INTERRUPTORES SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Las crecientes capacidades de energa, la facilidad de control y los costos reducidos de los dispositivos semiconductores modernos de potencia, en comparacin con los de hace apenas unos cuantos aos, han hecho que los convertidores sean asequibles en un gran nmero de aplicaciones y han abierto un a infinidad de nuevas topologas de convertidores para aplicaciones de la electrnica de potencia.

Los dispositivos de semiconductores de potencia se consideran interruptores ideales, el anlisis de las topologas de convertidores se facilita en gran medida. Este planteamiento tiene la ventaja de que los detalles de la operacin de dispositivos no ocultar la operacin bsica del circuito.

Los dispositivos de semiconductores de potencia disponibles se clasifican en tres grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad: 1. Diodos. Estados de conexin y descnexin controlados por el circuito de potencia. 2. Tiristores. Son activados mediante una seal de control, pero pueden ser desactivados por medio del circuito de potencia (control por fase) o por un circuito de control externo. 3. Interruptores controlables. Se conectan y desconectan mediante seales de control. Transistores de unin bipolar (bipolar junction transistors, BJT), transistores de efecto de campo xido metlico semiconductor (metal-oxide-semiconductor field effect transistors, MOSFET) , tiristores desactivables por puerta (OTO) y transistores bipolares de puerta aislada (insulated gate bipolar transistors, IOBT)

DIODO. Cuando el diodo est polarizado en directa, empieza a conducir con slo un pequeo voltaje en directo a travs de l, que est en el orden de 1 V. Cuando el diodo est en polarizacin inversa, slo una corriente de fuga muy insignificante fluye a travs del dispositivo hasta que se alcanza la tensin de ruptura inversa. En la operacin normal, el voltaje de polarizacin inversa no debe alcanzar el punto de ruptura.

TIPOS DE DIODOS
1 . Diodos Schottky. Estos diodos se usan donde se requiere una cada baja de tensin directa (normalmente 0.3 V) en circuitos de tensin de salida muy baja. Estos diodos estn limitados en su capacidad de tensin de bloqueo a 50 - 100 V. 2. Diodos de recuperacin rpida. Estos diodos estn diseados para el uso en circuitos de alta frecuencia, en combinacin con interruptores controlables donde se necesita un tiempo corto de recuperacin inversa. En niveles de energa de varios cientos de voltios y varios cientos de amperios,estos diodos tienen un grado de Trr de menos que unos cuantos milisegundos. 3. Diodos de frecuencia de lnea. El voltaje de estado de encendido de estos diodos est diseado para ser lo ms bajo posible, y en consecuencia tienen tiempos trr ms grandes, aceptables para aplicaciones de frecuencia de lnea. Estos diodos estn disponibles con magnitudes de voltaje de bloqueo de varios kilovoltios y magnitudes de corriente de varios kiloamperios. Adems, se pueden conectar en serie y paralelo para satisfacer cualquier requisito de corriente.

TIRISTORES La corriente principal fluye desde el nodo (A) al ctodo (K). En su estado inactivo, el tiristor puede bloquear una tensin de polaridad directa y no conducir, como se muestra en la figura 2-3b por la parte inactiva de la caracterstica de i-v. El tiristor puede dispararse para entrar en el estado activo por medio de la aplicacin de un pulso de corriente de puerta positiva durante un periodo breve, en tanto que el dispositivo est en estado de bloqueo directo. La relacin de i-v resultante se ilustra por la parte activa de las caractersticas que se muestran en la figura 23b. La cada de tensin directa en el estado activo slo es de unos cuantos voltios (por lo general 1-3 V, segn la magnitud de bloqueo de voltaje del dispositivo).

Una vez que el dispositivo empieza a conducir, se enclava (conduce) y la corriente de puerta puede eliminarse. El tiristor no puede apagarse por la puerta, y el tiristor conduce como un diodo. Slo cuando la corriente del nodo intenta volverse negativa (por influencia del circuito en el que el tiristor est conectado) se apaga el tiristor y la corriente va a cero. Esto permite que la puerta recupere el control, a fin de encender el dispositivo en algn momento controlable despus de que nuevamente haya entrado en el estado de bloqueo directo. En polarizacin inversa y con tensiones debajo del voltaje de ruptura inversa, slo una coniente de fuga muy insignificante fluye en el tiristor, como se muestra en la figura 2-3b. Normalmente las corrientes nominales de tiristores para voltajes de bloqueo directo e inverso son las mismas. Las corrientes nominales del tiristor se especifican en trminos de los rms (de rool-mean-square) mximos y las corrientes medias que fuese capaz de conducir.

1. Tiristores de control de fase. Algunas veces denominados tiristores de conversin, se usan sobre todo para rectificar tensiones y corrientes de frecuencia de lnea en aplicaciones como rectificadores controlados por fases para accionamientos motrices de CA y CC, y en transmisiones de energa de alta tensin. Los requisitos principales de estos dispositivos son grandes capacidades de manejo de tensin y corriente, y una baja cada de tensin activa. Este tipo de tirislOr se produjo en dimetros de pastilla de hasta 10 cm, donde el promedio de corriente es ms o menos de 4000 A con voltajes de bloqueo de 5 - 7 kV. Los voltajes de encendido (activos) abarcan desde 1.5 V para dispositivos de 1000 V hasta 3.0 V para los dispositivos de 5 - 7 kV.

2. Tiristores de grado inversor. Se disearon para tener tiempos de apagado tq pequeos. adems de bajas tensiones activas, aunque las tensiones activas son ms grandes en dispositivos con valores ms cortos de tq. Estos dispositivos estn disponibles con magnitudes de hasta 2500 V Y 1500 A. Sus tiempos de desconexin estn por lo regular en el rango de unos cuantos milisegundos hasta 100us, segn sus voltajes nominales de bloqueo y cadas de tensin activa.

3. Tiristores activados por luz. Se activan mediante un pulso de luz conducido por fibras pticas a una regin especial sensible del tiristor. El disparo del tiristor activado por luz usa la capacidad de la luz de longitudes de onda correspondientes para generar un exceso de pares de electroneslhuecos en el silicio. El uso principal de estos tiristores es en aplicaciones de alta tensin, como la transmisin de CC de alta tensin, donde se conectan muchos tiristores en serie para conformar una vlvula de tiristores. Los distintos potenciales altos que cada dispositivo ve respecto de la tierra fsica presen la considerables dificultades para proporcionar impulsos de disparo. Existen reportes de tiristores activados por luz con grados de 4 kV Y 3 kA, voltajes activos de alrededor de 2V Y requisitos de potencia de disparos de luz de 5 mW

INTERRUPTORES CONTROLABLES
Varios tipos de dispositivos de semiconductores de potencia, como BJT, MOSFET, GTO e IGBT, pueden encenderse y apagarse mediante seales de control aplicadas a la terminal de control del dispositivo. Se denomina a estos dispositivos interruptores controlables, y se representan en forma genrica por el smbolo del circuito que se muestra en la figura 2-5. Cuando el interruptor est apagado, no fluye corriente alguna, y cuando est encendido, la corriente fluye slo en la direccin de la flecha.

El interruptor controlable ideal tiene las siguientes caractersticas: 1. Bloquea de forma arbitraria grandes tensiones directas e inversas con flujo de corriente cero. 2. Conduce en forma arbitraria grandes corrientes con cada cero de tensin cuando est encendido. 3. Conmuta de encendido a apagado o viceversa en forma instantnea cuando se dispara. 4. Se requiere una cantidad de energa insignificante de la fuente de control para disparar el interruptor.