Cours Multiniveaux

Structures Multiniveaux chapitre Structures Multiniveaux chapitre 33
Prof. Dan FLORICAU Prof. Dan FLORICAU Universit POLITEHNICA de Bucarest Universit POLITEHNICA de Bucarest
11
Besoins applicatifs Besoins applicatifs

Conversion dnergie en Forte Puissance: Exemple: Les applications Variation Vitesse Moyenne Tension
Secteur en Forte croissance Tensions de 2 10k Puissance de 300kW 10MW

Marine
Mtallurgie
Laminoir
Propulsion marine
Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS - -D. Floricau 2008
22
Cellule de conversion de base 2N Cellule de conversion de base 2N

Properties: Properties: V ripple = E V ripple = E F ripple = Fd F ripple = Fd V max IGBT = E V max IGBT = E
I = E (1 ), max pour = 0.5 L Fd E I max = 4 L Fd
Semi-conducteur de puissance: Semi-conducteur de puissance: -gamme limite (<6.5 kV) -gamme limite (<6.5 kV) -performances rduites -performances rduites
E + iload
Besoins applicatifs: Besoins applicatifs: -augmentation de la puissance -augmentation de la puissance -augmentation de la tension -augmentation de la tension -augmentation des performances -augmentation des performances
Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008
33
Besoins applicatifs Besoins applicatifs

Pompage,
Wind energy
44
Semi-conducteurs de Puissance Semi-conducteurs de Puissance
55
Semi-conducteurs de Puissance Semi-conducteurs de Puissance

Calibre des interrupteurs de puissance
Surface silicium composants semi-conducteur
Augmentation paisseur Augmentation surface
paisseur
Augmentation tenue en tension (+) Diminution des performances (-)
Surface
Augmentation courant (+) Performances quivalentes (=)
66 44
Fractionnement ou associations Fractionnement ou associations

Pour adresser ces niveaux de tension / Puissance, deux solution sont possibles:
Fractionner les contraintes en tension Utiliser des associations de cellules ou convertisseurs
Intrts
Augmentation puissance Augmentation des performances Meilleure modularit Plus de degr de libert
Inconvnients
Rpartition des contraintes Autoriser lutilisation des degrs de libert
77 55
Association srie directe de composants Association srie directe de composants

Association srie:
Fractionner les contraintes en tension Utiliser des associations de cellules ou convertisseurs
Intrts
Augmentation de la tension Calibre interrupteurs plus petit Macro composants plus performants Augmentation Fd
Inconvnients
Rpartition des contraintes dynamiques Pas damlioration des formes dondes
88

Cellule de conversion de base
E E/2 ? E/2 ?
Properties: Properties: V ripple = E V ripple = E F ripple = Fd F ripple = Fd V max IGBT = E/2 V max IGBT = E/2 ?? quilibrage
Rpartition des contraintes dynamique
E/2 iload O E E/2 Macro-composant A

E/2
uAO
10*iload
E/2
99
Spectre de la tension de sortie 2 niveaux

Fs=50Hz Fd=1kHz
10 10
Association parallle de composants Association parallle de composants

Association parallle:
Augmentation du courant
Intrts
Augmentation du courant trait
Inconvnients
Pad damlioration des performances Pas damlioration des formes dondes
11 11
Association parallle de composants Association parallle de composants
Cellule de conversion de base
E/2
iload
Properties: Properties: V ripple = E V ripple = E F ripple = Fd F ripple = Fd V max IGBT = E V max IGBT = E
E/2
quilibrage
Macro-composant
Rpartition des contraintes dynamique
12 12
Structure 3L- SC4 (Stacked Cells, Bhagwat-1980) Structure 3L- SC4 (Stacked Cells, Bhagwat-1980)
Cellules de conversion superposes
Contraintes en tension sur les interrupteurs
V max IGBT V max IGBT

+ + E S2c O S1 S1c A S2 iload
E
ik
S1, S2c
uk
Properties: Properties: V ripple = E/2 V ripple = E/2 F ripple = Fd F ripple = Fd
ik
E/2
S1c+ S2
uk
13 13
S1c+S interrupteur 4 quadrants Structure 3L- SC (Stacked Cells) S1c+S22 interrupteur 4 quadrants ? Structure 3L- SC (Stacked Cells) ?
Cellules de conversion superposes
E/2 10*iload uAO
+ + E O
S1 S1c A S2
iload
E/2
S2c
iload>0, iload<0
Sr>0 Sr<0
+ Niveaux de tension: 0, E/2
S1 O S1c S2 S2c A
iload
+ + E O
S1 S1c A S2 S2c
iload
iload>0, iload<0 Niveaux de tension: -E/2, 0
+ E
14 13 14 13
Commande MLI Commande MLI

1
Dure de conduction
Duty cycle 1
T1
-1
vAO [u.r.]
Dure de conduction
T2
Sd1
Sr
Sd2
15 15
Analyse FFT de la tension de sortie pour 3L-SC Analyse FFT de la tension de sortie pour 3L-SC
Spectre de la tension de sortie 2N:
uAO E/2 10*iload
Fs=50Hz Fd=1kHz
Spectre de la tension de sortie 3N-SC:

E/2
iload
Fs=50Hz Fd=1kHz
Imax =
E/2 E = 4 L Fd 8 L Fd
16 16
Finalement 3L-SC6 Finalement 3L-SC6

La structure pourra donc tre la suivante:
S2 + S1 O + E S2c S1c A S3 S3c
Cellule 1: S1-S1c
Stratgie de commande:
Duty cycle 1
iload
-1 0 vAO [u.r.] 1
Dure de conduction
T1
tous les interrupteurs de la structure sont dimensionns pour E/2 3 cellules de commutation
Cellule 2: S2-S2c
2 3
Dure de conduction
T2
Cellule 3: S3-S3c
Dure de conduction
T3
17 17
Implantation de la commande Implantation de la commande

uAO
S2 + S1 O + E S2c S1c A S3 S3c iload

10*iload
iload>0, iload<0
Sr>0
Sr<0
S2 + S1 O S1c S2c S3 S3c A iload
S2 + S1 S1c A S3 S3c iload
iload>0, iload<0
O + E S2c
Niveaux de tension: 0, E/2
+ E
Niveaux de tension: -E/2, 0 18 18
Squences de commutation Squences de commutation

VDC/2 Sd1 O+ P 0 0 S1 Tsw/2 Tsw O+
Sd2 N O-
Sr
Sr -VDC/2 0 S1 S1c S2 S2c S3 S3c Tsw/2
O-
Tsw
S1c S2 S2c
Output Voltage (vA0) -E/2 0 E/2
Switching State N O O+ P
-
Switch Sequence S1 0 0 0 1 S1c 1 1 1 0 S2 0 0 1 1 S2c 1 1 0 0 S3 0 1 1 1 S3c 1 0 0 0
S3 S3c VAO 0 (a) VDC/2
0 VAO (b)
VDC/2
Voltage levels: 0; E/2
Voltage levels: -E/2; 0
19 19
Calculus of total losses in power devices Calculus of total losses in power devices
The total losses (PX): The conduction losses (PcondX):
PX = PcondX + PswX
(1) (2)
PcondX = PcondT + PcondD

condT condT PcondT = vCE 0 I avg + rdT I rms
where: vCE0, rdT, vD0 and rdD parameters of the transistors and diodes
(3)
condD PcondD = v D 0 I avg
+ rdD
condD 2 I rms
(4)
The switching losses (PswX):
v swX swX 2 PswX = f sw sw AswX sw + BswX I avg +C swX I rms vdef
(5)
where, AswX, BswX, CswX and vdef constants taken from the IGBTs characteristics, sw ratio between the switching interval and the switching period for semiconductor device
Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008 20 20
Total losses in power devices Total losses in power devices

The following hypotheses were considered to calculate the losses in power devices: the the the the load is linear; load current is sinusoidal; current and voltage ripples are neglected; dead times of the IGBT modules are neglected.
f T1(x ) = M sin x, x [0, ]

I conT1 = avg
I conT1 = rms
1 2
2 I sin(x ) f T1 (x ) dx =
I 2 M [( ) cos + sin ] 4
M 4 1 1 + cos + cos(2 ) 2 3 3
T1
1 2
2 I sin (x ) f T1 (x ) dx = I
)2
I swT1 = avg
1 2
2 I sin (x )dx =
I 2 (1 + cos()) 2
1 sin (2) + 2 2
IswT1 = rms
1 2
2I sin (x ) dx = I
)2
Simulated distribution of losses in 3L-SC converter featuring Eupec IGBTs (VDC= 3000V, Irms=200A, fs=1000Hz, Eupec FF200R33KF2C): (a) PF=-1, M=0.05, (b) PF=1, M=0.95
21 21
Structure 3L-NPC (Neutral Point Clamped) Structure 3L-NPC (Neutral Point Clamped)
Principe de la structure: Association srie directe Ajout 2 diodes clamp pour fixer la tension aux bornes des interrupteurs S1 et S2c lors de la conduction de S2 et S1c Fractionner la tension dentre
S1
+ Du O Dd S2 A
Duty cycle 1 2 1
Cellule 1: S1-S1c
iload R L
-1
Dure de conduction
T1
+ E S2c S1c
1 vAO [u.r.]
Cellule 2: S2-S2c
Dure de conduction
T2
(Nabae, 1981) (Nabae, 1981)

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008 22 22
3L-NPC: configuration possible 3L-NPC: configuration possible
S1 + Du O Dd + E S2c S1c S2 A iload
S1 et S2 = ON S1c et S2c = OFF
VAO = E/2
Properties: Properties: V ripple = E/2 V ripple = E/2 F ripple = Fd F ripple = Fd V max IGBT = E/2 V max IGBT = E/2
S1 et S2 = OFF S1c et S2c = ON
S1 et S2c = OFF S1c et S2 = ON
VAO = -E/2
VAO = 0
23 23
Le zro volt par les diodes: 2 cas possible Le zro volt par les diodes: 2 cas possible
S1 + Du O Dd + E S2c S1c
S1 + Du O Dd + E S2c S1c E + S2c S1c S2 A iload O Dd Du S2 A iload
S2 A
iload
iload>0
S1 + -
iload<0
24 24
Structure = 2 cellules de base + Cells) Cellule 3L-NPC = 2 SC (Stacked diodes Structure 3L- cellules de base + 22diodes clamp Cellule 3L-NPC 3L- SC (Stacked Cells) clamp
Cellule 3L-NPC
E/2
uAO
10*iload
E/2
Sr>0
S1 + Du O Dd + E S2c S1c S2 A
Sr<0
iload>0, iload<0 Niveaux de tension: 0, E/2
iload
iload
iload>0, iload<0 Niveaux de tension: -E/2, 0 25 13 25 13
Commande MLI Commande MLI

Dure de conduction
Duty cycle 1
T1
-1
vAO [u.r.]
Dure de conduction
T2
Sd1
Sr
Sd2
26 26
Analyse FFT de la tension de sortie pour 3L-NPC Analyse FFT de la tension de sortie pour 3L-NPC
Spectre de la tension de sortie 2N:
uAO E/2 10*iload
Fs=50Hz Fd=1kHz
Spectre de la tension de sortie 3N-NPC:

E/2
iload
Fs=50Hz Fd=1kHz
Imax =
E/2 E = 4 L Fd 8 L Fd
27 27
Squences de commutation Squences de commutation
-1 0 Duty cycle 1
VDC/2 Sr
0
Sd1 O P O
Sd2 N O
iload
Sr -VDC/2
vAO [u.r.]
0 0 S1 S1c Ts
0 S1 S1c S2 S2c VAO 0 VDC/2 (b)
Ts/2
Ts
Output Voltage (vAO) -VDC/2 0 VDC/2
S2
Switching State N O P
Switch Sequence S1 0 0 1 S1c 1 1 0 S2 0 1 1 S2c 1 0 0
S2c VAO 0 (a)
VDC/2
28 28

S1 + Du O Dd + E S2c S1c
f T1(x ) = M sin x, x [0, ]
I conT1 = avg
I conT1 = rms
S2 A
iload
1 2
2 I sin(x ) f T1 (x ) dx =
I 2 M [( ) cos + sin ] 4
M 4 1 1 + cos + cos(2 ) 2 3 3
T1
1 2
2 I sin (x ) f T1 (x ) dx = I
)2
I swT1 = avg
1 2
2 I sin (x )dx =
I 2 (1 + cos()) 2
1 sin (2) + 2 2
IswT1 = rms
1 2
2I sin (x ) dx = I
)2
Simulated distribution of losses in 3L-NPC converter featuring Eupec IGBTs (VDC= 3000V, Irms=200A, fs=1000Hz, Eupec FF200R33KF2C): (a) PF=-1, M=0.05, (b) PF=1, M=0.95
29 29
Structure multicellulaire imbrique
(Flying Capacitor)
Principe de la structure:
Cellule de base
2L
+ E
iload
Association srie directe Ajout dune source flottante intermdiaire Fractionner la tension dentre par combinaison
+
2L
+ E iload
+ E/2
iload
On ajoute simplement une source intermdiaire pour fixer le potentiel aux bornes des interrupteurs de la structure
Cellule de base
Cellule 3 niveaux de tension

(Meynard 1991)
3L
30 30
Combinaisons possibles (en Hacheur) :
Identifications des cellules de commutation Identifications des cellules de commutation
Vs = E
S1 + E C1 + E/2 C2 S2
S1 S2 + E/2 S1 S2 + E/2
Vs = E/2
iload
iload
+ E
iload
+ E
S1c
S2c
S1c
S2c
S1c
S2c
S1
S2 + E/2
S1
S2 + E/2
3 niveaux de tension [0, E/2, E] 2 possibilits pour faire du E/2
+ E
iload
+ E
iload
S1c
S2c
S1c
S2c
Vs = E/2 Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008
Vs = 0 31 31
Combinaisons possibles (en onduleur point milieu) :
Vs = E/2
E/2 + + E/2 S1c S2c C1 S1 + E/2 C2 S2
Vs = 0
E/2 + + E/2 S1 + E/2 S2
iload
E/2 + + E/2
S1 + E/2
S2
iload
iload
S1c
S2c
S1c
S2c
E/2 +
S1 +
S2
iload
E/2 + + E/2
S1 + E/2
S2
iload
3 niveaux de tension [-E/2, 0, E/2] 2 possibilits pour faire du 0
+ E/2 S1c
E/2
S2c
S1c
S2c
Vs = 0
Vs = -E/2
32 32
Exemple ralisation industrielle Exemple de de ralisation industrielle

Locomotive T13 utilisant un convertisseur multicellulaire 3kV
Solution Alstom:
Conversion 4 niveaux Structure Flying Capacitor
33 33
Ralisation de la source flottante
Ralisation par une source idale:
Ralisation par un condensateur flottant:
+ E
+ E/2
iload
S1 + E C1 + E/2 C2
S2
iload
3~
S1c
S2c
Structure TROP coteuse et complexe
Les porteuses sont dcales de 180 (cas idal)
34 34
Stratgie MLI
(doublement de la frquence en sortie)
E/2
E/2 + O + E/2 S1c S2c C1 S1 + E/2 C2 A S2
Sd2 O2 P O1
Sd1 O2 P
E/2
Sd2
Sd1
iload
Sr 0
0 Sr O 4 N O3 Tsw/2 N O4 Tsw
-E/2 S1
Tsw/2
Tsw
-E/2 S1 S1c S2 S2c
Properties: Properties: V ripple = E/2 V ripple = E/2 F ripple = Fd/2 F ripple = Fd/2 V max IGBT = E/2 V max IGBT = E/2
S1c S2 S2c VAO 0 (a) E/2
0 VAO (b)
E/2
I max =
E/2 E = 4 L 2 Fd 16 L Fd
35 35
Bilan sur le control de la tension flottante

Les courants la frquence de dcoupage participent de faon prpondrante sur lquilibrage naturel Si les sources flottantes sont dsquilibres, il existe des harmoniques la frquence de dcoupage sur la tension de sortie Trois solutions:
S1
S1 + E C1 + E/2 C2 S2
S1 S2 + E/2 C1 C2 Rf Lf Cf
S2 + E/2
+ E
iload
C2
iload
+ E
iload
C1
S1c
S1c S2c
S1c S2c
Control actif
S2c
Jajoute une filtre auxiliaire Je fait rien (-) quilibrage naturel LENT (-) Si pas de charge, pas dquilibrage (-) Si charge fortement inductive (machine) peu dharmonique Fd, donc quilibrage Trs Lent (+) ne ncessite rien dautre Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008 (+) quilibrage naturel RAPIDE (+) Si pas de charge, quilibrage naturel quand mme (+) Si charge fortement inductive (machine), pas de problme (-) ncessite lajout dune filtre (par phase) Je mets en place un contrle actif (+) quilibrage contrle en boucle ferme RAPIDE (-) Si pas de charge, pas dquilibrage (-) La dynamique peut dpendre du niveau de courrant en sortie 36 36
QQelements sur le dimensionnement
S1 + E C1 + E/2 C2
S2
iload
Rf Lf Cf
Filtrage
Le facteur 4 sur londulation de courrant nous permet soit de diviser londulation par 4 ( mme inductance que le 2 niveaux) OU diviser linductance par 4 pour la mme ondulation
S1c
S2c
Charge auxiliaire IGBT

Calibre en tension E/2 Calibre en courrant Is Frquence Fd
Condensateur Flottant
Tension E/2
C= Is 2 p Fd Vc max
Frquence de rsonance Fd
f =
1 L f C f
= 2 f d
Slectivit
z=
Rf 2
Cf Lf
< 0.1
37 37
Structure 3L-ANPC (Brckner, 2001)

1 Duty cycle Duty cycle Duty cycle
2
0
2 1=3
2
0 1 -1 (c)
3 1
0
S1 + S1c O S3 + E S3c S2c S2 A iload R L
-1 (a)
vAO [u.r.]
-1 (b)
1 vAO [u.r.]
vAO [u.r.]
MLI 1 Properties: Properties: V ripple = E/2 V ripple = E/2 ripple = Fd FFripple = Fd V max IGBT = E/2 V max IGBT = E/2
MLI 2 Properties: Properties: V ripple = E/2 V ripple = E/2 ripple = Fd FFripple = Fd V max IGBT = E/2 V max IGBT = E/2
MLI 3 Properties: Properties: V ripple = E/2 V ripple = E/2 ripple = Fd/2 FFripple = Fd/2 V max IGBT = E/2 V max IGBT = E/2
MLI 1 MLI 2
I max =
E/2 E = 4 L Fd 8 L Fd
MLI 3
I max =
E/2 E = 4 L 2 Fd 16 L Fd
38 38
3L-ANPC: Stratgie MLI 1

E/2
S1 + S1c O S3 + E S3c S2c

Duty cycle 1
carrier H O+ P O+
carrier L N
Sr*
S2 A
iload R L
(a)
S2 S2c S3 0 0 S1 S1c
V* -E/2
O-
O-
Tsw/2
Tsw
0 S1 S1c S2 S2c S3 S3c
Tsw/2
Tsw
S3c VAO 0 E/2
0 VAO (b)
E/2
-1
(b)
vAO [u.r.]
(a)
39 39
MLI 1: combinaisons possibles

E/2
uAO 10*iload
S1 + S1c O S3 + E S2 A iload R L S3c S2c
-E/2
Sr>0
S1 + S1c O S3 + E S3c S2c E S2 A iload R L + + S1c O S3 S3c S2c S1 S2 A iload R L
Sr<0
Properties: Properties: V ripple = E/2 V ripple = E/2 ripple = Fd FFripple = Fd V max IGBT = E/2 V max IGBT = E/2
E S1 + S1c O S3 + S3c S2c S2 A iload R L E + S3 S3c S2c + S1c O S1 S2 A iload R L
uAO=E/2
uAO=0
uAO=0
uAO=-E/2 40 40
MLI 1: Implmentation PSIM
3L-ANPC: MLI 1
Simulated results for the 3L-ANPC PWM-1 (VDC/2=1500V, R=5, L=10mH, M=0.8, fs=1000Hz) Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008 41 41

3L-ANPC: MLI 1
f T1 (x ) = M sin x, x [0, ]
I conT1 = avg 1 2
2 I sin(x ) f T1 (x ) dx =
I 2 M [( ) cos + sin ] 4
M 4 1 1 + cos + cos(2 ) 2 3 3
T1
I conT1 = rms
1 2
2 I sin (x ) f T1 (x ) dx = I
)2
IswT1 = rms
1 2
2I sin (x ) dx = I
)2
1 sin (2) + 2 2
1 I swT1 = avg 2
I 2 (1 + cos()) 2 I sin (x )dx = 2
Simulated distribution of losses in 3L-ANPC PWM-1 converter featuring Eupec IGBTs (VDC= 3000V, Irms=200A, fs=1000Hz, Eupec FF200R33KF2C): (a) PF=-1, M=0.05, (b) PF=1, M=0.95
42 42

1 Duty cycle
S1 + S1c O S3 + E S3c S2c

+ S1c S2 O S3 + E S3c S2c E/2 A
2
S2 A
2
0 1
iload R L
Sr<0
1=3
-1 vAO [u.r.]
Sr>0
S1
S1 + S1c
iload R L
S2 O E/2 A
Properties: Properties: V ripple = E/2 V ripple = E/2 ripple = Fd FFripple = Fd V max IGBT = E/2 V max IGBT = E/2
iload R L
S3 + E S3c S2c
43 43
MLI 2: Combinaisons possibles
Sr>0
E/2 Sr O+ P 0 Sd1 O+
Sr<0
0 Sd2 N OSr -E/2 O-
S1 + S1c O S3 + E S3c S2c S2 E/2 A iload R L

0 S1 S1c S2 S2c S3 S3c VAO 0 (a)
S1
Ts
0 S1 S1c S2 S2c S3 S3c
Ts
+ S1c O S3 + E S3c S2c S2 E/2 A iload R L
E/2
0 VAO (b)
E/2
44 44

S1 + S1c O S3 + E S3c S2c S2 E/2 A iload R L
E/2
uAO 10*iload
S1 + S1c O S3 + E S2 E/2 A iload R L S3c S2c
-E/2
uAO=E/2
S1 + S1c O S3 + E S3c S2c A iload R L S2
uAO=0
S1 + S1c O S3 + E S3c S2c A iload R L
E + -
uAO=0
S2
+ S1c O S3 S3c S2c A iload R L
E + S3 S3c
uAO=-E/2
S1 + S1c O A iload R L S2c S2
S1
S2
45 45
3L-ANPC: MLI 2
Simulated results for the 3L-ANPC PWM-2(VDC/2=1500V, R=5, L=10mH, M=0.8, fs=1000Hz) Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008 46 46

3L-ANPC: MLI 2
f T1 (x ) = M sin x, x [0, ]
I conT1 = avg 1 2
2 I sin(x ) f T1 (x ) dx =
I 2 M [( ) cos + sin ] 4
M 4 1 1 + cos + cos(2 ) 2 3 3
T1
I conT1 = rms
1 2
2 I sin (x ) f T1 (x ) dx = I
)2
IswT1 = rms
1 2
2I sin (x ) dx = I
)2
1 sin (2) + 2 2
1 I swT1 = avg 2
I 2 (1 + cos()) 2 I sin (x )dx = 2
47 47
(Prof. D. FLORICAU, 2008)

S1 + S1c S2 E/2 S3 + E S3c S2c A iload R L
Duty cycle
2 1
Sr<0
-1 0
Sr>0
1
vAO [u.r.]
Properties: Properties: V ripple = E/2 V ripple = E/2 ripple = 2Fd FFripple = 2Fd V max IGBT = E/2 V max IGBT = E/2
48 48
Sr>0
E/2 Sr O1+ Sd1 P O2+ Sd2 P O1+
Sr<0
E/2 Sd1 Sd2
0 Sr
O 1N
O 2N
O 1-
S1 + S1c S3 + E S3c S2c S2 E/2 A iload R L
-E/2 0 S1 S1c S2 S2c S3 S3c vAO 0 (a) E/2 Ts
-E/2 0 S1 S1c S2 S2c S3 S3c 0 vAO (b) E/2 Ts
49 49
MLI 3: Spectre de la tension de sortie Spectre de la tension de sortie 2N: Fs=50Hz Fd=1kHz
E/2 uAO 10*iload
Spectre de la tension de sortie 3N-ANPC PWM 3:

-E/2
Fs=50Hz 2Fd=1000Hz Fd=500Hz
50 50
3L-ANPC: MLI 3
Simulated results for the 3L-ANPC PWM-3 (VDC/2=1500V, R=5, L=10mH, M=0.8, fs=500Hz) Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008 51 51

3L-ANPC: MLI 3
f T1 (x ) = M sin x, x [0, ]
I conT1 = avg 1 2
2 I sin(x ) f T1 (x ) dx =
I 2 M [( ) cos + sin ] 4
M 4 1 1 + cos + cos(2 ) 2 3 3
T1
I conT1 = rms
1 2
2 I sin (x ) f T1 (x ) dx = I
)2
IswT1 = rms
1 2
2I sin (x ) dx = I
)2
1 sin (2) + 2 2
1 I swT1 = avg 2
I 2 (1 + cos()) 2 I sin (x )dx = 2
52 52
Squences de commutation pour 3L-ANPC

MLI 1
Output Voltage (vA0) -VDC/2 0 VDC/2 Switching State N OO+ P Switch Sequence S1 0 0 0 1 S1c 0 0 1 0 S2 0 0 1 1 S2c 1 1 0 0 S3 0 1 0 0 S3c 1 0 0 0
MLI 2
Output Voltage (vA0) -VDC/2 0 VDC/2 Switching State N O O+ P
-
Fin Chapitre 4
Switch Sequence S1 0 0 0 1 S1c 0 0 1 0 S2 0 0 1 1 S2c 1 1 0 0 S3 0 1 0 0 S3c 1 0 0 0
MLI 3
The three PWM strategies differ by the type and by the number of zero switching states. The zero switching states can be used to distribute losses more evenly among the semiconductors. The intention is not to save total converter losses, but to distribute them equally. The commutations to or from the zero states determine the distribution of the switching losses. All commutations take place between one active switch and one diode. Even if more than two devices turn on or off, only one active switch and one diode experience essential switching losses. The distribution of conduction losses during the zero states can be controlled by the selection of the upper or lower ANPC path. The conduction losses in the states P and N cannot be influenced.
Output Voltage (vA0) -VDC/2 Switching State N O10 O2O1+ O2+ VDC/2 P Switch Sequence S1 0 0 0 0 1 1 S1c 1 0 1 1 0 0 S2 0 0 1 1 0 1 S2c 1 1 0 0 1 0 S3 0 1 0 0 1 1 S3c 1 0 1 0 0 0
53 53
5L-SMC Commutation Cell (Gateau, 2001)
3L-SC (1980)
VDC
+ + O A
iload
+ -
iload O A
VDC
iload
+ -
3L-FC (1991)
+ VDC
5L-Stacked Multilevel Converter (Gateau, 2001)

54 54
5L-ANPC Commutation Cell (Barbosa, 2005) 5L-ANPC Commutation Cell (Barbosa, 2005)
+ -
ANPC-3L (2001)
Fig. 13
VDC
iload O + A
+ -
iload
iload O + A
FC-3L (1992)
Fig. 14
+ VDC
VDC
Fig. 15
5L-Barbosa Topology (2005) (5L-ANPC)

55 55
PWM Strategy for 5L-ANPC PWM Strategy for 5L-ANPC

VDC/2 carrier 2 carrier 1
VDC/2 V* P1
carrier 2 P1 P2
carrier 1 P1 P2
VDC/4
VDC/4
O
+
S3 + S3c O S4 + VDC S4c S2c S1c S2 S1 A iload
V* P 1 0 S1 0
O P1 Tsw/2
P1 Tsw
0 0 S1 S1c S2 S2c S3, 4 S3c, 4c VAO VDC/4 0 VDC/4 Tsw/2 Tsw
R L
S1c S2 S2c S3, 4
Fig. 16
S3c, 4c VAO
Higher levels: 0, +VDC/4, +VDC/2 Higher levels: 0, +VDC/4, +VDC/2
0 (a)
VDC/4
Fig. 17
(b)
56 56
PWM Strategy for 5L-ANPC PWM Strategy for 5L-ANPC

0
V* -VDC/4 carrier 4 carrier 3
carrier 4
carrier 3
N1 O-
N1 O-
N1
-VDC/4 V*
N2 N1 0 N1 Tsw/2
N2 N1 Tsw
S3 + S3c O S4 + VDC S4c S2c S1c S2 S1 A iload R L

-VDC/2 0 S1 S1c S2 S2c S3, 4 S3c, 4c 0 Tsw/2 Tsw
-VDC/2 S1 S1c S2 S2c S3, 4 S3c, 4c 0

-VDC/4
Lower levels: 0, -VDC/4, -VDC/2 Lower levels: 0, -VDC/4, -VDC/2
VDC/4
-VDC/4
VAO (c)
VAO
VDC/4
Fig. 18
(d)
57 57
Simulation results for 5L-ANPC Simulation results for 5L-ANPC
S3 + S3c O S4 + VDC S4c S2c S1c S2 S1 A iload R L
VDC=800V, ss=500Hz, R=1, L=1mH, M=0.9 VDC=800V, FF=500Hz, R=1, L=1mH, M=0.9
58 58
3L-SNPC Commutation Cell (Floricau, 2007)

It is made of 6 switches (3 commutation cells: S1-S1c , S2-S2c and S3-S3c) disposed on three sides and two clamp diodes (Du, Dd) ; Each switch is capable to support a voltage equal to VDC/2. The commutation cells are controlled with duty cycles 1, 2 and 3:
S2 A iload S1c S3 S2c
-1 1
S1 + Du O Dd + VDC S3c
Duty cycle
1
Duty cycle
2 1
0 1
3
0.5 -1 0
2 1 vAO [u.r.]
1
vAO [u.r.]
(a) PWM1
(b) PWM2 59 59
Sinusoidal PWM-1 Strategy for 3L-SNPC

VDC/2 V
*
carrier H O+
P
0
O+
N
carrier L
+ -
S1 + Du S2 iload>0 A Dd S1c iload<0 S3c S2c VDC S3 + -
S1 Du O Dd
iload<0
iload>0
S2 A S1c S3 S2c
V
Tsw
O-
O-
O + -
0 0 S1 S1c S2 S2c S3 S3c VAO 0 (a) VDC/2

Voltage levels: 0; VDC/2
Tsw/2
-VDC/2
Tsw/2
Tsw
VDC
S1 S1c S2 S2c S3 S3c 0 VAO (b) Voltage levels: -VDC/2; 0 VDC/2

+ VDC
O state
S1 + Du O Dd S2 A S3
(a)
S3c
P state
S1 + Du O Dd S1c S3 S2 A iload>0
S1c
S3c
iload<0 S 2c
iload>0
+ VDC S3c iload<0 S 2c
N state
(b)
O- state
60 60
Sinusoidal PWM-2 Strategy for 3L-SNPC

VDC/2 V* 0 O1+ carrier 2 P O2+ carrier 1 P O1+
VDC/2 carrier 2 carrier 1
+ S1 + Du S2 iload>0 A S1c iload<0 S3c S2c S3 + VDC O Dd S1c iload<0 S3c
+
S1 Du S2
0 V* O1
O2 N
O1 N
iload>0 A S3 S2c
O + -
Dd
-VDC/2 S1 S1c S2 S2c S3 S3c VAO 0
Tsw/2
Tsw
-VDC/2 S1 S1c S2 S2c S3 S3c 0 VAO
Tsw/2
Tsw
VDC
O1 state
(a)
O2 state
S1 iload>0 S2 A
S1 + Du O + Dd S2 iload>0 A S3 + VDC + -
Du O Dd S1c
S1c
S3
VDC/2
VDC/2 (b)
Voltage levels: -VDC/2; 0
VDC
S3c
iload<0 S 2c
O1- state
(b)
S3c
iload<0 S 2c
O2- state
(a)
Voltage levels: 0; VDC/2
61 61
Experimental results for 3L-SNPC converter
3L-SNPC Structure
S1 + Du O Dd S1c S2
3L-SNPC
A iload S3 S2c R L
RL Load
R=16.7 L=6mH
+ VDC S3c
FPGA Card
100V/div, 5A/div, 4ms/div
62 62
Merci pour votre attention
FIN
63 63

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Structures Multiniveaux chapitre Structures Multiniveaux chapitre 33

Besoins applicatifs Besoins applicatifs

Secteur en Forte croissance Tensions de 2 10k Puissance de 300kW 10MW

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS - -D. Floricau 2008

Cellule de conversion de base 2N Cellule de conversion de base 2N

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

Besoins applicatifs Besoins applicatifs

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

Semi-conducteurs de Puissance Semi-conducteurs de Puissance

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

Semi-conducteurs de Puissance Semi-conducteurs de Puissance

Surface silicium composants semi-conducteur

Augmentation paisseur Augmentation surface

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

Fractionnement ou associations Fractionnement ou associations

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

Association srie directe de composants Association srie directe de composants

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

Association srie directe de composants Association srie directe de composants

E/2 iload O E E/2 Macro-composant A

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

Association srie directe de composants Association srie directe de composants

Spectre de la tension de sortie 2 niveaux

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

Association parallle de composants Association parallle de composants

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

Association parallle de composants Association parallle de composants

Cellule de conversion de base

Rpartition des contraintes dynamique

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

V max IGBT V max IGBT

Properties: Properties: V ripple = E/2 V ripple = E/2 F ripple = Fd F ripple = Fd

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

+ Niveaux de tension: 0, E/2

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

Commande MLI Commande MLI

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

Spectre de la tension de sortie 3N-SC:

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

Finalement 3L-SC6 Finalement 3L-SC6

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

Implantation de la commande Implantation de la commande

S2 + S1 O + E S2c S1c A S3 S3c iload

S2 + S1 O S1c S2c S3 S3c A iload

S2 + S1 S1c A S3 S3c iload

Niveaux de tension: 0, E/2

Niveaux de tension: -E/2, 0 18 18

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

Squences de commutation Squences de commutation

S2 + S1 O + E S2c S1c A S3 S3c iload

Sr -VDC/2 0 S1 S1c S2 S2c S3 S3c Tsw/2

Output Voltage (vA0) -E/2 0 E/2

Switch Sequence S1 0 0 0 1 S1c 1 1 1 0 S2 0 0 1 1 S2c 1 1 0 0 S3 0 1 1 1 S3c 1 0 0 0

S3 S3c VAO 0 (a) VDC/2

Voltage levels: 0; E/2

Voltage levels: -E/2; 0

Cours SOCS D. Floricau 2008 Cours SOCS D. Floricau 2008

PcondX = PcondT + PcondD

condD PcondD = v D 0 I avg

The switching losses (PswX):

v swX swX 2 PswX = f sw sw AswX sw + BswX I avg +C swX I rms vdef

Total losses in power devices Total losses in power devices

f T1(x ) = M sin x, x [0, ]