EL TRANSISTOR MOSFET EN CONMUTACIN.

RESOLUCIN DE CIRCUITOS BSICOS

1. Identificar el tipo de MOSFET. La clave est en la flechita!
D G B S G D B S

De canal n G: puerta. B: sustrato.

De canal p

Cuidado! Aunque habitualmente el drenador, D, se suele dibujar arriba para el MOSFET de canal n y abajo para el de canal p, y la fuente, S, justo al contrario, de momento vamos a denominar tanto a D como a S difusiones. A priori, antes de polarizar el transistor, el drenador y la fuente son indistinguibles, difusiones. 2. Identificar el sustrato y las difusiones como regiones p n.

G S
+ +

Difusin

S
+ +

Difusin

n p
-

p n
-

Sustrato B

Sustrato B

MOSFET de canal n: - Sustrato: p - Difusiones: n

MOSFET de canal p: - Sustrato: n - Difusiones: p

3. Analizar si la unin pn sustrato-difusin que est libre tiene polarizacin directa o inversa. Una de las uniones pn, la de una de las difusiones, va a estar habitualmente cortocircuitada en nuestros ejercicios siempre-, por lo que el diodo equivalente est en corte. Es un error presuponer que est difusin necesariamente es la fuente. La otra unin pn, la de la otra difusin, puede estar polarizada en directo, el diodo conduce con una cada de tensin VD, o en inverso, el diodo no conduce.

4. Identificar qu difusin es el drenador y cul la fuente. En un MOSFET de canal n: la difusin sometida a mayor tensin es el drenador.
D S

En un MOSFET de canal p: la difusin sometida a menor potencial es el drenador.

S D

5. Analizar si se ha formado el canal. En un MOSFET de canal n: existe canal si la tensin puerta-fuente, VGS, es mayor que la tensin umbral Vu. Vu es positiva. En un MOSFET de canal p: existe canal si la tensin puerta-fuente, VGS, es menor que la tensin umbral Vu. Vu es negativa. Cuidado! Si nos fijamos en los valores absolutos de VGS y Vu, el de VGS es mayor que el de Vu. Los circuitos estn preparados para que si el MOSFET conduce, trabaje en la regin lineal. Por lo tanto es equivalente a una resistencia de valor Ron. 6. Si la resistencia equivalente est en paralelo con una unin pn polarizada en directo. En tal caso, se supone que la resistencia Ron equivalente al MOSFET en conduccin es tan pequea que la cada de tensin que provoca es menor que la tensin de conduccin del diodo, VD. En definitiva la Ron prevalece y, a todos los efectos es como si el diodo desapareciera. CONOCIMIENTOS DE ARCHIVO Para anlisis convencionales de circuitos con transistores MOSFET se supone que la corriente que atraviesa la puerta es nula. Si un divisor resistivo de tensin tiene una resistencia mucho mayor que la otra, se toma que la cada de tensin en la menor es nula. ADVERTENCIAS. Esto no hace falta para resolver los ejercicios. Un MOSFET en conduccin puede estar en la regin lineal, en la gradual o en saturacin. Los ejercicios estn preparados para que si el transistor conduce lo haga en la regin lineal y por lo tanto sea equivalente a una resistencia Ron. El mtodo propuesto est diseado para analizar circuitos en los que el MOSFET es de enriquecimiento o acumulacin. Si fuera de empobrecimiento habra que ampliar las explicaciones.