Faculdade de Tecnologia Fa Fa Ec Ec Capi

FACULDADE DE TECNOLOGIA
DE SANTO ANDRÉ FA EC
Curso de Autotrônica Mauá
Santo André
Disciplina Eletrônica Analógica I
Capítulo 1 – Valores Médios e Eficazes de Sinais Periódicos
Até o presente momento, o nosso curso foi focado em análise de circuitos

baseado em corrente contínua, onde a tensão e a corrente não apresentavam
variações ao longo do tempo, excepcionalmente durante os transientes (passagem
do estado de desligado para o estado de ligado) dos circuitos indutivos e
capacitivos.
Toda a análise desenvolvida do ponto de vista do equacionamento do
circuito, tomando como base as leis dos nós e das malhas de Kirchoff, também será
utilizada nessa “nova” análise, agora usando um sinal que apresenta uma variação
ao longo do tempo.
O termo Sinal Periódico ou Alternado indica tem apenas a finalidade de
informar ao projetista que a grandeza associada ao sinal (tensão, corrente ou
potência) se alterna ao longo do tempo, regularmente entre dois níveis ou mais.
Inicialmente, estudaremos as características dos sinais alternados do tipo senoidais,
para posteriormente estudarmos os sinais quadrado, dente de serra e PWM.
1.1 – Definições importantes de um sinal alternado senoidal
Toda a vez em que se fizer necessário uma análise de um sinal periódico,

deve-se ter como pré-requisito, a observação de uma série de itens importantes
nesse sinal, que irão compor a equação matemática para análise desse sinal, do
ponto de vista do seu valor médio e do seu valor eficaz.
É possível, de uma forma bastante simplificada, que a análise do sinal
alternado através do seu valor médio está associada diretamente à verificação da
presença ou ausência de uma componente DC (contínua) nesse sinal. Já a análise
do sinal do ponto de vista eficaz, está associada à quantidade de energia (potência)
necessária para que a carga apresente a mesma dissipação de potência,
independentemente do tipo de sinal aplicado, alternado ou contínuo.
Para iniciar essa análise, é necessário que o aluno estudante do curso de
eletrônica analógica possa ser capaz de identificar em um sinal alternado, os
seguintes tópicos:
Professores Fabio Delatore / Luiz Vasco Puglia 1

Santo André
ü Forma de onda do sinal alternado: está associada diretamente a

equação matemática para que o sinal possa ser representado através de
uma equação;
ü Valor de Pico (VP): é a amplitude máxima, positiva ou negativa, que o
sinal alternado pode atingir durante um determinado espaço de tempo;
ü Valor de Pico a Pico (VPP): é a diferença entre o valor de pico mínimo e o
valor de pico máximo do sinal alternado: VPP = VP MÁX. – VP MÍN.;
ü Período (T): é o intervalo de tempo necessário para que o sinal alternado
complete um ciclo de variação dos seus valores de pico máximo e mínimo;
ü Freqüência (f): é a representação do período através de uma base de
tempo em Hertz (ciclos por segundo), onde frequência = 1/T.
Sinal Senoidal
1,2
1
0,8
0,6
0,4
Seno (Grausº)
0,2
0
-0,2 0 60 120 180 240 300 360
-0,4
-0,6
-0,8
-1
-1,2
Graus (º)
Figura 1.1 – Representação de um Sinal Senoidal
OBSERVAÇÃO IMPORTANTE: O sinal senoidal é a única forma de onda que a sua

equação matemática não é alterada quando é aplicada a um circuito resistivo,
capacitivo ou indutivo. A alteração do sinal senoidal ocorrerá apenas na sua fase,
adiantando ou atrasando o sinal, que será discutido mais adiante.
ü Equação geral de um sinal senoidal:
v(t ) = VP .sen(2.π .f .t + α ) + VDC [Volts], onde:

Santo André
o VP é o valor de pico do sinal senoidal. No caso da Figura 1.1, o Valor

de Pico máximo e mínimo é igual a 1 e a -1, respectivamente. Por
definição, será adotado o valor que precede o seno será sempre o
valor de pico máximo;
o α é o ângulo que representa a defasagem do sinal senoidal;
o VDC é o valor da tensão contínua presente no sinal alternado, valor
esse que estará diretamente associado ao valor médio, no caso do
sinal senoidal;
o 2.pi.f representa a frequência angular do sinal senoidal, onde a partir
desse ponto, será adotada a letra grega ômega – ω. Para um
entendimento melhor dessa representação, basta que o aluno realize
uma regra de três simples, convertendo o valor de ângulo fornecido
em graus para radianos, tomando como base o seu valor do período.
ü Relação de Fase: obtenção valor de α:
Sinal Senoidal
Referêcia Adiantado Atrasado
1,2
1
0,8
0,6
0,4
Seno (Grausº)
0,2
0
-0,2 0 50 100 150 200 250 300 350
-0,4
-0,6
-0,8
-1
-1,2
Graus (º)
Figura 1.2 – Relações de fase em um Sinal Senoidal
As relações de fase são facilmente identificadas, tomando como base sempre

um sinal de referência, comparando o outro sinal com essa referência adotada.

Santo André
Observando os sinais vermelho e azul, percebe-se que o valor máximo do

sinal azul já se encontra na sua amplitude máxima, onde somente após 90 graus, o
sinal vermelho atingirá o mesmo valor.
Nesse caso, é possível afirmar que o sinal azul está ADIANTADO em relação
ao vermelho. Continuando com a mesma linha de raciocínio, tomando como sinal
de análise, o sinal em verde, percebe-se que ele inicia o seu ciclo com uma
amplitude máxima negativa, enquanto o sinal de referência encontra-se num valor
igual a zero, sendo que somente 90 graus depois, o sinal em verde assume o valor
igual a zero. Nesse caso, é possível afirmar que o sinal em verde está ATRASADO
em relação ao vermelho.
Tomando como base a equação geral, e substituindo as constantes da
equação pelos valores obtidos no gráfico, temos as seguintes equações que
representam os sinais da Figura 1.2. Observe que a notação da equação assumiu
uma base de variação (valores do eixo X) em graus, e não mais em tempo. Essa
análise mais crítica fica para o aluno estudar e observar que ao final, temos a
mesma representação, independentemente da base adotada.
vVERMELHO (θ ) = 1.sen(2.π + 0) + 0 [Volts]
v AZUL (θ ) = 1.sen(2.π + 90º ) + 0 [Volts]
vVERDE (θ ) = 1.sen(2.π − 90º ) + 0 [Volts]
1.2 – Valor Médio e Eficaz de Sinais Periódicos no tempo
O conceito de valor médio está diretamente associado ao conceito do cálculo

da velocidade média da física, onde através da determinação da área do(s)
gráfico(s) que determina(m) o seu deslocamento, é possível que se encontre a sua
velocidade média de deslocamento.
No caso de sinais e formas de onda, o valor médio representa a parcela de
tensão contínua (DC) presente no sinal alternado (AC). A equação geral para a
obtenção do valor médio é dada por um cálculo integral, da função que rege o sinal
periódico em relação ao seu período:

Santo André
1 T
T ∫0
YMÉDIO = . f (t ).dt , onde f(t) representa a função periódica em relação a t
Todos os sinais periódicos que apresentam simetria em relação ao eixo X

apresentam valor médio igual à zero. Se o sinal periódico for deslocado para cima
do eixo X ou para baixo, o seu valor médio passa a ser representado por uma certa
quantidade, com sinal positivo ou negativo, em função da posição da função em
relação ao eixo X.
Exemplos:
Obter o valor médio da tensão v(t) do sinal senoidal da Figura 1.1 apresentada
anteriormente no início do Capítulo:
Período = 360º , VP = 1 ∴ v(θ ) = VP .sen (θ ) ⎡⎣volts ⎤⎦ → 1.sen (θ ) ⎡⎣volts ⎤⎦
1 1
.1. ( − cos (θ ) )
360
.∫ 1.sen (θ ) dθ →
360
VMÉDIO = →
360 0 360 0
1
→
360
( )
.1. − cos (360 ) − ( − cos (0 ) ) ∴ VMÉDIO = 0 ⎡⎣VDC ⎦⎤
Através do cálculo integral que define o valor médio do sinal senoidal

apresentado na Figura 1.1, concluiu-se que o seu valor médio é igual a zero, devido
justamente a simetria do sinal a partir do eixo X.
Observando agora os sinais em azul e verde, da Figura 1.3 a seguir, fica fácil
observar que ambos os sinais possuem a mesma característica (forma de onda) do
sinal de referência (em vermelho), porém estão deslocados para cima e para baixo,
respectivamente, através da soma/subtração de uma parcela de tensão DC.
Dessa forma, a partir da equação geral do sinal senoidal, é possível escrever
ainda essa equação levando em consideração, os valores DC presentes/ausentes
nesses sinais, representado pela parcela +VDC apresentado na equação geral.

Santo André
Para o caso do nosso exemplo da Figura 1.3, foi adicionado e subtraído 2

volts DC, respectivamente, ao sinal em azul e em verde, resultando nas equações
abaixo:
Sinal Senoidal
Referêcia Nível DC Positivo Nível DC Negativo
3
2
Seno (Grausº)
0
0 60 120 180 240 300 360
-1
-2
-3
-4
Graus (º)
Figura 1.3 – Diferentes níveis DC em um sinal senoidal
v(θ ) = 1.sen(θ ) + 2 [Volts], para o sinal em azul;
v(θ ) = 1.sen(θ ) − 2 [Volts] , para o sinal em verde.
Já o valor eficaz de um sinal alternado, é definido pela relação entre as

potências em AC e em DC, ou seja, o valor eficaz é o valor equivalente de tensão
necessário para dissipar a mesma potência em uma carga que uma fonte de tensão
DC dissiparia.
Para comprovar tal fato, um arranjo prático, apresentado pela Figura 1.4
será montado em sala de aula, usando uma lâmpada incandescente de filamento,
uma tomada elétrica residencial e uma bateria com o seu valor devidamente
ajustado.

Santo André
Figura 1.4 – Arranjo prático para estudo valor eficaz
Adotando como valores de tensão e corrente da tomada, como sendo VCA e

ICA e, para os valores de tensão e corrente da bateria, como sendo ICC e VCC, temos:
PCA = R.iCA (t ) , onde iCA (t ) = IPICO.sen (ωt )

2
PCA = R.IPICO2.sen2 (ωt ) → integrando PCA , temos:
IPICO2.R
PCA =
2
Já para a bateria, realizando o mesmo estudo, temos que:
PCC = R.ICC 2 , onde para que a afirmação possa ser verdadeira, devemos fazer que
a quantidade de potência PCC possa ser igual à quantidade de potência PCA, ou seja:
IPICO2.R I 2 1 ICC 2 1
PCA = PCC → = ICC 2.R → CC 2 = → =
2 IPICO 2 IPICO2 2
∴ ICC = 0,7.IPICO

Santo André
Assim como na determinação do valor médio, foi usado um cálculo integral,

para a obtenção de um valor eficaz, independentemente da forma de onda
periódica usada, a relação que define o valor eficaz é:
1 T
YEFICAZ = .∫ f (t )2.dt , onde f(t) representa a função periódica em relação a t
T 0
Sendo f(t) a equação do sinal senoidal da Figura 1.1, a determinação do seu

valor eficaz a partir da equação geral fica sendo igual a:
Período = 360º , VP = 1 ∴ v(θ ) = VP .sen (θ ) ⎡⎣volts ⎤⎦ → 1.sen (θ ) ⎡⎣volts ⎤⎦
1 1
.∫ 1.sen2 (θ ) dθ → sen2 (θ ) = (1 − cos (2θ ) ) ∴
360
VEFICAZ =
360 0 2
1 ⎡ 360 1 360 1 ⎤
→ .1. ⎢ ∫ dθ + ∫ .cos (2θ ) dθ ⎥ →
360 ⎣ 0 2 0 2 ⎦
1
∴ VEFICAZ = ⎡⎣VRMS ⎤⎦
2

Santo André
Capítulo 2 – Diodos e Circuitos Retificadores com Diodo
2.1 – Introdução e Características Básicas do Diodo Semicondutor
O diodo é o primeiro componente semicondutor a ser estudado ao longo do

nosso curso de Eletrônica Analógica. O seu perfeito entendimento irá auxiliar a
compreensão de outras estruturas mais complexas no futuro, pois todos os
componentes eletrônicos, incluindo transistores, reguladores de tensão, circuitos
integrados, memórias, microcontroladores, amplificadores operacionais, tiveram
como sua “origem”, o diodo semicondutor.
O funcionamento do diodo semicondutor é exatamente igual ao
funcionamento de uma chave, ou de um interruptor de luz residencial, o mesmo
que é usado para acender ou apagar uma lâmpada em um cômodo ou ambiente.
A diferença está basicamente, na forma em que essa interrupção de
corrente ocorre. No caso do interruptor de luz, é necessário, na maioria das vezes,
que a ação do usuário seja necessária, fazendo com que a sua mão realize a função
de chaveamento do interruptor. Já no caso do diodo, a interrupção é realizada
através da forma de polarização do seu circuito, onde as opções disponíveis são:
polarização direta ou polarização reversa.
A polarização é o nome dado ao ponto de operação (valores de tensão e
corrente) em que o circuito ou o componente em específico irá funcionar. No caso
do diodo, a Figura 2.1 apresenta as formas de polarização do diodo em função do
circuito equivalente desejado.
Figura 2.1 – Diodo direta/reversamente polarizado (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)

Santo André
Como já mencionado anteriormente, o diodo é o primeiro e um dos

principais semicondutores a ser estudado no curso de eletrônica. Um semicondutor
é um tipo de material que apresenta certo nível de condutividade entre os seus
terminais.
Para efeito de comparação, observe através da Tabela 2.1, os valores de
resistividade (resistência de um determinado material a passagem da corrente)
entre um material isolante, um condutor e um semicondutor.
Tabela 2.1 – Comparação entre níveis de resistividade: condutor, isolante e semicondutor
Condutor Isolante Semicondutor
ρ ≈ 10-6 Ω.cm (cobre) ρ ≈ 1012 Ω.cm (mica) ρ ≈ 50.103 Ω.cm (silício)
A estrutura interna de um diodo é composta basicamente por um material

semicondutor (silício na sua maioria) contendo um determinado nível de impureza.
Essa impureza tem como objetivo, modificar as características originais do
semicondutor para características desejadas a partir de determinadas
especificações. A esses novos tipos de materiais, dá-se o nome de materiais
dopados ou extrínsecos do tipo N e do tipo P.
2.2 – Materiais do tipo N e do tipo P
2.2.1 – Materiais do tipo N
O material do tipo N é criado através da adição de elementos químicos que

apresentam 5 elétrons livres em sua última camada de valência, recebendo o nome
de átomos doadores. Dessa forma, no material do tipo N, existe uma grande
quantidade de elétrons livres, que são chamados de portadores majoritários.
Note que na Figura 2.2(b) a seguir, a combinação do elemento Antimônio
com o Silício, 4 elétrons são agrupados a estrutura do Silício, porém um elétron
sempre fica livre, caracterizando o portador majoritário negativo.

Santo André
(a) (b)
Figura 2.2 – Material do tipo N (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)
2.2.2 – Materiais do tipo P
Já os materiais do tipo P são criados através da adição de elementos

químicos que apresentam 3 elétrons livres em sua última camada de valência.
Dessa forma, no material do tipo P, existe uma grande quantidade de prótons
livres, não combinados com um elétron que está faltando, graças à ausência de um
elemento de valência na última camada da impureza adicionada. No material do
tipo P, agora, são as cargas positivas os portadores majoritários.
Note que na Figura 2.3(b) a seguir, a combinação do elemento Bório com o
Silício, 3 elétrons são agrupados a estrutura do Silício, porém um elétron fica
ausente, caracterizando o portador majoritário positivo.
(a) (b)
Figura 2.3 – Material do tipo P (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)

Santo André
O diodo é formado basicamente, pela união desses dois materiais, N e P,

formando a junção PN, onde essa pode estar diretamente polarizada ou
reversamente polarizada. A Figura 2.5 abaixo mostra a associação dos materiais P
e N com os terminais do diodo. Esses terminais recebem o nome de anodo e de
catodo, respectivamente.
Figura 2.5 – Junção PN e o diodo real (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)
2.3 – A Curva do Diodo e as suas Características
O estudo nesse momento será focado no funcionamento real do dispositivo,

baseado nas características gerais de funcionamento, apresentadas no item 2.1
desse capítulo.
Figura 2.6 – Curva real de funcionamento do diodo (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)

Santo André
Analisando o gráfico apresentado pela Figura 2.6, é possível apresentar

algumas importantes relações e conclusões sobre o funcionamento real do
dispositivo:
ü A equação característica que determina o funcionamento do diodo, a partir

da sua curva real é dada por:
⎛ k.⎛⎜⎜ VD ⎞⎟⎟ ⎞
ID = Is . ⎜ e ⎝ K ⎠ − 1 ⎟ , onde TK é a temperatura em Kelvins, k é a constante
T
⎜ ⎟
⎝ ⎠
do material semicondutor utilizado (5800 para o Silício), IS é a corrente de
Saturação e VD é a tensão sobre os terminais do diodo;
ü Existe uma queda de tensão de aproximadamente 0.7 Volts entre os
terminais do diodo real, quando o mesmo está em funcionamento;
ü A corrente nunca será igual a zero quando ele for reversamente polarizado
(IS);
ü Existirão ainda, valores de resistências AC e DC associados ao seu ponto de
operação, valores esses que são determinados em função do tipo de
polarização utilizada: por corrente alternada ou por corrente contínua;
o Exemplos Resistência DC:

§ RD1 = 0.5 / 2.10-3, RD1 = 250Ω
§ RD2 = 0.8 / 20.10-3, RD2 = 40Ω
§ CONCLUSÃO: quanto maior for a corrente sobre o diodo, mais
desprezível será o valor da sua resistência DC
ü Para a análise AC, a relação é análoga, porém utiliza-se o conceito de

variação infinitesimal sobre o ponto de operação DC, onde rD = δVD / δID. A
Figura 2.7 ilustra essa variação a partir de um ponto real de operação.
ü Se aplicarmos o conceito de reta tangente sobre o ponto de operação, temos
na verdade a operação matemática de diferenciação da função associada à
curva apresentada. Fazendo essa diferenciação, a partir da equação
característica, será obtido como resultado, rD ≈ 26mV / ID.

Santo André
Figura 2.7 – Determinação da resistência AC (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)
Sendo assim, a partir do exposto acima, é possível representar um diodo

real usando três elementos de circuito: uma fonte V de valor igual a 0,7 Volts, um
resistor R (rAV) e o próprio diodo, já previamente demonstrado a sua simbologia de
circuito. A Figura 2.8 a seguir, mostra o diodo real.
Figura 2.8 – Diodo Real (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)
Para algumas aplicações, é possível que esse modelo real possa ser
simplificado, eliminando-se o resistor R, caso a corrente ID assuma uma valor
grande, comparado a tensão de 0,7 Volts.
2.4 – O Circuito Retificador
O retificador é o circuito eletrônico responsável pela conversão de um sinal

AC (alternado) em um sinal DC (contínuo), através da utilização de um ou mais

Santo André
diodos. O sinal de saída obtido em um retificador é um sinal composto por uma

parcela AC e por uma parcela DC, onde o objetivo final é minimizar a parcela AC e
maximizar a parcela DC, através de técnicas que serão estudadas e apresentadas
mais adiante.
Os circuitos retificadores que serão estudados são formados por um, dois ou
quatro diodos, os quais recebem o nome de ½ onda, onda completa e ponte,
respectivamente.
2.4.1 – O Retificador de ½ Onda
O circuito retificador de ½ onda utiliza apenas um único diodo, fazendo com

que o semi-ciclo negativo do sinal senoidal seja eliminado. Com isso, a simetria
existente no sinal original é perdida, e uma parcela de tensão DC surge no sinal
retificado, como já era esperado. A Figura 2.9 a seguir, ilustra o circuito retificador
básico, excitado por um sinal senoidal vi(t) = VM . sen(wt).
Figura 2.9 – Retificador ½ Onda (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)
Como já mencionado anteriormente, no primeiro semi-ciclo da senóide

(Figura 2.10), o diodo estará diretamente polarizado, assumindo um curto circuito
equivalente entre os seus terminais, e provocando uma queda de tensão igual a 0,7
Volts, fazendo com que o valor máximo do sinal de saída VO seja igual à (Vm-0,7).
Já no segundo semi-ciclo (Figura 2.11), o diodo estará reversamente
polarizado, fazendo com que a tensão de saída passe ser igual a zero volts, devido
ao diodo se comportar como um circuito aberto nessa condição.

Santo André
Figura 2.10 – 1º Semi-ciclo de funcionamento (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)
Figura 2.11 – 2º semi-ciclo de funcionamento (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)
O valor da tensão média (VMÉDIO) e eficaz (VEFICAZ) em um retificador de meia

onda pode ser obtido a partir das definições apresentadas no capítulo 1, usando um
cálculo integral a partir do sinal de saída apresentado pela Figura 2.10 e pela Figura
2.11 anteriormente.
1 T
VMÉDIO =
T ∫0
(
. f (t ).dt ≅ 0,318. VMÁX . − 0,7 ) ⎣⎡VDC ⎦⎤
⎛1 T ⎞
⎝T 0 ⎠
(
VEFICAZ = ⎜ .∫ f (t )2.dt ⎟ ≅ 0,5. VMÁX . − 0,7 ) ⎡⎣VEF ⎤⎦
ü OBSERVAÇÃO: quando o diodo está “cortado”, toda a tensão da fonte, do seu

semiciclo negativo, recai sobre os terminais do diodo. A essa tensão, da-se o
nome de PIV – Peak Inverse Voltage, ou tensão de pico reverso. Dessa forma, é
importante que o seu valor não ultrapasse o valor máximo de polaridade reversa
informado no datasheet do componente VPIV ≥ VMÁX.

Santo André
ü Parte Prática
No circuito retificador a ser montado no kit da BIT9, considere a tensão a ser

aplicada no circuito igual a 15 VRMS. Considere a queda de tensão sobre o diodo
como sendo de 0,7V. Calcule a tensão de pico reversa sobre o diodo, a tensão
média (VMÉDIO) e a tensão eficaz (VEFICAZ) sobre a resistência RL, a corrente média e
a freqüência da ondulação. Registre os valores calculados na Tabela 2.2 a seguir.
Tabela 2.2 – Parte Prática Retificador de ½ Onda
Grandezas Calculado/Teórico Medido
Tensão Eficaz Entrada

Tensão de Pico Entrada
Tensão Média Saída
Tensão Eficaz Saída
Corrente Média Diodo
Corrente Eficaz Diodo
Frequência Saída
2.4.2 – O Retificador de Onda Completa
a) Circuito em ponte
O circuito em ponte emprega 4 diodos devidamente posicionados e

interligados, conforme é apresentado pela Figura 2.12 a seguir. Esse circuito recebe
o nome também, de retificador de onda completa, pois aproveita toda a excursão
do sinal senoidal, tanto o semiciclo positivo como o semiciclo negativo (que era
“desprezado” no retificador de ½ onda). Por esse motivo, existe uma melhoria
significativa no valor do nível DC de tensão de saída, além de apresentar um sinal
retificado com o dobro da freqüência do sinal de entrada do circuito.

Santo André
Figura 2.12 – Circuito retificador em ponte (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)
O principio de funcionamento é bastante simples, sendo que somente

existirão dois diodos conduzindo por cada semiciclo. As Figuras 2.13 e 2.14
mostram quais diodos estão conduzindo e quais diodos estão “cortados” em cada
semiciclo do sinal senoidal.
O valor da tensão média (VMÉDIO) e eficaz (VEFICAZ) em um retificador de onda

completa em ponte pode ser obtido a partir das definições apresentadas no Capítulo
1, usando um cálculo integral a partir do sinal de saída apresentado pelas Figuras
2.12, 2.13 e 2.14 anteriormente.

Santo André
1 T
VMÉDIO =
T ∫0
(
. f (t ).dt ≅ 0, 636. VMÁX . − 1, 4 ) ⎡⎣VDC ⎤⎦
⎛1 T ⎞ V
VEFICAZ = ⎜ .∫ f (t )2.dt ⎟ ≅ MÁX .
(
− 1, 4 ) ⎡⎣VEF ⎤⎦
⎝T 0 ⎠ 2
ü OBSERVAÇÃO: quando o diodo está “cortado”, toda a tensão da fonte, recai

sobre os terminais do diodo. Dessa forma, é importante que o seu valor não
ultrapasse o valor máximo de polaridade reversa informado no datasheet do
componente VPIV ≥ VMÁX.

Tabela 2.3 – Parte Prática Retificador de Onda Completa – Circuito em Ponte

Frequência Saída

Santo André
b) Circuito com tap central
O circuito com tap central emprega o mesmo conceito do retificador de onda

completa, apresentado no item a, porém agora usando apenas dois diodos, ao
invés de 4 diodos, como no retificador em ponte.
Basicamente, o circuito com tap central nada mais é do que a soma de dois
circuitos retificadores de meia onda, formando um retificador de onda completa. A
Figura 2.15 a seguir, mostra o circuito retificador com tap central.
Figura 2.15 – Circuito retificador com tap central (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)
O valor da tensão média (VMÉDIO) e eficaz (VEFICAZ) em um retificador de onda

completa com tap central pode ser obtido a partir das definições apresentadas no
capítulo 1, usando um cálculo integral a partir do sinal de saída apresentado pelas
Figuras 2.12, 2.13 e 2.14 anteriormente.
1 T
VMÉDIO =
T ∫0
(
. f (t ).dt ≅ 0, 636. VMÁX . − 0,7 ) ⎣⎡VDC ⎦⎤
⎛1 T ⎞ V
VEFICAZ = ⎜ .∫ f (t )2.dt ⎟ ≅ MÁX .
(
− 0,7 ) ⎡⎣VEF ⎤⎦
⎝T 0 ⎠ 2

Santo André
ü OBSERVAÇÃO: quando o diodo está “cortado”, toda a tensão da fonte, somado

com a tensão existente sobre a carga, recai sobre os terminais do diodo. Dessa
forma, é importante que o seu valor não ultrapasse o valor máximo de
polaridade reversa informado no datasheet do componente VPIV ≥ 2VMÁX.

Tabela 2.4 – Parte Prática Retificador de Onda Completa – Circuito em Ponte

Frequência Saída
2.5 – Fator de Ripple (ondulação) em retificadores
O fator ripple é a ondulação AC presente no sinal de saída do circuito

retificador, seja em ½ onda ou em onda completa, através da seguinte relação
matemática:
VR
Ripple = , onde VR é a componente AC do sinal retificado e VDC é o valor médio
VDC

Santo André
O valor da componente AC do sinal retificado pode ser obtido através das

relações de potência:
VEF 2 VDC 2 VAC 2

PEF = PDC + PAC → = + ∴VAC = VEF 2 − VDC 2
R R R
Para um retificador de onda completa, desprezando os efeitos das quedas de

tensão sobre os diodos, temos:
VR = 0,3077 * VMÁX [Volts ]
Substituindo o valor obtido acima na equação que define o valor do ripple,

temos:
VR 0,3077 * VMÁX
Ripple = → ∴ RippleO.C. ≅ 0,483
VDC 0,636 * VMÁX
Aplicando as mesmas relações apresentadas acima, porém agora para o

retificador de meia onda, temos:
VR 0,3856 * VMÁX
Ripple = → ∴ Ripple1/2 ONDA ≅ 1,21
VDC 0,318 * VMÁX
2.6 – Capacitor de filtragem
Com o objetivo de elevar o nível de tensão DC da saída do circuito

retificador, diminuindo a parcela AC presente na retificação (diminuir o ripple do
circuito), um capacitor eletrolítico (polarizado) será adicionado ao circuito
retificador, em paralelo com a resistência RL de saída.
O circuito retificador passará a operar com a carga e descarga do capacitor,
permitindo com isso, o uso da sua energia armazenada para auxiliar a manter o
nível de tensão DC na saída do retificador.

Santo André
A Figura 2.16 mostra a forma de onda de um circuito retificador de onda

completa, e uma forma de onda triangular aproximada, que á forma de onda que
representa a relação de carga e descarga capacitiva. A Figura 2.17 mostra essa
forma de onda triangular em destaque.
Figura 2.16 – Circuito retificador com filtro capacitivo (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)
Figura 2.17 – Forma de onda triangular (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)
A partir da observação das Figuras 2.16 e 2.17, o equacionamento abaixo é

apresentado com o objetivo de encontrar a relação do capacitor desejado, em
função da corrente de carga e do valor de ripple desejado.
T
VRPP VMÁX VRPP *
= → T1 = 4 Equação 1
T T VMÁX
4

Santo André
T 2 * VMÁX − VRPP T
T2 = − T1 → T2 = * Equação 2
2 VMÁX 4
VRPP
VDC = VMÁX − Equação 3
2
IDC * T2
VRPP = Equação 4
C
Substituindo a equação 4 na equação 3, temos:
VDC T
T2 = * Equação 5
VMÁX 2
Substituindo a equação 5 na equação 4, temos:
VDC * IDC
VRPP = Equação 6
2 * VMÁX * C * f
Caso a tensão VR seja especificada em valores eficazes, temos:
VDC * IDC
VREF = Equação 6
4 3 * VMÁX * C * f
ü Considerações Importantes:
o Aumentando o valor do capacitor C, o valor da tensão de ripple VR

diminui, proporcionando um aumento do valor da tensão de saída
VDC;
o Aumentando a corrente de carga IDC, mantendo todos os demais
itens constantes, o valor da tensão VR aumenta;
o O cálculo acima fornece uma idéia inicial do valor do capacitor, sendo
passível de ajustes na prática.

Santo André
Capítulo 3 – Fonte Regulada de Tensão com Transistor TJB e Diodo Zener
Uma fonte estabilizada de tensão é uma fonte onde as variações sofridas pela tensão
de saída VL são pequenas quando comparadas com as variações da corrente de carga IL e da
tensão de alimentação VE. O objetivo de uma fonte estabilizada de tensão é de manter sempre
constante a tensão de saída, independentemente do valor da carga que está sendo colocada.
Na prática, devido os componentes empregados na construção da fonte, sabemos que existirá
limites para a sua utilização de forma segura, sem que a utilização da fonte seja realizada de
forma destrutiva.
Estudaremos dois tipos de fontes de tensão regulada, uma usando apenas o diodo
zener (já estudada em semestres anteriores) e a outra, usando o diodo zener e também um
transistor TJB – NPN.
3.1– Fonte Regulada de Tensão com Diodo Zener
Os diodos Zener são componentes passivos de circuito (recebem energia) e são

fabricados com valores de tensão e potência determinados, onde esses dados são fornecidos
pelo fabricante (Pzmáx e Vz). Esses valores serão muito importantes para o dimensionamento
correto da fonte de tensão.
A Figura 3.1 a seguir mostra a curva característica de funcionamento do diodo.
Perceba que existe uma pequena variação no valor da sua tensão Vz (definida pelo fabricante)
em função da corrente Izmín e Izmáx.
Figura 3.1 – Curva característica do diodo Zener e sua simbologia

Santo André
O circuito da Figura 3.2 a seguir, representa uma fonte de tensão regulada usando
apenas o diodo zener. Nesse circuito, temos a tensão VE (não regulada / estabilizada), as
resistências RS e RL. A função da resistência RS é de polarizar o diodo zener e garantir que o
mesmo trabalhe dentro da região ativa, já apresentada anteriormente pela Figura 3.1.
Figura 3.2 – Circuito da FET usando apenas Diodo Zener
3.1.1– Princípio de Funcionamento do Circuito
Realizando uma análise na malha que envolve o Diodo e a Resistência RL,

percebemos que VZ possui o mesmo sentido de VL, ou seja, a estabilidade da tensão de saída
é garantida pela tensão estável proporcionada pelo diodo zener.
Analisando a malha que envolve a fonte de tensão VE, a resistência RS e o Diodo
Zener, chegamos facilmente na relação apresentada pela Figura 3.2 (VE = VS + VZ). Realizando
uma análise nodal, podemos escrever a relação das correntes apresentada, onde IS = IZ + IL.
Variações permitidas para RL e VE no circuito
a) Limites para RL com VE constante:
Quando estudamos esse caso, temos que levar em consideração a análise nodal
apresentada acima. Vamos exemplificar dois casos extremos, usando um valor de RL muito
elevado (RL → ∞) e usando um valor de RL baixo. Como a função da fonte de tensão é manter
constante a tensão de saída, essa variação de RL proposta, fará com que o valor da corrente
na carga também receba essa variação, porém de forma inversa, ou seja:

Santo André
RLMIN → I LMÁX
RLMÁX → I LMÍN
Como o valor de da resistência RS está fixo, e não será alterado, qualquer alteração no
valor de IL fará com que a corrente IZ seja alterada também, para que a relação apresentada
pela análise nodal não se altere. Dessa forma, os valores muito elevados de RL não são
importantes e devemos levar em conta apenas os valores baixos de RL para que a fonte não
pare de funcionar.
CONCLUSÃO: Uma fonte de tensão regulada a zener apenas, fica sempre dependente do
valor da carga a ser empregada para que não cause perturbações no funcionamento do Diodo
Zener, componente este essencial para manter estável a tensão de saída. Dessa forma,
podemos desenvolver o seguinte raciocínio:
VZ
RLMIN → I LMÁX → I ZMIN → I LMÁX = I S − I Z MIN → RLMIN =
I LMÁX
VZ
∴ RLMIN =
(I S − I ZMIN )
DICAS:
ü O valor de RS pode ser escolhido para colocar a corrente IZ próxima do seu valor máximo,
pois a medida que vamos diminuindo o valor de RL, a corrente IL vai aumentando fazendo
com que IZ diminua, garantindo a operação do zener;

VE − VZ
RS =
I ZMÁX
PZMÁX
I ZMÁX =
VZ
ü O valor da tensão VE deve ser sempre maior do que o valor da tensão VZ.

Santo André
b) Limites para VE com RL constante:
Quando analisamos o circuito com essa configuração, considerando RL como sendo

constante, teremos também que o valor da corrente IL passe a ser constante:
VZ
IL =
RL
∴VEMIN = RS *( I Z MIN + I L ) + VZ
∴VEMÁX = RS *( I Z MÁX + I L ) + VZ
Sendo assim, com essas duas análises, garantimos o funcionamento da fonte

estabilizada, mostrando os seus limites de operação para variações admissíveis na tensão de
entrada e na carga a ser ligada nessa fonte
3.2 – Fonte Regulada de Tensão com Diodo Zener e Transistor
Uma forma de melhorar o sistema de regulação da tensão de saída da fonte estudada

anteriormente é conseguida com a colocação de um transistor NPN ao sistema, resultando na
montagem apresentada pela Figura 3.3 a seguir. A vantagem do acréscimo do transistor no
circuito é que, a partir de agora, a corrente que a carga irá drenar da fonte, passará pelo
transistor, e não mais pela resistência RS, que polarizava o diodo zener. Sendo assim, agora na
equação nodal (para o ponto de união entre a resistência RS, o transistor e o diodo zener) fica
definida pela soma de IZ com IB (IS = IZ + IB). Dessa forma, como a parcela da corrente IB é bem
pequena, a polarização do diodo zener está garantida, independentemente da carga a ser
colocada na FET.
Figura 3.3 – Fonte de Tensão Estável com Transistor e Diodo Zener

Santo André
3.2.1 – Princípio de Funcionamento do Circuito
Novamente, realizando uma análise na malha que envolve a resistência RL, o diodo
zener, e a base-emissor do transistor, a tensão VL é garantida estável através do valor da
tensão VZ menos 0,7 Volts, que é a tensão VBE do transistor (VL = VZ – VBE).
Variações permitidas para RL e VE no circuito:
a) Limites para RL com VE constante:
Inicialmente, vamos fazer as mesmas considerações que fizemos quando analisamos o

circuito sem o transistor. Vamos exemplificar dois casos extremos, usando um valor de RL
muito elevado (RL → ∞) e usando um valor de RL baixo resultando nas definições abaixo já
comentadas anteriormente.
RLMIN → I LMÁX
RLMÁX → I LMÍN
Vamos analisar, a partir da linha de raciocínio apresentada acima, o pior caso, onde
teremos a situação de RL baixo, resultando em valores grandes de IL. Para a malha que
envolve o transistor e o diodo zener, podemos escrever as seguintes relações:
RLMIN → I LMÁX → VL = VZ − VBE
Analisando a malha externa, que envolve o transistor, a resistência RL e a fonte de

tensão VE, podemos dessa forma, determinar o valor de VCE quiescente do circuito:
VCEQUISCENTE = VE − VL
Uma aproximação válida, é dizer que a corrente de emissor é aproximadamente igual a

corrente de coletor em um transistor. Dessa forma, podemos determinar através da potência
máxima de coletor, uma corrente IC (chamada de IC por limite de potência) é definida em função
do valor de VCE quiescente, conforme o desenvolvimento matemático a seguir:

Santo André
PC = VCE * I C → PCMÁX = VCEQUIESCENTE * I CLim. Pot .

PCMÁX
I LMÁX = I C =
Lim . Pot .
VCEQUIESCENTE
∴ RLMIN =
VL
=
(VZ − VBE )
1
IC ⎛ PCMÁX ⎞
Lim . Pot .
⎜ ⎟
⎝ V CE ⎠
Vamos agora, realizar a mesma análise, porém do ponto de vista dos limites de
operação do diodo zener. Analisando a malha que envolve o transistor, a resistência RL e o
diodo zener, podemos escrever a relação:
VL
RLMIN = , sendo I LMÁX = I CMÁX = β * I BMÁX
2
I LMÁX
Como o valor de IS é constante e fixo definido pela resistência RS, o valor de IB pode ir
aumentando até um determinado valor. Através da equação nodal apresentada e da curva
característica de funcionamento do diodo zener, fica evidente que IB pode aumentar até que
seja atingido o valor de IZ mínimo, para garantir o funcionamento da FET. Dessa forma,
podemos escrever as seguintes relações:
I LMÁX → I BMÁX → I BMÁX = I S − I ZMIN ∴ RLMIN =

(Vz − VBE )
2
β *( IS − IZ MIN
)
Com os valores de RLMIN1 e RLMIN2 determinados, entre os valores MÍNIMOS,
escolhemos o MAIOR.
b) Determinação dos valores limites para VE com RL constante:
Fixando o valor de RL, passamos a manter a corrente IL fixa e constante também.

Como nas análises anteriores, vamos verificar os limites permitidos de variação da tensão VE
através das limitações do transistor e do diodo zener.

Santo André
VL
IL = → cte ∴ I B → cte
RL
Analisando a malha externa, que envolve o transistor, a resistência RL e a fonte de

tensão VE, podemos escrever as seguintes relações:
VE = VCESAT + VL
MIN 1
VE = VCEMÁX + VL
MÁX 1
VE = VCELim. Pot . + VL
MÁX 2
PCMÁX
VCELim. Pot . =
IL
Analisando agora a malha interna, que envolve o diodo zener, a resistência RS e a

fonte de tensão VE, podemos escrever as seguintes relações:
(
VEMIN = RS * I Z MIN + I B + VZ
2
)
(
VEMÁX = RS * I Z MÁX + I B + VZ
3
)
IL
IB =
β
A faixa de operação permitida para a fonte de tensão VE fica definida pela escolha
entre os valores máximos e mínimos determinados nas duas análises. Eles serão escolhidos
da seguinte forma:
ü Entre os valores MÍNIMOS, devemos escolher o MAIOR.
ü Entre os valores MÁXIMOS, devemos escolher o MAIOR

Santo André
3.3 – Exercícios
1. Calcular o valor de RLMAX e RLMIN, sabendo-se que a tensão sobre o diodo zener é igual à VZ
= 5,6 V, a sua potência máxima é igual a PZ = 100mW e o valor da resistência é igual a RS =
640Ω. O transistor possui um valor de beta de aproximadamente 100 e a tensão VBE = 0,6V.
Faça a análise somente do ponto de vista do dimensionamento do diodo zener. Considere a
potência do transistor muito alta.
2. Para o circuito anterior. Se RL = 100Ω , calcular a corrente no diodo zener.
a) IZ = 9,5mA.
b) PZ = 50mW.
c) IZ = 10mA.
d) O zener queimará nesta condição.
e) Nenhuma das anteriores.
3. Calcular a potência dissipada no transistor para RL = 100Ω.
a) PC = 700mW.
b) PC = 1.200Mw.
c) PC = 350W.
d) PC = 550mW.
e) Nenhuma das anteriores.

Santo André
Capítulo 4 – Transistores de Junção Bipolar – TJB
Ao longo do nosso atual curso de eletrônica, foram estudados já alguns componentes

semicondutores de extrema importância, componentes estes que foram o diodo e o diodo
Zener. Além disso, foram estudados também os circuitos utilizando esses componentes, onde
pudemos estudar, de uma forma simplificada ainda é claro, o funcionamento de um alternador
de um carro. Foi estudado também o circuito retificador de meia onda e onda completa, fonte
de tensão regulada e diferentes formas de polarização do transistor TJB. Agora, vamos
começar a estudar um novo componente eletrônico no nosso curso de Eletrônica, que é o
transistor bipolar de junção – TJB.
4.1 – O Transistor de Junção Bipolar – TJB
As características principais referentes ao ponto de operação do mesmo, ou seja, quais

são as limitações do transistor, que podem ser retiradas diretamente do manual do mesmo,
fornecido pelo fabricante, conhecido como Datasheet. Caso o aluno deseje mais informações
sobre as características de construção do TJB, indica-se a leitura do Capítulo 3 do livro texto
da disciplina “Dispositivos e Circuitos Eletrônicos – Robert L. Boylestad”. Os dados mais
importantes para a utilização do transistor são os listados a seguir:
ü Potência de Coletor Máxima: PcMÁX, [W]

ü Tensão entre Coletor e Emissor Máxima: VceMÁX (NPN) ou VecMÁX (PNP), [V]
ü Tensão entre Coletor e Emissor de Saturação: VceSAT (NPN) ou VecSAT (PNP) , [V]
ü Corrente de Coletor Máxima: IcMÁX, [A]
ü Ganho de Corrente – β ou hFE
Figura 4.1 – Transistor NPN e PNP, respectivamente

Santo André
Tão importantes quanto os dados retirados do datasheet, são as relações matemáticas

comuns aos transistores PNP ou NPN, apresentadas a seguir:
ü Tensão entre base e emissor: VBE ≈ 0,7 Volts

ü Corrente de Coletor ≈ Corrente de Emissor (IC ≈ IE)
ü Corrente de Coletor = β x Corrente de Base (IC = β x IB)
ü Potência de Coletor Máxima (PcMÁX) = VCE x IC
Outro ponto muito importante para o estudo e para a correta utilização do transistor
TJB é a chamada curva característica do componente (Figura 4.2), onde são apresentados os
seus limites de operação. A partir dessa curva, pode-se realizar a polarização direta do
transistor, conhecendo dados como corrente de coletor e tensão de alimentação, como
veremos mais a diante durante o nosso curso. Analisando a Figura 4.2, podemos concluir que:
ü A corrente de coletor máxima do componente (IcMÁX) é de 50 mA

ü A tensão entre coletor e emissor máxima (VceMÁX) é de 20 Volts
ü A tensão entre coletor e emissor de saturação (VceSAT) é de 0,3 Volts
ü A potência de coletor máxima (PcMÁX) é de 300 mW
2º Ponto
1º Ponto
Figura 4.2 – Curva Característica do Transistor TJB
Para uma operação segura do componente, podemos polarizar o mesmo em qualquer

ponto de operação, desde que esse ponto esteja dentro da área delimitada pelos valores
máximos, ou seja, dentro da área branca delimitada pelos extremos cinza.

Santo André
Caso o fabricante não forneça o gráfico de curva característica do componente, é

possível traçar esse gráfico de uma forma bastante simples, apenas conhecendo os limites de
operação do transistor. Com os limites de operação em mãos, os pontos 1 e 2 ficam definidos
de forma direta, ou seja:
PCMÁX = VCE * IC → 300mW = VCE *50mA∴VCE ≅ 6V (1º Ponto)

PCMÁX = VCE * IC → 300mW = 20V * I C ∴ I C ≅ 6 A (2º Ponto)
Com esses dois pontos definidos, basta que sejam adotados valores
intermediários de tensão VCE compreendidos entre 0,3 Volts ≤ VCE ≤ 20 Volts e dessa
forma, encontrar os valores de IC correspondentes, a partir do valor de potência de
coletor máxima igual a 300 mW.
Ou também é possível que sejam adotados valores intermediários de corrente,
compreendidos entre 0mA ≤ IC ≤ 50mA e dessa forma, encontrar os valores de VCE
correspondentes, a partir da potência de coletor máxima igual a 300 mW.
1.2 – A polarização do Transistor de Junção Bipolar – TJB
A partir de agora, com os limites de operação definidos, e as relações básicas

conhecidas do transistor TJB, vamos relembrar e estudar as três configurações para
polarização DC mais utilizadas com o transistor TJB, e que posteriormente iremos utilizá-las
para o estudo de amplificadores de pequenos sinais. Vale lembrar que o intuito desse capítulo
é apenas dar ao aluno uma breve revisão de um assunto já estudado no semestre anterior.
Caso o aluno desejar realizar um estudo mais aprofundado, indica-se a leitura do capítulo 4 do
livro texto da disciplina “Dispositivos e Circuitos Eletrônicos – Robert L. Boylestad”.
1.2.1 – Polarização Fixa:
Para o estudo dessa polarização e das demais que iremos relembrar nesse capítulo,
estudaremos basicamente para o equacionamento do circuito, duas malhas: a malha
compreendida pelo emissor e coletor do transistor e a malha compreendida pela base e pelo
emissor do transistor. Dessa forma, duas equações serão determinadas, usando as leis de
Kirchoff estudadas no primeiro semestre do curso, na disciplina de Eletricidade Básica.

Santo André
Figura 4.3 – Circuito Básico de Polarização DC TJB – Polarização Fixa
Equacionamento:
ü Malha BASE – EMISSOR:
Vcc = VRB + VBE → VRB = Vcc − VBE →

Vcc − VBE
→ RB * I B = Vcc − VBE →∴ I B =
RB
ü Malha COLETOR – EMISSOR:
Vcc = VRC + VCE → VRC = Vcc − VCE →

Vcc − VCE
→ RC * I C = Vcc − VCE →∴ I C =
RC

Santo André
Uma vez equacionado o circuito, por onde devemos começar a escolher os valores das
variáveis das equações? A resposta para essa pergunta torna-se fácil de ser respondida
quando recorremos à ajuda dos limites de operação do transistor. Observe a Figura4.4 a
seguir, onde é apresentada novamente a curva característica do transistor TJB e uma reta
traçada dentro dessa área útil, chamada de reta de carga.
Os limites de operação do transistor são os extremos da reta de carga, a partir da
equação obtida através da análise da malha COLETOR - EMISSOR, podemos obter o valor da
corrente de coletor máxima quando tornamos o valor de VCE igual a zero na equação. Da
mesma forma, o valor de VCE fica determinado quando tornamos o valor de IC igual a zero na
equação, como mostra o equacionamento a seguir:
Figura 4.4 – Curva característica do Transistor com a Reta de Carga Traçada
Vcc
VCE = 0 ∴ I C =
RC
I C = 0 ∴ VCE = Vcc
Sendo assim, para que possamos iniciar a polarização do circuito, e determinar

algumas incógnitas nas equações das malhas analisadas, basta que, a partir dos dados
máximos fornecido pelo fabricante do componente através do seu respectivo datasheet, sejam
adotados os seguintes valores para VCC e IC:

Santo André
VCC ≤ VCEMÁX e IC ≤ ICMÁX
Uma vez determinado os valores de VCC e de IC, substituindo esses valores nas
equações determinadas através da análise das malhas, determina-se as demais variáveis e os
valores das resistências RB e RC necessárias para colocar o circuito em funcionamento.
Observação Importante: Perceba que, aumentando ou diminuindo o valor de RC a inclinação

da reta de carga é alterada, desde que o valor de VCC seja mantido constante. Da mesma
forma, mantendo-se o valor de RC constante, e alterando-se o valor de VCC surgem retas
paralelas a reta de carga originalmente encontrada. Essa observação será muito importante
quando iniciarmos o estudo de amplificadores de pequenos sinais.
Figura 4.5 – Variações das Retas de Carga em função da variação de Vcc e Rc
Exemplo 1:
Vamos utilizar os dados do transistor apresentado na Figura 4.2 pela sua curva
característica, e dessa forma, escolher valores adequados para VCC e IC:
Dados do Transistor:
ü IcMÁX = 50 mA
ü VceMÁX = 20 Volts
ü VceSAT = 0,3 Volts
ü PcMÁX = 300 mW
ü β = 200

Santo André
Escolha dos pontos da reta de carga (aleatório):
ü Ic = 35mA
ü Vcc = 15 Volts
Equacionamento do circuito:
Vcc = VRB + VBE → VRB = 15 − 0.7 → RB * I B = 15 − 0.7

35 x10−3
I C = 35mA → I B = ∴ I B ≅ 175µ A
200
RB *175 x10−6 = 15 − 0.7 ∴ RB ≅ 82k Ω
Adotando VCE ≈ 50% VCC, chega-se ao valor desejado de RC:
Vcc = VRC + VCE → VRC = 15 − (0.5*15) → RC *35 x10−3 = 15 − (0.5*15)

∴ RC ≅ 210Ω
Apenas para verificação, vamos calcular o valor da potência de coletor do circuito:
PCOLETOR = VCE * I C → PCOLETOR = 7.5*35 x10−3

PCOLETOR = 260mW ≤ 300mW ∴ OK !!!!!
Simulando os valores encontrados no software Circuit Maker, encontramos os valores

de IC e de IB aproximadamente iguais aos valores teóricos calculados. Os valores obtidos são
apresentados na Figura 4.6 a seguir.
Exercícios Extras: Desenvolver os exercícios propostos pelo livro texto, capítulo 4, item 4.3,
exercícios de 1 a 5.

Santo André
Figura 4.6 – Simulação do Circuito por Polarização Fixa
1.2.2 – Polarização por Circuito Estável de Emissor:
O circuito por polarização estável de emissor contém um resistor de emissor para

melhorar o nível de estabilidade da polarização apresentada pela configuração anterior. A
melhoria será demonstrada mais adiante com um exemplo numérico, comparando as duas
polarizações usando o mesmo transistor, através de uma variação no seu valor de ganho de
corrente beta (β), fato muito comum no dia a dia, onde o circuito é projetado para um
determinado valor de beta, e, por algum motivo, é necessário realizar a troca do transistor.
Mesmo trocando o transistor por outro, de mesmo código, mesmo fabricante, etc, vai existir
uma variação no valor de beta, e conseqüentemente, existirá uma variação do ponto de
polarização do circuito. A solução definitiva para esse problema é solucionada pelo terceiro tipo
de polarização, que estudaremos mais a diante.

Santo André
Figura 4.7 – Polarização por Circuito Estável de Emissor
Equacionamento:
ü Malha BASE – EMISSOR:
Vcc = VRB + VBE + VRE → VRB + VRE = Vcc − VBE

( RB * I B ) + ( RE * I E ) = Vcc − VBE
Chegamos a uma relação onde temos duas variáveis, que são o nosso objetivo de
estudo, que são as correntes IB e IE. Para solucionarmos essa equação, basta lembrarmos que
a corrente de emissor IE é a soma da corrente de coletor IC com a corrente de base IB,
resultando na seguinte análise:
I E = IC + I B → IC = β * I B
I E = ( β * I B ) + I B ∴ I E = ( β + 1) * I B

Santo André
Substituindo a relação determinada acima na equação obtida através da análise da

malha BASE EMISSOR, temos:
( RB * I B ) + ( RE * I E ) = Vcc − VBE → ( RB * I B ) + ( RE * ⎡⎣( β + 1) * I B ⎤⎦ )

Vcc − VBE
∴ IB =
RB + ( RE * ( β + 1) )
ü Malha COLETOR – EMISSOR:
Vcc = VRC + VCE + VRE → VCC = ( RC * I C ) + VCE + ( RE * I E )

IC ≅ I E ∴
VCC = ( RC * I C ) + VCE + ( RE * I C ) → VCC = I C ( RC + RE ) + VCE
Vcc − VCE
∴ IC =
RC + RE
Uma vez equacionado o circuito apresentado pela Figura 4.7 devemos seguir as
mesmas orientações para a escolha dos componentes e dos valores dos extremos da reta de
carga apresentados na polarização por polarização fixa.
Exemplo 2:
Vamos utilizar os mesmos dados do transistor utilizado no Exemplo 1, apresentado na

Figura 4.2 pela sua curva característica, escolhendo outros valores adequados para VCC e IC:
ü β = 200

Santo André
ü Ic = 25mA
Vcc = VRB + VBE + VRE → VRB + VRE = 18 − 0.7

( RB * I B ) + ( RE * I E ) = 18 − 0.7 → ( RB + ⎡⎣( β + 1) * RE ⎤⎦ ) * I B = 17.3
25 x10−3
I C = 25mA → I B = ∴ I B ≅ 125µ A
200
( )
∴ RB + ⎡⎣( 201) * RE ⎤⎦ *125 x10−6 = 17.3
Como podemos perceber, chegamos a uma equação com duas incógnitas. Da mesma
forma que no circuito anterior, onde adotamos VCE ≈ 50% VCC para ser possível a determinação
do valor desejado de RC, na polarização por circuito estável, será adotada uma relação prática
para as tensões dos resistores, determinando assim os valores dos componentes: VCE ≈ 50%
VCC; VRC ≈ 40% VCC; VRE ≈ 10% VCC.
VRE ≅ 0.1*Vcc → VRE ≅ 0.1*18 ∴VRE ≅ 1.8 Volts

VRE 1.8
RE = → I E ≅ I C → RE =
IE 25 x10−3
∴ RE = 72Ω
Com o valor determinado de RE torna-se fácil encontrar o valor de RB:
(R B ) ( )
+ ⎡⎣( β + 1) * RE ⎤⎦ *125 x10−6 = 17.3 → RB + ⎡⎣( 201) *72 ⎤⎦ *125 x10−6 = 17.3
125 x10−6 * RB = 17.3 − 1.8
∴ RB ≅ 125k Ω

Santo André
Vamos agora determinar o valor de Rc através da equação da malha COLETOR – EMISSOR:
Vcc = VRC + VCE + VRE → VCC = ( RC * I C ) + VCE + ( RE * I C )

I C ≅ I E ∴18 = ( RC * 25 x10−3 ) + (18*0.5 ) + ( 72* 25 x10−3 )
18 − 9 − 1.8
RC = ∴ RC ≅ 290Ω
25 x10−3
Apenas para verificação, vamos calcular o valor da potência de coletor do circuito:
PCOLETOR = VCE * I C → PCOLETOR = 9*25 x10−3

PCOLETOR = 225mW ≤ 300mW ∴ OK !!!!!

de IC e de IB aproximadamente iguais aos valores teóricos calculados. Perceba também que a
aproximação usada durantes os cálculos, de que o valor da corrente IE é aproximadamente
igual ao valor da corrente IC também é válida. Os valores obtidos são apresentados na Figura
4.8 a seguir.
Figura 4.8 – Simulação do Circuito por Polarização Estável de Emissor

Santo André
1.2.3 – Melhoria na Estabilidade (Polarização Fixa x Polarização Estável)
Vamos realizar um estudo de um problema já previamente comentado, onde em um

circuito em que um transistor TJB esteja corretamente polarizado, acaba ocorrendo uma
necessidade da troca do componente por outro que possui um valor de β diferente do transistor
original. O transistor a ser utilizado será o mesmo que usamos nos Exemplos 1 e 2, bem como
os valores das resistências encontrados para a polarização dos circuitos. A mudança que
iremos fazer é a alteração do valor de β, que originalmente é igual a 200 para um valor de 290
e analisar os valores de tensão e corrente de polarização em cada um dos circuitos. Os
resultados são apresentados pelas Tabelas 4.1 e 4.2 a seguir:
Tabela 4.1 – Variação do β para o Circuito de Polarização Fixa

β IB (µA) IC (mA) VCE (Volts)
200 175 35 7.5

290 175 50 4.5
Tabela 4.2 – Variação do β para o Circuito de Polarização Estável de Emissor

β IB (µA) IC (mA) VCE (Volts)
200 125 25 9
290 117 34 5.6
A conclusão em que se chega é que, o segundo circuito de polarização consegue

conter de uma forma mais eficiente o aumento da corrente IC provocado pela modificação do
valor de β, mantendo-se as características originais de projeto do circuito, ou seja, os mesmos
valores de resistores e de tensão de alimentação.

Santo André
1.2.4 – Polarização por Divisor de Tensão de Base:
Até o presente momento, temos condições de colocar em operação o transistor TJB

usando duas formas diferentes de polarização. Porém, em ambas as polarizações estudadas,
um problema ocorre quando temos uma variação do valor de β, causando uma mudança do
seu ponto de operação originalmente projetado. Esse fato poderá ser visto nas aulas de
laboratório, onde os valores dos resistores do circuito de polarização por polarização estável
foram projetados usando um valor de β que não necessariamente é o mesmo valor que temos
nas placas didáticas do laboratório.
Para minimizar esse efeito, apresentamos o circuito que será o mais utilizado para as
aplicações do transistor TJB como amplificador de pequenos sinais, que é a configuração de
polarização por divisor de tensão de base. A grande “sacada” desse tipo de polarização é
“fazer” com que a corrente de coletor passe a ser “comandada” pela corrente de emissor, e não
pela corrente de base como nas polarizações anteriores.
Para isso, é necessário que a tensão VRE juntamente com a sua resistência, funcione
como uma fonte de corrente constante. O estudo de fonte de corrente será feito com mais
detalhes futuramente ao longo do nosso curso, e por enquanto, basta que se tenha em mente,
que uma fonte de corrente constante é formada por uma fonte de tensão em série com uma
resistência.
Equacionamento:
Vamos adotar o equacionamento através de uma análise aproximada do circuito

apresentado na Figura 4.9, onde através de algumas simplificações, será mais fácil a
determinação das grandezas desejadas, que são os valores dos resistores para que o circuito
opere da forma que se deseja.
Figura 4.9 – Polarização por Divisor de Tensão de Base

Santo André
A análise exata e o equacionamento através dessa análise ficarão como uma leitura
complementar para o aluno realizar no livro texto adotado na disciplina.
A seção de entrada do circuito acima pode ser representada pelo circuito apresentado
pela Figura 4.10 a seguir. A resistência Ri é a resistência equivalente vista da base para a terra,
para o transistor com um resistor de emissor RE, onde o valor de Ri é igual a (β+1)*RE.
Figura 4.10 – Circuito para a Análise Aproximada da Polarização por Divisor de Tensão de Base
Ora, analisando o circuito acima, percebemos que a tensão VB é a tensão formada pela
tensão VRE mais a tensão VBE. Lembrando da análise de resistências em paralelo, e tomando
como premissa que essa polarização visa a independência sobre o valor de beta, e
conseqüentemente da obtenção da corrente de coletor através da corrente de base, basta que
seja adotado um valor de Ri suficientemente alto, de tal forma que a corrente IB que deveria
circular sobre Ri tem que ser o menor valor possível, o que é razoável de ser dito. Geralmente,
considera-se um valor suficientemente alto, quando temos uma relação de pelo menos igual a
10, ou seja:
( β + 1) * RE ≥ 10* R2
Como consideramos que a corrente de base é desprezível, temos que os resistores R1
e R2, que são respectivamente, RB1 e RB2, são elementos em série, e a tensão de base VB pode
ser determinada através de uma relação de divisor de tensão simples (daí o nome da
polarização):
VCC * R2
VB =
R1 + R2

Santo André
Como a corrente de base passa a ser desprezível, temos que a corrente de coletor
passa ser aproximadamente igual à de coletor, e dessa forma, podemos escrever as seguintes
relações:
I B ≅ 0 → I CQ ≅ I E
VE
IE =
RE
VE = VB − VBE
VCEQ = VCC − I CQ ( RC + RE )
Exemplo 3:
Vamos utilizar o transistor BC 547C, que será o mesmo transistor que iremos utilizar
nas experiências de laboratório.
ü β = 300
ü Icq = 12 mA
Para darmos início ao dimensionamento dos resistores, vamos adotar valores para a
Resistência RE e para a tensão VCE:
ü RE = 680Ω e VCE = 9 Volts

Santo André
Com o valor de RE e sabendo que, a corrente de coletor é aproximadamente igual a de

emissor, podemos determinar a tensão VE, e conseqüentemente os valores de VB, RB2, RB1 e
R C:
VRE ≅ RE * I CQ → VRE ≅ 680*12 x103 ∴VRE ≅ 8.2 Volts

( β + 1) * RE ≥ 10* RB 2 → (300 + 1) *680 ≥ 10* RB 2
20.5 x103 ≥ RB 2 → Adotando RB 2 = 10k Ω
VB = VRE + VBE → VB = 8.2 + 0.7 ∴ VB = 8.9V

VCC * RB 2 18*10 x103
VB = → 8.9 = ∴ RB1 ≅ 10k Ω
RB1 + RB 2 RB1 + 10 x103
VCEQ = VCC − I CQ ( RC + RE ) → 9 = 18 − 12 x10−3 * ( RC + 680 )

9 − 18 + 12 x10−3 *680 = −12 x10−3 * RC ∴ RC ≅ 70Ω

de IC e de IE aproximadamente iguais, porém com valores iguais a metade do tornando-se
válida a aproximação realizada durante o equacionamento. Os valores obtidos são
apresentados na Figura 4.11 a seguir.
Observando a simulação, verifica-se que a corrente de coletor resultou em um valor
aproximadamente igual a corrente de emissor, e o valor da corrente de base é praticamente
desprezível, satisfazendo as premissas iniciais desse tipo de polarização.
Para verificar se realmente a polarização por divisor de tensão de base torna-se
praticamente imune as variações de beta, a Figura 4.12 mostra o mesmo transistor com um
valor de beta diferente (400) do da Figura 4.11, que era igual a aproximadamente 670.

Santo André
Figura 4.11 – Polarização por Divisor de Tensão de Base, beta igual a 670
Figura 4.12 – Polarização por Divisor de Tensão de Base, beta igual a 400

Santo André
Capítulo 5 – Amplificador de Pequenos Sinais TJB
No capítulo anterior, estudou-se as diferentes formas de polarização de um transistor

TJB, bem como as problemáticas sobre a variação do ganho de corrente (hFE ou Beta), e
também foram analisadas sugestões para a eliminação desse problema.
Agora no capítulo 5, será estudado o transistor TJB funcionando como amplificador de
pequenos sinais, ou seja, como amplificador apenas de tensão, não se preocupando
inicialmente com a corrente, deixando esse estudo para disciplinas mais a frente do curso de
engenharia.
5.1 – Modelamento AC do Transistor TJB
Um modelo é a combinação de elementos de circuito apropriadamente escolhidos, que

aproximam melhor o funcionamento real de um dispositivo semicondutor sob condições de
operação especifica. Existem basicamente, dois modelos para a análise AC, possíveis para o
transistor TJB:
ü Modelo rE: derivado diretamente das condições de operação do transistor

ü Parâmetros híbridos: fornecido pelos fabricantes para uma determinada região de
operação
Os parâmetros do modelo rE podem ser retirados a partir dos parâmetros híbridos, para
uma determinada região de operação. Com relação à precisão, os parâmetros híbridos sofrem
algumas limitações para um conjunto particular de condições de operação.
Já com o modelo rE, é possível que seja determinado esses parâmetros para qualquer
região de operação, não ficando limitado ao conjunto de parâmetros fornecidos pela folha de
especificação. Entretanto, esse modelo é um tanto falho na justificação da impedância de saída
e nos efeitos da realimentação da saída para a entrada.
Para determinar-se o equivalente AC de um circuito, basicamente alguns passos
devem ser seguidos para a obtenção do equivalente AC:
ü Fazer com que todas as fontes de tensão DC sejam substituídas por um curto circuito
equivalente para o terra, eliminando-as;
ü Substituir todos os capacitores também por um curto circuito equivalente;
ü Remover todos os componentes em paralelo, redesenhando o circuito.

Santo André
Quando se deseja iniciar um estudo AC de um circuito, é desejável que se tenha em

mente os parâmetros que são realmente importantes para a análise como um todo (Impedância
de Entrada e de Saída, Ganho de Tensão AV). Lembrando de alguns teoremas já estudados,
talvez o que será mais utilizado nas aulas de DCE para a análise AC de circuitos, será o
Teorema da Máxima Transferência de Energia, que basicamente tem como objetivo, estudar a
transferência de energia de um circuito a outro, com a mínima perda.
Em Eletrônica Analógica I, o estudo do modelamento do transistor TJB será realizado
sempre usando a configuração de polarização emissor comum, porém os estudos são
análogos para as demais configurações, e deixa-se como estudo para o aluno da disciplina, as
demais configurações possíveis.
5.1.1 – Modelo rE do Transistor TJB:
Esse modelo utiliza como elementos de circuito para a representação do transistor, um

diodo e uma fonte de corrente, controlada por corrente, lembrando que os transistores TJB são
dispositivos de corrente controlados por corrente. A Figura 5.1 a seguir ilustra o modelamento e
a substituição, do ponto de vista de terminal, do transistor pelos elementos de circuito
propostos pelo modelo (diodo e fonte de corrente).
Figura 5.1 – Transistor TJB Emissor comum e o seu respectivo modelo rE
ü Equacionamento do Modelo e Determinação de ZIN e ZOUT:
A corrente no diodo pode ser escrita como sendo igual a:
I DIODO = I EMISSOR = ICOLETOR + I BASE

Santo André
Para a determinação da Impedância de Entrada ZIN, será usado o conceito de

quadripolos ou sistema de duas portas (Figura 5.2), estudo esse que será desenvolvido na
disciplina de Circuitos Elétricos I com mais detalhes. Através da determinação da Impedância
de Entrada ZIN, ficará claro o porquê esse modelo é sensível ao DC de operação do
amplificador.
Figura 5.2 – Conceito de Quadripolo
VIN V
Z IN = → Z IN = BE , mas VBE ≅ β * I B * rE → Z IN ≅ β *VBE
I IN IB
Uma vez definida a Impedância de Entrada, resta à determinação da Impedância de

Saída. Porém ao observar-se a Figura 5.1, percebe-se a ausência de um valor de resistência
para que possa ser determinado o valor da Impedância de Saída, uma vez que, o estudo de
quadripolos sugere que a Impedância de Saída seja determinada colocando-se os terminais de
entrada em curto circuito. Realizando esse procedimento, toda a corrente de coletor irá ser
desviada para o curto circuito, fazendo com que a resistência rE torne-se nula para a
Impedância de Saída, tendo efeito somente para a Impedância de Entrada.
Dessa forma, para o modelo rE, será adotado que o valor de Impedância de Saída será
um valor extremamente elevado, tendendo a infinito.
∴ ZOUT ≅ ∞
5.1.1 – Modelo Híbrido Equivalente do Transistor TJB:
Como foi estudado e provado no item anterior, o modelo rE é um modelo que é sensível
ao nível DC de operação do transistor TJB. Dessa forma, pode-se admitir que a sua
Impedância de Entrada seja um valor que pode variar em função do ponto DC de operação do
transistor.

Santo André
Já no modelo hibrido, os parâmetros são definidos em um ponto de operações fixo,

definido pelo fabricante, porém que pode ou não refletir as condições reais de operação do
amplificador. Isso é devido ao fato de que as tabelas não fornecem os parâmetros para um
circuito equivalente, qualquer que seja o ponto de operações, pois os fabricantes dos
dispositivos escolhem condições de operação que acreditam refletir as características gerais e
que serão mais utilizadas nas maiorias das aplicações com o dispositivo em questão. Os
parâmetros híbridos são definidos como:
ü hIE: Impedância de Entrada

ü hRE: Realimentação de Tensão
ü hFE: Ganho de Corrente
ü hOE: Admitância de Saída
Para o entendimento e determinação dos parâmetros e a posterior obtenção do modelo

hibrido, será utilizado o mesmo conceito de quadripolo apresentado pela Figura 5.2 para
auxiliar o desenvolvimento. Segundo o estudo de quadripolo, o conjunto de equações que
determinam os parâmetros híbridos, a partir da Figura 5.2 é:
VIN = h11 * I IN + h12 *VOUT

I OUT = h21 * I IN + h22 *VOUT
Substituindo os índices IN dos valores de tensão e corrente de entrada, pelos valores

de tensão VBE e corrente de base IB e, da mesma forma, os índices OUT dos valores de tensão
e corrente de saída, pelos respectivos valores de tensão VCE e corrente de coletor IC, temos:
VBE = h11 * I B + h12 *VCE

I C = h21 * I B + h22 *VCE
ü Determinação dos Parâmetros h11 e h21 Fazendo VCE = 0
Das equações apresentadas anteriormente, fazendo VCE igual a zero, temos que:
VBE
VBE = h11 * I B → h11 = hIE = [Ω]
IB

Santo André
IC
IC = h21 * I B → h21 = hFE = [ Admensional ]
IB
Dessa forma, ficam determinados as grandezas de Impedância de Entrada e Ganho de

Corrente. O índice 21 indica que a grandeza em questão está relacionando uma grandeza de
saída com uma grandeza de entrada, portanto, uma relação direta de transferência.
ü Determinação dos Parâmetros h12 e h22 Fazendo IB = 0
Das equações apresentadas anteriormente, fazendo IB igual a zero, temos que:
VBE
VBE = h12 *VCE → h12 = hRE = [ Admensional ]
VCE
IC
I C = h22 *VCE → h22 = hOE = [ Siemens ]
VCE
Dessa forma, ficam determinados as grandezas de Admitância de Saída e Ganho de

Tensão. O índice 12 indica que a grandeza em questão está relacionando uma grandeza de
entrada com uma grandeza de saída, portanto, uma relação reversa de transferência.
Uma vez determinado todos os parâmetros, o modelo equivalente híbrido fica
representado conforme podemos observar na Figura 5.3 a seguir. Observe o circuito com os
seus elementos, e tente realizar a montagem das equações apresentadas inicialmente, através
da análise de malhas.
Figura 5.3 – Modelo AC Equivalente Híbrido

Santo André
5.2 – Amplificadores de Pequenos Sinais com Transistor TJB
Uma vez estudado como é realizada a polarização do transistor TJB, e também os

modelos para análise AC (estudo do amplificador), os próximos passos da nossa disciplina irão
ser focados no estudo do amplificador de pequenos sinais, usando como modelo AC, o modelo
rE, porém o aluno do curso poderá desenvolver os mesmos passos propostos nos itens
seguintes, usando o modelo híbrido do transistor TJB.
Basicamente, o amplificador é “criado” colocando-se dois capacitores ao circuito
original de polarização, seja ele qual for. Esses capacitores têm como função, na entrada do
circuito, de eliminar os níveis DC que possam estar presentes no sinal de entrada, que
poderiam atrapalhar e mudar a polarização do circuito. Já na saída do circuito, a função se
resume basicamente a eliminação do nível DC de polarização, que poderia ser transmitido à
carga ou ao estágio seguinte do amplificador. Mais a diante, esses capacitores irão também
influenciar na resposta em freqüência do amplificador, porém essa abordagem será estudada
em capítulos mais a diante do curso de DCE.
Para o equacionamento do circuito, e determinação dos parâmetros de Impedância de
Entrada, Impedância de Saída e Ganho de Tensão AV, alguns passos devem ser seguidos
para que o circuito possa ser preparado para a análise AC:
ü Remover todas as fontes de tensão DC, impondo um curto circuito para o terra;
ü Substituir todos os capacitores por um curto circuito equivalente;
ü Substituir o transistor pelo modelo AC equivalente;
ü Eliminar os elementos em paralelo, se caso surgirem, e finalizar redesenhando o
circuito.
O nosso estudo será direcionado para as três configurações de polarização

apresentadas, porém o grande esforço e dedicação ficarão concentrados no circuito de
polarização por divisor de tensão, por razões já previamente comentadas sobre a eliminação
da necessidade do beta para o seu ponto de operação.
5.2.1 – Configuração Emissor Comum com Polarização Fixa
A Figura 5.4 a seguir, mostra o circuito amplificador, usando como polarização do TJB
a polarização fixa. Perceba o acréscimo dos capacitores na entrada e na saída do circuito,
ligado a base do transistor (C1) e no coletor do transistor (C2) respectivamente.

Santo André
Figura 5.4 – Amplificador de Pequenos Sinais com Polarização Fixa
Realizando os passos propostos inicialmente para a obtenção do modelo AC, e

substituindo o transistor pelo modelo rE equivalente, as Figuras 5.5 e 5.6 mostram os circuitos
finais obtidos, sendo o circuito da Figura 5.6 o que será usado para realizar e desenvolver todo
o equacionamento para a obtenção da Impedância de Entrada, de Saída e do Ganho de
Tensão AV.
Figura 5.5 – Circuito com os Capacitores Eliminados, bem como a fonte de Tensão DC
Figura 5.6 – Circuito para Análise AC

Santo André
ü Equacionamento do Circuito:
Z IN = RB // ( β * rE )
Z OUT ≅ RC
VOUT Z *I − RC * I C RC * β
AV = → O O → → I C = β * I B ∴ AV = −
VIN Z IN * I IN ( RB // ( β * rE )) * I B RB // ( β * rE )
Analisando a equação que representa o ganho AV, percebe-se que aparece um índice
negativo antes da equação. Esse índice negativo surge apenas para representar que o sentido
real da corrente no modelo está sendo considerado no sentido errado. Na prática, isso significa
dizer apenas que existirá uma inversão de fase do sinal aplicado ao amplificador, fato esse que
pode ser observado na Figura 5.7 a seguir. Essa inversão de fase é uma característica dos
amplificadores montados na configuração emissor comum, e também existirá nas demais
configurações com as outras polarizações.
Figura 5.7 – Inversão de Fase da Tensão
5.2.2 – Configuração Emissor Comum com Polarização por Polarização Estável de

Emissor
a polarização por polarização estável. Perceba o acréscimo dos capacitores na entrada e na
saída do circuito, ligado a base do transistor (C1) e no coletor do transistor (C2)
respectivamente.

Santo André
Figura 5.8 – Amplificador Pequenos Sinais – Polarização Estável, com Capacitor CE
Mais um capacitor, o capacitor CE é acrescentado ao circuito com o objetivo de elevar o

ganho de tensão, eliminando a resistência de realimentação RE (resistor de emissor) que surge
no estudo AC do amplificador. Dessa forma, o circuito para a análise AC, usando o modelo do
transistor rE fica idêntico ao circuito de análise AC do circuito de Polarização Fixa. Dessa forma,
todo o equacionamento dessa configuração passa a ser o mesmo apresentado pela
configuração anterior, com os mesmos valores de ZIN, ZOUT e Ganho AV.
Caso o capacitor CE não fosse empregado no circuito, a Figura 5.9 apresenta o
equivalente AC do amplificador. Perceba o efeito descrito da resistência RE de emissor, como
um elemento comum ao circuito de entrada e de saída. Os efeitos sobre os valores de ZIN, ZOUT
e do Ganho AV, devido à eliminação do capacitor CE fica como sugestão de estudo ao aluno da
disciplina de Eletrônica Analógica I.
Figura 5.9 – Amplificador Pequenos Sinais, Polarização Estável de Emissor – Análise AC, sem o Capacitor CE

Santo André
5.2.3 – Configuração Emissor Comum com Polarização por Divisor de Tensão de Base
a polarização por divisor de tensão de base. Perceba o acréscimo dos capacitores na entrada e
na saída do circuito, ligado a base do transistor (C1) e no coletor do transistor (C2)
respectivamente, e novamente, o capacitor CE de desacoplamento de emissor, que, como já
comentado anteriormente, fará com que o ganho do amplificador aumente.
Novamente, com o acréscimo do capacitor de desacoplamento CE o circuito de análise
AC fica idêntico ao apresentado no item 5.2.1 pela Figura 5.6, pois na montagem do circuito
para a análise AC, os capacitores são eliminados por um curto circuito equivalente, fazendo
com que o valor da resistência RE seja eliminado, onde apenas será acrescentada a resistência
RB2 ao circuito de entrada. O circuito final de análise AC é apresentado pela Figura 5.11 a
seguir.
Figura 5.10 – Amplificador Pequenos Sinais, Polarização por Divisor de Tensão, com o Capacitor CE
Figura 5.11 – Amplificador Pequenos Sinais, Polarização por Divisor de Tensão – Análise AC, com o Capacitor CE

Santo André
Existe também uma configuração alternativa a apresentada pela Figura 5.12, que utiliza
duas resistências no emissor (RE1 e RE2), sendo que uma delas é desacoplada por um
capacitor CE e a outra, realiza a função de realimentação, e dessa forma, consegue-se obter
uma melhoria na estabilidade do circuito, sem grandes alterações no valor do ganho do
circuito. Porém, o nosso estudo será focado nos amplificadores usando total desacoplamento
da resistência RE de emissor, deixando as demais configurações como uma sugestão de leitura
e estudo complementar por parte do aluno.
Figura 5.12 – Amplificador Pequenos Sinais, Polarização por Divisor de Tensão – Configuração Alternativa
ü Equacionamento do Circuito:
Z IN = RB1 // RB1 // ( β * rE )
Z OUT ≅ RC
VOUT Z *I − RC * I C
AV = → O O → → I = β * IB
VIN Z IN * I IN ( RB1 // RB1 // ( β * rE )) * I B C
RC * β
∴ AV = −
RB1 // RB1 // ( β * rE )

Faculdade de Tecnologia Fa Fa Ec Ec Capi

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Faculdade de Tecnologia Fa Fa Ec Ec Capi

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

FACULDADE DE TECNOLOGIA

Capítulo 1 – Valores Médios e Eficazes de Sinais Periódicos

Até o presente momento, o nosso curso foi focado em análise de circuitos

1.1 – Definições importantes de um sinal alternado senoidal

Toda a vez em que se fizer necessário uma análise de um sinal periódico,

Professores Fabio Delatore / Luiz Vasco Puglia 1

ü Forma de onda do sinal alternado: está associada diretamente a

Figura 1.1 – Representação de um Sinal Senoidal

OBSERVAÇÃO IMPORTANTE: O sinal senoidal é a única forma de onda que a sua

ü Equação geral de um sinal senoidal:

v(t ) = VP .sen(2.π .f .t + α ) + VDC [Volts], onde:

Professores Fabio Delatore / Luiz Vasco Puglia 2

o VP é o valor de pico do sinal senoidal. No caso da Figura 1.1, o Valor

ü Relação de Fase: obtenção valor de α:

Referêcia Adiantado Atrasado

Figura 1.2 – Relações de fase em um Sinal Senoidal

As relações de fase são facilmente identificadas, tomando como base sempre

Professores Fabio Delatore / Luiz Vasco Puglia 3

Observando os sinais vermelho e azul, percebe-se que o valor máximo do

vVERMELHO (θ ) = 1.sen(2.π + 0) + 0 [Volts]

v AZUL (θ ) = 1.sen(2.π + 90º ) + 0 [Volts]

vVERDE (θ ) = 1.sen(2.π − 90º ) + 0 [Volts]

1.2 – Valor Médio e Eficaz de Sinais Periódicos no tempo

O conceito de valor médio está diretamente associado ao conceito do cálculo

Professores Fabio Delatore / Luiz Vasco Puglia 4

Todos os sinais periódicos que apresentam simetria em relação ao eixo X

Período = 360º , VP = 1 ∴ v(θ ) = VP .sen (θ ) ⎡⎣volts ⎤⎦ → 1.sen (θ ) ⎡⎣volts ⎤⎦

Através do cálculo integral que define o valor médio do sinal senoidal

Professores Fabio Delatore / Luiz Vasco Puglia 5

Para o caso do nosso exemplo da Figura 1.3, foi adicionado e subtraído 2

Referêcia Nível DC Positivo Nível DC Negativo

Figura 1.3 – Diferentes níveis DC em um sinal senoidal

v(θ ) = 1.sen(θ ) + 2 [Volts], para o sinal em azul;

v(θ ) = 1.sen(θ ) − 2 [Volts] , para o sinal em verde.

Já o valor eficaz de um sinal alternado, é definido pela relação entre as

Professores Fabio Delatore / Luiz Vasco Puglia 6

Figura 1.4 – Arranjo prático para estudo valor eficaz

Adotando como valores de tensão e corrente da tomada, como sendo VCA e

PCA = R.iCA (t ) , onde iCA (t ) = IPICO.sen (ωt )

PCA = R.IPICO2.sen2 (ωt ) → integrando PCA , temos:

Já para a bateria, realizando o mesmo estudo, temos que:

Professores Fabio Delatore / Luiz Vasco Puglia 7

Assim como na determinação do valor médio, foi usado um cálculo integral,

Sendo f(t) a equação do sinal senoidal da Figura 1.1, a determinação do seu

Período = 360º , VP = 1 ∴ v(θ ) = VP .sen (θ ) ⎡⎣volts ⎤⎦ → 1.sen (θ ) ⎡⎣volts ⎤⎦

Professores Fabio Delatore / Luiz Vasco Puglia 8

Capítulo 2 – Diodos e Circuitos Retificadores com Diodo

2.1 – Introdução e Características Básicas do Diodo Semicondutor

O diodo é o primeiro componente semicondutor a ser estudado ao longo do

Professores Fabio Delatore / Luiz Vasco Puglia 9

Como já mencionado anteriormente, o diodo é o primeiro e um dos

Tabela 2.1 – Comparação entre níveis de resistividade: condutor, isolante e semicondutor

Condutor Isolante Semicondutor

ρ ≈ 10-6 Ω.cm (cobre) ρ ≈ 1012 Ω.cm (mica) ρ ≈ 50.103 Ω.cm (silício)

A estrutura interna de um diodo é composta basicamente por um material

2.2 – Materiais do tipo N e do tipo P

2.2.1 – Materiais do tipo N

O material do tipo N é criado através da adição de elementos químicos que

Professores Fabio Delatore / Luiz Vasco Puglia 10

Figura 2.2 – Material do tipo N (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)

2.2.2 – Materiais do tipo P

Já os materiais do tipo P são criados através da adição de elementos

Figura 2.3 – Material do tipo P (Robert L. Boylestad, Disp. e Circ. Eletrônicos)

Professores Fabio Delatore / Luiz Vasco Puglia 11