‫ترانزيستور تأثير المجال )‪: FET(Field-Effect‬‬

‫هو عنصر كهربائي يفضل استعماله كمفتاح أو كمكبر لإلشارات الصغيرة ‪..‬‬

‫أنواعه ‪ :‬يشكل ترانزستور "‪ "FET‬مجموعتين ‪:‬‬

‫‪ ‬ذو الطبقة الحاجزة (‪.. )PN-FET‬‬
‫‪ ‬ذو األكسيد المعدني (‪.. )MOSFET‬‬
‫وتنقسم المجموعتين إلى صنفين ‪:‬‬
‫‪ ‬موجب القنال ( ‪.. ) P‬‬
‫‪ ‬سالب القنال ( ‪.. ) N‬‬

‫البنية الداخلية وطريقة العمل ‪:‬‬

‫بعكس التركيب الداخلي للترانزيستور "ثنائي القطبية" والذي يتكون من طبقتين للشححنات (إلكترونحات وثقحوب) أو‬
‫(سالب وموجب) ‪..‬‬
‫يتكون ترانزيستور "‪ "FET‬من طبقة واحدة إما (‪ )P‬أو )‪ ، )N‬ومن هنا ترجع تسميته بأحادي القطبية ‪..‬‬
‫تتكون بنية ترانزيستور "‪ "FET‬من مساحة نصف موصلة بشكل القضيب وهي من مادة السحيليكون ‪ ،‬وعلحى يمحين‬
‫ويسار القضيب تتكون مناطق حاجزة ‪ ،‬وبين أعلى وأسفل هذا القضيب تتكون "قنال" االتصال (مادة ‪ N‬موصحلة دون‬
‫طبقة حاجزة) وتشكل هذه القنال المصرف (‪ )Drain‬و المنبع (‪.. )Source‬‬
‫وعلى جوانب القضيب تحم محز" "منطقتحان" محن محادة ‪ P‬موصحلتين ومحرتبطتين ببعضحهم الحبع‪ ، ،‬وتشحكل البوابحة‬
‫(‪ )Gate‬ومن هنا تأتي تسمية "الترانزيستور ‪.. PN-FET‬‬
‫فإذا تم توصيل جهحد بمسحاحة بلوريحة موصحلة محن محادة السحيليكون ‪ N‬أي المصحرف (‪ )Drain‬و المنبحع (‪،)Source‬‬
‫فيسري بها تيار كهربائي (‪ )ID‬عبر قنال في هذه المساحة ‪ ،‬وذلك بحكم الجهد والمقاومة في هذه المساحة ‪.‬‬
‫وفي حالة توصيل جهد سلبي بين البوابحة (‪ )Gate‬والمنبحع (‪ ، )Source‬فتكحون قطبيحة طبقتحي ‪ PN‬باتجحاه ححاجز ‪،‬‬
‫وتتكون بذلك داخل الطبقتين "مناطق حاجزة" بحيث تمنع مرور التيحار بهحذا االتجحاه ‪ .‬وتتوسحع "المنحاطق الححاجزة"‬
‫بينما يضيق قطر ممر التيار في القنال ‪.‬‬
 ‫وكل ما أرتفع الجهد السلبي(‪ )-UGS‬كل ما توسعت "المناطق الحاجزة" ‪.‬‬
‫والنتيجة لذلك أن قطر القنال (ممر التيار) يصبح أضيق فأضيق ‪ ،‬أي أن قيمة المقاومة (‪ )RDS‬فحي ممحر التيحار بحين‬
‫المصرف (‪ )Drain‬والمنبع (‪( )Source‬لصنف‪ )N-FET‬تتعلق بقيمحة الجهحد السحلبي للبوابحة (‪ ، )Gate‬وبحذلك يمكحن‬
‫التحكم بقيمة المقاومة وذلك على مستوى واسع ‪.‬‬
‫واستنادا لقوانين أوم فيمكن التحكم بالجهد أو التيار لو تم استبدال قطبية الجهود ‪.‬‬

‫بعبارات أخرى ‪ :‬القنال من صنف – ‪ N‬هي المجال الموصل لهذا ‪ ، FET‬ويوجه تيار المجال هحذا بجهحد البوابحة (فحي‬
‫هذه الحالة جهد سالب) ‪.‬‬
‫و إذا أرتفع الجهد السالب في البوابة ‪ ،‬فتتمدد الطبقة الحاجزة ‪ ،‬وينخف‪ ،‬تيار هذا المجال ‪.‬‬
‫واالستنتا"‪ :‬أن تغيير عرض الطبقة الحاجزة يجري دون قدرة (تقريبا) ‪..‬‬

‫بالمقارنة مع الترانزيستور ثنائي القطبية المعتاد فلترانزستور األحادي القطبية ميزات إيجابية كثيرة ‪:‬‬
‫‪ .1‬اقتصادي أكثر ‪..‬‬
‫‪ .2‬يعمل بجهد تشغيل منخف‪.. ،‬‬
‫‪ .3‬أحجام صغيرة وتركيبه يتوافق مع ترانزيستور ثنائي القطبية ‪..‬‬
‫‪ .4‬يكفي توجيهه بالجهد باختلف ثنائي القطبية الذي يوجه بقدرة ‪..‬‬
‫‪ .5‬مقاومة المدخل عالية ما بين (‪)10^9‬لح ‪ FET‬ذو الطبقة العازلة و (‪)10^15‬لح ‪.. MOSFET‬‬
‫‪ .6‬ليس هناك أهمية لقطبية التوجيه ‪..‬‬
‫‪ .7‬صفاء ونقاء عالي في تقنية الموجات ال يصلها ثنائي القطبية المألوف ‪..‬‬
 ‫ترانزستور التأثير المجالي والمصنوع من أشباه الموصلت وأكسيد المعادن‬
‫‪MOSFET‬‬

‫يتركب ترانزستور التأثير المجالي من ‪:‬‬

‫طبقة سفلية ‪ Substrate‬وهى إما من النوع ‪ N‬كما بيمين الشكل أو من النوع ‪ P‬كما بيسار الشكل ‪..‬‬ ‫‪.1‬‬
‫منطقتين من بلورتين من نفس النوع بعكس الطبقة السحفلية ‪ N <==> P‬ويمحثلن طحرفين محن أطحراف‬ ‫‪.2‬‬
‫الترانزستور وهما المصرف ‪ Drain‬والمنبع ‪.. Source‬‬
‫طبقة من األكسيد (ثاني أكسيد السليكون ‪ ) SIO2‬وهي مادة غير موصلة للتيار الكهربائي (عازلة( ‪..‬‬ ‫‪.3‬‬
‫طبقة من المعدن وتمثل الطرف الثالث للترانزستور وهو البوابة‪.. Gate‬‬ ‫‪.4‬‬

‫ونجد أيضا من الشكل أن هذا الترانزستور له نوعان همحا الحح )‪ (P-Channel‬والحح )‪ (N-Channel‬بحسحب اختيحار نحوع‬
‫الطبقة السفلية والبلورتين الجانبيتين (المصرف والمنبع) ‪..‬‬

‫فكرة عمل ترانزستور ‪: MOSFET‬‬

‫في هذا النوع من الترانزستورات يتم التحكم بتيار الخر" عن طريق جهد (المجال الكهربائي) الدخل ‪ .‬فكيف ذلك ؟‬
‫أنظر الشكل التالي (حيث تم توصيل المصرف بالطرف الموجب لبطارية والمنبع بالطرف السالب لها) ‪.‬‬
‫‪ .1‬في حالة عدم وضع جهد على البوابة ‪ Gate‬فإنه لن يمر أي تيار بين المنبع والمصرف (الشكل األيسر) ‪..‬‬
‫‪ .2‬في حالة وضع جهد موجب على البوابة (في الشكل األيمن) الحظ أن الترانزسحتور محن نحوع القنحاة ‪ N‬فحإن‬
‫اإللكترونات الحرة الموجودة في بلورتي المنبع والمصحرف سحتنجذب للمجحال الكهربحائي الموجحب المتكحون‬
‫عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف‪.‬‬
‫ويتغير حجم هذه القناة تبعحا لقحوة المجحال الكهربحائي عنحد البوابحة وبالتحالي تتغيحر قيمحة التيحار المحار بحين المنبحع‬
‫والمصرف ‪.‬‬
‫‪ .3‬في حالة وضع جهد سالب على البوابة (في الشكل األيمن) الححظ أن الترانزسحتور محن نحوع القنحاة ‪ P‬فحإن‬
‫الفجوات الموجودة في بلورتي المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربائي السالب المتكون عنحد البوابحة‬
‫مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف‪.‬‬
‫ويتغير حجم هذه القنحاة تبعحا لقحوة المجحال الكهربحائي عنحد البوابحة وبالتحالي تتغيحر قيمحة التيحار المحار بحين المنبحع‬
‫والمصرف ‪.‬‬

‫الحظ أنه لوجود مادة األكسيد العازلة بين البوابة وبقية الترانزستور فإن التيار ال يمر بينهما وفقط يتم التحكم بالتيار‬
‫المار بين المنبع والمصرف عن طريق الجهد (المجال الكهربائي) الموجود على البوابة ‪..‬‬

‫ترانزستور ‪ MOSFET‬المتمم )‪: (CMOS‬‬

‫مصطلح الح ‪ CMOS‬هو اختصار للجملة ‪:‬‬

‫‪Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor‬‬

‫وهو عبارة عن دارة تجمع بين ترانزستورين من نوع (‪ (N-Channel , P-Channel‬ويكون عمله كاآلتي ‪:‬‬

‫عندما يكون مستوى الدخل منخفضا علحى البوابحة )‪ (LOW‬يعمحل الترانزسحتور ‪ P-MOS FET‬أي الترانزسحتور ذو‬ ‫‪‬‬
‫القناة ‪ P‬على تمرير التيار من مصدره لمصرفه ‪ ،‬وال يعمل الترانزستور اآلخر ‪.‬‬
‫عندما يكون مستوى الحدخل مرتفعحا علحى البوابحة )‪ (High‬يعمحل الترانزسحتور ‪ N-MOS FET‬أي الترانزسحتور ذو‬ ‫‪‬‬
‫القناة ‪ N‬على تمرير التيار من مصرفه لمصدره ‪ ،‬وال يعمل الترانزستور اآلخر ‪.‬‬

‫أي أنه في دارة الح ‪ CMOS‬يعمل الح ‪ N-MOS‬و الح ‪ PMOS‬بصورة عكسية (أحدهما يمرر واآلخر ال)‪.‬‬
‫ويسححتفاد مححن هححذه الحالححة عنححد التعامححل مححع تيححارات عاليححة (قححدرات عاليححة) فيخفححف ذلححك مححن تسححخين كححل مححن‬
‫الترانزستورين حيث يعمل كل منهما نصف الوقت بينما يريح األخر مع الحفاظ على حاالت الخر" وذلك بإدخال نبضة‬
‫ساعة على البوابة ‪.‬‬
 ‫األنواع الخاصة ‪:‬‬

‫‪: Dual-Gate MOSFET‬‬

‫الترانزيستور ‪ MOSFET‬ذو البوابتين ‪ ،‬وهو من التصميمات الخاصة لترانزيستور تحأثير المجحال ذو الطبقحة المعدنيحة ‪،‬‬
‫وهو من النوعية الموصلة ‪ ،‬وكما تعبر التسمية فله وصلتين للبوابة ‪ ،‬وذلك لكي ُيحدخل تيحار التوجيحه بوابتيحه علحى‬
‫التوالي (بالتسلسل) وتكون مستقلتين عن بعضهن البع‪.. ،‬‬
‫أي يمكن تغيير كفاءة أو قدرة التوصيل بين المصرف (‪ )D‬والمنبع (‪ )S‬كل على حدا ‪.‬‬
‫يستعمل هذا النوع في الراديو ‪..‬‬

‫‪: )Vertical Metal-Oxide-Semiconductor( VMOSFET‬‬

‫جميع أنواع ترانزيستور "‪ "FET‬التي عالجنهحا حتحى اآلن تصحلح للقحدرات المنخفضحة نسحبيا وذلحك يرجحع للمسحافة‬
‫الطويلة نسبيا في "القنال" (‪ 5‬مايكرو متر تقريبا) ‪ ،‬حيث تكون مقاومة االختراق فيه (من ‪ 1‬كيلو أوم حتى ‪ 11‬كيلو‬
‫أوم) ولذلك تبقى محدودة القدرة ‪..‬‬
‫أما اإلمكانيات الحاضرة لتقنية التصنيع فتسمح بجهد وتيار أكبر ‪ ،‬وببنحاء طبقحة عموديحة باإلضحافة للطبقحات األفقيحة‬
‫المتبعة ‪ ،‬فيصل التيار فيه إلى ‪ 11‬أمبير ويصل الجهد بين المصرف (‪ )D‬والمنبع (‪ )S‬إلى ‪ 111‬فولت ‪..‬‬

‫‪: )Vertical Metal-Oxide-Semiconductor Siemens Power( SIPMOS-FET‬‬

‫وهو يشابه تركيب ‪ VMOS-FET‬باختلف أن تقنية بنيته المسطحة ‪ ،‬ويكون من النوع المنضب أي حاجز ‪.‬‬
‫تتراوح مقاومة االختراق به بحدود الميلي أوم ‪ ،‬كمحا يتحراوح توقيحت التعشحيق بحه فحي ححدود النحانو ثانيحة ‪ ،‬وغالبحا‬
‫يستعمل كمفتاح قدرة سريع ‪..‬‬

‫منحنى خصائص المخر" من النوع الموصل وصنف قنال ‪: N‬‬

‫خاتمة‪:‬‬

‫تعتبر الترانزستورات من نوع ‪ MOSFET‬خليفة الترانزستورات ‪ BJT‬حيث تدخل في معظم الدارات الحديثحة وخصوصحا‬
‫في بناء الدارات المتكاملة والدارات الرقمية خاصة لمحا تتميحز بحه محن سحرعة فحي األداء خصوصحا عنحد اسحتخدامها‬
‫كمفاتيح ‪.‬‬
 ‫طريقة فحص ترانزيستور ‪: MOSFET‬‬

‫الترانزستورات ‪ MOSFET‬وخصوصا القناة ‪ n‬كثيرة االستخدام فحي دارات التغذيحة العاملحة فحي نمحط التقطيحع سحواء‬
‫كانت بشكل فردي (أي بشكل ترانزستور مستقل) أو كترانزستور مبنحي ضحمن دارة متكاملحة مثحل عائلحة الحح ‪STR‬‬
‫في التلفزيونات والشاشات وغيرها من وحدات التغذية ‪..‬‬
‫و من المهم أن نتعرف على طريقة الفحص الستاتيكي لهذا الترانزستور عندما يكون خار" الدارة وبواسطة مقياس‬
‫األوم ‪..‬‬
‫المبدأ بسيط و هام جدا ‪ ،‬ألن الكثير ال يعرفون طريقة فحص هذه الترانزستورات الشائعة في األجهزة الحديثة ‪..‬‬

‫نصل الطرف الموجب للمقياس إلى المصرف و الطرف السالب إلى المصدر ‪ ،‬بينما نتحرك البوابحة ححرة وبالتحالي‬ ‫‪‬‬
‫يجب أن تكون الممانعة عالية جدا أو ال نهاية ‪..‬‬
‫اآلن نصل الطرف الموجب للمقياس إلى البوابة مع المحافظة على الطرف السالب للمقياس على المصحدر أي‬ ‫‪‬‬
‫سوف نشحن مكثفة البوابة ‪..‬‬
‫اآلن نعيد االختبار في الخطوة األولى يجب أن نحصل على ممانعة صغيرة للغاية ‪..‬‬ ‫‪‬‬
‫نفرغ البوابة بلمس قطبي المصدر و البوابة فيعود الترانزستور لحالته األساسية ‪..‬‬ ‫‪‬‬

‫فحص ترانزيستور ‪( MOSFET‬طريقة ثانية)‪:‬‬

‫ه جهد أكبر‬
‫يجرى هذا الفحص باستخدام مقياس آفو رقمي موضوع على مجال فحص الديود وعلى مجال ُيطبَّق في ِ‬
‫من ‪ 3.3‬فولت ‪..‬‬

‫وصل "المنبع" في الترانزيستور إلى الطرف السالِب من المقياس ‪..‬‬

‫ِ‬ ‫‪‬‬

‫مس األجزاء المعدنية من مجسات القياس بأي محن أطحراف الترانزيسحتور‬ ‫سك الترانزيستور من غلفِه و ال تل ِ‬ ‫أم ِ‬ ‫‪‬‬
‫ك أو األشياء المصنوعة محن البلسحتيك ‪ ..‬ألنَّ هح ِذه‬
‫إال عند الحاجة لذلِك و ال تجعل الترانزيستور ُيل ِمس ملبِس َ‬
‫المواد تولِد جهود ساكِنة مرت ِفعة ‪..‬‬

‫جحب‬
‫ضع المجس السالِب على "المصرف" ي ِ‬ ‫جب بح"بوابة " الترانزيستور ثم َ‬ ‫مس سلك المجس المو ِ‬ ‫في البدء إل ِ‬ ‫‪‬‬
‫ح َنت عحن‬
‫شح ِ‬
‫أن ُيعطي المقياس قراءة منخ ِفضة ‪ ،‬وبهذا تكون المكثِفحة الداخليحة علحى بوابحة الترانزيسحتور قحد ُ‬
‫طريق المقياس و يكون الترانزيستور "مشغَّل "‪..‬‬

‫حافِظ على وضع السلك الموجب للمقياس على المصرف ‪ ،‬و ضع إصبعك بين المنبع و البوابة والمصرف أيضحا ‪،‬‬ ‫‪‬‬
‫فرغ البوابة عن طريق إصبعك وستكون قراءة المقياس مرتفعة تعني هذه القراءة أن الجسم غيحر‬
‫إذا أردت ‪ ،‬س ُت ِ‬
‫ناقل ‪..‬‬

‫القياس السابق هو عبارة عن فحص جهد القطع في الترانزيسحتور ‪ ،‬الحذي يكحون فحي‬
‫العادة أكبر جهد ُيطبَّق على البوابة بدون أن ُتصبح ناقِلة ‪.‬‬
‫ف ‪..‬‬
‫هذا اإلجراء ليس دقيقا ‪ %111‬إال أن َّ ُه كا ٍ‬

‫يتعطل ترانزيستور ‪ MOSFET‬فعادة يكون السبب هو قصر المصرف إلى البوابة ‪،‬‬ ‫ِ‬ ‫عندما‬
‫وهذا يؤدي إلى إعادة جهد المصرف إلى البوابة ومنها إلى التغذيحة التحي تحأتي عحن طريحق مقاومحة البوابحة ‪ ،‬وقحد‬
‫تؤدي إلى ُتخريب منبع التغذية وأي ترانزستورات ‪ MOSFET‬مربوطة بواباتها معه على التف ُّرع ‪..‬‬
‫لهذا عندما يتعطل ترانزيستور ‪ MOSFET‬يفضل فحص منبع التغذية أيضحا ‪ ،‬لهحذا السحبب يضحاف عحادة‬
‫ديود زينر بين البوابة والمنبع ‪ ،‬سوف يعمل هذا الترانزيستور قصر دارة و يحد من األخطار الناتجة عحن‬
‫األعطال ‪ ..‬يمكِن أيضا إضافة مقاومات صغيرة إلى القاعدة التي ستعمل دارة مفتوححة عنحدما تتعطَحل‬
‫(مثححل عمححل الفاصححمة المنصححهرة) بنتيجححة تعرضححها لجهححد مرت ِفححع و بالتححالي تححؤدي إلححى فصححل بوابححة‬
‫الترانزيستور ‪..‬‬

‫عادة يعطي ترانزيستور ‪ MOSFET‬نارا أو ينفجر عندما يتعطَّل حتى في دارات الهواة ‪ ،‬و هذا يعنحي أن الترانزيسحتور‬
‫حظ وجود السحواد‬ ‫المعطوب يمكِن كش ُف ُه بالنظر ‪ ،‬حيث سيكون مكان الثقب فيه على لوحة الدارة محروقا أو ستل ِ‬
‫رأيت هذ ِه األشكال كثيرا في وحدات التغذية التي ال تنقطع ‪ UPS‬التي قد تحوي أكثر محن‬ ‫ُ‬ ‫مكان ما حولَ ُه ‪ ،‬لقد‬
‫ٍ‬ ‫في‬
‫ثمانية ترانزستورات ‪ MOSFET‬على التوازي ‪ ،‬وعادة ما نحتا" إلى استبدالِ ِهم جميعا باإلضافة إلى دارة قيادتِ ِهم ‪..‬‬
‫أبدا ‪ ..‬ال تستخ ِدم كاوي لحام عادي في لحام ترانزسحتورات ‪ ، MOSFET‬بحل اسحتخ ِدم منصحة لِححام احترافيحة ‪ESD‬‬
‫خاصة محمية ‪..‬‬
Voltage applied to gate Voltage across resistor Voltage across transistor
2.5 volts no voltage approximately 12 volts
3.5 volts less than 12 volts less than 12 volts
4.5 volts approximately 12 volts virtually no voltage
‫معزز‬
‫ِّ‬ ‫رموز ومميزات خرج ترانزستورات ‪ MOSFET‬نوع‬

‫رموز ومميزات خرج ترانزستورات ‪ MOSFET‬نوع مقلل‬

 ‫‪The power MOS FET switching circuit‬‬
‫الدارة التالية تحوي على ترانزستورات (‪ )MOS FET‬استطاعية ‪ ،‬حيحث تقحوم هحذه الحدارة بتحويحل التيحار المسحتمر‬
‫(‪ )DC‬إلى تيار متناوب (‪.. )AC‬‬
‫إن المحول يقوم على تحويل التيار المقطع بواسطة الترانزستورات من (‪ )12V‬إلى (‪.. )220V‬‬
‫تجري عملية التبديل بالتناوب بين مجموعتين من الترانزستورات حيث ‪:‬‬

‫يعمححل الترانزسححتوران (‪ )TR3 and TR6‬عنححدما تكححون إشححارة الححتحكم (‪ )L‬علححى (‪ )TR3 and TR4‬و (‪ )H‬علححى‬
‫(‪.. )TR5 and TR6‬‬
‫يعمححل الترانزسححتوران (‪ )TR4 and TR5‬عنححدما تكححون إشححارة الححتحكم (‪ )H‬علححى (‪ )TR3 and TR4‬و (‪ )L‬علححى‬
‫(‪.. )TR5 and TR6‬‬

‫‪H Bridge Motor control‬‬

‫الدارة التالية تستخدم للتحكم بسرعة محركات التيار المستمر ‪ ،‬وتسمى بجسر ‪.. H‬‬
‫تحوي الدارة على أربعة ترانزستورات ‪ MOSFET‬تشكل الجسر ‪..‬‬
‫في الحالة األولى يمر التيار من البطارية ثم خلل (‪ )Hi1‬ثم المحرك إلى (‪ )Lo2‬ثم إلى القطحب السحالب للبطاريحة‬
‫وهو السهم األخضر ‪.. A‬‬
‫في الحالة الثانية يمر التيار من البطارية ثم خلل (‪ )Hi2‬ثم المحرك إلى (‪ )Lo1‬ثم إلحى القطحب السحالب للبطاريحة‬
‫وهو السهم األحمر ‪.. C‬‬
 ‫‪IRF511 TMOS Power FET‬‬
‫‪Data sheet‬‬

‫الترانزستور (‪ )IRF511‬هو من نوع (‪ )N-Channel‬ذو بوابة مصنوعة من السحليكون‬

‫من أجل سرعات عالية في التحويل وفحي غحلف محن الشحكل (‪ )TO-220‬مصحمم‬
‫للجهود المنخفضة من أجل تطبيقات تحتا" لسرعات تحويل عالية مثل المنظمحات‬
‫باإلضحافة الحتوائححه علححى ثنححائي داخلححي بحين المنبححع والمصححرف مححن أجححل حمايححة‬
‫الترانزيستور في حالة األحمال التحريضية ‪..‬‬

‫‪Device‬‬ ‫‪Vds‬‬ ‫)‪rds(on‬‬ ‫‪Id‬‬

‫‪IRF510‬‬ ‫‪100V‬‬ ‫‪0.6 Ohm‬‬ ‫‪4.0 A‬‬
‫‪IRF511‬‬ ‫‪60V‬‬ ‫‪0.6 Ohm‬‬ ‫‪4.0 A‬‬
‫‪IRF512‬‬ ‫‪100V‬‬ ‫‪0.8 Ohm‬‬ ‫‪3.5 A‬‬
‫‪IRF513‬‬ ‫‪60V‬‬ ‫‪0.8 Ohm‬‬ ‫‪3.5 A‬‬

‫بعض التطبيقات التي تستخدم الترانزستورات ‪IRF511‬‬

‫الدارة التالية عبارة عن مضخم سمعي صنف (‪ ، )A‬فعند وجود إشارة في الدخل فإن الترانزستور سوف يقوم‬
‫بتضخيمها ‪..‬‬

‫الدارة التالية هي دارة قيادة حمل (ريليه) ‪ ،‬حيث تعمل الريليحه عنحد تطبيحق جهحود علحى البوابحة محن (‪)6 to 12‬‬
‫فولت ‪ ،‬وتحتا" قاعدة الترانزستور حتى يعمل تيارا أقل من (‪.. )10uA‬‬

‫الدارة التالية عبارة عن هزاز عديم االستقرار يعمل فيه المصباحان بالتناوب على نحو متقطع ‪..‬‬
‫الدارة التالية هي دارة مفتاح يستغل المعاوقة الداخلية العالية للترانزستور وقابلية المعالجة الكهربائيحة لعمحل دارة‬
. ‫بسيطة ولكن حساسة وهي دارة حساس اقتراب وجرس إنذار السائق‬

which functions as the pick-up sensor, A 3x3-inch piece of circuit board (or similar size metal object),
is connected to the gate of Q1. A 100 Mega Ohm resistor, R2, isolates Q1's gate from R1, allowing
the input impedance to remain very high. If a 100-MegaOhm resistor cannot be located, just tie 5
22-MegaOhm resistors in series and use that combination for R2. In fact, R2 can be made even
higher in value for added sensitivity.
Potentiometer R1 is adjusted to a point where the piezo buzzer just begins to sound off and then
carefully backed off to the point where the sound ceases. Experimenting with the setting of R1 will
help in obtainin the best sensitivity adjustment for the circuit. Potentiometer R1 may be set to a point
where the pick-up must be contacted to set of the alarm sounder. A relay or other current-hungry
component can take the place of the piezo sounder to control almost any external circuit.
‫تشغيل ثنائي ضوئي بمجال جهد من ‪ 5‬فولت إلى ‪ 30‬فولت دون الحاجة إلى تغيير قيمة المقاومة ‪..‬‬

‫الدارة التالية يقوم فيها الترانزستور ‪ FET‬بوظيفة منبحع مثحالي للتيحار ‪ ،‬حيحث يكحون التيحار فحي هحذه الحالحة بححدود‬
‫(‪ ، )15mA‬والديود (‪ )1N4148‬يحمي الدارة من عكس القطبية ‪..‬‬