ROM - RAM - CACH y Memoria Virtual Memoria Rom o Convencional ( Read Only Memory )

Es una memoria solamente de lectura es totalmente inalterable sin esta memoria la maquina no arrancara. La memoria principal es la convencional que va de 0 a 640 kb. Cuando la mquina arranca comienza a trabajar el disco y realiza un testeo, para lo cual necesita memoria, esta memoria es la convencional (ROM) y est dentro del mother (en el bios). Apenas arranca utiliza 300 kb, sigue testeando y llega a mas o menos 540 kb donde se planta. A medida de que comenzaron a haber soft con ms necesidad de memoria apareci la llamada memoria expandida que iba de 640 kb a 1024 kb. Una vez que se utilizaba toda la memoria convencional se utilizaba la expandida que utiliza la memoria RAM. A medida que pasa el tiempo los 1024 kb eran escasos y se creo la memoria extendida que va de 1024 kb a infinito que es la memoria RAM pura. Los valores de memoria podemos observarlos en el setup de la mquina. Memoria Ram o Memoria e acceso Aleatorio ( Random Acces Memory ) Esta memoria es como un escritorio al igual que los escritorios tienen cajones donde ordenan la informacin, cuanto mas grande sea el escritorio (plano de apoyo) mas cajones voy a tener de tal suerte que el micro va a perder menos tiempo en buscar y ordenar la informacin La importancia de esta memoria es tan grande que si esta ausente la PC NO ARRANCA, Acta como si estuviera muerta no hay sonido ni cursor en la pantalla ni luces que se enciendan o apaguen. Para que sirve: Almacena las instrucciones que debe ejecutar el micro en cada momento Este es el lugar fsico donde debe trabajar el procesador cuando abrimos un programa sus instrucciones se copian automticamente en la memoria, y cuando cerremos el programa todo se borrara ( volatizara ) La Ram es como un pizarrn donde se copian datos

Tambin copia los trabajos que estamos haciendo en ese programa En la Ram se copian programas que coordinan el funcionamiento de la Pc: La primera parte de la Ram esta reservada para guardar las instrucciones de los dispositivos electrnicos. En este lugar no se puede guardar nada ya que lo utiliza el sistema para saber como manejar los dispositivos. Zcalos de Memoria o Bancos de Memoria Simm 30 Pines Simm 72 Pines Dimm Hasta 168 Pines Los bancos pueden ser tres o cuatro y tienen una marca el el mother donde se debe colocar la primera memoria. Obviamente si en el primero tenemos una de 64 Mg y otra en el segundo decimos que tenemos 128 mg. La computadora funciona mejor con una sola de 128Mg. Esto es solo para las DIMM, las Simm se instalan de a pares La memoria es como un peine con chip soldados en su superficie y depende de el numero de dientes y del banco al cual este conectado, el nombre con la cual se denomina: Simm : Single in line Memory Module Dimm: Double Memory Module Rimm: Rambus in line Memory Module Evaluacion de la Ram Trabaja de la siguiente forma: los datos acceden en la Ram de forma aleatoria o se directamente desde la ubicacin en que se encuentran sin necesidad de recorrer otras posiciones anteriores por Ej. Si tengo que recordar donde guarde el caf que esta en la cocina, no tengo necesidad de recordar todo lo que hice durante el da para llegar hasta el caf. La Ram tampoco necesita recorrer recorre toda una secuencia de datos para dar con uno especficamente, simplemente lo busca donde corresponde en este sentido es mucho mas rapida que la Rom.

Capacidad de almacenamiento

Velocidad Capacidad para manejo de datos Diferentes tecnologas La capacidad de almacenamiento se mide en Megabytes, un byte guarda una letra un megabayte puede guardar un milln de letras cuantos mas Mb tenga la memoria mejor. Ojo anda mejor micro con poca velocidad y mucha memoria que uno con mucha y poca memoria. La cantidad mnima de memoria para Win 98 es de 32 Mb. Velocidad: la velocidad de la Ram se mide en Mhz, antes se media en Nanos ( Millonsima parte de un segundo) a partir de 1995 las memorias comenzaron a trabajar al ritmo del el mother y se comenz a medir la velocidad en Mhz. Nanosegundos y Mhz Las memorias traen inscriptos un sus chip un nmero seguido con un guin y otro nmero Este ultimo es el que correspoende a los Nanos y hay que convertirlos en Mhz Tabla Nanos y Mhz 17ns 60 Mhz 15ns 66Mhz 13ns 80 Mhz 10ns 100Mhz 8.3ns 120 Mhz 7.5ns 133Mhz Capacidad de manejo de Datos: al igual que el micro las memorais tambin tiene un ancho ( Ancho de Memorias ), que se mide en Bits una memoria Dimm maneja 64 Bits y una Simm 32 Bits. Diferentes Tecnologas Las memoria al igual que el resto de los componentes de la Pc, tambin tuvo su historia en su desarrollo tecnolgico: DRAM ( Dynamyc Random Acces Memory ) Este tipo de memoria se utilizan des los aos 80 hasta ahora en toda las computadoras Esta memoria tiene una desventaja hay que estimularla ( Refresco) permanentemente porque se olvida de todo.

Como se estimula : requiere un procesador que ordene el envi de cargas elctricas, a este tipo de memorias se lo conoce como memoria estticas Otras de las desventajas de esta memoria es que es lenta y la ventaja es que es barata Obviamente al tener estas desventajas se le incorporaron distintas tecnologas para mejorarlas. FPM DRAM La ventaja de este memoria consiste en pedir permiso una sola vez u llevarse varios datos consecutivos esto comenz a usarse principios de os aos noventa y dio buenos resultados a estos mdulos se los denominaron SIMM FPM DRAM y pueden tener 30 o 72 pines y se la utiliza en las Pentium I lo que logro con esta tecnologa es agilizar el proceso de lectura, estas memorias ya no se utilizan mas. EDO DRAM Estas memorias aparecieron en el 95, y se hicieron muy populares ya que estaban presentes en todas las Pentium I MMX y tenia la posibilidad de localizar un dato mientras transfera otro de diferencia de las anteriores que mientras transfera un dato se bloqueaba.Estas EDO SIMM eran de 72 pines SDRAM Esta Memoria entro en el mercado en los aos 97, y mejoro la velocidad siendo su ritmo de trabajo igual a la velocidad de Bus (FSB) es decir que tienen la acapacidad de trabajar a la misma velocidad de mother al que se conectan. Es tos modulos de 168 Pines son conocidos como DIMM SDRAM PC 66 y 100, 133, obviamente si instalo una de 133, en un mother de 100 va a funcionar a 100Mhz. DDR SDRAM En este caso se consigui que pudiera realizar dos transferencia en una pulsacin o tic-tac de reloj, esta memoria pude alcanzar velocidades de 200 a 266Mhz, Tiene una ventaja mas trabaja en sincrona con el bus del mother si este acelera la memoria tambin pero tiene una desventaja son muy caras. Se conoce como DIMM DDR SDRAM PC 1600 Y PC 2100. RDRAM Es una memoria muy costosa y de compleja fabricacin y la utilizan procesador Pentim IV para arriba corre a velocidades de 800 Mhz sus mdulos se denominan Rimm de 141 pines y con un anho de 16 bits, para llenar un banco de memoria de 64 bits hay que instalar 4 memorias, es posible que estas memoria sean retiradas del mercado por ser tan costosas

MEMORIA VIRTUAL Tenemos tambin lo que llamamos memoria virtual tambin llamada swapeo. Windows crea esta memoria virtual y ocupa espacio del disco para hacerlo. Si llega se a superar esta memoria virtual la capacidad del disco se cuelga la mquina, para lo cual lo nico que nos resta es resetearla. Si abrimos muchos programas nos vamos a dar cuenta que cuando llegamos a utilizar memoria virtual la mquina comienza a funcionar ms lenta o a la velocidad que tiene nuestro disco disminuye, podemos seguir trabajando, pero nunca andara tan rpido como cuando trabaja con la memoria RAM o extendida. Por lo tanto para evitar esto lo mejor es colocar ms memoria RAM de acuerdo a lo que diga el manual de mother. MEMORIA CACH o SRAM La memoria cach trabaja igual que la memoria virtual, tenemos cach en el procesador, en los discos y en el mother y nos guarda direcciones de memoria. Si ejecutamos un programa en principio, lo cerramos y luego los volvemos a ejecutar, la memoria cach nos guarda la ubicacin (direccin) en el disco, cuando lo ejecut, y lo que hicimos con el programa. Es mucho ms rpida cuando ya usamos un programa Existen 3 tipos de memoria cach: Cache L1 Esta dividido en dos bloques uno contiene las instrucciones y otro los datos y cuando se habla de su capacidad de almacenamiento se dice que es de 2x16 Kb . El cache L1 se encuentra dentro del interior del procesador y funciona a la misma velocidad que el micro con capacidades que van desde 2x8 hasta 2x64Kb Cache L2 interno y externo La primeras memoria cach estaban ubicadas en el mother luego se construyeron en el procesador, pero no dentro del dado del procesador por lo que es mas lento que el cach L1, mientras que el externo lo encontramos el el mother. La computadoras que tienen las tres tecnologas de cach van a ser mas rpidas. Cache L3 Algunos micro soportan un nivel de cach mas el L3 que esta localizado en el mother EL AMD 6k-3 soporta este cach. TABLA

Nombre - Arquitectura - Pines - Capacidad - Velocidad Edo Ram - Simm - 32 bits - 72 - 128Mb - 20 50Mhz PC 66 SDRAM - Dimm - 64 bits - 168 256Mb - 66Mhz PC 100/133 SDRAM - Dimm - 64 bits - 168 256Mb - 100/133Mhz PC 600/700/800 - Rimm - 16 bits - 141 256Mb/ 1Gb - 800Mhz PC 1600/2100 - Dimm - 64 bits - 184 - 256Mb - 200/266Mhz Introduccin El propsito del almacenamiento es guardar datos que la computadora no est usando. El almacenamiento tiene tres ventajas sobre la memoria: 1. Hay ms espacio en almacenamiento que en memoria. 2. El almacenamiento retiene su contenido cuando se apaga el computador 3. El almacenamiento es ms barato que la memoria. El medio de almacenamiento ms comn es el disco magntico. El dispositivo que contiene al disco se llama unidad de disco (drive). La mayora de las computadoras personales tienen un disco duro no removible. Adems usualmente hay una o dos unidades de disco flexible, las cuales le permiten usar discos flexibles removibles. El disco duro normalmente puede guardar muchos ms datos que un disco flexible y por eso se usa disco duro como el archivero principal de la computadora. Los discos flexibles se usan para cargar programas nuevos, o datos al disco duro, intercambiar datos con otros usuarios o hacer una copia de respaldo de los datos que estn en el disco duro. Una computadora puede leer y escribir informacin en un disco duro mucho ms rpido que en el disco flexible. La diferencia de velocidad se debe a que un disco duro est construido con materiales ms pesados, gira mucho ms rpido que un disco flexible y est sellado dentro de una cmara de aire, las partculas de polvo no pueden entrar en contacto con las cabezas. La memorizacin consiste en la capacidad de registrar sea una cadena de caracteres o de instrucciones (programa) y tanto volver a incorporarlo en determinado proceso como ejecutarlo bajo ciertas circunstancias. El computador dispone de varios dispositivos de memorizacin:

La memoria ROM La memoria RAM

Las memorias externas. Un aspecto importante de la memorizacin es la capacidad de hacer ese registro en medios permanentes, bsicamente los llamados "archivos" grabados en disco. El acumulador

La principal memoria externa es el llamado "disco duro", que est conformado por un aparato independiente, que contiene un conjunto de placas de plstico magnetizado apto para registrar la "grabacin" de los datos que constituyen los "archivos" y sistemas de programas. Ese conjunto de discos gira a gran velocidad impulsado por un motor, y es recorrido tambin en forma muy veloz por un conjunto de brazos que "leen" sus registros. Tambin contiene un circuito electrnico propio, que recepciona y graba, como tambin lee y dirige hacia otros componentes del computador la informacin registrada. Indudablemente, la memoria externa contenida en el disco duro es la principal fuente del material de informacin (data) utilizado para la operacin del computador, pues es en l que se registran el sistema de programas que dirige su funcionamiento general (sistema operativo), los programas que se utilizan para diversas formas de uso (programas de utilidad) y los elementos que se producen mediante ellos (archivos de texto, bases de datos, etc.). Unidades de Memoria

BIT: puede tener valore de 0 y 1, es decir sistema binario BYTE: son 8 Bits. KILOBYTE (KB) = 2 **10 bytes MEGABYTE (MB) = 2 ** 10 Kilobyte = 2 ** 20 Bytes GIGABYTE (GB) = 2** 10 Megabyte = 2** 30 Bytes TERABYTE (TB) =2**10 Gigabyte = 2**40 Bytes

Es necesario aclarar que las unidades son infinitas, pero las antes nombradas son las usadas. BIT: su nombre se debe a la contraccin de Binary Digit, es la mnima unidad de informacin y puede ser un cero o un uno BYTE: es la tambin conocida como el octeto, formada por ocho bits, que es la unidad bsica, las capacidades de almacenamiento en las computadoras se organiza en potencias de dos, 16, 32, 64. Las dems unidades son solo mltiplos de las anteriores, por ello cada una de ellas estn formadas por un determinado numero de Bits. La memoria principal o RAM Acrnimo de Random Access Memory, (Memoria de Acceso Aleatorio) es donde el ordenador guarda los datos que est utilizando en el momento presente. Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la informacin que est en la memoria en cualquier

punto sin tener que acceder a la informacin anterior y posterior. Es la memoria que se actualiza constantemente mientras el ordenador est en uso y que pierde sus datos cuando el ordenador se apaga. Cuando las aplicaciones se ejecutan, primeramente deben ser cargadas en memoria RAM. El procesador entonces efecta accesos a dicha memoria para cargar instrucciones y enviar o recoger datos. Reducir el tiempo necesario para acceder a la memoria, ayuda a mejorar las prestaciones del sistema. La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o discos duros, es que la RAM es mucho ms rpida, y se borra al apagar el ordenador. Es una memoria dinmica, lo que indica la necesidad de "recordar" los datos a la memoria cada pequeos periodos de tiempo, para impedir que esta pierda la informacin. Eso se llama Refresco. Cuando se pierde la alimentacin, la memoria pierde todos los datos. "Random Access", acceso aleatorio, indica que cada posicin de memoria puede ser leda o escrita en cualquier orden. Lo contrario seria el acceso secuencial, en el cual los datos tienen que ser ledos o escritos en un orden predeterminado. Es preciso considerar que a cada BIT de la memoria le corresponde un pequeo condensador al que le aplicamos una pequea carga elctrica y que mantienen durante un tiempo en funcin de la constante de descarga. Generalmente el refresco de memoria se realiza cclicamente y cuando esta trabajando el DMA. El refresco de la memoria en modo normal esta a cargo del controlador del canal que tambin cumple la funcin de optimizar el tiempo requerido para la operacin del refresco. Posiblemente, en ms de una ocasin en el ordenador aparecen errores de en la memoria debido a que las memorias que se estn utilizando son de una velocidad inadecuada que se descargan antes de poder ser refrescadas. Las posiciones de memoria estn organizadas en filas y en columnas. Cuando se quiere acceder a la RAM se debe empezar especificando la fila, despus la columna y por ltimo se debe indicar si deseamos escribir o leer en esa posicin. En ese momento la RAM coloca los datos de esa posicin en la salida, si el acceso es de lectura o coge los datos y los almacena en la posicin seleccionada, si el acceso es de escritura. La cantidad de memoria Ram de nuestro sistema afecta notablemente a las prestaciones, fundamentalmente cuando se emplean sistemas operativos actuales. En general, y sobretodo cuando se ejecutan mltiples aplicaciones, puede que la demanda de memoria sea superior a la realmente existente, con lo que el sistema operativo fuerza al procesador a simular dicha memoria con el disco duro (memoria virtual). Una buena inversin para aumentar las prestaciones ser por tanto poner la mayor cantidad de RAM posible, con lo que minimizaremos los accesos al disco duro. Los sistemas avanzados emplean RAM entrelazada, que reduce los tiempos de acceso mediante la segmentacin de la memoria del sistema en dos bancos coordinados. Durante una solicitud particular, un banco suministra la informacin al procesador, mientras que el otro prepara datos para el siguiente ciclo; en el siguiente acceso, se intercambian los papeles.

Los mdulos habituales que se encuentran en el mercado, tienen unos tiempos de acceso de 60 y 70 ns (aquellos de tiempos superiores deben ser desechados por lentos). Es conveniente que todos los bancos de memoria estn constituidos por mdulos con el mismo tiempo de acceso y a ser posible de 60 ns. Hay que tener en cuenta que el bus de datos del procesador debe coincidir con el de la memoria, y en el caso de que no sea as, esta se organizar en bancos, habiendo de tener cada banco la cantidad necesaria de mdulos hasta llegar al ancho buscado. Por tanto, el ordenador slo trabaja con bancos completos, y stos slo pueden componerse de mdulos del mismo tipo y capacidad. Como existen restricciones a la hora de colocar los mdulos, hay que tener en cuenta que no siempre podemos alcanzar todas las configuraciones de memoria. Tenemos que rellenar siempre el banco primero y despus el banco nmero dos, pero siempre rellenando los dos zcalos de cada banco (en el caso de que tengamos dos) con el mismo tipo de memoria. Combinando diferentes tamaos en cada banco podremos poner la cantidad de memoria que deseemos. Tipos de memorias RAM DRAM: acrnimo de "Dynamic Random Access Memory", o simplemente RAM ya que es la original, y por tanto la ms lenta. Usada hasta la poca del 386, su velocidad de refresco tpica es de 80 70 nanosegundos (ns), tiempo ste que tarda en vaciarse para poder dar entrada a la siguiente serie de datos. Por ello, la ms rpida es la de 70 ns. Fsicamente, aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos ltimos de 30 contactos. FPM (Fast Page Mode): a veces llamada DRAM, puesto que evoluciona directamente de ella, y se usa desde hace tanto que pocas veces se las diferencia. Algo ms rpida, tanto por su estructura (el modo de Pgina Rpida) como por ser de 70 60 ns. Es lo que se da en llamar la RAM normal o estndar. Usada hasta con los primeros Pentium, fsicamente aparece como SIMMs de 30 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486). Para acceder a este tipo de memoria se debe especificar la fila (pgina) y seguidamente la columna. Para los sucesivos accesos de la misma fila slo es necesario especificar la columna, quedando la columna seleccionada desde el primer acceso. Esto hace que el tiempo de acceso en la misma fila (pgina) sea mucho ms rpido. Era el tipo de memoria normal en los ordenadores 386, 486 y los primeros Pentium y lleg a alcanzar velocidades de hasta 60 ns. Se presentaba en mdulos SIMM de 30 contactos (16 bits) para los 386 y 486 y en mdulos de 72 contactos (32 bits) para las ltimas placas 486 y las placas para Pentium. EDO o EDO-RAM: Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la FPM. Permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores estn saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo ms rpida (un 5%, ms o menos). Mientras que la memoria tipo FPM slo poda acceder a un solo byte (una instruccin o valor) de informacin de cada vez, la memoria EDO permite mover un bloque completo de memoria a la cach interna del procesador para un acceso ms rpido por parte de ste. La estndar se

encontraba con refrescos de 70, 60 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168. La ventaja de la memoria EDO es que mantiene los datos en la salida hasta el siguiente acceso a memoria. Esto permite al procesador ocuparse de otras tareas sin tener que atender a la lenta memoria. Esto es, el procesador selecciona la posicin de memoria, realiza otras tareas y cuando vuelva a consultar la DRAM los datos en la salida seguirn siendo vlidos. Se presenta en mdulos SIMM de 72 contactos (32 bits) y mdulos DIMM de 168 contactos (64 bits). SDRAM: Sincronic-RAM. Es un tipo sncrono de memoria, que, lgicamente, se sincroniza con el procesador, es decir, el procesador puede obtener informacin en cada ciclo de reloj, sin estados de espera, como en el caso de los tipos anteriores. Slo se presenta en forma de DIMMs de 168 contactos; es la opcin para ordenadores nuevos. SDRAM funciona de manera totalmente diferente a FPM o EDO. DRAM, FPM y EDO transmiten los datos mediante seales de control, en la memoria SDRAM el acceso a los datos esta sincronizado con una seal de reloj externa. La memoria EDO est pensada para funcionar a una velocidad mxima de BUS de 66 Mhz, llegando a alcanzar 75MHz y 83 MHz. Sin embargo, la memoria SDRAM puede aceptar velocidades de BUS de hasta 100 MHz, lo que dice mucho a favor de su estabilidad y ha llegado a alcanzar velocidades de 10 ns. Se presenta en mdulos DIMM de 168 contactos (64 bits). El ser una memoria de 64 bits, implica que no es necesario instalar los mdulos por parejas de mdulos de igual tamao, velocidad y marca PC-100 DRAM: Este tipo de memoria, en principio con tecnologa SDRAM, aunque tambin la habr EDO. La especificacin para esta memoria se basa sobre todo en el uso no slo de chips de memoria de alta calidad, sino tambin en circuitos impresos de alta calidad de 6 o 8 capas, en vez de las habituales 4; en cuanto al circuito impreso este debe cumplir unas tolerancias mnimas de interferencia elctrica; por ltimo, los ciclos de memoria tambin deben cumplir unas especificaciones muy exigentes. De cara a evitar posibles confusiones, los mdulos compatibles con este estndar deben estar identificados as: PC100-abc-def. BEDO (burst Extended Data Output): Fue diseada originalmente para soportar mayores velocidades de BUS. Al igual que la memoria SDRAM, esta memoria es capaz de transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, pero no de forma continuada, como la anterior, sino a rfagas (bursts), reduciendo, aunque no suprimiendo totalmente, los tiempos de espera del procesador para escribir o leer datos de memoria. RDRAM: (Direct Rambus DRAM). Es un tipo de memoria de 64 bits que puede producir rfagas de 2ns y puede alcanzar tasas de transferencia de 533 MHz, con picos de 1,6 GB/s. Pronto podr verse en el mercado y es posible que tu prximo equipo tenga instalado este tipo de memoria. Es el componente ideal para las tarjetas grficas AGP, evitando los cuellos de botella en la transferencia entre la tarjeta grfica y la memoria de sistema durante

el acceso directo a memoria (DIME) para el almacenamiento de texturas grficas. Hoy en da la podemos encontrar en las consolas NINTENDO 64. DDR SDRAM: (Double Data Rate SDRAM o SDRAM-II). Funciona a velocidades de 83, 100 y 125MHz, pudiendo doblar estas velocidades en la transferencia de datos a memoria. En un futuro, esta velocidad puede incluso llegar a triplicarse o cuadriplicarse, con lo que se adaptara a los nuevos procesadores. Este tipo de memoria tiene la ventaja de ser una extensin de la memoria SDRAM, con lo que facilita su implementacin por la mayora de los fabricantes. SLDRAM: Funcionar a velocidades de 400MHz, alcanzando en modo doble 800MHz, con transferencias de 800MB/s, llegando a alcanzar 1,6GHz, 3,2GHz en modo doble, y hasta 4GB/s de transferencia. Se cree que puede ser la memoria a utilizar en los grandes servidores por la alta transferencia de datos. ESDRAM: Este tipo de memoria funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, pudiendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2 GB/s. La memoria FPM (Fast Page Mode) y la memoria EDO tambin se utilizan en tarjetas grficas, pero existen adems otros tipos de memoria DRAM, pero que SLO de utilizan en TARJETAS GRFICAS, y son los siguientes: MDRAM (Multibank DRAM) Es increblemente rpida, con transferencias de hasta 1 GIGA/s, pero su coste tambin es muy elevado. SGRAM (Synchronous Graphic RAM) Ofrece las sorprendentes capacidades de la memoria SDRAM para las tarjetas grficas. Es el tipo de memoria ms popular en las nuevas tarjetas grficas aceleradoras 3D. VRAM Es como la memoria RAM normal, pero puede ser accedida al mismo tiempo por el monitor y por el procesador de la tarjeta grfica, para suavizar la presentacin grfica en pantalla, es decir, se puede leer y escribir en ella al mismo tiempo. WRAM (Window RAM) Permite leer y escribir informacin de la memoria al mismo tiempo, como en la VRAM, pero est optimizada para la presentacin de un gran nmero de colores y para altas resoluciones de pantalla. Es un poco ms econmica que la anterior. Para procesadores lentos, por ejemplo el 486, la memoria FPM era suficiente. Con procesadores ms rpidos, como los Pentium de primera generacin, se utilizaban memorias EDO. Con los ltimos procesadores Pentium de segunda y tercera generacin, la memoria SDRAM es la mejor solucin. La memoria ms exigente es la PC100 (SDRAM a 100 MHz), necesaria para montar un AMD K6-2 o un Pentium a 350 MHz o ms. Va a 100 MHz en vez de los 66 MHZ usuales.

La memoria ROM se caracteriza porque solamente puede ser leda (ROM=Read Only Memory). Alberga una informacin esencial para el funcionamiento del computador, que por lo tanto no puede ser modificada porque ello hara imposible la continuidad de ese funcionamiento. Uno de los elementos ms caractersticos de la memoria ROM, es el BIOS, (Basic InputOutput System = sistema bsico de entrada y salida de datos) que contiene un sistema de programas mediante el cual el computador "arranca" o "inicializa", y que estn "escritos" en forma permanente en un circuito de los denominados CHIPS que forman parte de los componentes fsicos del computador, llamados " hardware". INTRODUCCION La memoria es un bloque fundamental del computador, cuya misin consiste en almacenar los datos y las instrucciones. La memoria principal, es el rgano que almacena los datos e instrucciones de los programas en ejecucin. A veces la memoria principal no tiene la suficiente capacidad para contener todos los datos e instrucciones, en cuyo caso se precisan otras memorias auxiliares o secundarias, que funcionan como perifricos del sistema y cuya informacin se traspasa a la memoria principal cuando se necesita. La memoria solo puede realizar dos operaciones bsicas: lectura y escritura. En la lectura, el dispositivo de memoria debe recibir una direccin de la posicin de la que se quiere extraer la informacin depositada previamente. En la escritura, adems de la direccin, se debe suministrar la informacin que se desea grabar. EVOLUCION DE LAS MEMORIAS En las calculadoras de la dcada de los 30 se emplean tarjetas perforadas como memorias. La direccin de las posiciones quedaba determinada por la posicin de ruedas dentadas. Luego se emplearon rels electromagnticos. El computador ENIAC utilizaba, en 1946, vlvulas electrnicas de vaco para construir sus biestables que actuaban como punto de memoria. Adems, tenia una ROM de 4 bits construida a base de resistencias. Al comienzo de la dcada de los 50, se usaron las lneas de retardo de mercurio con 1 Kbit por lnea, como memoria. Igualmente se empleo el tubo de Williams, que tenia una capacidad de 1200 bits y consista en un tubo de rayos catdicos con memoria. En UNIVAC I introdujo en 1951 la primera unidad comercial de banda magntica, que tenia una capacidad de 1,44 Mbit y una velocidad de 100 pulgadas/s. El primer computador comercial que uso memoria principal al tambor magntico fue el IBM 650 en 1954. Dicho tambor giraba a 12500 r.p.m y tenia una capacidad de 120 Kbits.

En 1953, el Mit dispuso de la primera memoria operativa de ferritas, que fue muy popular hasta mediados de los aos 70. Fue IBM, en 1968, quien diseo la primera memoria comercial de semiconductores. Tenia una capacidad de 64 bits. Tambin, el modelo 350 de IBM en 1956 fue quien utilizo el primer disco con brazo mvil y cabeza flotante. Su capacidad era de 40 Mbits y su tiempo de acceso, de 500 ms. Tecnologas nuevas, como la de burbujas magnticas, efecto Josephon, acoplamiento de carga, de tipo ptico y otras, compiten en la actualidad por desplazar a las memorias de semiconductor basadas en silicio, que ya han alcanzado capacidades superiores a 1 Mbit en una pastilla con rapidisimo tiempo de acceso y coste razonable. CUERPO DEL INFORME MEMORIA DE FERRITA Aunque hoy en da estn en desuso, la practica totalidad de las memorias principales, desde mediados de la dcada de los 50, hasta los aos 70, se han construido con ferritas. Una muestra de su importancia es que es el escudo de las Facultades y Escuelas de Informtica se basa en un toro de ferrita. El punto de memoria es un toro o anillo de ferrita, que presenta dos direcciones de magnetizacin. Las primeras ferritas tenan un dimetro exterior de 0.3 cm y las ultimas de 0.05 cm. La conexin a los transductores se realiza mediante hilos de cobre barnizados, que pasan por el interior de las ferritas. La conexin se hacia con 2, 3 4 hilos. Evidentemente el cosido con menos hilos era ms sencillo, pero complicaba los transductores. Las propiedades fundamentales de estas memorias son las siguientes: Memoria esttica con direccionamiento cableado, tipo RAM. No voltil, pues, si se deja de alimentar, las polarizaciones de las ferritas se mantienen invariables. De lectura destructiva. La escritura exige un borrado previo, pues solamente se puede basar del 0 al 1. Solo se considera el tiempo de ciclo( lectura + escritura)pues los accesos siempre requieren un ciclo. La velocidad de los primeros prototipos era de 20s y se ha llegado a modelos de 275ns.

 La capacidad de estas memorias varia de unos pocos K a unos pocos Megas. Se construan con modelos de 4K. Valores tpicos de anchos de palabra han sido 8, 16, 32 y 36. MEMORIAS DE PELICULA DELGADA Y DE HILO PLATEADO. Ambos tipos de memoria fueron un intento, de poco xito comercial, de sustituir ferritas de dos hilos por una estructura de fabricacin ms sencilla, de menor tamao y, por tanto, de mayor velocidad. En los dispositivos de pelcula delgada se parte de una fina capa magnetizable sobre la que se establece una matriz de hilos conectados a los transductores. La zona proximal al cruce de dos hilos realiza la misma funcin que un toro de ferrita de dos hilos. Dicha capa se deposita sobre un soporte y tiene un espesor de unos 10 -4mm. En los dispositivos de hilo plateado el material magntico se deposita en una fina capa que recubre uno de los dos conductores. La zona de este deposito, prxima al cruce de ambos hilos, forma el equivalente a la ferrita. MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES Este tipo de memoria se emplea actualmente, con carcter universal, como memoria principal de los computadores. Todas las memorias que se van a tratar en este apartado son de direccionamiento cableado, o sea, de acceso aleatorio o RAM. Sin embargo, dentro de estas memorias se ha desarrollado otra terminologa que resulta un poco confusa, pues repite trminos empleados con otro sentido. Se puede establecer la siguiente clasificacin: de lectura y escritura(RAM)

Estticas. Dinmicos o con refresco.

de slo lectura

ROM (Read Only Memory) PROM (Programmable Read Only Memory) EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) EEPROM (Electricaly Erasable Read Only Memory )

Las memorias de semiconductores se presentan en pastillas integradas que contienen una matriz de memoria, un decodificador de direcciones, los transductores correspondientes y el tratamiento lgico de algunas seales de control. Existen muchas configuraciones, pero la mayora de estas memorias manejan los siguientes elementos y seales. Bus de Datos: es un colector o conjunto de lneas triestado que transportan la informacin almacenada en memoria. El bus de datos se puede conectar a las lneas correspondientes de varias pastillas. Bus de Direcciones: cuando se esta completo, es un conjunto de m lneas que transportan la direccin y que permite codificar 2 posiciones de memoria. Pude estar multiplexado, de forma que primero se transmiten m/2 bits y luego, el resto. Seales de control tpicas: OE: activa la salida triestado de la memoria. CS CE: activa la pastilla o chip. WE: seal de escritura. Para realizar una escritura, adems de activarse esta seal, tambin lo estarn CS CE. RAS CAS: las lneas RAS(Row Address Strobe) y CAS(Column Address Strobe) sirven para decodificar las filas y columnas de la RAM dinmicas. d) Ancho de palabra tpico: 1,4 u 8 bits. MEMORIA RAM Es la memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory). Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la informacin que est en la memoria en cualquier punto sin tener que acceder a la informacin anterior y posterior. Es la memoria que se actualiza constantemente mientras el ordenador est en uso y que pierde sus datos cuando el ordenador se apaga. Hay dos tipos bsicos de RAM: DRAM (Dynamic RAM), RAM dinmica, SRAM (Static RAM), RAM esttica Los dos tipos difieren en la tecnologa que usan para almacenar los datos. La RAM dinmica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM

esttica no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace ms rpida, pero tambin ms cara que la RAM dinmica. Ambos tipos son voltiles, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentacin. En el lenguaje comn, el termino RAM es sinnimo de memoria principal, la memoria disponible para programas. Se refiere a la memoria RAM tanto como memoria de lectura y escritura como as a un tipo de memoria voltil. Tipos de Memoria RAM: 1) DRAM (Dynamic Random Access Memory) Es la memoria de acceso aleatorio dinmica. Est organizada en direcciones de memoria (Addresses) que son reemplazadas muchas veces por segundo. Es la memoria de trabajo, por lo que a mayor cantidad de memoria, ms datos se pueden tener en ella y ms aplicaciones pueden estar funcionando simultneamente, y por supuesto a mayor cantidad mayor velocidad de proceso, pues los programas no necesitan buscar los datos continuamente en el disco duro, el cual es muchsimo ms lento. SRAM (Static Random Access Memory) Memoria esttica de acceso aleatorio es la alternativa a la DRAM. No necesita tanta electricidad para su refresco y reemplazo de las direcciones y funciona ms rpido porque no est reemplazando constantemente las instrucciones y los valores almacenados en ella. La desventaja es su altsimo coste comparado con la DRAM. Puede almacenar y recuperar los datos rpidamente y se conoce normalmente como MEMORIA CACHE. 3) VRAM (video RAM) Memoria de propsito especial usada por los adaptadores de vdeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultnea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador grfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos grficos aunque es ms cara que la una RAM normal. 4) SIMM ( Single In Line Memory Module) Un tipo de encapsulado consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zcalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son ms fciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits. 5) DIMM (Dual In Line Memory)

Un tipo de encapsulado, consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zcalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos. DIP (Dual In Line Package) Un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexin en cada lado. RAM Disk Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces ms rpidos que los discos duros, y son particularmente tiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco. Dado que estn constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez que la computadora es apagada. MEMORIA CACHE O RAM CACHE Un cach es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un rea reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de cach frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria cach y cach de disco. Una memoria cach, llamada tambin a veces almacenamiento cach RAM cach, es una parte de memoria RAM esttica de alta velocidad (SRAM) ms que la lenta y barata RAM dinmica (DRAM) usada como memoria principal. La memoria cach es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta informacin en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM. Cuando un dato es encontrado en el cach, se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un cach juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria cach usan una tecnologa conocida por cach inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. El cach de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria cach, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos ms recientes del disco duro a los que se ha accedido se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la cach del disco para ver si los

datos ya estn ah. La cach de disco puede mejorar drsticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces ms rpido que acceder a un byte del disco duro. Tipos de Memoria CACHE De acuerdo con el modo de traduccin de las direcciones de memoria principal a direcciones de memoria cache, estas se clasifican en los siguientes tipos: De correspondencia directa. De asociacin completa. De asociacin de conjuntos. De correspondencia vectorizada. Memoria cache de correspondencia directa. Se establece una correspondencia entre el bloque K de la memoria principal y el bloque k, modulo n, de la cache, siendo n el numero de bloques de la memoria cache. Este tipo simple y econmico, por no requerir comparaciones asociativas en las bsquedas. De todas formas, en sistemas multiprocesador pueden registrarse graves contenciones en el caso de que varios bloques de memoria correspondan concurrentemente en un mismo bloque de la cache. Una direccin de memoria consta de 3 campos: Campo de etiqueta. Campo de bloque. Campo de palabra. Memoria asociativa completa En este modelo se establece una correspondencia entre el bloque k de la memoria y el bloque j de la cache, en la que j puede tomar cualquier valor. No se produce contencin de bloques y es muy flexible, pero su implementacin es cara y muy compleja, ya que el modelo se basa completamente en la comparacin asociativa de etiquetas. Memoria cache de asociacin de conjuntos

Se divide la memoria en c conjuntos de n bloques, de forma que al bloque k de memoria corresponde uno cualquiera de los bloques de la memoria del conjunto k, modulo c. La bsqueda se realiza asociativamente por el campo de etiqueta y directamente por el numero del sector. De este modo se reduce el costo frente al modelo anterior, manteniendo gran parte de su flexibilidad y velocidad. Es la Estructura ms utilizada. Memoria cache de correspondencia vectorizada El modelo divide a la memoria principal y a le cache en n bloques. La relacin se establece de cualquier sector a cualquier sector, siendo marcados los bloques no referenciados del sector como no validos. Esta estructura tambin reduce costos, minimizando el ncleo de etiquetas para la comparacin asociativa. SDRAM (Synchronous DRAM) DRAM sncrona, un tipo de memoria RAM dinmica que es casi un 20% ms rpida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o ms matrices de memoria interna de tal forma que mientras que se est accediendo a una matriz, la siguiente se est preparando para el acceso. SDRAM-II es tecnologa SDRAM ms rpida esperada para 1998. Tambin conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bs. FPM (Fats Page Mode) Memoria en modo paginado, el diseo ms comn de chips de RAM dinmica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era ledo pulsando la fila y la columna de las lneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rpido acceso. La memoria en modo paginado tambin es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El trmino "fast" fu aadido cuando los ms nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso ms. 11) EDO (Extended Data Outpout) Un tipo de chip de RAM dinmica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page. Sin embargo, si el controlador de memoria no est diseado para los ms rpidos chips EDO, el rendimiento ser el mismo que en el modo Fast Page. EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo.

 BEDO (Burst EDO) Es un tipo ms rpido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de direccin para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones. PB SRAM (Pipeline Burst SRAM) Se llama 'pipeline' a una categora de tcnicas que proporcionan un proceso simultneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tubera' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultneamente. Por ejemplo, mientras una instruccin se est ejecutando, la computadora est decodificando la siguiente instruccin. En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultneamente varios pasos de operaciones de coma flotante La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos. TAG RAM Este tipo de memoria almacena las direcciones de cualquier dato de memoria DRAM que hay en la memoria cach. Si el procesador encuentra una direccin en la TAG RAM, va a buscar los datos directamente a la cach, si no, va a buscarlos directamente a la memoria principal. Cuando se habla de la CACHEABLE MEMORY en las placas para Pentium con los chipsets 430FX, 430VX, 430HX y 430TX de Intel, nos referimos a la cantidad de TAG RAM, es decir, la cantidad de datos de memoria que se pueden almacenar en la cach. Una de las desventajas del chipset 430TX frente al chipset 430HX es que solo se pueden almacenar los datos de 64 MB de memoria RAM, con lo cual, en ciertos casos, en las placas con este chipset se produce un descenso del rendimiento de memoria al tener instalados ms de 64 MB de memoria RAM en el equipo. Por ello, a pesar de la modernidad del diseo, en los servidores o las estaciones grficas quizs sera ms conveniente utilizar una placa base con el chipset 430HX de Intel. MEMORIA ROM Estas letras son las siglas de Read Only Memory (memoria de solo lectura) y eso es exactamente lo que es, una memoria que se graba en el proceso de fabricacin con una informacin que est ah para siempre, para lo bueno y lo malo. No podemos escribir en ella pero podemos leer cada posicin la veces que queramos. Se trata de la memoria interna de la mquina, que el procesador lee para averiguar el qu, el cundo y el cmo de una multitud de tareas diferentes; por ejemplo: lee las diversas instrucciones binarias que se necesitan cada vez que se teclea un carcter por el teclado, o cada vez que se tiene que presentar algo en pantalla.

En la ROM est almacenado tambin el programa interno que nos ofrece la posibilidad de hablar con el ordenador en un lenguaje muy similar al ingls sin tener que rompernos la cabeza con el lenguaje de mquina (binario). Todas estas cosas suman tanta informacin que es muy probable que la memoria ROM de un ordenador tenga una capacidad de 8K a 16K, un nmero suficientemente grande para que este justificado asombrarse ante la cantidad de informacin necesaria para llenar tal cantidad de posiciones, especialmente cuando sabemos que los programas ROM estn escritos por expertos en ahorrar memoria. Ello sirve para poner de manifiesto la gran cantidad de cosas que pasan en el interior de un ordenador cuando ste est activo. La memoria ROM presenta algunas variaciones: las memorias PROM, EPROM y EEPROM. MEMORIA PROM Para este tipo de memoria basta decir que es un tipo de memoria ROM que se puede programar mediante un proceso especial, posteriormente a la fabricacin. PROM viene de PROGRAMABLE READ ONLY MEMORY (memoria programable de solo lectura ).Es un dispositivo de almacenamiento solo de lectura que se puede reprogramar despus de su manufactura por medio de equipo externo . Los PROM son generalmente pastillas de circuitos integrados. Caractersticas principales de rom y prom:

Solo permiten la lectura. Son de acceso aleatorio Son permanentes o no voltiles: la informacin no puede borrarse Tienen un ancho de palabra de 8 bits, con salida triestado.

MEMORIA EPROM La memoria EPROM ( la E viene de ERASABLE -borrable-) es una ROM que se puede borrar totalmente y luego reprogramarse, aunque en condiciones limitadas. Las EPROM son mucho ms econmicas que las PROM porque pueden reutilizarse. MEMORIA EEPROM An mejores que las EPROM son las EEPROM ( EPROM elctricamente borrables) tambin llamadas EAROM (ROM elctricamente alterables), que pueden borrarse mediante impulsos elctricos, sin necesidad de que las introduzcan en un receptculo especial para exponerlos a luz ultravioleta.

Las ROM difieren de las memorias RAM en que el tiempo necesario para grabar o borrar un byte es cientos de veces mayor, a pesar de que los tiempos de lectura son muy similares. Caractersticas principales de este tipo de memorias:

Solo permiten la lectura. Son de tipo no voltil, aunque pueden borrarse. Son de acceso aleatorio. Tienen un ancho de palabra de 8 bits, con salida triestado.

MEMORIA VIRTUAL Es una manera de reducir el acceso constante a memoria por parte del procesador. Cuando se est ejecutando un programa, y especialmente si se tienen varias aplicaciones abiertas, el ordenador tiene que cargar en memoria RAM los valores e instrucciones de dicho/s programa/s. Pero, qu ocurre cuando el programa o programas que se estn ejecutando requieren ms memoria de la que tiene el equipo? En este caso, el procesador toma una parte del disco duro y la convierte en memoria RAM. Es decir, se utiliza el disco duro para almacenar direcciones de memoria, y aunque el disco duro es mucho ms lento que la memoria RAM (10-15 milisegundos para un disco duro moderno frente a 70-10 nanosegundos para la memoria actual), es mucho ms rpido tomar los datos en formato de memoria virtual desde el disco duro que desde las pistas y sectores donde se almacenan los archivos de cada programa. Los distintos modelos de memoria virtual se diferencian por sus polticas de solapamiento y por los mtodos que emplean en la organizacin de la memoria. Los mas importantes son:

Memoria Paginada Memoria Segmentada Memoria de segmentos paginados

Todos estos sistemas encuentran como problema critico que los requerimientos de la memoria de algunos programas especficos son difciles de predecir, y por ello, la fraccin de memoria que debe asignarse a un programa es variable en cada caso. Adems, la poltica de solapamiento y comparticin debe tener en cuenta ciertas caractersticas internas de los programas que, invariablemente, determinan la construccin modular y estructurada de los mismos. Dichas caractersticas son:

1.- Localizacin Temporal: Es la tendencia de un proceso a referirse, en un futuro prximo, a elementos utilizados recientemente. Las variables y los stacks del proceso son ejemplos de elementos que ejercitan esta caracterstica. 2.- Localizacin espacial: es la tendencia que tiene los procesos a referirse a elementos prximos la espacio virtual antes recorrido. 3.- Localizacin Secuencial: tendencia de los procesos a referenciar elementos de la secuencia inmediata. Para decidir que fraccin de memoria principal ha de ser destruida o cargada en disco si ha sido modificada cuando se necesita leer otra, las reglas o criterios mas empleados son: Regla FIFO. Se destruye la fraccin que mas tiempo lleva en la memoria principal para dejar un hueco en esta. Regla LRU. La porcin que lleva mas tiempo sin haber sido usada o actualizada. Regla LIFO. El hueco aparece en la memoria principal destruyendo o devolviendo a disco(si se ha modificado) la parte que lleva en memoria el menor tiempo. Regla LFO. Deja hueco la porcin que se ha pedido menos veces desde que comenz el proceso. Regla RAND. Se elige una porcin al azar. Regla CLOCK. Cuando se coloca un bit de uso en cada entrada de una cola FIFO y se establece un puntero que la convierte en circular. Es una aproximacin al algoritmo LRU con una cola FIFO simple. MEMORIA PAGINADA Este mtodo organiza el espacio virtual y el fsico en bloques de tamao fijo, llamados paginas. En un momento determinado la memoria principal contendr algunos de los bloques lgicos. Como las distintas posiciones de un bloque lgico y uno fsico estn ordenadas de forma idntica, simplemente hay que traducir el numero del bloque lgico al correspondiente del bloque fsico. Los mtodos de traduccin son diversos, desde el mas bsico de correspondencia directa al mas complejo de correspondencia asociativa, donde la bsqueda se realiza mediante el contenido de una memoria asociativa que mantiene las correspondencias virtual - fsica mas recientemente utilizadas. En la practica se utiliza una tcnica mixta en la que las paginas mas recientemente empleadas se encuentran en una memoria asociativa y todas ellas en una tabla de correspondencia directa. Mtodo de correspondencia directa:

La direccin virtual consta de dos campos: un numero de pagina virtual(npv) y un desplazamiento(d), dentro de la pagina indicada. Con el numero de la pagina virtual se accede a una entrada de una tabla de paginas(TP) que proporciona la direccin fsica de la pagina y una serie de informacin complementaria. Localizada la pagina fsica, el desplazamiento(d) sirve para completar la posicin concreta dentro de ella. En el momento de arranque, cada proceso activo del sistema crea en la memoria principal una Tabla de Paginas(TP) que contiene una entrada por cada posible pagina virtual. La configuracin de las entradas de TP consta de los siguientes campos: 1.- Bit de validacin(V), que, cuando esta activado, indica que la pagina existe. Si V=0, la pagina no existe y se creara cuando haga falta. 2.- Bit de Modificacin(M), que indica si la pagina ha sido modificada en memoria. Este bit se utiliza en los algoritmos de reemplazo y actualizacin de la memoria. 3.- Cdigo de acceso autorizado a la pagina(CAA), que puede ser de lectura, escritura y/o ejecucin; son 2 bits. 4.- Direccin de la Pagina(DP), que contiene la direccin de la pagina en memoria principal o la direccin de la misma en memoria virtual o disco, segn que la pagina este activa o inactiva de acuerdo con el sealizador D. La direccin donde comienza la Tabla de Paginas(TP) esta almacenada en el Registro de Base de la Tabla de Paginas(RBTP). Para acceder, sucesivamente, a las entradas de la TP se incrementa el valor correspondiente al numero de pagina virtual(npv) al que se guarda en RBTP. Para calcular la direccin fsica en memoria se concatena DP(numero de pagina) con el desplazamiento d. Esto, si la pagina se encuentra en la memoria principal. El problema de este mtodo estriba en el que el numero de entradas a la Tabla de Paginas(TP) ha de coincidir con el numero de paginas virtuales, que es muy grande. Mtodo de correspondencia asociativa En este caso se dispone de una tabla inversa en tecnologa asociativa, esto es, con memoria tipo CAM, que se encarga ella misma de soportar el proceso de bsqueda a muy alta velocidad, suministrando el numero de pagina fsica o indicacin de que la palabra lgica direccionada no se encuentra en memoria, en cuyo caso se elimina una pagina de la memoria principal(si no se ha modificado) y se trae la nueva al hueco que deja. La memoria asociativa es aquella en la que se producen mltiples accesos de forma simultanea. En un simple acceso se pueden direccionar todas las posiciones que satisfacen

un criterio de seleccin. Dado el elevado coste de las memorias asociativas, la tabla CAM suele ser incompleta, albergando el conjunto de paginas activas en un momento determinado. Si la CAM origina falta, hay que acudir a la TP para comprobar si esta en la memoria principal y, en su caso, actualizar la CAM. Si da falta la TP, hay que proceder a un cambio de pagina entre memoria principal y CAM. MEMORIA SEGMENTADA Este mtodo explota el concepto de modularidad de los programas construidos estructuralmente. Los mdulos son conjuntos de informaciones que pueden tratarse independientemente y que se relacionan mediante llamadas interprocedimientos, constituyendo programas que se denominan segmentos. La segmentacin es una tcnica que organiza el espacio virtual en bloques de tamao variable, que reciben el nombre de segmentos y que se colocan en memoria mediante algoritmos de localizacin de espacio libre. Los elementos de un segmento se identifican mediante la direccin del segmento al que pertenecen y un desplazamiento dentro del mismo. A semejanza con el modelo anterior, existe un Registro Base de la Tabla de Segmentos(RBTS), que direcciona el comienzo de la Tabla de Segmentos(TS), de las que existe una por cada proceso activo. Cada entrada de la Tabla de Segmentos se compone de los siguientes campos: 1.- Cdigo de Acceso Autorizado(CAA), que indica el modo de acceso permitido al segmento. 2.- Campo de Longitud(L), que indica la longitud del segmento. 3.- Bit de Memoria/Disco(D), que indica si el segmento esta o no en memoria. 4.- Campo de Direccin de Segmento (DS), que contiene la direccin absoluta del segmento en memoria o la posicin del segmento en disco, segn el valor del sealizador D. Dada la naturaleza variable en cuanto a longitud de los segmentos, se precisa algn algoritmo que localice espacio libre para que resida el segmento apropiado, ya que no es corriente encontrar un bloque continuo en la memoria, para colocarlo completo. Estos algoritmos forman parte del mecanismo de interrupcin de falta de pagina y los ms relevantes son: a) De mejor ajuste: Minimiza el desperdicio, seleccionando el mejor agujero o fragmento intil en el que se puede colocar el segmento. b) De peor ajuste: Localiza el agujero que maximiza el desperdicio al colocar el segmento.

c) De primer ajuste: Localiza el agujero con una direccin inicial inferior en el que se puede colocar el segmento. d) Algoritmo Buddy: Utiliza tcnicas de compactacin de memoria, fusionando espacios intiles, de forma que se configuran bloques continuos del tamao adecuado. Evidentemente los segmentos pueden ser compartidos por muchos procesos. Algunos sistemas utilizan tablas auxiliares, que apoyan la bsqueda de segmentos compartidos, como la Tabla de Segmentos Activos(TSA), que indica cuales son los segmentos activos en memoria en cada instante y la Tabla de Segmentos Conocidos(TSC), que contiene en cada entrada un nombre-segmento/numero segmento por cada segmento ya utilizado en el proceso. Uno de los procedimientos mas aceptados para la gestin de la memoria virtual es el que utilizan los minicomputadores PDP-II de Digital Equpiment Corporation. Por ej. la direccin virtual de 16 bits, se divide en un campo de 3 bits, que selecciona uno de los 8 registros basa de 12 bits existentes, y otro campo de 13 bits de desplazamiento. La direccin fsica de 18 bits se calcula sumando el registro base, los 7 bits de mas peso del desplazamiento precedidos de cinco ceros, y concatenando al resultado los 6 bits menos peso del desplazamiento. Se logra variar la longitud de los segmentos entre 64 bytes y 8 Kbytes. MEMORIA CON SEGMENTOS PAGINADOS Esta memoria combina las ventajas de los dos modelos anteriores. Cada segmento se divide en paginas, de forma que, para acceder a cualquier elemento de un segmento, el sistema acude a la Tabla de Paginas(TP) de dicho segmento. Si se aplica la tcnica asociativa, para realizar la traduccin, el tratamiento de las interrupciones de fallo en el acceso debe contemplar los siguientes aspectos: Ausencia en el numero de pagina en la memoria asociativa, en cuyo caso se obtendr la direccin de pagina de la TP correspondiente. Ausencia de l numero de segmento en la memoria asociativa, supone una bsqueda en la Tabla de Segmentos activos(TSA), en el peor de los casos, en el directorio de ficheros del disco, para recuperar el segmento y/o los atributos. En sistemas multiprogramados, la activacin de un nuevo proceso que genera su propio espacio de direccin invalida las entradas anteriores de la memoria asociativa. CONCLUSION Este trabajo ha servido para conocer lo que son las memorias no solo superficialmente, sino como realizan su gestin dentro del computador mismo, dndose cuenta que cada una es distinta a la otra en la forma de operar, pero aun as teniendo en cuenta puntos similares.

BIBLIOGRAFIA - ARQUITECTURA DE COMPUTADORES PEDRO DE MIGUEL-JOSE MIGUEL ANGULO PAG. 135-180 TIPOS DE MEMORIA ( Virtual y Fsica)

a) Tipos de memorias

Memoria de acceso aleatorio o RAM En informtica, memoria basada en semiconductores que puede ser leda y escrita por el microprocesador u otros dispositivos de hardware. Es un acrnimo del ingls Randon Acces Memory. El acceso a las posiciones de almacenamiento se puede realizar en cualquier orden. Actualmente la memoria RAM para computadoras personales se suele fabricar en mdulos insertables llamados simm.

Memoria de slo lectura o ROM, En informtica, memoria basada en semiconductores que contiene instrucciones o datos que se pueden leer pero no modificar. En las computadoras IBM PC y compatibles, las memorias ROM suelen contener el software necesario para el funcionamiento del sistema. Para crear un chip ROM, el diseador facilita a un fabricante de semiconductores la informacin o las instrucciones que se van a almacenar. El fabricante produce entonces uno o ms chips que contienen esas instrucciones o datos. Como crear chips ROM implica un proceso de fabricacin, esta creacin es viable econmicamente slo si se producen grandes cantidades de chips. Los diseos experimentales o los pequeos volmenes son ms asequibles usando PROM o EPROM. El trmino Rom se suele referir a cualquier dispositivo de slo lectura, incluyendo PROM y EPROM. Memoria programable de slo lectura o PROM En informtica, tipo de memoria de slo lectura (ROM) que permite ser grabada con datos mediante un hadware llamado programador de PROM. Una vez que la PROM ha sido programada, los datos permanecen fijos y no pueden reprogramarse. Dado que las

ROM son rentables slo cuando se producen en grandes cantidades, se utilizan memorias programables de slo lectura durante las fases de creacin del prototipo de los diseos. Nuevas PROM pueden grabarse y desecharse durante el proceso de perfeccionamiento del diseo. Memoria programable y borrable de slo lectura o EPROM En informtica, tipo de memoria, tambin denominada reprogramable de slo lectura (RPROM, acrnimo ingls de Reprogrammable Read Only Memory). Las EPROM (acrnimo ingls de Erasable Programmable Read Only Memory) son chips de memoria que se programan despus de su fabricacin. Son un buen mtodo para que los fabricantes de hardware inserten cdigos variables o que cambian constantemente en un prototipo, en aquellos casos en los que producir gran cantidad de chips PROM resultara prohibitivo. Los chips EPROM se diferencian de los PROM por el hecho de que pueden borrarse por lo general, retirando una cubierta protectora de la parte superior del chip y exponiendo el material semiconductor a radiacin ultravioleta, despus de lo cual pueden reprogramarse. SIMM: En informtica, acrnimo de single in-line Memory Module, pequea placa de circuito impreso con varios chips de memoria integrados. Los SIMM estn diseados de modo que se puedan insertar fcilmente en la placa base de la computadora, y generalmente se utilizan para aumentar la cantidad de memoria RAM. Se fabrican con diferentes capacidades (4Mb, 8Mb, 16Mb, etctera) y con diferentes velocidades de acceso. Hoy en da su uso es muy frecuente debido a que ocupan menos espacio y son ms manejables y compactos que los tradicionales chips de memoria.

Disco duro; En informtica, una o varias lminas rgidas de forma circular, recubiertas de un material que posibilita la grabacin magntica de datos. Un disco duro normal gira a una velocidad de 3.600 revoluciones por minuto y las cabezas de lectura y escritura se mueven en la superficie del disco sobre una burbuja de aire de una profundidad de 10 a 25 millonsimas de pulgada. El disco duro va sellado para evitar la interferencia de partculas en la mnima distancia que existe entre las cabezas y el disco. Los discos duros proporcionan un acceso ms rpido a los datos que los discos flexibles y pueden almacenar mucha ms informacin. Al ser las lminas rgidas, pueden superponerse unas sobre otras, de modo que una unidad de disco duro puede tener acceso a ms de una de ellas. La mayora

de los discos duros tienen de dos a ocho lminas.

CD-ROM Acrnimo de Compact Disc-Read Only Memory. Estndar de almacenamiento de archivos informticos en disco compacto. Se caracteriza por ser de slo lectura. Otros estndares son el CD-R o WORM (permite grabar la informacin una sola vez), el CDDA (permite reproducir sonido), el CD-I (define una plataforma multimedia) y el PhotoCD (permite visualizar imgenes estticas).