REPUBLIQUE TUNISIENNE Ministére de I’ Enseignement Supérieur Concours Nationaux d’Entrée aux Cycles de Formation d*Ingénieurs Session : Juii Concours en Technologie Epreuve de Physique Durée: 4 Heures Date » 7 juin 2000 Heure 8h Baréme | Probléme | (13 points); _Probléme 2 (7 points) Tusage d'une calculatrice ( non-programmable ) est autorisé Si, au cours de lépreuve, un candidat repére ce qui lui semble éire une erreur d’énoncé, il le signale sur a copie et poursuit sa composition en indiquant les ratsons des initiatives qu'il est amené a prendre. L’épreuve se compose de deux problémes comportant chacun des parties largement indépendantes entre elle. les candidats peuvent les résoudre dans ordre qui leur convient, en respectant néanmoins la numérotation des questions PROBLEME 1 : ELECTROMAGNETISME Dans un matériau conducteur, les charges mobiles (les électrons) interagissent entre elles avec les charges fixes du matériau; ces interactions sont alors decrites dans le cadre d'une théorie quantique. Cependant, une approche phénoménologique classique peut étre adoptée pour expliquer la conductivité de ces matériaux Cela consiste a traiter les électrons (de densite volumique n, de charge -e et de masse m) comme des particules obéissant 4 la méGanique classique On modélisera les collisions des électrons libres du conducteur avec le reste du matériau par une force de frottement visqueux D5 oli est une constante de temps appelée . durée de relaxation des vitesses et 9 représente la vitesse moyenne d'un électron Dans la suite du probléme, on négli ids de V'électron par rappor: aux forces iectrique et magnétique qui lui seront appliquées. |- Conductivité statique Le conducteur est soumis a un champ électrique statique uniforme Eo 1- Ecrire le principe fondamental de la dynamique pour un électron; en déduire une relation entre la vitesse moyenne % des électrons et Eo lorsque le régime permanent est atteint fa2- Calculer ta densité volumique de courant j, qui s’établit dans le conducteur en fonction de Eoet déduire la conductivité statique Y, du conducteur en fonction de n, e, met r. 3+ Le conducteur étudié est le plomb de conductivité y=4,8 10° Q-1m-'; calculer + On donne n=3,2.10% m-*, e=1,6.10- C; m=9,1.107" kg 4- L'intensité du champ électrique appliqué au conducteur est égale a 100Volt/m. a) Calculer la vitesse moyenne v des électrons. b) La vitesse V,d’un électron entre deux collisions peut étre estimée en égalisant P’énergie cinétique de I’lectron avec l’énergie thermique par particule 3,7 ou T est Ja température du conducteur et Ks est la constante de Boltzmann, Calculer V, pour une température de 300K. ©) Comparer le. valeur obtenue & celle de la vitesse moyenne v et commenter. On donne k,=1,38.10- Joule/K. il- Conducteur en régime sinusoidal L’espace est rapporté & un repére orthonormé (0,x,y,z). Le conducteur précédent (de constantes électrique et magnétique ¢,, 1.) occupe le demi-espace z > 0. On considére une onde plane progressive monochromatique polarisée suivant Ox, elle se propage vers les z croissants Dans le demi-espace vide z <0, le champ électrique de l’onde s’écrit comme suit ki: Ebro ro} Cette onde subit une réflexion & l'interface vide conducteur et donne lieu & une onde réfléchie de champ E. et une onde transmise de champ E,_ ErsE, exexpi(kez+ot) [ps eee. Ew sof e' i k, estla composante suivant z du vecteur d’onde dans le vide et k la composante complexe du vecteur donde dans le conducteur. Les amplitudes Ey et Ey peuvent alors étre complexes A- Onde transmise : Les électrons du plomb sont soumis a l’action des champs électrique et magnétique de !’onde transmise, il s’établit dans le conducteur un courant de densité volumique j 1- Ecrire le principe fondamental de la dynamique pour un électron et montrer que l’action du champ magnétique sur lélectron est négligeable par rapport a celle du champ électrique, En déduire que la conductivité complexe en régime permanent est donné para) Ecrire les équations de Maxwell dans le conducteur et déduire la relation de dispersion Ko) de ce milieu a b) Comparer le rapport e ala valeur de + calculée précédemment et montrer que la relation de dispersion du conducteur peut se simplifier dans le cas des “faibles fréquences” (@ << a pour donner k 1. Hoc? Données : ty=4x.10- SI, c=3.10" m/s et & On adopte |'approximation des “faibles fréquences” (@ << Ly dans le reste du probléme 3+ a) Ecrire l'expression du champ électrique E, de l’onde dans le conducteur En déduire la structure de !'onde correspondante On posera b) Donner une interpretation physique a la quantité 5 ©) Calculer & pour =10 rad/s, ra - 4- Déterminer I'expression du champ magnétique de l'onde dans le conducteur, on é . Tamplitude By, du champ magnétique en fonction de Ex En se basant sur des 3 considérations physiques, que peut-on dire de I’amplitude E,, du champ électrique dans le conducteur lorsque la pulsation « de l'onde tend vers zéro ? B- coefficient de réflexion et de transmission Les coefficients de réflexion r et de transmission t sont définis comme suit Eq, interface vide-conducteur ne porte aucune densité surfacique de courant 1- a) Ecrire les relations de continuité des champs électrique et magnétique a I'interface vide-conducteur b) En déduire les coefficients de réflexion et de transmission ©) Donner les expressions de ces coefficients pour w trés faible ( 0). i2+ Montrer que le champ magnétique peut pénétrer a lintérieur du conducteur lorsque la pulsation « est trés faible Il- Supraconductivité Le plomb devient supraconducteur pour des températures inférieures a 7,9 K; se conductivité devient infinie, on dit alors que le plomb subit une transition de phase ‘conducteur-supraconducteur a T, =7,9 K. Pour expliquer ce phénoméne, London a émis hypothése de I’existence dans cette phase supraconductrice de particules appelées super- Glectrons (de masse m et de charge -e) qui se déplacent a l'intérieur du plomb sans subir les forces de frottement. La densité volumique des super-électrons n,est donc nulle dans la phase conducteur du plomb et non nulle dans sa phase supraconductrice et tend vers zéro lorsque la température T tend vers T: Le supraconducteur est plongé dans un champ ¢lectromagnétique (E,B ) , on négligera la force magnétique appliquée aux super-électrons par rapport 4 la force électrique |- Eorire le principe fondamental de la dynamique pour un super-électron, en déduire que le supraconducteur est le siége d’un courant volumique de densité J. obéissant a Véquation 2) Bots, +B /=6 alne a) Ls seconde hypothése de London est que la quantité entre crochets de I’équation (1) est niuile, Ecrire les équations de Maxwell dans le milieu supraconducteur. En déduire Véquation de propagation du champ magnétique B Montrer alors que le champ statique B verifie ’équation nye B= @ m 3 Le plomb occupe toujours le demi-espace 2 > 0, un champ magnétique statique B,=Byey régne dans le demi-espace z <0. a) Montrer que la solution B,(z) de I’équation (2) est caracterisée par une longueur de pénétration 2, dont on donnera l’expression en fonction de ns, e, m et 14; b) Quelle valeur limite prend %, lorsque T approche T: ? ©) Ce résultat vous semble-t-il conforme a la conclusion de la question II-B-2 ? 4- L'expérience montre que 2, est de l’ordre de 3.10°* m. Calculer la densité n, des super-électrons, comparer la valeur obtenue 4 celle de n donnée en I-3. 5- La théorie quantique BCS de Ia supraconductivité est basée sur le fait que les porteurs de charges responsables de la supraconductivité sont des paires d’électrons de masse 2m, de charge -2e et de densité pénétration 2, est bien invariante par cette transformation ‘Ve Montrer que expression de la longueur de a rePROBLEME 2 : ELECTRONIQUE A ‘On considére le circuit de ta figure |. L’amplificateur opérationnel est supposé ideal Figure 1 1- Donner les caractéristiques d'un amplificateur opérationnel idéal 2 Calculer expression du coefficient damplifcation en tension Ay=—"— du circuit Ja figure 1. 3- On souhaite avoir Ay = 1 (suiveur de tension), donner les différentes possibilités ux précisant les valeurs de R, et Rz dans chaque cas, 4- Parmi les possibilités trouvées en A-3, on choisit le cas particulier ou le circ suiveur nécessite le minimum de composants. Préciser dans ce cas les valeurs de R, et Ry. Donner alors le schéma du circuit correspondant. Quelle sont les valeurs des impédances d’ entrée Z, et de sortie Z, du circuit obtenu: it du On considére le circuit de la figure 2. L'amplificateur opérationnel est suppos¢ idéal. © circuit est alimenté par une tension sinusoidale e,(t)=V, sin at ch a or . 2) R si(t) 4 N1- Déterminer l’expression de la fonction de transfert complexe H, (o) circuit, ob s,(@) et e(o) désignent respectivement les amplitudes complexes de s,(t) et de alt) . Lee 2- Calculer les expressions de [Hile) | ere 9,() = ArgH,(o) En déduire la pulsation de coupure ap, de ce circuit 3. Tracer les diagrammes de Bode asymptotiques de H,(o) et (0) en fonction de logo G,(@)= 20log ba (0) 4- Préciser la nature de ce filtre. c. On considére maintenant le circuit de la figure 3. L'amplificateur opérationnel est supposé idéal. La tension d'entrée est e,(1) = V, sin ot R _| 2 + as s,(t) e,(t) == & 2 7 7 7 Figure 3 (0) 1- Déterminer l’expression de la fonction de transfert H,(o) (a) de ce circuit, o8 el elo) }) désignent respectivement les amplitudes complexes de s,(t) et de e,(t). ) ete | 2- Caleuler les expressions de |ii(o) jee (0) = ArgH En déduire la pulsation de coupure @¢, de ce circuit, 3- Tracer les diagrammes de Bode asymptotiques de H,(o) 4 Préciser la nature de ce deuxieme filtre.D- Le circuit de la figure 4 est obtenu en associant en cascade les circuits de la figure 2 et de Ia figure 3. - - | _| oo Cc 1 7 R, . a ‘ | | s,0) a s2(t) e) i == 6) JR | 7 m mm 1” m Figure 4 , _ (0) 1- Calculer la fonction de transfert H{) du circuit de la figure 4 e(o) 2+ Tracer les diagrammes de Bode asymptotiques de H(o) Go) = 200g (0) ‘et o(@)= ArgH() en fonction de logo dans les trois cas suivants en précisant & chaque fis la fonction du circuit ainsi obtenu: Ve