Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 187 on peut écrire Vs = Eo — Var - Rol = Rule= (B+1) Ru Ip. R, Soit V,| 1+2—2— |=, -V, nt get Or Eo=Wz et Roxtz r, Done —4 < <— veo} [J [Jo Bem [JR fs Fig5.32 On voit que hisip 0 => Ia source de courant liée B.ig est éteinte. = Rc =4,7kQ. Ve = hy ip. 1.4. On remarque que pour ce montage : © Larésistance d’entrée est faible ; © Larésistance de sortie est assez élevée ; © L’amplification en tension est élevée avec une opposition de phase entre v, et Vs. Pour améliorer les caractéristiques de ce montage en vue de l’utiliser en amplificateur de tension, il faut que R, soit trés élevée (le courant dentrée sera ainsi faible) et Rs trés faible (la tension de sortie presque indépendante de la charge).Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 189 2. Montage avec résistance d’émetteur 2.1. Schéma équivalent : (Fig.5.33) i ip Ic > + by Bin ‘ [] Re [] Re | vs (B+1)-i5 Re Ry= ik 33 on pose Ry = <2 Figs. pam RFR, ‘8 2.2, ¢ Résistance d’entrée = ve Ye Ry GDR, +h, _ Ralh,, +@+DRe) R, +h, +(B+DR, Rg =7,3 kQ ; hy = 1,8 kQ. 7,3 10° (1,8+101.0,8) Ne ee ie 7,341 ,8+101.0,8 67k R’.> R,, on peut augmenter d’avantage R’, si on augmente Rp mais Je point de repos sera moins stable. ip ic Résistance de sortie : (Fig.5.34} > ~+ i = Ry car (B+) Re +h) >> Ry Re wm Fig.5.34 On voit que (hy, + (B + 1) Re] ig =0 => — la source de courant li¢ Big est éteinte Done R's= (=) =Ro=4,7kQ. 1s Jeno L’impédance de sortie ne change pas, pour la diminuer on peut mettre en cascade 4 la sortie un montage type collecteur commun190 Exercices et problémes corrigés d’électronique analogique 2.3. Amplification en tension Onavs=-BReig et ve= [hu +(B+1) Re] in. ~BRe ve hy, +Q@+DR,e" Sih <<(B+1)Rg alors Ay = Doi A’y = R, «Vs __ 100.47 Ay=<8 == 5, v, 18+201.08 L’amplification est beaucoup plus faible et il y a moins de risque de distorsion du signal de sortie. 3. En mettant un condensateur Cz en paralléle avec Rr I"expression de amplification en tension devient : ___ ~BRe AWW B+DZ, R Aves Zp = =r Rett FIR:Cee Soit Ae =BR, = =PRe____1+ IR, Cg v= =e __ Figo _ hater hy FB+DRe 1, ; BuReCeo 1+jR,C,0 hy, +@+DR, De la forme Ay =Ayo Avec Ayo=———P Rc ; 50, = 5 O. hy, +@+DR, | R,CeLes transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 191 Tragons le diagramme de Bode en module de Ay : (Fig.5.35) G=lAvlan lAvileo VAvol ae Fig.5.35, On pose [Avi l= |Avle>se2 soit | Ay|=|Ayo| Or si @>>0,; > @>>0 We awe o ® o o Alors He) -2 a Eel a ©, o, o, 0, dot: ©. [Av l=lAvol a, lAvl= BRc hy +B+DRe RC; hy +@+DRe bReCe Av l= BRe meme expression du gain qu’avec Re = 0 (découplage parfait) n Exercice 6 I. Etude statique IAL. Droite de charge statique : Veo + Ver + Re (Ic + Ip) = 0 Voe+ Re le = Voc car Ip<< Io D’oi I’équation de la droite de charge : |Ic=Voo=Vce