Mündəricat

1. Aralıq tezlik çeviricisinin (ATÇ) amplitud kanalının mahiyyəti....................2

2. ATÇ –nin funksional sxemi............................................................................4

3. ATÇ – A – nın prinsipial sxeminin işlənməsi.................................................5

4. ATÇ – nin bloklarının hesablanması.............................................................12

5. Ədəbiyyat .....................................................................................................19

Aralıq tezlik çeviricisinin (ATÇ) amplitud kanalının mahiyyəti

1
 Radiolakasion qəbuledicilərə (RLQ) daxil olan siqnalların gücləndirilməsi
aralıq tezliklərində baş verir. ATÇ ATX forması və onun ötücürülük xətti praktik
olaraq ATX – nin formasını və ümumilikdə qəbuledicinin ötürücülük qabiliyyətini
müəyyən edir.
ATÇ amplitud detektorunun bir dəqiqədəki iş rejimi üçün lazım olan
gücləndirmə prosesini yaratmalı, müvafiq RLS – in ötürücülük şəraiti və
qarışdırıcıdan çıxan siqnalların diapazondan daha yüksək dinamik diapozonu təmin
etməlidir.
Ötürücülük sahəsi məhdud olan dövrdə gücləndirmə əmsalı daha az sayda
həyata keçirilir. Bu və ya digər element bazasının istifadə edilməsi ATÇ – nin
yaradılması sxeminin keyfiyyətinə təsir edir. Həm diskret, həm də inteqral yolla
hazırlanmış tranzistorlarda elektron lampaları ilə müqayisədə daha az giriş və çıxış
müqavimətləri var və onların giriş və çıxış həcmləri daha böyükdür. Ona görə də
göstərilən müqavimətlərinin şuntlama fəaliyyətlərinin azaldılması üçün
tranzistorların ATÇ – dan istifadə edilməsi zamanı onların giriş və çıxış fəaliyyəti
ilə silsilələrarası zəncirin titrəmə sistemi arasındakı tam olmayan əlaqədən istifadə
etmək lazım gəlir. Ötürülmə və gücləndirmə zolağı taxılma əmsalının seçilməsi ilə
təmin edilir. Qeyd etmək lazımdır ki, əgər silsilə sistemində tədbiq edilən lampalı
ATÇ sistemi bir məqsəd güdürsə, ATÇ – nin səs əmsalını aşağı salmağı,
tranzistorlu ATÇ sistemində silsilə şəklində olan iki tranzistorun yaxşı səs
keyfiyyətləri onların istifadəsinin əsas səbəbi deyil. Tranzistor silsiləsinin ATÇ
sisteminin belə qoşulması neytrallaşma əlaqəsi olmadan daxili əks əlaqənin təsirini
xeyli dərəcədə aşağı salmağa imkan verir. Bundan əlavə, aralarında tənzimləyici
elementlər yerləşdirilmiş iki tranzistor silsiləsi mərkəzi səs təmizləmə sistemində
əmələ gələn lazımsız əngəllərin aradan qaldırılmasına kömək edir, ATX və FTX –
nin formalarını müəyyənləşdirir, ATÇ zolağının enini tənzimləyir.
RLÇ ilə ATÇ üçün ümumi olan odur ki, onların hər ikisindən eni 1÷1,5 MHs
– dən dar olan ötürücülərlə bir konturlu eyni silsilə kimi aralıq tezliyini ölçmək

2
üçün, eni 1÷1,5 MHs – dən geniş olan zolaqda isə birkonturlu cüt sisilə şəklində
istifadə olunur.
ATÇ – də bütün silsilələr (FSÇ – dən başqa) müxtəlif vaxtlarda itifadə edilə
bilər.

3
 ATÇ - nin funksional sxemi

Bu sxem ATÇ-nin bütün parametrlərini və əlamətlərini özündə əks etdirməlidir.

Bu kurs layihəsinə əsasən amplitut kanalının ATÇ-də:

- keçirilmə zolağı ATÇ: 2∆f = 0,8 MHs;

- nominal aralıq tezliyi: f n =20 MHs

- giriş və çıxış gərginlikləri: Ugir = 0,2 V və Uçıx = 2 V

f n =20 MHs

R gir=75 Om RcΙx =75 Om

U gir =0 . 2V U cΙx =2 V

ATÇQ – dən 2 Δf =0 . 8 MHs AD - na

Şəkil 1.ATÇ amplitut kanalının funksional sxemi.

- Giriş və çıxış müqavimətləri: R gir =R cΙx=75 Om

4
 ATÇ – A – nın prinsipial sxeminin işlənməsi.

1. Gücləndirici cihazın sxeminin işlənməsi.

Seçim üçün tələblər çox yüksək olmadığına görə, sxem üçün aralıq tezlikləri
silsiləsini ölçən birkonturlu gücləndiricinin götürülməsi məqsədə uyğundur.
ATÇ kimi K224 seriyalı inteqral mikrosemi götürək. K2US241OE sxemi ilə
yığılmışdır. Silsilə sistemli modifikasiyaları da var. Mikrosxemin daxili
elementləri məlumdur.

Mikrosxemin parametrləri:

|Y21|=30∙10 -3 A/B; |Y12| =94∙10 -6 A/B; g11 =3,3∙10 -3 Sm;g22=0,44∙10 -3 Sm;

Cn= 10,6 nf ; Cf = 7 nf ; E11= 10V.

2. Sxem üçün trazistorun kolektor cərəyanın daxili əsaslarını hesablayırıq.

İk=[EnR4/(R1+R2+R4) Uбg]/R5=[10∙5.6∙103(9,1∙103+6,8∙103+5,6∙103)0,7]/
/150=2,5mA (1)

3. Gücləndiricinin yaradılması üçün seçdiymiz İMS - nin

məqsədəuyğunluğunu yoxlayaq.

ƒn<(0,2÷0,3) |Y21| / 2π (C11C22) (2)

20∙106<(0,2 ∙ 30 ∙ 10 -3)/2π(10,6+7) ∙ 10-12 <55∙106

20 ∙106 < 55 ∙106

Bərabərsizlik yerinə yetirilmişdir. Deməli, seçilmiş İMS tam yararlıdır.

5
 4. Bir silsiləsinin möhkəm gücləndirlməsi əmsalını hesablayaq.

Kgüc= 0,42√|Y21| / |Y12| = 0,42∙√30∙10-3 / 94∙10-6 = 7,5 (3)

5. Seçimi həyata keçirən gücləndirici silsilənin minimal sayını hesablayaq.

lg K opt lg 10
n k≥ = =1. 14
lg K guc lg 7 .5 (4)

Burada, Kopt=Uçıx / Ugir=2 / 0,2 = 10 – verilmiş güclənmə əmsalıdır.

Seçək nk = 2

6. a parametrini hesablayaq. Bu zaman b=0,2; μ=1,4 olsun.

bf n 0 . 2⋅20
a≥ = =3 . 6
μn 1 . 4⋅0. 8 (5)

7. 6,1 cədvəlindən ψ(nk) = 1,55 funksiyasının qiymətini tapırıq və verilmiş

ötürücü zolağı təmin edən konturların lazımi sönmə ekvivalentini təyin edək.
n 0.8
ψ ( n k ) = ⋅1 .55=0 .06
dЭ = f n 20 (6)

8. Aralıq silsilənin konturlarının sönmə ekvivalentinin kritik əhəmiyyətini tapaq.

Bu zaman d= 0,01- makaranın öz sönməsinin göstəricisidir.

1 1
d'  d   0.01  
af n C11 g11  C 22 g 22  
3.14  3.6  20  10 10.6  10
6 12

3.3  10 3  7  10 12 0.44  10 3
1
 0.01   0.23 6
4.3

3 12 3 12 9 9
 (7)

(8)

dЭ < d' olduğuna görə verilmiş ötürücü zolağında Silsilənin maksimal

gücləndirilməsi maneəsiz həyata keçirilir.
9. Maksimal gücləndirmə sxemin aşağıdakı parametrlərində həyata keçirilə bilər:
- Konturun, tranzistorunun bazasının zəncirinə qoşulma əmsalı aşağıdakı
silsilədə olarsa:

m2 =
√ √
g22
g11
=
0 . 44
3 .3
=0 .37 (9)

Konturun ekvivalent tutumu:

g22 0. 44⋅10−3
C ∋= = =140 nF (10)
πf n ( d ∋−d ) 3 . 14⋅20⋅( 0 . 06−0 . 01 )

10.İndi bir konturlu silsilənin gücləndirmə əmsalını tapmaq lazımdır.

m2|Y 21| 0 . 37⋅30⋅10−3

K ok = = =10 . 5 (11)
2 πf n C ek d ∋ 2⋅3 . 14⋅20⋅106⋅140⋅10−12⋅0 . 06

Silsilənin alınmış gücləndirmə əmsalını sabit gücləndirmə əmsalı ilə müqaisə

edək:
Kok > Kgüc , olduğuna görə sxem qeyri-sabitdir. Ona görədə silsilə sxemini 224
seriyalı İMS - ə tədbiq etmək lazımdır.

7
 Silsilə sxeminin təkrar hesablanmasını verək. Onun parametrləri:

|Y21| = 30∙10-3 A/B; |Y12| = 1,47∙10-6 A/B; g11 = 3,3∙10-3 Cm;

g22 = 0,04∙10-3 Cm; C11 = 10,6∙10-12 F; C22 = 4,6∙10-12 F.

Kollektor cərəyanı dəyişmədən qalır: İk = 2,5mA

11. (2) formullu gücləndiricinin yaradılması üçün seçdiyimiz İMS in

məqsədəuyğunluğunu təyin edək.

20∙106 < (0,2∙30∙10-3/ 2∙3,14(10,6+4,6)∙10-12

20∙106<63∙106

Bərabərsizlik yerinə yetirilmişdir. Deməli bu İMS – i tədbiq etmək olar.

12. Silsilə sxemində VT2 tranzistorunun yüklənməsi üçün lazım olan R k

vahidini tapaq. Bu şərt daxilində yerinə yetirilir: Ukb>1,5÷3B

En⋅R1 U kb 10⋅9 . 1⋅103 2. 45

Rk = − = −3
− =700Om
( R1 + R2 + R 3 ) 3
I k ( 9. 1+6 . 8+5 . 6)⋅10 ⋅2 . 5⋅10 2 .5⋅10−3

13. (3) formulu ilə Kgüc – u hesablayaq:

K guc =0 . 42 √30⋅10−3 /1 . 47⋅10−6 =60

14. (4) formulu ilə silsiləni hesablayaq:

8
 lg K opt lg 10
n k≥ = =0. 59
lg K guc lg 60

nk=1şərtini qəbul edirik.

15. (6) formulu ilə dЭ sönmə ekvivalentini təyin edək. Bunun üçün 6.1
cədvəlinin (1) - dən bir silsilə üçün ψ(nk)=1 funksiyasını qəbul edirik.
Bu zaman:

0.8
d ∋= =0 . 04
20

16. (7) və (8) formulları ilə d' və d"-in qiymətlərini tapaq:

1
d '=0 .01+ −12
=0 . 032
3 .14⋅3 . 6⋅20⋅10 (10 . 6⋅10 6
/3 . 3⋅10−3 +4 . 6⋅10−12 /0. 04⋅10−3 )

və

d=0 . 01+{ {\(3 . 3cdot 10 rSup{size8{-3} /10 . 6cdot 10 rSup{size8{ - 12} +0 . 04 cdot 10 rSup{size8{-3} /4 . 6cdot 10 rSup{size8{ - 12} \)} over {4cdot 3 . 14 cdot3 . 6cdot 20 cdot 10 rSup{size8{6} } =0 . 36} {}# {} } {¿¿
¿
d'<dЭ<d" olduğuna görə bu halda silsilədən maksimal gücləndirmə almaq
mümkün deyil, ona görə ki, bunun üçün konturdan həddindən az C Э tələb olunur.
Belə hallarda konturun tutumunun ekvivalentinin məhdudlaşdırılması rejmində
maksimum gücləndirmə prosesi həyata keçirilir.

17. Bu zaman qoşulma əmsalı bu formulla təyin edilir:

m2 =
√ 2 πf n (d ∋−d )a⋅C22−g 22
g 11−2 πf n ( d∋ −d )a⋅C11
=
√ 2⋅π⋅20⋅106⋅( 0 . 04−0 .01 )⋅3. 6⋅4 . 6⋅10−12−0 . 04⋅10−12
−3
3 . 3⋅10 ⋅2⋅3 . 14⋅20⋅10 ⋅0 . 03⋅20 . 6⋅10
6 −12
=

√
−3
0 .023⋅10
¿ =0 . 09 (12)
3 .156⋅10−3

9
 Q konturunun ekvivalent tutumunu minimum normada qəbul edirlər:

C ∋=Q(C 22+m22 C 11 )=5 . 4( 4 . 6+0 . 092⋅10 . 6 )⋅10−12=25 nF (13)

18. (11) formulu ilə bir silsiləsinin rezonans əmsalını təyin edək:

0. 09⋅30⋅10−2 2 .7⋅10−2
K ok = = =34
2⋅π⋅20⋅106⋅25⋅10−12⋅0. 04 6 . 28⋅125 . 6⋅10−6

Kok<Kgüc olduğuna görə silsilə sabitdir.

19. Kontura lazım olan buraxılış zolağını almaq üçün şunperləşdirici rezistoru
qoşmaq lazımdır. Onun keçiriciliyi:

gm=2 πf n C ∋ (d ∋−d )−m21 g22−m22 g11 =2⋅3 .14⋅20⋅106⋅0 .03⋅25⋅10−12−0. 04⋅10−3 −

−0 . 092⋅3. 3⋅10−3=0. 02 mSm (14)

olmalıdır. Bu zaman:

Rm =1/g m=103 /0 .02=50 kOm

20. Qoşulma əmsalını hesablayaq:

- sistem qovşağı
mc =√ g 11 / gc =√3 . 3/13=0. 25 (15)
Burada: gc = 1 / Rbx = 1/ 75 = 13 mSm – qoşulan kabelin keçiriciliyidir;
- Yük qovşağı:

mH=
√ √
gH
g22
=
13
0 . 04
=325 (16)

Burada : gH = gc = 13 mSm –çıxan kabelin keçiriciliyidir.

10
 1. İMS – dən sonra gələn konturun elementlərini hesablayaq:
- Konturun induktivliyi:

1 1
Lk = = =2 mkHn
4 π ⋅f n⋅C ∋ 4⋅3 . 14 ⋅( 20⋅106 )2⋅25⋅10−12
2 2 2
(17)

- Konturun tutumu:

C k =C∋−m22 C 22−C m=25−0 . 092⋅4 . 6−5=20 nF (18)

Burada : Cm - montanın tutumu ( 3÷5nF ).

224 seriyalı İMS – də ATÇ – ni hesabladıqdan sonra belə bir nəticəyə
gəlmək olar ki, bu İMS texniki tapşırığın bütün şərtlərində ATÇ – yə uyğun gəlir.
Hesablamalarda yeganə problem İMS – dən çıxan müqavimətlə müqaviməti 75
Om olan çıxış kabelinin müqavimətləri arasındakı uyğunsuzluqdan ibarətdir (İMS
– dən çıxan müqavimət 25 kOm – a bərabərdir). Bu problemi həll etmək üçün İMS
– in çıxışına tranzistorun sxemini qoşmaq lazımdır. Bu tranzistor təkrarlayıcı
emitter (TE) adlanır.

TE haqında qısa məlumat.

TE – də tranzistorlar ümumi kollektorla qoşulurlar. Bu zaman rezistordan R 3

çıxarılan gərginlik tranzistorunun idarəedilən qovşağında giriş gərginliyinə
müvafiq hərəkət edir.

11
Şəkil 2. ATÇ kaskadının prinsipial sxemi.

12
Şəkil 3.Konturla hesablanmış ATÇ kaskadının sxemi.

TE gərginliyi artmır, yalnız daxil olan siqnalı amplitudasını zəiflədilmiş

formada təkrar edir. Bu zaman TE - dən çıxışda giriş siqnalı bir daha təkrar olunur.
TE - in giriş müqaviməti böyükdür və o onlara mOm – a bərabər ola bilər. Lakin
onun çıxış müqaviməti azdır və 10 Om – a çata bilər.
TE – in böyük giriş və kiçik çıxış müqavimətləri onlardan silsilə şəklində
istifadə etmək imkanı verir. Onlardan həmdə formasının amplitudasını və fazasını
dəyişmədən siqnalların ötürülməsində istifadə edilir. TE – in sxemi bu şəkildə
verilmişdir. Bu sxemdə R 1 və R2 rezistorları tranzistor bazasında lazımi gərginliyi
əldə etmək üçün bölgü yaradırlar; R 3 rezistoru TE – in işinin tempratur sabitliyini
təmin edir, C1 kondensatoru dəyişən cərəyanda əks əlaqənin təsirini aradan
qaldırmağa xidmət edir.

13
Şəkil 4.

TE – in hesablanmasını, cihazın işləməsi üçün yararlı olan fn=20MHs tezlikli

tranzistorun seçilməsi ilə başlayırıq.
KT904A – yüksək tezlikli və güclü tranzistordur. Tranzistorun tipi n – p – n.
Onun son tezliyi fT=400MHs ; giriş müqaviməti Rgir=2,5Om; kollektor müqaviməti
Rk=30Om; kollektor – emitter gərginliyi UKЭ=28B; emitter cərəyanı İЭ=30mA;
cərəyanın ötürülməsinin statistik əmsalı βcm=50

Hesablama OЭ ilə daha ümumi sxemlə ararılır.

1. Paralel qoşulmuş və sadə olsun deyə Rδ ümumi müqavimət adlandırılan
rezistiv bölgüsü yaradan R1 və R2 müqavimətlərini hesablayaq:

R1 R2
Rδ =
R1 + R 2

Bölgünün tranzistorun girişini şuntlaşdırması üçün aşağıdakı şərt yerinə

yetirilməlidir : Rδ > Rgir.

14
 İMS – dək ATÇ hesablamalarına görə Rgir ATÇ – nin çıxış müqavimətinə
bərabər olduğu üçün , yəni

Rgir = 25 kOm

Olduğuna görə təqribən 30 kOm – a bərabər Rδ seçmək olar.

2. Kollektor qovşağı üçün aşağıdakı tənliyi yazmaq olar:

Ek = Ukэ + İэRэ (19)

Ek gərginliyi verildiyinə görə tənlikdən R э müqavimətinin qiymətini tapa

bilərik:
E k−U k ∋ 28−10
R ∋= = =600 Om
I∋ 30⋅10−3

3. RЭ və Rδ - ni tapdıqdan sonra bölgünün müqavimətini hesablamaq olar.

0 olduğuna görə bazanın gərginliyi , emitterin potensialına bərabər olmalıdır.

Yəni:

Ek R 2 Ek
I ∋ R∋ = −I δ ( R1 /R 2 )=( −I δ ) Rδ (20)
R1 + R2 R1

Bu ifadədən tapırıq:
RE
R1 =
I ∋ R∋ +I δ Rδ
İδ ≈ İЭ ⁄ βCT olduğunu nəzərə alsaq,

Ek 10⋅103
R1 = = =8 .3 kOm

( ) ( )
R∋ 1 600 1
I∋ + 30 3
+
Rδ β CT 30⋅10 50

15
R2 müqavimətini bu formuldan alırıq:

E 1
R2 = = =11.5 kOm
1 1 10 3 103
− −
R∋ R1 30 8 . 3

4. CЭ kondensatoru hesablayarkən dəyişkənli tezlik əmsalını nəzərə almaq

lazımdır. Bu əmsal:

MH=1,4 və ya MH = MHgi r ∙ MHçıx ∙ MHЭ = 1,4 (21)

MHЭ – ni tapaq:

3
M H ∋ =√ 1 . 4=1 .12

Daha sonra emitter qovşağının sabit zamanını hesablayaq:

1 10−6
τ∋= = =16 nsan
ω √ M 2H ∋−1 2 π⋅20 √ 1. 122 −1 (22)

τ∋ τ ∋ ( R∋ + R X ) 10⋅10−9 ( 600+540 )
C ∋= = = =0 .035 nF (23)
R Γ + R gir R ∋⋅R X 600⋅540
R∋/
1+ β CT

Burada RΓ = Rgir = 25kOm ATÇ – nin giriş müqaviməti:

Rδ⋅R gir . mp
R gir = - silsilənin giriş müqaviməti:
Rδ + R gir . mp

30⋅2. 5⋅103
R gir = =2 .5 kOm ;
30⋅103 +2 .5

16
RX=
[ R Γ + R gir
1+ β cm ] =
( 25+ 2. 5)⋅103
1+50
=540 Om ; R Э=600Om

5. Nəhayət C1 və C3 bölüşdürücü kondensatorlarını tapaq:

1 1
τ gir = və τ cix =
ω √ M Hgir −1
2
ω √ M 2Hcix −1

MHgir = MHçəx = MHЭ =1.12

Onda τgir = τçıx = τЭ = 16 nsan

Beləliklə, bölüşdürücü kondnsatorun qiyməti :

τ gir 16⋅10−9 və τ cix

16⋅10−9
C 1= = =0 . 58 nF C 3= = =0 .20 nF
R Γ + Rgir (25+2. 5)⋅103 R H + R Κ 75+3

Buradan RH = Rçıx = 75Om – silsilənin çıxış müqaviməti;

Rk – tranzistorun kollektor müqavimətidir.

Silsilənin girişində və çıxışında qoyulmuş bölüşdürücü kondensatorlar

dəyişən gərginliyi girişə və çıxışa ötürmək üçün lazımdır. Bu , həm də tranzistorun
giriş və çıxışına sabit gərginliyin düşməsinin qarşısını alır.

Hesablayıcı emitter təkrarlayıcısının görünüşü şəkil 5 – də verilmişdir:

17
Şəkil 5. Hesablayıcı emitter təkrarlayıcısının sxemi.

18
 Ədəbiyyat

1. Титов А,А Расцет коррекширующих цепей широкополосных

усилителных каскадов на бипояярних транзисторах

2. http :/ reqerat.ru/ download/ reg – 2764.zip

3. Полупроводниковые приборы : транзисторы. Сиравоцнии / Подред

4. Горюнов .НН – 2 – с . М. Энсргоатомиздат , 1985 – 903с

19
20