Aplicaciones de diodos 2.1 INTRODUCCION La construccién, caracteristicas y modelos de fos diodos semiconductores se analizaron en el capitulo 1, El objetivo principal del presente capitulo es desarrollar un amplio conocimiento préctico sobre el diodo en una variedad de configuraciones utilizando los modelos adecuados Para el drea de aplicacién. Una vez que concluya este capitulo, se comprenders con claridad el patrén biésico de comportamiento de los diodos en las redes de de y ac. Los conceptos que aprenda en este capitulo aparecerin de manera recurrente en los subsiguientes, Por ejemplo, los diodos se uilizan a menudo en Ia descripcién de la construccicin basica de los transistores y cen el analisis de las redes de transistores en de y ac Elcontenido de este capitulo revela una faceta interesante y muy positiva del estudio de lun campo tal como el de los dispositivas electrOnicas y los sistemas: una vez que se com- prende con claridad e! comportamiento bésico de un dispositivo, se pueden determinar su funcién y respuesta en una variedad infinita de configuraciones. El rango de aplicaciones no tiene fin; sin embargo, las caracteristicas y los modelos no suften cambio alguno. EL andlisis abarcard desde el que emplea las caracteristicas reales del diodo hasta el que utiliza, casi exclusivamente, modelos aproximados. Es importante que la funcidn y respuesta de varios ¢elementos dentro de un sistema electrénico se comprendan sin tener que repasar de forma continua procedimientos mateméticos prolongados y tediosos. Por lo general, esto se lleva 4 cabo a través del proceso de aproximacién, el cual por sf mismo se puede Considerar un ane. Si bien los resultados que se obtienen al utilizar las caracteristicas reales pueden diterie lun poco de aquetlos en los que se requiere una serie de aproximaciones, tenga en cuenta que también las caracteristicus obtenidas de !a hoja de especificaciones pueden ser un poco dis- tintas a las que se obtengan del uso real del dispositivo. En otras palabras, las caracteristicas «de un diodo semiconductor 1N4001 pueden variar de un elemento a otro dentro de un mismo lote. La variacion puede ser ligera, pero a menudo sera suficiente para validar las aproximaciones utilizadas en el andlisis. También se deben considerar Ins otros elementos de la red, {Bs la resistencia nominal de 100 Q exactamente igual a 100 2? ;EI voltaje aplicado ‘es exactamente igual a 10 V 0 quizé 10.08 V? Todas estas tolerancias contribuyen a lacreencia general en cuanto a que una respuesta determinada mediante un conjunto sdecuado de aproximaciones, quizé resulte tan “exacta” como una en la que se utilizan las caracteristicas en su totalidad. En este libro el énfasis se centra en el desarrollo de un conocimiento préctico de un dispositivo, mediante la utilizacién de las aproximaciones adecuadas, evitando asi un nivel innecesario de complejidad matematica. Sin embargo, también se proporcionan detalles Suficientes con objeto de permitir que quien lo desee, esté en condiciones de realizar un anilisis matemitico minucioso. CAPITULO. 53Figura 2.1 Configuracion de ‘iodo en serie: a) cicuit: ) caracteristicas, 54 2.2 ANALISIS MEDIANTE LA RECTA DE CARGA Naumelmente a carga apliada tendri un impacto importante en el punto o regisn de oper on del dispostivo, Sic andlisis se debe lear a cabo de manera grfica se puede ditujr na linea recta sobte las caracteristicas del di c% © usa de manera frecuente en los capitulos siguientes, 2 eat IntroducciGn ofrece la aplicacién mas simpliticada del método. Permite de igual forms tna validasign de la aproximacisn de la tenica descrta alo largo del resto de capitelo, Considere la red de la figura 2.1 que utiliza un diodo, el cual tiene las caracteritieas de la Figura 2.1b. Obsérveseen la figura 2.14 que la“presin” que proporcions la baterfa tiene coma objetivo establecer una corriente através del ctcuitoen Sere, de acuerdo con el semtido de a imanecillas del rele). El hecho de que esta corientey la diceccidn de conducion definida del dodo sean “semejantes”. indica que el diodo esti en estado “encendido” y que se establece ta Sonduccisn. La polaridad resultamte a través del diodo serd como se sefala.y el primer cus, Gramte (Vo € /y Positives) de la figura 2.1b seré ta regin de interés, es deci, ln tevin de polarizacion directa. Alaplicaraley de volije de Kirchhoff al eccuito en serie de la figura la dari por resultado E=Vy-Ve=0 ° E= Vp + Ik Qn Js dos variables en la ecuscién (2.1) (V,€,) som las mismas que las variables de los cies del diodo de Ia figura 2.15. Esta similitud permite una graticacion de la ccuscion (2:1) sobre las mismas caracteristicas de la figura 2.1b, Las intersecciones de Ia recta de carga sobre las varacteristicas pueden determinarse con [acilidad si se considera que en cualquier lugar del ee horizontal, =O Ay que en cualquier lugar del eje vertical V, =0 V. Sise establece Vi =0 V en ta ecuacién (2.1) y se tesuelve para J, se tiene una magnitud Ip sobre el eje vertical. Por tanto, con V,, =0 V la ecuacién (2.1) se converte en 2.2) somo l indica figura 22 Sise establece fy =O Aen la ecuacin (2.1) y se resuelve para V, se tiene la magnitud de V, sobre el eje vertical. Por tanto, con f, = 0 A la ecuacion (2.1) <6 convierte en E=V, 41k V+ OAR y Vy = Ell, =04 23) ‘como lo sefala Ia figura 2.2. Una linea recta dibujada entre los dos puntos definiré una recta de carga como la descrita en la figura 2.2. Si se cambia el nivel de R (la carga), cambiar la interseecién sobre el eje vertical. El resultado sera un cambio en la pendiente de la recta de carga, y en un punto de interseccidn diferente entre la recta de carga y las caracteristicas del dispositivo, ‘Ahora se tiene una recta de carga definida por la red y una curva de carscteristicas defini- da por el dispositivo. El punto de interseccién entre las dos es el punto de operacin para este Capitulo 2 Aplicaciones de diodos ob De ae “Canter posta Pa @ Recta decags ted) Figura 2.2. Dibujo dela recta de carga y la selecci6n del punto de aperacién. circuit. Mediate el sencil dibujo de na lnea recta hacia abajo hasta ej horizontal puede determina el vole del dodo Vp -nenras que una ica horizontal part dl pun dimer. secciényhastaelee verti dardl ive de 1 Lacoten/, even ela lacomente a aves de toda la configurcin en sere dea figura a. En general al punto de opeacion ele lama unto estabte(abreviado"Q-pt, por as palabras en ings de: Quiescem Point) elle sus Cualidades de “stable y sin movimiento" segin se defini para una ed de de. La solucién que e obtiene por a itersecidn de las dos eurvas es misma que posta consegurse mediante la solucin matemalica de las ecuacioessimultineas (2 1)9 1 Ug (eta ~ 1). Puesto que Ia curva para un diodo ticne caracteristcas no lineal, lis matemtieasinsolucradsrequrran de uso de tenis no lines que est fea de ls necsidadesy objetivo de este libro. El analss dela recta de carga descito ants offece una solucién con un minimo de esfurzo, yuna descripedn “pictrica” dela acon por la cual se obuvieron los niveles de solucion para Ve /,..Los siguientes dos ejemplos Jemostrarin as téencts ques presentaron, las cuales often tha faciliadcelaiva on aque puede dbujrse Tavecta de carga utllzano las ecuaciones 22) ¥ 23) Determinar para la configuracién de diodos en serie de la figura 2.3a usando las caracteristicas EJEMPLO 2.1 de diodo de la figuea 2.36) 8) V9 ¢ bog: b) Vp yom Figura 2.32) Circuito: b) caracteristicas. 2.2 Andlisis mediante la recta de carga 35