Universidad de Ibagué.

Cotrino Meneses Alexander – Reyes Barragan Santiago - Sierra Ariza

Sebastián

MODULADOR AM
Cotrino Meneses, A. 2420151008. Reyes Barragán, S. 2420152012. Sierra Ariza J.S.
2420151038.
Fundamentos de Comunicaciones
Facultad de Ingeniería
Universidad de Ibagué
Programa de Ingeniería Electrónica
E-mail: 2420152012@estudiantesunibague.edu.co

I. OBJETIVO GENERAL Al requerir una potencia muy alta para el

circuito modulador, se decidió diseñar una
etapa de amplificación de potencia
Diseñar e implementar dos circuitos proponiendo los siguientes parámetros.
moduladores y un demodulador de AM,
para pasar la señal modulada por el Etapa de Amplificación de Potencia
demodulador y observar su resultado. Para
obtener la señal modulada se debe tener en Ganancia de
cuenta para el diseño los parámetros 10
voltaje (𝐴𝑣 )
requeridos, como son: índice de Ganancia de
modulación (𝑚) y la potencia (𝑃𝑇 ). 20
corriente (𝐴𝑖 )
Resistencia salida
270 Ω
(RL)
II. DESARROLLO
Potencia de la etapa
(PT)
150mW
Parámetros propuestos para el diseño:
Tabla 2. Parámetros de diseño
Amplificador de Potencia
Índice de
modulación (𝑚) 0,6
Frecuencia de la
señal modulante 1,2KHz
(Fm)
Frecuencia de
5,2MHz
portadora (Fc)
Resistencia de
270 Ω
carga (𝑅𝐿)
Potencia sobre la
180mW
carga (PT)
Tabla 1. Parámetros de diseño de
modulación AM Figura 1. Circuito topológico
Amplificador de Potencia.
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Se calcula la resistencia interna del

Para iniciar con el diseño se debe transistor (𝑟𝑒):
seleccionar un transistor bipolar que pueda
disipar como mínimo cuatro veces la 26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 0,74Ω
potencia sobre la carga (𝑃𝑇), ya que su 𝐼𝑐𝑄 35,1𝑚𝐴
configuración está en clase A con una
eficiencia del 25% por la bobina de choque Teniendo en cuenta las siguientes
(𝑋𝑅𝐹𝐶). El transistor seleccionado que consideraciones que más adelante se deben
cumple con esta condición es el MPSH10 de cumplir, la resistencia del emisor (𝑅𝐸)
que puede soportar una potencia máxima se calculará a partir de 𝐴𝑉 que se va a
de 1W, con el cual se cumple a cabalidad garantizar por ser parámetro de diseño del
los 720mW que como mínimo debería amplificador de potencia:
disipar.
∗ 𝑋𝑅𝐹𝐶 ≫ 𝑅𝐿 ≫ 𝑅𝐸 ≫ 𝑟𝑒
Primero se halla la 𝐼𝑐𝑄 a partir de la 𝑃𝑇 la
cual se conoce. 𝑅𝐿 270
𝑅𝐸 = − = − = 27Ω
𝑅𝐿 𝐴𝑣 −10
𝑃𝑇 = (0,95𝐼𝑐𝑄 )2 (1)
2 Se puede ver que se cumplió la primera
consideración.
Se puede observar que se toma una
consideración del 95% de la corriente 𝐼𝑐𝑄 ∗ 𝑅𝐸 ≫ 𝑟𝑒 = 27Ω ≫ 0.74Ω
para garantizar la máxima excursión de
salida cercana a las zonas de corte y Teniendo el valor de la 𝑅𝐸 se procede a
saturación. (C.J. Savant, Carpenter, & hallar las resistencias 𝑅𝐴𝐶 y 𝑅𝐷𝐶
Roden)
𝑅𝐴𝐶 = 𝑅𝐿 + 𝑅𝐸 = 270 + 27 = 297 Ω
2𝑃𝑡 𝑅𝐷𝐶 = 𝑅𝐸 = 27Ω
𝐼𝑐𝑄 = √ = 35.1𝑚𝐴
(0.95)2 𝑅𝐿
Con el valor de las resistencias 𝑅𝐴𝐶 y 𝑅𝐷𝐶
se despeja Vcc de la ecuación (2).
Para encontrar el voltaje Vcc necesario
para el circuito se usa la máxima excursión 𝑉𝑐𝑐 = 𝐼𝑐𝑄 (𝑅𝐴𝐶 + 𝑅𝐷𝐶 ) = 11.37𝑣
de salida.
∗ Para el circuito se toma un valor por
𝑉𝑐𝑐 encima 𝑉𝑐𝑐 = 13𝑣
𝐼𝑐𝑄 = (2)
𝑅𝐴𝐶 + 𝑅𝐷𝐶
Continuando con el diseño del
Mirando la topología del circuito, 𝑋𝑅𝐹𝐶 amplificador de potencia, para encontrar la
es una bobina de choque, la cual presenta resistencia de la base(𝑅𝑏), la cual se halla
una resistencia interna (𝑅𝑝𝑎𝑟) que es a partir de la ganancia en corriente, un
mucho mayor a la 𝑅𝐿, por lo cual la parámetro conocido como la 𝐴𝑖.
resistencia en AC es 𝑅𝐴𝐶 = 𝑅𝐿 + 𝑅𝐸 y
como una bobina en DC actúa como un 𝑅𝐵
corto y un capacitor actúa como circuito 𝐴𝑖 =
𝑅𝐵
𝑅𝐸 +
abierto, la resistencia en DC es 𝑅𝐷𝐶 = 𝑅𝐸. 𝐻𝑓𝑒
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Se toma el valor de 𝐻𝑓𝑒 del transistor

bipolar como, 𝐻𝑓𝑒 = 100

𝐴𝑖 ∗ 𝑅𝐸
𝑅𝑏 = = 675 Ω
𝐴𝑖
1+
𝐻𝑓𝑒

Se procede a hallar el voltaje en la base

(𝑉𝑏𝑏) con la malla Base-Emisor

𝑅𝐵
𝑉𝑏𝑏 = 𝑉𝑏𝑒 + 𝐼𝑐𝑄 ( + 𝑅𝐸) = 1.89𝑣
𝐻𝑓𝑒

Con este voltaje en la base del transistor, Figura 2. Etapa de amplificación de

se calculan los valores de 𝑅1 y 𝑅2 potencia con valores comerciales
𝑉𝑐𝑐
𝑅1 = ∗ 𝑅𝐵 = 4642.86Ω
𝑉𝑏𝑏 Etapa de modulación de la señal.
𝑅𝐵
𝑅2 = = 789.83 Ω Índice de modulación (𝑚) 0,6
𝑉𝑏𝑏
1−
𝑉𝑐𝑐
Voltaje de la señal
300mV
Para terminar con la etapa de potencia del modulante (𝑉𝑚)
diseño, se calcula la Resistencia de entrada
(𝑅𝑖𝑛) del amplificador de potencia que Voltaje de portadora (𝑉𝑐) 500mV
sera la resistencia de carga de la etapa de Resistencia de carga (𝑅𝐿) 540 Ω
modulación.
Potencia sobre la carga
𝑅𝑖𝑛 = 𝑅𝐵//(𝐻𝑖𝑒 + (𝐻𝑓𝑒 ∗ 𝑅𝐸))
30mW
(PT)

𝑅𝑖𝑛 = 540,02Ω Ganancia de voltaje (𝐴𝑉) 2

Ganancia de corriente
1
A continuación, se mostrará el circuito de (𝐴𝑖)
la etapa de amplificación de potencia con
los valores comerciales de sus Tabla 3. Parámetros de diseño
componentes. Modulación por emisor.

Para esta etapa en el diseño de la

modulación de AM, se utilizará la
configuración de modulación por emisor.

La modulación por emisor es una

modulación de bajo nivel, quiere decir que
la modulación de la señal se hace antes de
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la etapa final del transmisor; en este caso

la etapa de modulación esta antes de la 𝑅 ′ 𝐿 = 540Ω
etapa de potencia.
𝑅𝐿
𝐴𝑣 = −
Para iniciar con el diseño de esta etapa, se 𝑅𝐸
propone una potencia total 𝑃𝑇 = 30𝑚𝑊, 𝑅 ′ 𝐿 540Ω
nótese que para esta etapa no se requiere 𝑅𝐸 = − = = 270Ω
𝐴𝑣 2
una potencia alta porque ese parámetro de
diseño ya lo cumple la etapa de potencia 𝑅𝐴𝐶 = 𝑅′𝐿 + 𝑅𝐸 = 540Ω + 270Ω = 810 Ω
ya diseñada anteriormente.
𝑅𝐷𝐶 = 𝑅𝐸 = 270 Ω
La potencia de la portadora (𝑃𝐶 ) se calcula 𝑉𝑐𝑐
a partir de la 𝑃𝑇 y del índice de modulación 𝐼𝑐𝑄 =
𝑅𝐴𝐶 + 𝑅𝐷𝐶

𝑚2 𝑉𝑐𝑐 = 𝐼𝑐𝑄 (𝑅𝐴𝐶 + 𝑅𝐷𝐶 )

𝑃𝑇 = 𝑃𝑐 (1 + )
2
𝑉𝑐𝑐 = 11.03𝑣
𝑃𝑇 𝐴𝑖 ∗ 𝑅𝐸
𝑃𝑐 = = 25,42𝑚𝑊 𝑅𝐵 = = 270 Ω
𝑚2 𝐴𝑖
1+ 2 1+
𝐻𝑓𝑒
Ahora, teniendo las dos potencias 𝑃𝑇 y 𝑃𝐶 𝑅𝑏
que son parámetros esenciales del 𝑉𝑏𝑏 = 𝑉𝑏𝑒 + 𝐼𝑐𝑄 ( + 𝑅𝑒)
𝐻𝑓𝑒
modulador AM, se empiezan a calcular los
demás componentes del modulador por 𝑉𝑏𝑏 = 3.48𝑣
emisor cuando está en reposo, es decir, que
no se le está introduciendo la señal 𝑉𝑐𝑐
𝑅3 = ∗ 𝑅𝐵 = 1008.62Ω
moduladora (𝑚 = 0). 𝑉𝑏𝑏

𝑅𝐵
Teniendo en cuenta lo anterior, se hacen 𝑅4 = = 368.7Ω
𝑉𝑏𝑏
los mismos cálculos ya realizados en la 1 − 𝑉𝑐𝑐
etapa de potencia por lo que también se
cuenta con una bobina de choque en el El voltaje de salida sin modulación es el
colector. siguiente:

𝐼𝑐𝑞 2 ∗ 𝑅𝐿 𝑉𝑟𝑒𝑝𝑜𝑠𝑜 = 𝐴𝑣 ∗ 𝑉𝑐 = 2 ∗ 250𝑚𝑉

𝑃𝑐 = (0,95)2 ∗
2
𝑉𝑟𝑒𝑝𝑜𝑠𝑜 = 500𝑚𝑉
2 ∗ 𝑃𝑐
𝐼𝑐𝑄 = √ Con los datos anteriores de los
(0,95)2 ∗ 𝑅𝐿
componentes ya calculados, se procede a
calcular las ganancias con modulación
𝐼𝑐𝑄 = 10.21𝑚𝐴 para determinar los voltajes máximo y
mínimo que va a tener la señal modulada
26𝑚𝑉 26𝑚𝑉 para un índice de modulación de 𝑚 = 0.6.
𝑟𝑒 = = = 2,55Ω
𝐼𝑐𝑄 10.21𝑚𝐴
𝐴𝑇 = 𝐴𝑣 ∗ (𝑚 ± 1)
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Dependiendo del sentido de la señal

portadora, se suma o se resta 1; los
sentidos de las bandas laterales siempre
van a ser positivas.

Cuando el voltaje en la señal moduladora

sea el mínimo, el voltaje en la señal
modulada será el máximo.

Para 𝑉𝑚𝑎𝑥 → +250𝑚𝑣

𝐴𝑣𝑚𝑎𝑥 = 𝐴𝑣(𝑚 + 1) = 3.2

𝑉𝑚𝑎𝑥 = 𝐴𝑣𝑚𝑎𝑥 ∗ 𝑉𝑐 = 800𝑚𝑉

Figura 3. Modulación por emisor.

Como no se contó con un transformador a

Cuando el voltaje en la señal moduladora la hora del diseño, se analizó el circuito
sea el máximo, el voltaje en la señal introduciendo la señal moduladora
modulada será el mínimo. directamente por el emisor. Para visualizar
la modulación del circuito se generó en el
Para 𝑉𝑚𝑖𝑛 → 𝑉𝑐 = −250𝑚𝑣 osciloscopio un patrón trapezoidal como
se observa en la figura 4.
𝐴𝑣𝑚𝑖𝑛 = 𝐴𝑣(𝑚 − 1) = −0.8

𝑉𝑚𝑖𝑛 = 𝐴𝑣𝑚𝑖𝑛 ∗ 𝑉𝑐 = 200𝑚𝑉

Ahora, según el libro de Tomasi que es el

texto guía que se consultó para el diseño
de este modulador de AM, la modulación
por emisor se hace mediante un
transformador en el emisor para acoplar la
señal moduladora al circuito, como se
muestra en la figura 3.
Figura 4. Patrón trapezoidal con relación
inadecuada de fases.

Analizando el patrón trapezoidal, se

observa un desfase en la moduladora con
respecto a la señal modulada, por lo que se
tomó la decisión de diseñar un acople de
impedancia sección L para arreglar dicho
desfase entre las señales.
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Por último, se calcula el valor del

capacitor.

1
𝐶= = 2𝑛𝐹
𝑊 ∗ 𝑋𝐶

* Se propuso usar un capacitor 𝐶 = 2.2𝑛𝐹

Figura 5 Acople de impedancia sección L

También se determinó que el uso de este

circuito de acople de impedancias era
únicamente para el desfase que se presenta
en el trapezoide, por ende, las resistencias
R1 y R2 tendrán el mismo valor.

* Para garantizar que 𝑅1 = 𝑅2 se colocó

como resistencia física 𝑅1 = 1𝑘Ω.
Figura 6. Patrón trapezoidal con
saturación en la modulación.
* Se propuso una bobina de 𝐿 = 470𝑛𝐻.
Se creyó en primera parte que esta bobina
Primero se calcula la reactancia de la
debía ser de choque XRFC, pero la
bobina
modulación no era totalmente simétrica,
por lo cual, se cambió el valor de la bobina
𝑋𝐿 = 𝐿 ∗ 𝑊 = (470𝑛𝐻)(2𝜋 ∗ 5.2𝑀𝐻𝑧) de 1𝑚𝐻 a 10𝜇𝐻, dejando una diferencia
𝑋𝐿 = 15.356 de 202.8𝑚𝑉 entre los picos de voltaje
máximo y 78.1𝑚𝑉 entre los picos de
Después se calcula el factor de calidad
voltaje mínimo de la señal modulada.
serie del circuito partiendo de la
resistencia serie y la reactancia de la
bobina.
𝑅𝑠
𝑄𝑠 = = 65.12
𝑋𝐿

El factor de calidad es igual para serie

como en paralelo

𝑄𝑠 = 𝑄𝑝 Figura 7. Patrón trapezoidal modulación

adecuada de fases.
Como la resistencia paralelo y serie son las
mismas, la reactancia capacitiva será igual
a la reactancia inductiva, como se puede
comprobar en el siguiente calculo. 𝑉𝑚á𝑥 − 𝑉𝑚í𝑛 906.2𝑚𝑉 − 218.8𝑚𝑉
𝑚= =
𝑉𝑚á𝑥 + 𝑉𝑚í𝑛 906.2𝑚𝑉 + 218.8𝑚𝑉
𝑅𝑝
𝑋𝐶 = = 65.12 𝑚 = 0.611
𝑄𝑝
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𝑉𝑚á𝑥 − 𝑉𝑚í𝑛 1.109𝑉 − 296.9𝑚𝑉 Demodulador AM con diodo

𝑚= =
𝑉𝑚á𝑥 + 𝑉𝑚í𝑛 1.109𝑉 + 296.9𝑚𝑉
𝑚 = 0.577
Viendo estos resultados, se puede inferir
que se presenta una pequeña diferencia de
0.034 entre los índices de modulación que
a simple vista en la figura 6 no se percibe.
La deteccion de la señal qe se va a trasmitir
se va a realizar mediante un circuito
demodulador con diodo que utiliza un
diodo y un circuito RC. El esquema del
demododulador se puede apreciar en la
figura 9.

Se le acopla a la etapa de modulación la

etapa de potencia que se calculó al
principio del informe. La nueva señal
modulada con potencia, es la siguiente:

Figura 9. Demodulador AM con diodo.

El diodo se emplea para rectificar la señal

de media onda y el circuito RC se usa para
detectar los picos de la señal.

Para el calculo se usa la siguiente

Figura 8. Patrón trapezoidal modulación
expresion.
con potencia.
1
Para terminar con el diseño del modulador 𝐶=
por emisor, se comprueba la potencia 2𝜋𝐹𝑚 ∗ 𝑅 ∗ 𝑚
portadora y se calcula la potencia con
Donde 𝐹𝑚 sera la fecuencia de la señal
modulación.
moduladora que queremos detectar y 𝑚 el
indice de modulacion de la señal AM
𝑉𝑟𝑚𝑠 2 (2.362𝑉)2
𝑃𝑐 = = = 20.66𝑚𝑊
𝑅 270Ω * Se propone el valor de 𝐶 = 1𝑛𝐹 y se
calcula el valor de la resistencia.
𝑚2
𝑃𝑡 = 𝑃𝑐 (1 + ) = 24.38𝑚𝑊
2 1
𝑅= = 221.05𝐾Ω
2𝜋(1.2𝐾𝐻𝑧)(1𝑛𝐹)(0.6)
No se cumple con el parámetro de
potencia. * Se usa una ressistencia de 𝑅 = 220𝐾Ω

El resultado de la demodulación se puede

observar en la figura 10.
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rectificador y un circuito LC sintonizado,

en este caso para una mejor modulación, se
utilizaron 3 circuitos LC, 2 en paralelo y 1
en serie.

La portadora y la moduladora se aplican a

las resistencias de entrada; esta red
resistiva hace que las señales se mezclen
linealmente, se multipliquen en el tiempo
y se sumen en frecuencia.

El diodo conduce los medios ciclos de la

señal aplicada cuando se polariza
directamente.

Los tanques que aparecen son para que el

circuito module a la frecuencia propuesta,
en este caso de 5.2 𝑀𝐻𝑧. El cálculo del
circuito modulador con diodo es el
siguiente:
Figura 10. Señal Moduladora después de
la demodulación con diodo. Para el tanque 1 se propone la bobina 𝐿1 y
se calcula el capacitor 𝐶1
Variante Modulador con diodo.
*𝐿1 = 220𝜇𝐻
Para la otra variante de modulación, se
escogió la modulación con diodo, que es 1 1
𝐶1 = = = 4.25𝑝𝑓
un modulador de bajo nivel, generando 𝑊𝑜 2 𝐿1 [2𝜋 ∗ 𝐹𝑜]2 (220𝜇𝐻)
pequeñas señales de AM que deben ser ∗ 𝐶1 = 5𝑝𝑓
amplificadas antes de transmitirse. El
esquema del circuito se puede apreciar en
la figura 11. Para el tanque 2 se propone la bobina 𝐿3 y
se calcula el capacitor 𝐶3

*𝐿3 = 33𝜇𝐻
1 1
𝐶3 = = = 28.4𝑝𝑓
𝑊𝑜 2 𝐿3 [2𝜋 ∗ 𝐹𝑜]2 (33𝜇𝐻)

∗ 𝐶3 = 30𝑝𝑓

Para la resonancia en serie se propone la

Figura 11 Circuito modulación con diodo bobina 𝐿2 y se calcula el capacitor 𝐶2

Como se puede observar, en la modulación *𝐿2 = 100𝜇𝐻

de amplitud basada en diodo, se apoya una 1 1
red de mezcla resistiva, un diodo 𝐶2 = = = 9.37𝑝𝑓
𝑊𝑜 2 𝐿2 [2𝜋 ∗ 𝐹𝑜]2 (100𝜇𝐻)
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III. ANALISIS DE RESULTADOS.

∗ 𝐶2 = 10𝑝𝑓

Después de realizar los cálculos, se Como se pudo apreciar, no se logró la

comprobó en el laboratorio la parte teórica potencia deseada con la etapa de potencia,
con la práctica, mediante el montaje del por lo cual, se decidió diseñar otra etapa de
circuito. En la figura 12 se observa la señal potencia con los siguientes datos:
modulada del modulador con diodo.
Ganancia de
-20
voltaje (𝐴𝑣 )
Ganancia de
30
corriente (𝐴𝑖 )
Resistencia salida
270 Ω
(RL)
Potencia de la etapa
(PT)
180mW
Tabla 4. Parámetros de diseño
nuevo Amplificador de Potencia.

2𝑃𝑡
𝐼𝑪𝑸 = √ = 38.43𝑚𝑊
(0.95)2 𝑅𝐿
Figura 12. Señal modulada con diodo.

Para la toma de datos prácticos de este 𝑉𝑐𝑐

𝐼𝑪𝑸 =
circuito, no se usó el método del patrón 𝑅𝐴𝐶 + 𝑅𝐷𝐶
trapezoidal, debido a que la señal
portadora y moduladora van al mismo 𝑅𝑨𝑪 = 𝑅𝐿 + 𝑅𝐸 = 283.5Ω
punto, se presentó una distorsión en el
muestreo de la señal moduladora en el 𝑅𝑫𝑪 = 𝑅𝐼 = 13.5Ω
oscilador, por lo cual se tomó el valor
máximo y mínimo de la señal modulada 𝑉𝑐𝑐 = 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐴𝐶 + 𝑅𝐷𝐶 ) = 11.41𝑉
para hallar el índice de modulación (𝑚).
𝑅𝐿
𝑉𝑚á𝑥 − 𝑉𝑚í𝑛 4𝑣 − 1𝑣 𝐴𝑣 =
𝑚= = = 0.6 𝑅𝐸
𝑉𝑚á𝑥 + 𝑉𝑚í𝑛 4𝑣 + 1𝑣
𝑅𝐿
𝑅𝐸 = = 13.5 Ω
𝐴𝑣
La bobina y el capacitor intercambian
energía repetidamente, produciendo una 26𝑚𝑉
oscilación a la frecuencia de resonancia, en 𝑟𝑒 = = 0.676Ω
𝐼𝐶𝑄
este caso, la señal de portadora.
𝐴𝑖 ∗ 𝑅𝐸
𝑅𝐵 = = 311.54Ω
𝐴𝑖
1+
ℎ𝑓𝑒
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𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐶𝑄 ( + 𝑅𝐸) = 1.34𝑉 La potencia total con modulación es:
ℎ𝑓𝑒

𝑉𝐶𝐶 𝑚2
𝑅1 = ∗ 𝑅𝐵 = 3022.4 Ω ≅ 3𝑘 𝑃𝑡 = 𝑃𝑐 (1 + ) = 186.35𝑚𝑊
𝑉𝐵𝐵 2

𝑅𝐵 Se cumple con el parámetro de potencia

𝑅2 = = 382.43 Ω ≅ 390Ω modulada de 180mW, pero el índice de
𝑉𝐵𝐵
1+𝑉 modulación se aproxima a lo deseado, ya
𝐶𝐶
que los lados no son simétricos entre sí.
Uniendo la nueva etapa de potencia al final
del circuito, se obtuvieron los siguientes IV. CONCLUSIONES
datos del osciloscopio usando el patrón
trapezoidal, como se observa en el montaje - El circuito modulador con diodo, al
final en la parte de anexos. ser un circuito de bajo nivel, tendrá
una óptima operación como circuito
𝑉𝑎 = 2.938𝑉 modulador de amplitud a voltajes
𝑉𝑏 = 3.625𝑉 menores a 100 milivoltios (como
𝑉𝑐 = 0.6875𝑉 máximo limite menores a 1 voltio),
𝑉𝑑 = 1.062𝑉
esto ya que a esos voltajes de
corrientes tan bajos activan la parte
Como se puede observar, entre 𝑉𝑎 y 𝑉𝑏 se
presenta una diferencia de 687𝑚𝑉 y entre no lineal que describe la ecuación de
𝑉𝑐 y 𝑉𝑑 de 374.5𝑚𝑉 afectando en gran la corriente.
medida los índices de modulación:
- Uno de los principales
2.938𝑉 − 0.6875𝑉 inconvenientes que se presentaban en
𝑚= = 0.62 los circuitos moduladores, era al
2.938 + 0.6875𝑉
momento de graficar su diagrama
3.625𝑉 − 1.062𝑉 trapezoidal, ya que en su comienzo la
𝑚= = 0.547
3.625𝑉 + 1.062𝑉 señal portadora interfería en la señal
moduladora generando una
Comparando estos índices de modulación distorsión en la señal modulada, por
con los primeros que se obtuvieron de la ello, se diseñó un acople en la señal
etapa de modulación sin potencia, se puede
moduladora para que esto no
observar que el error que se presentaba
entre los picos máximos y mínimos de la ocurriera y se generara una señal
modulación aumentaron debido a la trapezoidal adecuada.
amplificación en voltaje de las etapas de
potencia. - Para disminuir el desfase entre la
señal moduladora y la señal
La potencia sin portadora Pc que se obtuvo modulada, se ubica una bobina en el
fue: colector, ayudando en la simetría de
la modulación reduciendo la parte
𝑉𝑟𝑚𝑠 2 (6.32𝑉)2 inferior de la señal modulada.
𝑃𝑐 = = = 157.92𝑚𝑊
𝑅 270Ω
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- Para mejorar el índice de Datos Datos

modulación, el desfase y que el Parámetros Prácticos
Teóricos
amplificador no se sature, se ubica un
capacitor entre la resistencia del Índice de
0.6
emisor y la señal moduladora. Se modulación
recomienda que este capacitor sea Potencia sobre
variable para obtener mayor 180mW
la carga
precisión en la modulación.
Índice de
- Para garantizar que no se presente modulación 0.6
una saturación en la señal modulada, Variante
se puede optar por colocar una Potencia sobre
resistencia en la señal moduladora. la carga 180mW
Variante

V. BIBLIOGRAFIA

- C.J. Savant, J., Carpenter, G. L., & Roden, M. S.

(s.f.). Diseño Electrònivo. Circuitos y
Sistemas. Texas.
Tamayo, J. H., Vuelvas, J. M., Jaimes, A. F., &
Paez, C. I. (s.f.). Diseño, Implementaciòn
y Evaluaciòn de un Modulador AM.
Bogotà: Universidad Javeriana.
Tomasi, W. (2003). Sistemas de Comunicaciones
Electrònicas. Mèxico.
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VI. ANEXOS
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