Pr. ZERBO ‘Année universitaire 2023-2024 — vsnzsuensea Master 1 Paytique TD Physique des Semi-conducteurs et Composants Electroniques Exercice ‘On considére un semi fe silicium de densité intrinséque m=/,5*/0"" om : température 7 = 300 K. 1. Comment change E; si on dope du si 2. On dope maintenant le silicium avec 5%! dopants « participent a la conduction » = 2.1 quel type de semi- conducteur est-ce (P 0 2.2 de combien aurait changé le niveau de Fermi par ra On exprimera (Er Ej en fonction de ks, T, No et 3. On dope maintenant un autre morceau de silicium avec 10! cnr atomes de bore. En supposant que tous les dopants « participent a la conduction » = 3.1 quel type de semi- conducteur est-ce ? (P ou N). Calculer no et po. 3/2 de combien aurait changé le niveau de Fermi par rapport au niveau ‘On exprimera (Ei- Ex) en fonction de kp, T, Na et mi A 4, Onconnecte maintenant les deux blocs de silicium et on se retrouve avec Un diagramme d’énergie qui resemble a celui de Ia figure 1. Trouver les valeurs de X1, X2 et X3 de cette figure. On notera que le échelle. 5. Caiculez la différence de potentiel 6. A I’équilibre thermodynamique, appliquant une tension exteme (V+ au c6té P ct V- favorise ? conducteur a base di jlicium pur avec 1,5 x10" cm’ atomes de phosphore ? ‘0! em’ atomes de phosphore. En supposant que tous les wu N) ? Calculer no et po jpport au niveau de Fermi intrinséque ? de Fermi intrinséque ? dessin n’est probablement pas & 1 inteme entre les deux régions ou tension de diffusion. sane es de diffusion et de migration sont tous deux présents. En du c6té N), lequel de ces courants est-ce qu'on Exercice 2 Une lame mince semiconductrice de type N (Np = 107 cm’) est éclairée par un’ rayonnement monochromatique qui crée des paires électron-trou avec un taux de génération Gr = 107 emis! que l’on peut considérer comme homogéne en volume. I Sachant que la durée de vie des porteurs minortaires duns 1'échantillon est égale an déterminer les concentrations de porteuss libres en régime stationnaire. mn taux de recombinaisen de surface trés élevé, de sorte que l’on peut 2, La surface en x — +o posséde un considérer que la concentzction de porteurs excédentaires y est constamment mulle alore quelle est = 10° s, maximale enx = 0. 2.1 Nommer les porteurs minoritaires en excés et 2.2 Donner I'expression de la densité de courant né de ce phénoméne physique 23 Etablir I'équation de continuité des porteurs minoritaires en excés en régime stationnsire et la résoudre 2.4 A quelle distance de la surface la preadra pour valour du coefficient de diffusion des trous D; = Sem’s, 5.1 A partir de Ja solution de !"équatio de continuité, celculer expression d= la densité Ge courant des frous 3.2 En déduire I’expression de Ia densité de courent des trous en x = 0 ainsi que sa valeur numérique, dire A quel phénoméne physique ils sont soumis concentration retrouve-t-elle sa valeur en volume (A 5% prés) ? On tude d’une diode a jonction pn our une structure 4 une dimension suivant x we €V(x) semicorducteur: =~ de Pauation de Poisson dans us dey Prt. ZERBO ‘Année universitaire 2023. > UaK2/ UFRSEA Mee ps Courant total (courant de migration et de diffusion) des portems Md op dal + Jula)=en(2) 4,64 ev et j,(1) =e) HED, de Constantes universelles et données 4 7'= 300 K pour le silicium Constantes universelles ct données 4 7'= 300 K pourle silicium ‘ an 1 = 10! co, Eg=1,12 eV, tn = 1345 cm? iv kaT = 26 meV, Ny = 10" cm}, No = 2,8%10" cm”, ni a é My=458 cm? /V.s, © = 1,610"? C, ky = 1,38%1078 LK! =8,62%10° eV.K" , 64 = 10" Fem 1. Diode l'équilibre thermodynamique 7 On considere une diode a jonction PN a base de Si avec comme dopage en accepteurs Ng = 10!” cm” ct en donneurs No = 0’ cmv’, On fera I'hypothése de compléte déplétion Définitions : on définit -x» extension de la zone de charge d'espace cété N, et +x» la méme chose céte P. La jonction métallurgique se trouve a x = 0. 1.1 Expliquer qualitativement I'stablissement de la barriére de potentiel dans une jonction PN a I'équilibre thermodynamique. (Quatre phrases) 1.2 Tracer le diagramme d’ énergie (tracer et étiqueter les bandes de conduction et de valence, le niveau de Fermi). Définir clairement le cété P et Ie c6té N. 1.3 Etablir expression de Is tensivn de diffusion Vp. Application numérique. 1.4 Etablie les expressions du champ électrostatique dans les différentes régions cété P et caté N. d= &, Fat P pour -1, 250; ga pour 0- conduction, Ey est énergie du haut de le baade de valence, Ep est Ménergic de Permi et £; est l"éreryie de Fermi intrinséque. L est la longueur és dispositif dans la direction x On wiilisera ic éiagramme de bande de ta figure 2 pour iGpoudie uux questions. 1. Le Gispositifest-il & Pequitibre thermodynamique ? Pourquoi ? 2. A partir des données de la figure 2, calculer la valeur de |énergie de la bande interdite du silicium. 2UJKZ/ UFRSEA Master 1 Physique Pri. ZERBO FIRE fairest ss 200 3. 1 Quel est le type de dopant (dominant) : : $ a) ax =02b)ax=L/2 2c) ax =L ? Justifier les différentes réponses 3.2 Quelle est la région la plus fortement dopée ? 3.3 Quelle caractéristique doivent avoir les impuretés uilisés pour doper le silicium situé dans la région x =0ax=L4? 4. Calculer les concentrations d’électrons dans la band de conduction et de trous dans la bande de valence ax = L/2? 5. Quelles sont les concentrations d’électrons dans la bande de conduction et de trous dans la bande de valence ax = SL/16? 5. Quelle est la valeur du courant total dans le dispositif ? Justifier votre réponse 6. Comment appelle-t-on ce dispositif a base de silicium ? De quel type est-il ? EC ls Ev x3. ‘ Figure 1° Exnaaa ad depose te Sin diatectue vt danas joe mito Arontiyts Es. any I 7 EE kr yg, f Ne NEE 2 aT h(E) © Om es hithh (E)-e = bral ker [ An | He) «Lo (29): bet (i) MpAN, ee cce 07026 Dn 5. Agi ) As. lo” E_-E j= 0,390 4 Bon) Le dofage sit ds Ape P. ally 4 © i ae Boe Ma = lo! cmd 2 , Wp sus 9 %=:—™ fo te) 2 a pp = Os Lol) 225 Cy 4 Ce) | 1), (A Mee > FT } Pe ece ya pe (4) Beery tee @ E220 a Me \ RT. BE Aro()Tptavono X,, Xp pt Xz Bae CE = 7462 av - Xgr Ep -Es = 0/891 ev yok =o eae t X= SE . =e Hifi , ae Ras fhe » Sj _ a_ phe. eo e a. a, ae On gest 4: e. pesly ae 9 dv = -Edx ) Dre aa eee A _ Z % ken eae a) wv 2 ;2e- V. = 2é6mv ve a6 Ae BS Ve fo tee te (efeatt “7 p= (415. fo Bee ee ra | mom axctune « fporboe | os Poveite A oui 4 Exley Ade Gncwkolton to poctewcs Hibpio An fagine ApS GK Te = fe xso-9 | é e?) ne Mp = Ae ie we dias. do? Ovi yy tAn = Laity —ab “ eee a0: es Bde hy at Dr + Gi) - 9d -, an a Toh nies ot 24 ; Bp eee . Gc) - hee ip Qn” ; P re, dps > ee Eo Ap oe Prsena L | Ox? a » Op ) 4, __ Ar. ol” iE . . Beatie: ie — y Az Bae bp(j= AC & +Be a Ayo AtB xaAy t Ka (on sipee « A p(t) = ach i = 0 95Ap pee zn =99S5 ~ a Ln (a5) 4 Le(,95) Ps mG Lu(,55) =-V5.4-9 Ln (2,95)Exace S - : The Oa folliteneet di La eaptite A Linked agp Pr x Lf auetlihe _ Pawsclynd lo = >in, — ZX i woth Yas tag p ob elas eo Lieve la age Lo portews: C spect Ae ea Tuo Auk bo fone nepal ely i oh alae 7 Teal 2 = elke. fa pre p t Ay Ho cedions ne SPL di lantiite Ae pot faPa ON fe Maa at € € 2 E(x): =A K 4G E (%)=0 =] aol (%) HO,=0 9 Caste ath yp four HL-Hn A x>% & = 4-5) Tag lat to ef ets Aa Aad ov— S eu . roe at Hy ; -m € \ (4p-x) dx bs Xp sh eM a é ° oO %y vy = bse ? = My X, _ 2M 2, Ma? Waly Mp Ka Bee NRG 4 <0 | b= acral & =fe(mne’ + 84%) . 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