BỘ CÔNG THƯƠNG

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KINH TẾ - KỸ THUẬT CÔNG NGHIỆP

KHOA ĐIỆN
------ ֍ ------

ĐỒ ÁN 1
CƠ SỞ NGÀNH ĐIỀU KHIỂN VÀ TỰ ĐỘNG HÓA

Thiết kế bộ DC – DC Boost cấp nguồn cho tải từ nguồn sơ cấp với thông số:
Vin = 0 - 30V

Vout = 30V

ILoad = 2A

fsw= 1kHz ( tần số chuyển mạch)

Iripple = 0.3 × IL

Sinh viên thực hiện : NGUYỄN TRỌNG TẤN

Mã sinh viên : 20104300315
Lớp : DHTD14A5HN
Giáo viên hướng dẫn : Th.S Mai Văn Duy

⁕⁕⁕ Hà Nội – 2022 ⁕⁕⁕

 MỤC LỤC

Yêu cầu thiết kế:....................................................................................................................................................1

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ BỘ BIẾN ĐỔI 1 CHIỀU DC-DC...................................................................2
1. Tổng quan bộ biến đổi DC-DC......................................................................................................................2
2. Phân loại các bộ biến đổi...............................................................................................................................2
a. Theo mức điện áp ra so với điện áp vào.......................................................................................................2
b. Theo phương pháp chuyển đổi.....................................................................................................................3
c. Theo sự liên hệ vật lý giữa đầu vào và đầu ra..............................................................................................3
d. Theo bộ điều chỉnh.......................................................................................................................................3
3. Một số mạch thường dùng.............................................................................................................................4
a. Mạch biến đổi Buck......................................................................................................................................4
Hình 1.1.Sơ đồ mạch Buck...............................................................................................................................4
b. Mạch biến đổi Boost....................................................................................................................................5
Hình 1.2. Sơ đồ mạch Boost.....................................................................................................................................5
Hình 1.3.Sơ đồ khi van Tr dẫn.........................................................................................................................5
Hình 1.4.Sơ đồ khi Diod D0 dẫn.......................................................................................................................6
Hình 1.5. Đồ thị điện áp, dòng điện BXMC song song....................................................................................7
CHƯƠNG 2. CHỌN VÀ PHÂN TÍCH MẠCH LỰC.........................................................................................8
2.1. Cấu trúc mạch lực:.....................................................................................................................................8
Hình 2.1.Nguyên lí làm việc mạch Boost.................................................................................................................8
Hình 2.2. Trạng thái đóng S và D0 không dẫn..................................................................................................9
Hình 2.3.Điện áp và dòng điện trên cuộn dây khi van S dẫn..........................................................................10
Hình 2.4. Trạng thái ngắt S và D0 dẫn............................................................................................................11
Hình 2.5.Điện áp và dòng điện trên cuộn dây khi D0 dẫn..............................................................................12
2.2. Tính toán và lựa chọn các phần tử trong mạch lực................................................................................12
2.2.1. Tính toán lựa chọn van:.....................................................................................................................14

2.2.2. Tính giá trị điện cảm L (Chọn It=(10100)A)...................................................................................16

CHƯƠNG 3: CHỌN VÀ PHÂN TÍCH MẠCH ĐIỀU KHIỂN........................................................................18
3.1. Nguyên lý chung của băm xung một chiều..............................................................................................18
Hình 3.1.Nguyên lý băm xung một chiều (BXMC).........................................................................................18
3.2. Điều khiển theo phương pháp điều chỉnh độ rung xung PWM.............................................................20
Hình 3.2 Sơ đồ cấu trúc mạch điều khiển băm xung một chiều kiểu PWM....................................................20
3.2.1. Khâu phát xung chủ đạo và tạo điện áp răng cưa................................................................................21
Hình 3.3. Tạo răng cưa hai cực tính..............................................................................................................22
Hình 3.4. Sơ đồ tạo điện áp răng cưa một cực tính........................................................................................25
3.2.2. Khâu tạo điện áp điều khiển.................................................................................................................25
Hình 3.5. Tạo điện áp điều khiển...................................................................................................................26
Hình 3.6. Các dạng đặc tính tải.....................................................................................................................27
 3.2.3. Khâu so sánh........................................................................................................................................28
Hình 3.7. Khâu so sánh..................................................................................................................................29
3.2.4. Khuếch đại xung (Driver)....................................................................................................................30
Hình 3.8. Cấu trúc khối khuếch đại xung.......................................................................................................31
Hình 3.9.Các điện trở hạn chế dòng điều khiển.............................................................................................33
CHƯƠNG 4: MÔ PHỎNG MẠCH ĐỘNG LỰC VÀ MẠCH ĐIỀU KHIỂN.................................................35
Hình 4.0. Sơ đồ mạch điều khiển Boost..........................................................................................................35
4.1. Mạch động lực...........................................................................................................................................35
Hình 4.1. Mô phỏng mạch động lực...............................................................................................................35
Hình 4.2. Kết quả mô phỏng..........................................................................................................................36
4.2. Mạch điều khiển........................................................................................................................................36
4.2.1.Khâu phát xung.....................................................................................................................................36
Hình 4.3. Hình ảnh khâu phát sung................................................................................................................36
Hình 4.4. Hình ảnh mô phỏng khâu phát xung chủ đạo.................................................................................37
4.2.2. Khâu răng cưa.....................................................................................................................................37
Hình 4.5. Hình ảnh khâu răng cưa.................................................................................................................37
Hình 4.6. Hình ảnh mô phỏng khâu răng cưa................................................................................................38
4.2.3. Khâu so sánh........................................................................................................................................38
Hình 4.7.Hình ảnh khâu so sánh....................................................................................................................38
Hình 4.8.Hình ảnh mô phỏng khâu so sánh Urc với Udk..................................................................................39
KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ.............................................................................................................................40
I. Kết luận:.........................................................................................................................................................40
II. Kiến nghị:......................................................................................................................................................41
TÀI LIỆU THAM KHẢO.....................................................................................................................................42
 LỜI MỞ ĐẦU

Trong lĩnh vực kỹ thuật hiện đại ngày nay, việc chế tạo ra các bộ chuyển đổi nguồn có
chất lượng điện áp cao, kích thước nhỏ gọn cho các thiết bị sử dụng điện là hết sức cần
thiết. Quá trình xử lý biến đổi điện áp một chiều thành điện áp một chiều khác gọi là quá
trình biến đổi DC-DC. Cấu trúc mạch của các bộ biến đổi DC-DC vốn không phức tạp
nhưng vấn đề điều khiển nhằm đạt được hiệu suất biến đổi cao và đảm bảo ổn định luôn
là mục tiêu của các công trình nghiên cứu.

Việc đưa kiến thức vào thực tiễn là việc vô cùng quan trọng đối với bất kì sinh viên nào
đang theo học tại các trường đại học, đặc biệt là các trường kỹ thuật. Với mục đích đó,
trong học phần đồ án này, chúng em đã tiến hành nghiên cứu và thực hiện đề tài: “Thiết
kế mạch Boost converter DC - DC”.

Để có thể hoàn thành đồ án một cách hoàn chỉnh, đầu tiên chúng em xin được cảm ơn
Khoa Điện – Trường đại học Kinh tế - Kỹ thuật Công nghiệp đã tạo điều kiện cho chúng
em có thể học tập và nghiên cứu đề tài. Thêm vào đó,chúng em xin chân thành gửi cảm
ơn tới giảng viên Mai Văn Duy vì đã quan tâm, hướng dẫn và theo sát chúng em trong
suốt quá trình thực hiện đồ án và môn học.

Em xin chân thành cảm ơn!

 LỜI CẢM ƠN

Qua 3 năm học tập và rèn luyện tại trường Trường ĐH Kinh tế kỹ thuật công
nghiệp, được sự giảng dạy nhiệt tình của quý thầy cô, đặc biệt là quý thầy cô khoa Điện
đã truyền đạt cho em những kiến thức về lý thuyết và thực hành trong suốt thời gian học
ở trường. Và trong thời gian đã học tập tại trường em đã có cơ hội áp dụng những kiến
thức học ở trường vào thực tế ở ngoài xã hội. Cùng với sự nổ lực của bản thân, em đã
hoàn thành Đồ án 1 của mình.

Từ những kết quả đạt được này, em xin chân thành cám ơn:

Quý thầy cô trường trường Đại học Kinh Tế - Kỹ Thuật Công Nghiệp, đã truyền đạt cho
em những kiến thức bổ ích trong thời gian qua. Đặc biệt, là Thầy Mai Văn Duy đã tận
tình hướng dẫn em hoàn thành tốt báo cáo Đồ Án I này.

Do kiến thức còn hạn hẹp nên không tránh khỏi những thiếu sót trong cách hiểu, lỗi trình
bày. Em rất mong nhận được sự đóng góp ý kiến của quý thầy cô để báo cáo tốt nghiệp
đạt được kết quả tốt hơn.

Em xin chân thành cảm ơn!

 Yêu cầu thiết kế:

Thiết kế bộ DC – DC Boost cấp nguồn cho tải từ nguồn sơ cấp với thông số:
Vin = 0 - 30V

Vout = 30V

ILoad = 2A

fsw= 1kHz ( tần số chuyển mạch)

Iripple = 0.3 × IL

1. Trình bày cấu trúc mạch lực và nguyên tắc phát xung điều khiển.
2. Tính chọn giá trị danh định và lựa chọn cụ thể (nhà SX, mã sản phẩm) tất cả các phần
tử trong mạch: Van bán dẫn, tụ điện, điện cảm,… theo các thông số kỹ thuật yêu cầu.
3. Xây dựng chương trình mô phỏng bộ biến đổi kiểm chứng thiết kế.

1
 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ BỘ BIẾN ĐỔI 1 CHIỀU
DC-DC

1. Tổng quan bộ biến đổi DC-DC.

- Bộ biến đổi DC-DC thuộc nhóm các bộ biến đổi công suất. Chúng có thể làm tăng
hoặc giảm điện áp đầu ra so với đầu vào vào tùy theo yêu cầu sử dụng.
- Điện áp một chiều ngõ vào có thể từ mạch chỉnh lưu không điều khiển, có thể từ
nguồn cố định như ắcquy.
- Điện áp trên tải có dạng xung hình thành từ quá trình ngắt liên tục nguồn điện áp
một chiều không thay đổi ngõ vào. Do đó, bộ biến đổi còn được gọi là bộ biến đổi
điện áo một chiều DC –DC dạng xung hay còn gọi là bộ băm (chopper) điện áp một
chiều.
- Bộ băm xung áp một chiều được sử dụng nhiều trong các máy nâng vận chuyển,
trong truyền động điện máy cắt gọn kim loại, trong giao thông đường sắt, ô số chạy
điện, xe điện bốc đỡ hàng.
- Ngày nay, các bộ biến đổi sử dụng trong các hệ thống rất thông dụng bởi hiệu suất
va chất lượng điện áp. Các bộ biến đổi điện áp một chiều là một trong những bộ
biến đổi được sử dụng nhiều nhất. Trong đó, bộ biến đổi tăng áp (Boost Converter)
sẽ cho điện áp đầu ra tăng lên so với điện áp đầu vào. Nó được ứng dụng rộng rãi
trong nhiều thiết bị hay hệ thống khác nhau như: Làm mạch desunfat bảo dưỡng ắc
quy, cấp nguồn cho các thiết bị đòi hỏi điện áp cao cỡ vài chục Vôn nhưng nguồn
cấp có điện áp thấp cỡ 1,5V hay 3,7V. Nâng áp trong các mạnh nguồn xung như
TV, LED...

2. Phân loại các bộ biến đổi.

2
 a. Theo mức điện áp ra so với điện áp vào.
- Bộ biến đổi tăng áp ( Boost Converter hoặc Step Up Converter): Là bộ biến đổi mà
giá trị điện áp một chiều ở đầu ra lớn hơn giá trị điện áp một chiều ở đầu vào.

- Bộ biến đổi giảm áp (Buck Converter hoặc Step down converter): Là bộ biến đổi mà
giá trị điện áp một chiều ở đầu ra nhỏ hơn giá trị điện áp một chiều ở đầu vào.

b. Theo phương pháp chuyển đổi.

- Bộ biến đổi dùng tụ điện.
- Bộ biến đổi dùng cuộn cảm.
- Bộ biến đổi kết hợp cả hai phương pháp trên.

c. Theo sự liên hệ vật lý giữa đầu vào và đầu ra.

- Nguồn xung hiện nay có rất nhiều loại khác nhau nhưng nó được chia thành 2 nhóm
nguồn: Cách ly và không cách ly.
 Nhóm nguồn không cách ly :
+ Boot (Tăng áp)
+ Buck (Giảm áp)
+ Buck – Boot (Tăng-Giảm áp)
 Nhóm nguồn cách ly :
+ flyback
+ Forward
+ Push-pull
+ Half Bridge
+ .......
 Mỗi loại nguồn trên đều có những ưu nhược điểm khác nhau. Nên tùy theo yêu cầu
của nguồn mà ta chọn các kiểu nguồn xung như trên.

3
d. Theo bộ điều chỉnh
 Bộ điều chỉnh tuyến tính (Linear Regulator): Trường hợp này, năng lượng
được truyền một cách liên tục từ đầu vào qua bộ biến đổi tới đầu ra.
 Bộ điều chỉnh chuyển mạch (Switching Regulator): Trường hợp này, năng
lượng được truyền từ đầu vào qua bộ biến đổi tới đầu ra có sự thay đổi kiểu
nhảy bậc.

3. Một số mạch thường dùng.

a. Mạch biến đổi Buck.

- Mạch biến đổi Buck là mạch biến đổi điện áp một chiều thành điện áp một chiều thấp
hơn, thường được sử dụng trong các bộ ổn định điện áp thay cho các mạch analog truyền
thống.

Hình 1.1.Sơ đồ mạch Buck

- Quá trình năng lượng xảy ra như sau:

+ Trong khoảng thời gian từ 0 – t0 khi van dẫn năng lượng của nguồn sẽ được cấp
cho phụ tải (UR=E). Vì dòng điện từ nguồn cấp cho tải phải đi qua điện cảm L, nên điện
cảm này sẽ được nạp năng lượng trong giai đoạn van Tr dẫn.

+ Trong khoảng thời gian t0 - T, van Tr khóa, điện cảm phóng năng lượng tích lũy ở
giai đoạn trước, dòng điện qua L vẫn theo chiều cũ và chạy qua.

4
b. Mạch biến đổi Boost.

Hình 1.2. Sơ đồ mạch Boost

- Biến đổi Boost là mạch biến đổi điện áp một chiều thành điện áp một chiều có biên độ
cao hơn, nó còn gọi là mạch step-up converter. Nguyên lý này thường được sử dụng cho
việc cung cấp các điện áp yêu cầu lớn hơn điện áp nguồn nuôi, với công suất nhỏ.

- Quy luật điều khiển Van Tr theo nguyên tắc chung: Tr dẫn trong khoảng (0<wt<to) và
mở trong khoảng (to<wt<T). Điện áp ra tải sẽ lớn hơn điện áp vào với tỷ lệ tùy thuộc vào
tỷ lệ giữa to và T.

Hình 1.3.Sơ đồ khi van Tr dẫn

5
 Khi van Tr dẫn, D không dẫn(bị ngắt do phân cực ngược), toàn bộ điện áp nguồn
được đặt vào cuộn cảm và dòng điện từ nguồn chạy qua cuộn cảm,cuộn cảm được
nạp năng lượng. Trong giai đoạn này Diode không dẫn và tải bị cắt khỏi nguồn, do
đó dòng qua tải được duy trì sẽ nhờ điện tụ C(đóng vai trò là nguồn). Vì vậy tụ điện
C là nhất thiết phải có ở BXMC kiểu song song.

Hình 1.4.Sơ đồ khi Diod D0 dẫn

 Khi van Tr không dẫn, D dẫn, năng lượng của cuộn cảm và của nguồn sẽ cấp ra tải
(dòng i2). Nhờ nhận thêm năng lượng tích lũy từ quá trình trước trong điện cảm nên
điện áp ra tải sẽ lớn hơn điện áp nguồn E. Tụ C dùng để tích năng lượng và cấp cho
Rt trong giai đoạn Tr dẫn.

1
Như vậy giá trị của điện áp trên tải là: Ut = 1−γ .E

6
Hình 1.5. Đồ thị điện áp, dòng điện BXMC song song

7
 CHƯƠNG 2. CHỌN VÀ PHÂN TÍCH MẠCH LỰC

2.1. Cấu trúc mạch lực:

Hình 2.1.Nguyên lí làm việc mạch Boost

8
 Hình 2.2. Trạng thái đóng S và D0 không dẫn

Khi đóng van S, nguồn 1 chiều Ud cấp dòng điện đi qua L sau đó dòng điện đi qua
R và tụ điện C và về âm nguồn. Cuộn cảm tích trữ năng lượng.

 Điện áp và dòng điện đặt trên khóa S:

Vs=V0

Is=IL.D

9
 Hình 2.3.Điện áp và dòng điện trên cuộn dây khi van S dẫn

Dòng điện sẽ nạp từ ILmin đến ILmax với thời gian nạp D

UL = U d
dIL
UL=L. dt

ΔIL(đóng)

10
 Hình 2.4. Trạng thái ngắt S và D0 dẫn

Khi mở van S thì toàn bộ phần năng lượng tích trữ trong L giải phóng dòng điện qua tải và
về diode để khép mạch.

 Điện áp và dòng điện trên đặt trên Diode:

VD=V0
ID=IL(1-D)

11
 Hình 2.5.Điện áp và dòng điện trên cuộn dây khi D0 dẫn

Cuộn cảm xả năng lượng:

UL = Ud–U0
dIL
UL=L. dt

( 1−D ) T
ΔIL(ngắt)= (Ud–U0)
L

2.2. Tính toán và lựa chọn các phần tử trong mạch lực.

Các yêu cầu thiết kế:

Thiết kế bộ DC – DC Boost cấp nguồn cho tải từ nguồn sơ cấp với thông số:
Vin = 0 - 30V

12
 Vout = 30V

ILoad = 2A

fsw= 1kHz ( tần số chuyển mạch)

Iripple = 0.3 × IL

1. Trình bày cấu trúc mạch lực và nguyên tắc phát xung điều khiển.
2. Tính chọn giá trị danh định và lựa chọn cụ thể (nhà SX, mã sản phẩm) tất cả các phần tử
trong mạch: Van bán dẫn, tụ điện, điện cảm,… theo các thông số kỹ thuật yêu cầu.
3. Xây dựng chương trình mô phỏng bộ biến đổi kiểm chứng thiết kế.

Ta có:

- Công suất đầu ra: 𝑷𝒐𝒖𝒕 = 𝑽𝒐𝒖𝒕 × 𝑰𝑳𝒐𝒂𝒅 = 30 × 𝟐 = 60 W

V¿ 24
- Tham số điều chỉnh : D = 1- V = 1- 30 = 0.2
out

- Tần số làm việc : f𝑠w =1kHz

1
suy ra chu kỳ làm việc của băm xung là: Ts = fs = 0,001 (ms)

Chọn biên độ điện áp là ±10V, điện áp nguồn E = ±100 và sử dụng cụm diode ổn áp đấu
nối tiếp đối đầu với Uôa=12V có điện áp đầu ra OA1 cực đại Um= Uôa+UDz =
12+0,7=12,7(V).

Theo đồ thị hoạt động hình 3.3 ta thấy trong khoảng thời gian một nửa chu kỳ điện áp răng
cưa phải biến thiên được giá trị bằng hai lần biên độ điện áp tam giác Ung, ở bài này sẽ
bằng 2x10V=20V. Do đó ta rút ra:
Um T Um 12, 7
2Ung = CR . 2 => CR1 = 4 U .T = 4.20
.0,001= 0,158.10-3(s)
1 ng

Chọn tụ C = 22nF, suy ra:

13
 −3
0 ,158 .10
R1 = −9 = 7,216.103(Ω) = 7,216(k Ω)
22.10

Vậy chọn biến trở 10kΩ vào vị trí R1 để hiệu chỉnh tần số băm xung. Ta có:
R 3 U ng 10
R2
= U = 12, 7 = 0,787 => R3 = 0,787R2, tức là nếu
m

R2 = 10kΩ thì R3 = 7,87kΩ. Tuy nhiên ta chọn R2 = 10kΩ và R3 là biến trở 10kΩ
để chỉnh xuống giá trị cần thiết nhằm đảm bảo biên đồ xung tam giác 10V.

2.2.1. Tính toán lựa chọn van:

- Vì quy luật dòng điện biến thiên dạng hàm số mũ, nên tính toán chính xác các trị số
trung bình qua van (transistor, IGBT, Mosfet) và Diot sẽ cho các biểu thức phức
tạp không tiện sử dụng và không thật cần thiết trong thực tế. Vì vậy, thường dùng
phương pháp đơn giản hóa bằng cách coi dòng điện biến thiên tuyến tính:
Imax + Imin
IT = 2

14
 Ivan 0,5.(I
max  Imin )
ID  It -Ivan

- Các biểu thức cho thấy với cùng một dòng điện qua van sẽ lớn nhất khi  = max , ngược

lại với  = min thì dòng điện qua D sẽ cực đại. Dựa vào đây xác định dòng trung bình lớn
nhất chảy qua các van khi làm việc để chọ n van.
Điện áp lớn nhất van chịu bằng điện áp nguồn E, điện áp ngược lớn nhất đặt lên điot cũng
bằng E.
- Chọn phạm vi điều chỉnh  =(0,2-0,9), Itmax=100A
+ Trường hợp: Dòng tải lớn nhất trong dải điều chỉnh:
Dòng điện qua van lớn nhất khi  = max = 0,9

Ivan = 0,5.(Imax + Imin) = max.Itmax = 0,9.100 = 90A

Dòng điện qua van Diod lớn nhất khi  = min = 0,2

ID = It – IV = (1- min).Itmax = (1-0,2).100 = 80A

E = 100V => điện áp các van chịu đựng là 100V
=> Chọn mạch van và Diod cùng giá trị điện áp trong
khoảng 160A, 300V
+ Trường hợp: Điện trở tải không đổi trong toàn dải điều chỉnh:
Dòng điện qua van lớn nhất khi  = max = 0,9

Ivan = 0,5.(Imax + Imin) = max.Itmax = 0,9.100 = 90A

Dòng qua Diod giảm tỉ lệ thuận với , nên khi  = min có:
❑ 0,2
It = ❑max Itmax = 0,9
.100=¿ 22,22A

15
 Dòng trung bình qua Diot ở  = min :

ID = (1- min).It = (1-0,2).22,22 = 17,78A

Đây chưa phải là dòng trung bình lớn nhất qua van trong dải điều chỉnh. Với
biểu thức dòng trung bình qua Diot:
ID = (1- ).It => Dòng qua điot lớn nhất với   0,5
0,5
IDmax = (1- ) 0 , 9 100 = 27,28A

=> Chọn van điều khiển có giá trị dòng điện khoảng 160A, điot 50.
=> Chọn mạch van và điot cùng giá trị dòng và áp, trong khoảng 160V, 300V.
 Nhận xét: Trường hợp Điện trở tải không đổi trong toàn dải điều chỉnh có dòng điện
trung bình trên van điot bằng 1/3 dòng trung bình qua van điều khiển (transistor,
IGBT, Mosfet).

2.2.2. Tính giá trị điện cảm L (Chọn It=(10100)A)

 Giá trị điện cảm để đảm bảo chế độ dòng liên tục ở giới hạn điều chỉnh (đảm bảo
dòng liên tục với  nhỏ nhất):
❑min . ( 1−❑min ) . E 0 ,2. ( 1−0 ,2 ) .100
L> 2. f . I t
= 2.400 .10
= 1(mH)

 Điện cảm biến thiên cho phép của dòng điện tải I :

Theo chỉ tiêu dao động dòng điện I . Chọn độ dao động dòng điện 10%, tương
ứng với dòng tải lớn nhất: ∆ I =0 ,1.100=10( A)
0 ,5. ( 1−0 ,5 ) .100
L= . ¿ ¿=
10.1000 = 2,5(mH)

16
17
 CHƯƠNG 3: CHỌN VÀ PHÂN TÍCH MẠCH ĐIỀU KHIỂN

Băm xung một chiều (BXMC) là thiết bị dùng để thay đổi điện áp một chiều ra tải từ một
nguồn điện áp một chiều cố định . BXMC được ứng dụng để điều chỉnh tốc độ động cơ
điện một chiều, tạo nguồn ổn áp dải rộng.

3.1. Nguyên lý chung của băm xung một chiều.

 Nguyên lý cơ bản của băm xung một chiều được mô tả trên hình 3.1. Giữa nguồn
một chiều E và tải Rt là van Tr làm việc như một khóa điện tử, hoạt động của
BXMC là cho van đóng cắt theo chu kỳ với quy luật:
- Trong khoảng thời gian 0 - t0 , cho van dẫn, điện áp rơi trên tải Ut có giá trị
bằng điện áp nguồn Ut = E.
- Từ t0 - t1, van Tr không dẫn (mạch hở), tải bị ngắt khỏi nguồn nên
Ut =0. Để đóng cắt điện áp nguồn người ta thường dùng các khóa điện tử công
suất vì chúng ta có đặc tính tương ứng với khóa lý tưởng, tức là khi khóa dẫn
điện (đóng) điện trở của nó không đáng kể, còn khi khóa bị ngắt (mở ra) điện
trở của nó lớn vô cùng (điện áp trên tải sẽ bằng 0).

Hình 3.1.Nguyên lý băm xung một chiều (BXMC)

 Như vậy giá trị của điện áp trên tải là:
1
Ut = 1−γ . E (1)

Trong đó: t0 - thời gian khóa K đóng.

18
 γ - tham số điều chỉnh.

T - chu kỳ đóng cắt của van.

Biểu thức (1) cho thấy có thể điều chỉnh điện áp ra bằng cách thay đổi tham số γ.
Việc điều chỉnh điện áp bằng cách “băm” điện áp một chiều E thành các “xung”
điện áp ở đầu ra nên thiết bị này có tên gọi là “Băm xung áp một chiều – BXMC”.
 Có hai phương pháp chính cho phép thay đổi tham số γ là:
1. Thay đổi thời gian t0, còn giữ chu kỳ T, như vậy ta dùng cách thay đổi độ rộng
của xung điện áp ra tải trong quá trình điều chỉnh, nên cách này được gọi là
phương pháp điều chế độ rộng xung (PWM). (Pulse Width Modulation).
2. Thay đổi chu kỳ T, còn giữ thời gian t0 không đổi. Cách này ngược lại với cách
trên, độ rộng xung điện áp ra tải được giữ nguyên, mà chỉ thay đổi tần số lặp lại
của xung này, vì vậy được gọi là phương pháp xung – tần.(Phương pháp này
không thuận lợi khi phải điều chỉnh điện áp trong dải rộng, vì tần số biến thiên
nhiều sẽ làm thay đổi mạnh giá trị trở kháng khi mạch có chứa các điện cảm
hoặc tụ điện nên khó tính toán thiết kế, nhất là hệ thống điều chỉnh kín vì lúc đó
mạch thuộc hệ có tham số biến đổi. Vì vậy phương pháp này chỉ dùng khi phạm
vi điều chỉnh hẹp và thực tế ít được sử dụng).

 Ta thấy rằng khóa điện tử Tr chỉ làm việc đúng như một van bán dẫn, vì thế BXMC
có nhiều ưu điểm như:
 Hiệu suất cao vì tổn hao công suất trong bộ biến đổi là không đáng kể so với
các bộ biến đổi liên tục, do tổn hao trong van bán dẫn là nhỏ.
 Độ chính xác cao và ít chịu ảnh hưởng của nhiệt độ môi trường vì yếu tố điều
chỉnh là thời gian đóng khóa Tr mà không phải mà không phải giá trị điện trở
phần tử điều chỉnh như những bộ điều chỉnh liên tục kinh điển.
 Kích thước gọn và nhẹ.
 Tuy nhiên BXMC có những nhược điểm là:
 Cần có bộ lọc đầu ra, do đó làm tăng quán tính điều chỉnh.
 Tần số đóng cắt lớn sẽ gây ra nhiễu cho các thiết bị xung quanh

19
  Các bộ BXMC được chia thành băm xung không đảo chiều và băm xung có
đảo chiều dòng tải.
 Ở Chương 1 và 2 tôi đã chọn phân tích Băm xung một chiều song song
(Boots - tăng áp). Nên ở chương này tôi chọn phương pháp điều chế độ rộng
xung (PWM) (Pulse Width Modulation) , ở phương pháp này đơn giản hơn
rất nhiều so với phương pháp Xung –Tần.

3.2. Điều khiển theo phương pháp điều chỉnh độ rung xung PWM.

Hình 3.2 Sơ đồ cấu trúc mạch điều khiển băm xung một chiều kiểu PWM

20
  Phương pháp thực hiện băm xung với tần số không đổi f = const, điện áp ra
tải thay đổi nhờ chỉ điều chỉnh độ rộng khoảng dẫn của van t o= var. Để thực
hiện điều này sử dụng sơ đồ cấu trúc như hình 3.2a, còn hình 3.2b là đồ thị
minh họa nguyên lý hoạt động. Chức năng các khâu là:
1. Khâu phát xung chủ đạo nhằm tạo dao động với tần số cố định nhằm đảm bảo
điều kiện băm xung với tần số không đổi.
2. Khâu tạo điện áp răng cưa theo tần số của khâu phát xung chủ đạo, đồng thời
đảm bảo phạm vi điều chỉnh tối đa của tham số γ .
3. Khâu so sánh tạo xung: So sánh điện áp răng cưa U rc với điện áp điều khiển
Uđk điểm cân bằng giữa chúng chính là điểm t 0 . Do đó khi điện áp điều khiển
thay đổi sẽ làm thay đổi t 0 và do đó thay đổi tham số điều chỉnh γ. Điện áp ra
của khâu này có dạng xung tương ứng với giai đoạn van lực Tr dẫn.
4. Khâu khuếch đại công suất nhằm tăng công suất xung tạo ra ở khâu so sánh,
đồng thời phải thực hiện ghép nối với van lực theo tính chất điều khiển của
van lực.
5. Khâu tạo điện áp điều khiển theo luật công nghệ.

3.2.1. Khâu phát xung chủ đạo và tạo điện áp răng cưa.
 Chỉ có nguyên tắc điều khiển kiểu PWM dùng các khâu này.
 Hai khâu có quan hệ chặt chẽ với nhau, tương tự như khâu tạo điện áp răng cưa
của điều khiển chỉnh lưu phụ thuộc vào xung nhịp đồng bộ. Hoạt động của
chúng cũng giống nhau do tính chất điện áp ra như nhau: đều là răng cưa. Điều
khác biệt là ở chỗ, trong chỉnh lưu thì tần số xung nhịp phụ thuộc vào nguồn
điện áp xoay chiều của lưới điện, còn với hệ băm xung thì tần số này do bản
thân mạch điều khiển quyết định và không có quan hệ gì với tần số lưới điện.
 Khâu phát xung chủ đạo có hai nhiệm vụ:
- Tạo dao động với tần số cố định bằng tần số băm xung van lực.
- Điện áp ra có dạng xung với hình dáng theo yêu cầu của khâu tạo răng cưa.

21
  Có hai dạng răng cưa hay được dùng: răng cưa tuyến tính một cực tính và
răng cưa tam giác hai cực tính(thông dụng nhất hiện nay).

3.2.1.1. Tạo răng cưa tuyến tính hai cực tính

Hình 3.3. Tạo răng cưa hai cực tính.

- Thông dụng nhất hiện nay là sơ đồ hình 3.3, cho phép tạo ở đầu ra của OA 2 điện áp
răng cưa có hình tam giác cân, trong khi đó đầu ra của OA 1 là dao động điện áp
xung chữ nhật. OA1 là mạch lật kiểu trigơ Schmitt, do đó đầu ra chỉ có hai trạng thái
tối đa tương ứng hai giá trị cực đại ±U m. Nếu dùng cụm hai diode ổn áp đấu nối tiếp
Dz1, Dz2 thì Um = (UDz+0,7), nếu không dùng thì như thông thường Um=Ubh của OA.
Cụm các diode ổn áp có tác dụng chống bão hòa sâu cho OA để có thể phản ứng
nhanh do giảm thời gian trễ lật trạng thái, do đó cần dùng khi phải tạo dao động tần
số cao.

22
- OA2 là mạch tích phân đảo dấu quen thuộc, vì đầu vào tuy có đảo dấu nhưng chỉ có
giá trị không đổi nên tích phân sẽ cho giá trị tuyến tính.

- Sự biến thiên của đầu ra OA2 thông qua điện trở R3 tác dụng đến cửa (+) của OA1,
mỗi khi điện thế cửa này về đến không sẽ làm trigơ lật sang trạng thái đổi dấu điện
áp đầu ra. Lập tức bộ tích phân cũng đảo chiều biến thiên và mạch bắt đầu với quy
trình ngược giai đoạn trước…
- Phân tích cho thấy ngưỡng để bộ tích phân đảo hướng của nó có giá trị gọi là điện
áp ngưỡng Ung và bằng:

Giá trị này cũng chính là biên độ của điện áp tam giác.

- Ưu điểm của dạng này còn ở chỗ nó không cần khoảng phục hồi, cả thời gian răng
cưa đi lên và đi xuống của nó đều là thời gian làm việc, vì vậy cho phép đảm bảo
phạm vi điều chỉnh tối đa là γ=(0÷1). Do đó khi cần điều chỉnh như vậy, BXMC
không đảo chiều cũng dùng răng cưa tam giác.
- Có thể biến xung tam giác hai cực tính thành một cực tính nếu sử dụng thêm mạch
dịch điện áp bằng cụm điện trở treo R4 và R5
- Điện áp ở hai đầu ra Ura1 và Ura2 sẽ được dịch đi một giá trị là :

- Điện áp ở hai đầu ra Ura sẽ bằng không khi tử số củ biểu thức này về bằng không,
điều đó có nghĩa giá trị Urc phải trái dấu nguồn E. Mặt khác điện áp răng cưa có giá
trụ biên dộ là Um, nên có điều kiện để răng cưa tam giác trở thành một cực tính:

23
 Đây chính là điều kiện để chọn các điển trở R4 và R5 .

 Để kết hợp bảo vệ BXMC nhờ cắt xung bằng điện áp điều khiển
(Udk = 0), giá trị thấp nhất của răng cưa thường lấy khác không ( khoảng
0,1V), do vậy một trong hai điện trở R4 và R5 là biến trở để hiệu chỉnh mạch.

 Lưu ý, khâu so sánh phía sau nên sử dụng dạng so sánh hai cổng để không
làm xung tam giác bị ảnh hưởng. Nhưng nếu sử dụng so sánh một cửa thì
điện áp tam giác sẽ bị ảnh hưởng bởi tín hiệu đưa tới so sánh, do đó hoặc
phải tăng điện trở đầu vào so sánh để đảm bảo lớn hơn nhiều lần các điện
trở R4, R5 hoặc phải giảm điện trở R4, R5 xuống nữa.

3.3.2.2. Răng cưa tuyến tính một cực tính

 Trong phần BXMC sử dụng răng cưa dạng đi lên, chứ không nên dùng răng c ưa đi
xuống như trong điều khiển chỉnh lưu. Nguyên do là: một hệ thống tuyến tính, tức là
có quan hệ tỉ lệ thuận giữa đại lượng ra và điện áp điều khiển (Ura = k.Uđk) là rất
thuận lợi khi xây dựng các bộ điều chỉnh tự động. Vì BXMC có Ura tỉ lệ thuận với
tham số γ, nên để hệ tuyến tính cần có Uđk cũng tỉ lệ với γ, mà điều này chỉ có được
nếu răng cưa tuyến tính đi lên. Đồ thị minh họ a nguyên lý hoạ t đ ộ ng BXMC ở hình
3.2 cho thấy rõ: tăng Uđk thì γ cũ ng tă ng theo.
 Khâu phát xung chủ đạo có hai nhiệm vụ:
- Tạo dao động với tần số cố định bằng tần số băm xung van lực
- Điện áp ra có dạng xung với hình dáng theo yêu cầu của khâu tạo răng cưa
tuyến tính đi lên với đặc điểm: thời gian làm việc (răng cưa đi lên) phải lớn
hơn nhiều lần thời gian hồi phục răng cưa (đi xuống).
 Từ đây ta có thể đưa ra một số sơ đồ nguyên lý thí dụ sau. Sơ đồ hình 3.4 sử dụng
bộ dao động dùng khuếch đại thuật toán, để thực hiện yêu cầu thời gian quét và thời

24
 gian phục hồi răng cưa khác nhau cần phải tách riêng điện trở nạp (R1) và điện trở
phóng (R2) cho tụ C1 nhờ các diode D1, D2.

Hình 3.4. Sơ đồ tạo điện áp răng cưa một cực tính

 Biểu thức tính các khoảng thời gian này:

2 R4
- Khoảng thời gian xung: Ufx > 0: t1=R1C1ln(1+ R ) = 1,1R1C1 khi R3=R4
3

2 R4
- Khoảng thời gian xung: Ufx = 0: t2=R2C1ln(1+ R ) = 1,1R2C1 khi R3=R4
3

- Chu kỳ dao động T=t1+t2, với tần số f = 1/T.

t1 t2
 Có thể coi phạm vi điều chỉnh: γ min = T ,γ max = T và thường t1<<t2

 Khi cần chỉnh chính xác tần số phải đưa biến trở P1 vào giữa hai điện trở, và muốn
 hiệu chỉnh tần số thì thay R4 bằng biến trở

3.2.2. Khâu tạo điện áp điều khiển.

 Khâu tạo điện áp điều khiển liên quan chặt chẽ đến hệ thống lực của chỉnh lưu vì nó
phải đảm bảo đưa ra giá trị điện áp tác động tới góc điều khiển thông qua khâu so
sánh và do đó khống chế năng lượng ra tải theo đúng yêu cầu kỹ thuật và công nghệ
của máy sản xuất. Do vậy trong các hệ thống tự động nói chung, khâu này có ý
nghĩa quan trọng và thường là khâu xử lý các tín hiệu theo một quy luật hay thuật
toán đã định trước.

25
 Hình 3.5. Tạo điện áp điều khiển.
a. Cấu trúc chung b,c. hệ hở d. hệ kín

 Các tín hiệu cần thu nhận và xử lý phải là điện áp hoặc đã được chuyển đổi sang
điện áp, và được chia thành hai loại:
- Tín hiệu do yêu cầu công nghệ sản xuất đưa tới, gọi là lượng đặt hay điện áp
đặt Uđ.
- Thông tin thu thập từ tải về gọi là lượng phản hồi hay điện áp phản hồi Uph.
Điện áp này thường tỷ lệ theo các đại lượng cần giám sát để xử lý (như dòng
điện, điện áp, công suất, nhiệt độ, áp suất, …).
 Các hệ điều khiển được chia thành hai loại là: hệ hở và hệ kín.

3.2.2.1. Hệ thống hở.

Hệ thống hở hoàn toàn không có tín hiệu phản hồi, mà chỉ có tín hiệu đặt, khâu tạo
điều áp điều khiển không phức tạp. Đơn giản nhất khi chỉ là một biến trở để điều
chỉnh điện áp theo ý muốn của người vận hành (hình 3.4b), phức tạp hơn nếu như
điện áp này phải thay đổi theo thời gian, tức là có quy luật biến thiên theo thời gian
(hình 3.5c).

3.2.2.2. Hệ thống kín.

Hệ thống kín có các tín hiệu phản hồi và mức độ phức tạp hơn, tùy theo số lượng tín
hiệu phản hồi về và luật xử lý giữa chúng với điện áp đặt. Mục đích của hệ kín là

26
nhằm điều khiển hệ thống theo một quy luật định trước, một đặc tính mong muốn
y=f(x) của công nghệ. Có ba đặc tính thường gặp thể hiện ở hình 3.5 là:

Hình 3.6. Các dạng đặc tính tải

1. Đặc tính cứng (đường 1): đây là dạng thông dụng nhất trong thực tế, cho phép
ổn định giá trị cần thiết y với mọi biến động của x. Ví dụ như ổn định tốc độ
động cơ, ổn định nhiệt độ lò điện trở, ổn định dòng điện khi nạp acquy...
2. Đặc tính mềm (đường 2): có đặc điểm lượng vào x càng tăng thì lượng ra y
càng phải giảm.Ví dụ như đặc tính U(I) của máy hàn hồ quang để đảm bảo
cho phép làm việc ở chế độ mồi ngắn mạch.
3. Đặc tính có ngắt (đường 3), thường có một vùng làm việc cho phép mà cần
ổn định tham số y, khi vượt ra ngoài phạm vi đó, đến một ngưỡng quy định
cần chuyển sang đặc tính giảm nhanh y về 0 (ngắt y).
 Để đảm bảo các đặc tính trên cần có mạch xử lý tín hiệu, gọi là các điều chỉnh
tự động, thường gặp ba dạng điều chỉnh sau: mạch P(tỷ lệ Proportional),
mạch PI (tỷ lệ - tích phân (I-Intergral)) và hay mạch tổng quát nhất là mạch
PID (tỷ lệ - tích phân – đạo hàm (D-Differential).

27
3.2.3. Khâu so sánh
• Khâu này có chức năng so sánh điện áp điều khiển với điện áp tựa để định thời điểm
phát xung điều khiển, thông thường đó là thời điểm khi hai điện áp này bằng nhau.
Nói cách khác, đây là khâu xác định góc điều khiển α.
• Khâu so sánh có thể thực hiện bằng các phần tử như transistor hay khuếch đại thuật
toán OA. Sử dụng nhiều nhất hiện nay là các OA vì cho phép đảm bảo độ chính xác
cao. Khuếch đại thuật toán OA là phần tử so sánh lý tưởng vì những lý do sau đây:
- Tổng trở vào của OA rất lớn nên không gây ảnh hưởng đến các điện áp đưa
vào so sánh, nó có thể tách biệt hoàn toàn chúng để không tác động sang
nhau.
- Tầng vào của OA cũng là khuếch đại vi sai, mặt khác số tầng nhiều nên hệ số
khuếch đại lớn (có thể lên đến một triệu). Vì thế độ chính xác rất cao, độ trễ
không quá vài micrô giây.
- Sườn xung dốc đứng nếu so với tần số 50 Hz.
• Thực tế khi độ chênh lệch giữa Ut và Uđk chỉ cỡ vài mV thì điện áp đầu ra của nó đã
thay đổi hoàn toàn từ trạng thái bão hòa âm sang bão hòa dương hay ngược lại.
Khâu so sánh OA có hai kiểu đấu điện áp vào là so sánh hai cửa và so sánh một cửa.
• Mạch so sánh hai cửa minh họa như hình 3.6. Điện áp ra sẽ tuân theo quy luật:

- K0 là hệ số khuếch đại của OA

28
 Hình 3.7. Khâu so sánh
• Tùy thuộc vào điện áp tựa và điều khiển đưa vào cửa nào mà điện áp ra xuất hiện
xung âm hoặc dương ở thời điểm cân bằng giá trị giữa chúng.
- Nếu điện áp điều khiển đưa vào cửa (+), còn điện áp tựa đưa vào cửa thì điện
áp ra là:

 Do đó khi uđk > ut thì ura = +Ubh; khi uđk < ut thì ura = -Ubh.

- Nếu điện áp điều khiển đưa vào cửa (-), còn điện áp tựa đưa vào cửa (+) như
thì điện áp ra là:

 Do đó khi ut > uđk thì Ura=+Ubh; khi ut < uđk thì Ura=-Ubh.

• Có hai điểm cần lưu ý khi sử dùng so sánh hai cửa:

- Một là các điện áp đưa vào so sánh phải cùng dấu (cùng dương hoặc cùng
âm) thì mới có hiện tượng thay đổi trạng thái đầu ra.
- Hai là độ chênh lệch tối đa giữa hai cửa trong khi làm việc không được vượt
quá giá trị cho phép của loại OA đã chọn.
- Các điện trở ở hai cửa vào của OA có thể không cần dùng, nếu OA cho phép
chênh lệch điện áp giữa các đầu vào của nó ∆u VOA lớn hơn chênh lệch điện áp
lớn nhất của utựa với uđk. Trong trường hợp (utựa – uđk) vượt quá mức cho phép
của OA thì buộc phải có các điện trở này, kết hợp với hai diode đấu song
song - ngược để bảo vệ đầu vào cho OA. Thực tế hiện nay các OA thường có
∆UVOAmax= ±18V nên có thể bỏ các điện trở đầu vào, tuy nhiên để an toàn
người ta vẫn mắc các điện trở này trong mạch thực.

29
3.2.4. Khuếch đại xung (Driver).
- Khối khuếch đại xung cho transistor trong BXMC phức tạp hơn so với khối khuếch đại
xung cho thyristor, điều này do:

+ Thyristor là phần tử bán điều khiển nên chỉ cần một xung ngắn để
van mở ra, sau đó không cần giữ xung này nữa. Với độ rộng xung điều
khiển vài chục micro giây thì việc truyền xung ngắn cách ly thực hiện
khá đơn giản bằng biến áp xung thông thường mà không có yêu cầu gì
đặc biệt.
+ Transistor là phần tử điều khiển hoàn toàn, vì vậy để mở van cũng
cần xung điều khiển, nhưng xung này phải tồn tại chừng nào van còn
phải dẫn, tức là độ rộng xung điều khiển phụ thuộc vào thời gian dẫn
của van. Nếu điện áp phần lực thấp (dưới vài chục volt), không cần
cách ly với mạch điều khiển vẫn dễ dàng thực hiện yêu cầu này. Tuy
nhiên khi điện áp mạch lực cao và buộc phải cách ly nó với mạch điều
khiển thì việc truyền xung công suất cách ly có độ rộng lớn là khó
khăn, vì:
• Nếu dùng biến áp xung sẽ đảm bảo cách ly, song do biến
áp có tính chất vi phân nên làm giảm dần biên độ và công suất
xung theo thời gian, vì thế có thể không đảm bảo mở tốt van
trong suốt thời gian nó phải dẫn ở khu vực tần số làm việc dưới
1 kHz. Cần phải có các biện pháp phức tạp để khắc phục nhược
điểm này.
• Nếu dùng phương pháp cách ly bằng phần tử quang sẽ cho phép
truyền cách ly xung có độ rộng tùy ý, song phần tử quang chỉ
có thể truyền thông tin mà không có khả năng truyền công suất.
Lúc đó buộc phải có thêm nguồn công suất sau phần cách ly để
thực hiện tăng công suất đủ mở van, do đó mạch cũng sẽ phức
tạp do có nhiều nguồn, mặt khác cũng làm tăng kích thước và
tổn hao trong thiết bị. Hiện nay cả hai kiểu trên đều được

30
 nghiên cứu, chế tạo để ứng dụng trong thực tế, tuy nhiên
phương pháp thứ hai dễ thực hiện hơn, vì vậy dưới đây chú
trọng cách này hơn. Những vấn đề trên cho thấy khối khuếch
đại xung là phức tạp và sẽ gồm nhiều khâu gộp thành, thường
có thể chia thành ba khu vực chức năng như hình 3.7.

Hình 3.8. Cấu trúc khối khuếch đại xung

1. Khâu cách ly bằng phần tử quang nhằm truyền thông tin về thời gian mở - khóa
van, thường sử dụng hai loại là diode – transistor và diode – diode có khuếch đại sơ
bộ.
2. Khâu phối hợp xung giữa thông tin về xung mở - khóa van và khâu khuếch đại công
suất, có nhiệm vụ tạo ra dạng xung phù hợp theo yêu cầu của van lực cụ thể. Một số
mạch của khâu này ở hình 3.8, cho ta thấy chúng đơn giản là các tầng khuếch đại
trung gian dùng transistor ở chế độ khóa. Vì vậy cách tính toán vẫn tuân thủ luật
đóng/ngắt transistor.
3. Khâu khuếch đại công suất với chức năng đơn giản là tăng công suất của dạng xung
đã hình thành được ở khâu trước đó.
Hiện nay nhiều hãng công nghiệp đã chế tạo sẵn một số mạch điều khiển sơ bộ van
“Drive” cho các loại transistor, chúng có khả năng điều khiển trực tiếp van với dòng
xấp xỉ 100A, còn nếu sử dụng van lớn hơn cần bổ xung phần tăng công suất cho đủ
yêu cầu.
• Khuếch đại xung điều khiển bóng MOSFET và IGBT lực.
Đặ c đ iể m đ iề u khiể n transistor MOSFET và IGBT là giố ng nhau, như ng lạ i khác

31
nhau nhiều so với điều khiển BT. Yêu cầu điều khiển cho hai van này là:
- Đ ây là loạ i van đ iề u khiể n bằ ng đ iệ n áp không phả i bằ ng dòng như BT: Khi dẫ n
bão hòa van cần đặt điện áp dương trên cực điều khiển (12÷15)V, còn khi khóa điện
áp trên nó lại âm (-5 ÷ -8)V. Như vậy ở trạng thái ổn định, dù là khóa hay dẫn, nó
chỉ cần điện áp mà không đòi hỏi có dòng điều khiển, tức là công suất điều khiển ở
trạng thái này là không đáng kể.
- Tuy nhiên để van chuyển trạng thái, từ khóa sang dẫn và ngược lại từ dẫn sang
khóa, buộc phải cấp dòng cho cực điều khiển của van. Điều này do giữa hai cực GS
(MOSFET) hay GE (IGBT) tồn tại một điện dung hay một tụ điện giữa hai cực này,
dẫn đến:
+ Khi van đang ở trạng thái khóa, điện áp điều khiển âm nên tụ điện này
đang có giá trị âm. Để mở van, điện áp điều khiển buộc phải đảo dấu chuyển từ âm
sang dương bằng cách đưa dòng điện vào nạp đảo ngược cực tính trên tụ điện này.
+ Đ iề u tư ơ ng tự cũ ng xả y ra khi van chuyể n từ dẫ n sang khóa.
- Để hạ n chế dòng phóng – nạ p tụ đ iệ n cầ n đ ư a vào cự c đ iề u khiể n các đ iệ n trở
hạn chế Ron, Roff. Như vậy mạch nối trực tiếp với cực điều khiển MOSFET và
IGBT sẽ có dạng như hình 3.9.
Giá trị điện trở này quyết định tốc độ chuyển trạng thái của van và buộc phải có để
đảm bảo an toàn cho van, nhà sản xuất thường cho chỉ dẫn về giá trị điện trở này
của từng loại chế tạo, tuy nhiên giá trị cụ thể còn do chế độ hoạt động ảnh hưởng.
Ví dụ:
- Nếu tải là động cơ điện thì phải tăng thời gian mở cho van để tránh các xung dòng
ở chế độ khởi động hay giảm tốc của động cơ.
- Vớ i tả i có đ iệ n cả m lớ n, đ ể tránh các xung áp khi van khóa lạ i cầ n tă ng thờ i
gian chuyển từ dẫn sang khóa.

32
 Hình 3.9.Các điện trở hạn chế dòng điều khiển
 Do tính ưu việt của MOSFET và nhất là IGBT nên chúng được ứng dụng rất
rộng rãi trong lĩnh vực điện tử công suất. Cũng vì thế các hãng cũng chế tạo
nhiều loại mạch điều khiển (Driver) cho các van này.
 Drive khuếch đại với dòng lớn hơn như Driver TLP251 (khuếch đại xung
điều khiển IGBT loại đến 400A), Drive HCPL-3120,…
 Ngoài ra có các Driver chuyên dùng cho mạch băm xung đảo chiều (nửa cầu)
như IR2101, IR2102, IR2103, IR2113,…
 Với các van lực công suất lớn đòi hỏi dòng điều khiển mạnh trong thời gian
ngắn, vì vậy cần thêm các tụ trữ năng lượng mắc sát cạnh Driver khi nguồn
điều khiển không được bố trí cạnh nó.
 Hai nguyên tắc lắp ráp cần đảm bảo là:
• Dây nối với IGBT phải ngắn nhất có thể và với tiết diện dây lớn, thực tế cho
thấy điện cảm của dây dẫn cũng gây nên hiện tượng đột biến áp khi van khóa.
• Dây nối cho IGBT phải được nối rieeng, nhất là dây đất, tức là không dùng
chung với các phần mạch khác để tránh ảnh hưởng lẫn nhau của đường đất
chung.
 Các mạch Driver đơn giản thường chỉ làm nhiệm vụ truyền cách ly và khuếch
đại công suất xung. Tuy nhiên để van hoạt động an toàn trong mọi trường
hợp, kể cả các hiện tượng như quá tải, ngắn mạch cần phải có thêm các khâu
bảo vệ cho bản thân van.

33
CHƯƠNG 4: MÔ PHỎNG MẠCH ĐỘNG LỰC VÀ MẠCH
ĐIỀU KHIỂN

34
 Hình 4.0. Sơ đồ mạch điều khiển Boost

4.1. Mạch động lực

Hình 4.1. Mô phỏng mạch động lực.

35
 Hình 4.2. Kết quả mô phỏng.

4.2. Mạch điều khiển

4.2.1.Khâu phát xung

Hình 4.3. Hình ảnh khâu phát sung

36
Kết quả mô phỏng khâu phát xung chủ đạo:

Hình 4.4. Hình ảnh mô phỏng khâu phát xung chủ đạo.

4.2.2. Khâu răng cưa

Hình 4.5. Hình ảnh khâu răng cưa.

37
Kết quả mô phỏng khâu tạo điện áp răng cưa:

Hình 4.6. Hình ảnh mô phỏng khâu răng cưa.

4.2.3. Khâu so sánh

Hình 4.7.Hình ảnh khâu so sánh.

38
Kết quả mô phỏng khâu so sánh điện áp răng cưa với điện áp điều khiển:

Hình 4.8.Hình ảnh mô phỏng khâu so sánh Urc với Udk.

39
 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ

Sau thời gian nghiên cứu thực hiện đồ án: Thiết kế bộ DC – DC Boost cấp nguồn cho tải
từ nguồn sơ cấp với thông số:
 Vin = 0 - 30V
 Vout = 30V
 ILoad = 2A
 fsw= 100kHz ( tần số chuyển mạch)
 Iripple = 0.3 × IL

Em có một số kết luận và kiến nghị như sau:

I. Kết luận:
Trong quá trình làm đồ án vừa qua dưới sự hướng dẫn tận tình của thầy giáo Mai Văn
Duy, chúng em đã hoàn thành xong đề tài thiết kế bộ DC – DC Boost cấp nguồn cho tải
từ nguồn sơ cấp. Quá trình thực hiện đề tài đã giúp Em thu được những kết quả sau:

- Thông qua việc thiết kế đã tìm hiểu rõ hơn về các bộ biến đổi DC – DC như bộ
biến đổi Boost, Buck, Buck-Boost. Thông qua đó em có kinh nghiệm trong việc
thiết kế, tính toán mạch lực và các thành phần liên quan và có thể hoàn thành các
đề tài khác sau này một cách nhanh chóng hơn.
- Thông qua việc mô phỏng mạch lực thì có thể tìm hiều thêm được nhiều phần
mềm ứng dụng để mô phỏng điện tử công suất như proteus, psim, matlap,....
- Rèn luyện kỹ năng tư duy độc lập, sáng tạo và kỹ năng làm việc theo nhóm sao
cho có hiệu quả nhất.
- Tuy nhiên trong quá trình tính toán do thời gian và khả năng, kinh nghiệm còn hạn
chế nên khó có thể tránh khỏi mắc phải các thiếu sót.
- Một lần nữa em xin chân thành cảm ơn thầy Mai Văn Duy đã hết sức tận tình và
tạo điều kiện tốt nhất cho Em hoàn thành môn Đồ án I này.

40
II. Kiến nghị:
Bộ băm xung một chiều là một bộ biến đổi có tính thực tiễn cao, để phù hợp với yêu cầu
sử dụng có dải điện áp điều chỉnh rộng, để phù hợp nhu cầu thị trường hiện nay,... Kết
hợp với các thiết bị tạo nên một hệ thống tự động thay thế cho con người, đem lại nhiều
lợi ích kinh tế xã hội.

Sinh viên thực hiện

Nguyễn Trọng Tấn

41
 TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1]. Võ Thu Hà, Nguyễn Thị Thành, Nguyễn Cao Cường, Tài liệu học tập Điện tử công
suất và ứng dụng, Khoa Điện, Trường Đại học Kinh tế - Kỹ thuật Công nghiệp, 2019.
[2]. Võ Minh Chính, Phạm Quốc Hải, Trần Trọng Minh, Điện tử công suất, NXB Khoa
học và kỹ thuật, 2004.
[3]. Nguyễn Bính, Điện tử công suất, NXB Khoa học và kỹ thuật, 2008.
[4]. Trần Xuân Minh, Đỗ Trung Hải, Điện tử công suất : Dùng cho các trường đại học
kỹ thuật, Nhà xuất bản Khoa học và kỹ thuật, 2016
[5]. Phạm Quốc Hải, Dương Văn Nghị, Phân tích và giải mạch điện tử công suất, Nhà
xuất bản Khoa học và kỹ thuật, 2003

42