémes techniques industriels | Pattie électronique | Page. CANS/9_|