FOTOVOLTAK GNE GZELER VE G SSTEMLER GR Fotovoltaik gne gzeleri (fotovoltaik diyotlar), zerine gne dtnde, gne enerjisin!

! dorudan elektrik enerjisine eviren dzeneklerdir. Bu enerji eviriminde herhangi hareketli para bulunmaz. Gne gzelerinin alma ilkesi, Fotovoltaik (Photovoltaic) olayna dayanr. Fotovoltaik olaym 1839 ylnda Becquerel, elektrolit ierisine daldrlm elektrotlar arasndaki gerilimin (voltajn), elektrolit zerine den a baml olduunu gzlemleyerek bulmutur. Katlarda benzer bir olay ilk olarak selenyum kristalleri zerinde 1876 ylnda G. VV.Adams ve R.E.Day tarafndan gsterilmitir. Bunu izleyen yllarda yaplan almalar bakroksit ve selenyuma dayal foto diyotlarn, yaygn olarak fotoraflk alannda k metrelerinde kullanlmasn beraberinde getirmitir. 1914 ylnda fotovoltaik diyotlarn verimlilii %1 deerine ulam ise de, gerek anlamda gne enerjisin! % 6 verimlilikle elektrik enerjisine dntren fotovoltaik diyotlar ilk kez 1954 ylnda Chapin et al. tarafndan silikon kristali zerinde gerekletirilmitir. Fotovoltaik g sistemleri iin dnm noktas olarak kabul edilebilecek bu tarihi izleyen yllarda aratrmalar ve ilk tasarmlar, uzay aralarnda kullanlacak g sistemleri iin yaplmtr. Fotovoltaik g sistemleri 1960'larn basndan beri uzay almalarnn gvenilir g kayna olmay srdrmektedir. 1970'li yllarn balarna kadar, gne gzelerinin uygulamalar uzay almalar ile snrl kalmtr. Gne gzelerinin yeryznde de elektrik enerjisi reten g sistemi olarak kullanlabilmesine ynelik aratrma ve gelitirme abalar 1950'lerde balam olmasna karn, gerek anlamda ilgi, 1973 ylnda ortaya kan "birinci petrol bunalm" n izleyen yllarda olmutur. Amerika'da, Avrupa'da ve Japonya'da byk bteli ve geni kapsaml aratrma ve gelitirme projeleri balatlmtr. Bir yandan uzay almalarnda kendini ispatlam silikon kristaline dayal gne gzelerinin verimliliini artrma abalarna ve dier yandan alternatif olmak zere ok daha az yar-iletken malzemeye gerek duyulan ve bu neden ile daha ucuza retilebilecek ince film gne gzeleri zerindeki almalara hz verilmitir. Gne enerjisini elektrik enerjisine evirmenin, basit, evre dostu ekli olan fotovoltaik sistemlerin aratrlmas ve gelitirilmesi, maliyetinin drlerek yaygnlatrlmas "misyonu" uzun yllar niversitelerin yklendii ve yrtt bir grev olmu ve bu nedenle kamuoyunda hep laboratuarda kalan bir alma olarak deerlendirilmitir. Ancak son yirmi ylda dnya genelinde evre konusunda duyarlln artmasna bal olarak kamuoyundan gelen bask, ok uluslu byk irketleri fosile dayal olmayan yeni ve yenilenebilir enerji kaynaklar konusunda almalar yapmaya zorlamtr. Byk irketlerin devreye girmesi ile fotovoltaik gzeler konusundaki teknolojik gelimeler ve g sistemlerine artan talep ve buna bal byyen retim kapasitesi, maliyetlerin hzla dmesini de beraber getirmitir. Yakn gemie kadar, allagelmi elektrik enerjisi retim yntemleri ile karlatrldnda ok pahal olarak deerlendirilen fotovoltaik g sistemleri, artk yakn gelecekte g retimine nemli katks olabilecek sistemler olarak deerlendirilmektedir. zellikle elektrik enerjisi retiminde hesaba katlmayan ve grnmeyen maliyet olarak deerlendirilebilecek "sosyal maliyet" gz nne alndnda, fotovoltaik sistemler, fosile dayal sistemlerden daha ekonomik olarak deerlendirilebilir. zleyen blmlerde, nce btnln salanmas amac ile gne nm ile ilgili kavramlar ve terminoloji ksaca gzden geirilecektir; ardndan fotovoltaik sistemlerin kalbi olan gne gzeleri (fotovoltaik diyotlar) tantlp bu diyotlarn yaplabilecei malzemeler ve ne kan teknolojiler zetlenecektir. Gne gzelerinin bir araya getirilmesi ile oluan modller ve ilgili teknolojilerin tantlmasnn ardndan, fotovoltaik g sistemleri anlatlacaktr. G sistemlerinin gnmzdeki yaygn kullanm ekillerinin ele alnd blm, bu sistemlerin ekonomik deerlendirilmesi izleyecektir. Fotovoltaik sistemlerin dnyadaki ve lkemizdeki geleceine ynelik yorumlar, bu almann son blmn oluturacaktr. GNE IINIMI Yaamn kayna olan gne, doal sistemin enerjisinin byk bir blmn salar. ap yaklak 1,4 milyon kilometre olan ve ierisinde ok youn gazlar bulunduran yaklaka

kresel geometrideki Gne, Dnya'mzdan yaklak 150 milyon kilometre uzaklktadr. Gnein merkezindeki scaklk milyonlarca dereceye ularken, yaymlanan nmn spektrumunu belirleyen yzey tabakasnn (fotosfer) scakl olan 6000K'dir. Scak cisimlerden yaymlanan nm, elektromanyetik zellie sahip olup, gcn spektral dalm (birim dalga boyunda, birim alana, birim zamanda gelen enerji) scakln bir fonksiyonudur Yeryzne dier yldzlardan da elektromagnetik spekturumun deiik aralklarnda enerji gelmektedir; ancak, yerkrenin temel enerji kayna gne olup yerkreye gelen nmn byke bir blm grnr blgededir. Enerji tayan birimler gibi dnlebilecek 'fotonlar', spekturumun grnr blgesinin krmz yannda daha kk enerji, mavi-mor yannda daha byk enerji tarlar. Seilen bir dalga boyundaki fotonun tad enerji ve o dalga boyunda birim yzeye birim zamanda gelen foton say, seilen dalga boyundaki gc tanmlar. Dnya'mza Gne'ten gelen ve spektrumun krmznn tesinde kalan kzl-tesi ve morun tesinde kalan mor-tesi blgelerinde bulunan nmnda toplam enerjiye nemli bir katks vardr. Gne'in gc, yani bir saniyede gne sistemine verdii enerji, ok byk olmasna karn, yerkrenin atmosferinin dna ulaan tutar yalnzca kk bir blmdr. Gne nmnn havakreyi (atmosferi) geer iken urad deiimin bal olduu deikenlerin says olduka ok olmasna karn, en nemli deiken, n havakrede ald yolun uzunluudur, ekil 1 'de 6000K scaklnda siyah bir cismin masnn spekturumu, atmosferin hemen dndaki ve yeryzndeki gne nmnn spektral dalm karlatrlmaktadr. Genellikle gne nm deerlendirilirken atmosfer dndaki seilen nokta bavuru noktas olarak ele alnp buna hava- ktle-sfr (airmass 0) AMO ad verilir. Havakre dnda birim yzeye gelen toplam g, tm spektrum zerinden entegre edilirse, ulalan deer 1357 W/m2 olup bu deer 'gne deimezi' olarak kullanlr(2). ekil 1. de grld gibi, gne nlar havakreyi geerken spektrumlar nemli lde deiiklie urar. Bulutsuz ve gneli bir havada bile gne nlar havakreyi geer iken su buhar, oksijen, karbon dioksit, ozon, azot, metan gibi gaz molekllerinin yannda, aerosol ve toz zerreciklerinden salarak yeryzne ancak havakre dndaki enerjinin %70'i ular. Dnya zerindeki ak bir havada deniz dzeyinde optiksel hava-ktle, gne nlarnn aldklar gerek yolun, gne tam tepedeyken aldklar yola oran olarak tanmlanr. rnein, gne tam tepede iken bu deer hava-ktle (Air Mass) 1 olarak verilir. Yeryzne den gne nlar, dorudan gneten gelen ve havakrede saldktan sonra yaynma (difzyona) uram nlarn toplamdr. Hava koullarna bal olarak dorudan gneten gelen nlarn, salm na oran deiir; rnein, bulutlu bir gnde, gne nmnn nemli bir blm, salm nlardan oluurken, gnei bulutsuz bir gnde gne enerjisinin byk bir ksm, dorudan nlardan oluacaktr. Dorudan ve yaynk nmnn toplam, kresel (global) nm olarak adlandrlr. Fotovoltaik sistemlerin seiminde, gne nmnn verileri byk nem tar. Gne gzelerinin verimliliinin yani, gelen gne enerjinin hangi oranda elektrik enerjisi elde edildiinin belirlenmesi iin yaplan lmlerce kullanlan standart, gne nmn havaktle1.5 (AM1.5) spektrumu salamas ve 1kW/m2 g younluunda olmas yannda, modllerin, lmler srasnda 25oC'ta tutulmasdr. GNE GZELER Gne gzeleri, gne-elektrik eviriminin kalbi olup, optiksel ve elektriksel zellikleri bu dnme uygun olarak seilen yar-iletken malzemeden yaplm diyotlardr. Bir nceki blmde verildii gibi, yeryznde herhangi bir blgece birim alana gelen gne enerjisinin tutarm ve spekturumunu etkileyen deikenler, corafyadan balayp, topografya, iklim koullar, hava kirliliine kadar giden geni bir aralkta yer alr. Ancak, birim alana gelen gne enerjisini hangi oranda elektrik enerjisine dntrlebileceini belirleyen, gne gzelerinin verimliliidir. Verimlilii etkileyen deikenleri tartmadan nce, gne gzeleri ile ilgili temel kavramlarn ksaca ele alnmas da uygun olacaktr.

Gne gzeleri, ilke olarak, bugn hayatn her kesimine girmi olan elektronik dzeneklerin ierisinde kullanlan ve ok kk boyutlara sahip yar- iletken diyotlarn, geni yzey alanlara uygulanm eklidir. Kullanlan malzeme, retim ekilleri ve diyotlarn alma ilkeleri, temelde benzerdir. Elektronik sanayinin gzde malzemesi silisyum kristali, bugn ticari olarak satn alnabilecek gne gzelerinin ounluunun retiminde kullanlmaktadr. Silisyum, teknolojik nemi nedeni ile zerinde en fazla allm ve elektriksel, magnetik, optiksel ve yapsal zellikleri en iyi bilinen yar-iletken malzemelerden biridir. Bu noktada, yan-iletken malzeme kavramna ksaca deinmek yararl olacaktr. Madde ierisinde elektriksel yk tayclarnn devinimleri gz nne alnarak malzemeler, stn-iletken, iletken, yar-iletken ve yaltkan olarak snflandrlabilir. Btn maddelerin atomlardan yaplm olduu gereinden yola karsak, malzemenin zellikleri ve elektrii ne ekilde ilettii, malzemeyi oluturan atomlarn dzenlenilerine sk skya baldr. Basite indirgenmi bir anlatmla, atom, art (+) elektrik ykne sahip protonlar ve elektrik ykne sahip olmayan ntronlar ierisinde bulunduran bir ekirdek ve onun evresinde dolanan eksi (-)ykl elektronlardan olumu gibi dnlebilir. Atomda, proton say, elektron saysna eittir ve darya kar elektrik yk sfr yani ykszdr (ntr). Atomda, ekirdekten uzaklatka elektronlarn ekirdekle olan balar zayflar. Maddenin yapsn belirleyen, ekirdekten en uzakta bulunan elektronlardr. Deerlik elektronu olarak adlandracamz bu elektronlar, iyi bir iletken olan metallerde, komu atomlar arasnda kolayca hareket ederler. Bulunduklar enerji dzeyinden daha yksek enerji dzeylerine kmadan metal ierisinde rahata dolaan bu elektronlara "serbest elektronlar" ad verilir. Metal malzemedeki serbest elektronlar, elektrik yknn iletilmesinde iyi birer tayc olmalarna karn, fotovoltaik dnm iin uygun bir ara deildirler. Bunun temel nedeni, basit anlatmla, serbest elektronun, gelen n frekansna kolayca cevap vererek geri yanstmas ve metallerde elektronlar art (+) yklerden ayr tutabileceimiz bir enerji aralnn bulunmamasdr. Yar-iletkenlerde ve yaltkanlarda deerlik elektronlarnn bulunduu enerji dzeyi ile bu elektronlarn bulunabilecei bir sonraki enerji dzeyi arasnda bulunan enerji dzeyleri, elektronlarn bulunmasnn yasak olduu enerjilerdir. Deerlik elektronlarnn bulunduu enerji bandna 'deerlik band' ve yasak enerji aralndan sonra elektronlarn bulunabilecei ilk enerji dzeylerinden balayan enerji bandna da 'iletkenlik band' ad verilir. Yasak enerji aralnn bykl, maddenin yar-iletken yada yaltkan olarak snflandrlmasnn lsdr. Gne nmnda enerji tama birimleri olarak tanmladmz fotonlarn enerjisi, yasak enerji aralna eit yada ondan byk ise, deerlik bandndaki bir elektrona enerjisini aktararak onu iletkenlik bandna karr. Yasak enerji aral 2.5eV (elektron-volt) deerinden daha bykse madde yaltkandr. Gne spekturumda (ekil 1.). enerjisi 2.5eV (dalga boyu 0,5m) deerinden daha byk olan blgedeki gne nlarnn tutar ok az olduundan, bu tr malzemede fotovoltaik evirimde sourucu tabaka olarak kullanlmaya uygun deildir. ekil 2. Hava-ktle1 iin gne nmm sourucu malzemenin yasak enerji aralna bal olarak gne-elektrik dnm iin var olan potansiyeli gstermektedir. Yrtlen tartmann nda, fotovoltaik dnmde gne n souracak malzeme, yasak enerji aral gne spekturumu uyumlu ve elektrik yklerinin birbirinden ayrlabilmesine izin verecek yar-iletken malzemeden olmaldr. ekil 3 yasak enerji aralna bal olarak eitli gne nm koullarnda elde edilebilecek en byk verimlilik deerini zetlemektedir. Ayn ekil zerinde eitli yar-iletken malzemelerin yasak enerji aral da iaretlenmitir. Gne enerjisini tayan enerji paketleri "fotonlar" tmyle doru bir anlatm olmasa da, kavramlarn anlalabilmesi iin, 'bilyeler' gibi dnlebilir. Gne spektrumunun mavi renk tarafnda enerjisi yksek fotonlar, bir benzetme ile byk bilyalar ve krmz yannda dk

enerjili fotonlar yani, kk bilyalar var diye dnlebilir. Fotonlar, bilyalarn arpmasna benzer olarak enerjilerini madde ierisindeki elektronlara aktarabilir. Burada dikkat edilmesi gereken nokta, fotonun, elektronla birebir etkileimidir. Fotonun aktard enerji ile elektron, enerjisin! artrarak daha yksek enerjilere trmanmaya alr. Eer aktarlan enerji, yasak enerji aralm amaya yeterli ise, elektron, iinde bulunduu deerlik bandndan ayrlarak iletkenlik bandna kar. Elektron, ait olduu atomu terk etmi olacandan, geride dengelenmemi bir art yk kalacaktr. Deerlik bandnda kalan bu art (+) yke, 'boluk yada deik' ad verilir. Sonu olarak, eer yar-iletken zerine den fotonun enerjisi, enerji aralna eit yada byk ise, bir elektron-boluk ifti yaratlm olur. Yasak enerji aralndan daha kk enerjiye sahip enerjiler elektron-deik ifti yaratmaya yetmez ve fotovoltaik dnme katklar yoktur. Yasak enerji aralndan daha byk enerjiye sahip fotonlar iletkenlik band ierisinde yksek enerjilere trmanrlar ancak saniyenin milyon kere milyonda birinden daha ksa srede iletkenlik bandndan en kk enerjili blgesine geri dnerek, fazla enerjilerini s enerjisi olarak yar-iletkene verirler. ekil 4. elektron-boluk ifti yaratlmasn gstermektedir. Gne nlar kullanarak, maddede yaratlacak elektron-boluk saysnn en byk deeri alma, gne spektrumu ile yar-iletkenin band aralnn uygun seilmesi ile elde edilir. ekil 2. ve ekil 3. gz nne alndnda, band aral1.4eV ve 1.6eV arasndaki yaniletkenlerin fotovoltaik evirimde en uygun malzeme olduu aktr. Ancak, yan-iletkenin dier optiksel zelliklerinin de bu seime byk nemi vardr. Yan-iletkenin sourma katsays (gne nn malzeme ierisinde birim uzunluk basma sourulma miktar) byk ise, gne nlar daha kk bir uzaklkta sourulacaktr. Bylece, daha az malzeme kullanlarak gne-elektrik dnmne olanak salanacaktr. ekil 5. eitli yar-iletken malzemelerin sourma katsaylarm enerjinin fonksiyonu olarak gstermektedir. Buraya kadar olan tartmalarmzda gne altnda band aral uygun seilmi bir yar-iletkende elektron-boluk iftlerinin ortaya kacan grdk. Ancak, iletkenlik bandna km elektronlar, saniyenin milyonda biri basamanda bir sre ierisinde, deerlik bandna geri dnme eilimindedirler. Elektronlarn iletkenlik bandnda kaldklar sreye "mr sresi" ad verilir. Eer iletkenlik bandna km elektronlar (eksi ykler) mr sreleri ierisinde boluklardan (art ykler) bir etki nedeni ile ayrlmazlar ise, elektriksel akma ve sonuta gne-elektrik dnmne katklar olmayacaktr. Olayn anlalabilmesi iin basit bir benzetme ile yola kalm, iki kademeli bir bahe ve aadaki ka havuz olduunu dnn. Havuzun zerinde, ikinci kademe yksekliinde tabannn bir blmnde delikler bulunan ve ikinci kademeye bir boru uzants olan bir depo yerletirin. Havuzdan depoya su pompalama hznz suyun geri havuza dklme hzn amaz ise depoda su tutmanz ve ikinci kademeyi sulamanz mmkn olmaz. Ancak depoyu, delikli blm yukarya gelecek ekilde eim vererek, havuzdaki suyu imenleri sulamakla kullanabilirsiniz. Yar-iletkenlerde, havuzdaki suyu depoya pompalama iini yani deerlik bandndaki elektronlar iletkenlik bandna karma iini fotonlar yapmaktadr. Depoya eim vermekle oluturduumuz yerekimi kuvvetinin eim dorultusundaki bileeninin etkisinin yerini gne gzelerinde ne almaktadr? Gne gzelerinin kalbi olan fotovoltaik evirimde en ok uygulanan, elektriksel etkenlik karakteristikleri birbirinden farkl olan p-tipi yar iletken ile n-tipi yar-iletkenden oluan p-n eklem diyotlardr. Elektron-boluk iftlerinin birbirinden ayrlarak, elektrik akmn oluumunu salayacak kuvvet, ara yzey blgesinde oluan elektrik alan ile salanr.. Bundan sonraki blmlerin izlenebilmesi iin yar-iletkenlerin katklanmas ve iletkenlik tipleri ksaca zetlenecektir. Yar-letkenlerin katklanmas Yar-iletken malzemenin ierisine, ok az miktarda uygun seilmi yabanc atom katklanmas ile, yar-iletkenin elektriksel zellikleri nemli lde deitirilebilir. Saf yariletkenin yapsal zelliklerini bozmayacak lde ve denetimli bir biimde yar-iletken kristale yerletirilen yabanc atomlara "safszlk-atomlar" ve bu ileme de, 'katklama' ad verilir.

Katklamay daha iyi aklamak iin ounlukla kullanlan rnek, silisyum kristalidir. Saf (katklanmam) silisyum kristalinde her atom 14 elektrona sahip olmakla birlikte, en d yrngedeki drt elektron, komu atomlarla olan ilikileri belirler. Deerlik elektronlar adm verdiimiz bu drt elektronun her biri, en yaknndaki drt silisyum atomu ile ba yaparak silisyum kristalindeki ana yap tan oluturur. Ana yap ta, kpn merkezindeki bir silisyum atomu ve kpn birbirine komu olmayan kelerinde birer silisyum atomu yerlemesi ile kurulur. Silisyum kristali bu yap talarnn yinelenerek uzay doldurmas ile oluur (ekil 6) Saf silisyum kristali ierisine deerlik elektron says be olan fosfor atomu katklanrsa, fosfor atomu, silisyum atomunun yerine oturup drt deerlik elektronu ile silisyum daha nce kristal ierisinde yapt balar salar iken, fosforun beinci deerlik elektronunu akta kalacaktr. Fosfor atomuna ok zayf olarak bal olan bu elektron ok kk bir enerji ile atomundan ayrlarak silisyum kristalinin iletkenlik bandna kacaktr. Fosfor atomunda olduu gibi, katld kristal yapya elektron veren safszlk atomlarna "verici" denir. Bu ekilde katklanm yar-iletkenlerde elektriksel yk, elektronlar ile (ounluk tayclar), iletkenlik bandnda tanr ve bu nedenle bu yar iletkenler n-tipi olarak snflandrlr (ekil7a). Saf silisyum kristali ierisinde deerlik elektron says olan boron atomu katkladmz dnelim (ekil7b). Silisyum atomunun yerini alan boron atomu, silisyum kristalindeki atomla ba yaparken drdnc atomla paylaaca elektronu olmad iin, bir eksik ba ortaya kacaktr. Deerlik bandnn ky enerjisine yakn bulunan bu enerji dzeylerine ok kk enerjilerle bile deerlik bandndan elektronlarla doldurularak deerlik bandnda boluklar oluacaktr. Bu ekilde katklanm yar iletkenlerde deerlik bandndaki boluklarn says iletkenlik bandndaki serbest elektron saysndan daha ok olduundan. ounluk tayclar art ykleri gibi dnlen boluklardr. Boluklarn ounluk taycs olduu bu tr malzemelere p-tipi yar-iletken ad verilir. Yar-iletken ister n-tipi ister p-tipi olsun kendi iinde ntrdr, yani darya kar herhangi net bir elektrik yk gstermezler; ancak, dardan bir elektrik alan uygulandnda etkin akm belirleyen ounluk tayclardr. N-tipi yan-iletkendeki ounluk tayclar elektronlar ve aznlk tayclar boluklar, p-tipi yar-iletkende rol deitirirler. Elektronlar elektrik alan ile ters ynde hareket ederken, boluklar elektrik alan ynnde hareket ederler. Yan-iletken tipleri ve yk tayclar konusundaki balattmz tartmalar bu dzeyde brakp, fotovoltaik dnmde nemli olan p-tipi ve n-tipi yar iletkenin bir araya gelmesi ile oluan p-n eklem diyotlara ksaca bakalm. p-n eklem diyotlar n-tipi yar iletken ile p-tipi yar-iletken fiziksel olarak birbirine eklendiinde, n-tipi yariletkenin ounluk tayclar elektronlar p-tipi yar-iletken taratma ve p-tipi yar-iletkenin ounluk tayclar boluklar n-tipi taratma akmaya balarlar. Elektronlarn n-tipi blgeden ayrlmas ile geride art (+) ykler kalrken, boluklarn p-tipi blgeyi terk etmesi ile geride eksi (-) ykler kalacaktr. ounluk tayclarnn eklem zerinden aklar, eklemin hemen evresindeki blgeyi etkileyecektir. Geride kalan (+) ve (-) ykler eklem evresinde bir elektrik alan olutururken, bu alan, iki ayr blgedeki tayc farklarndan dolay oludan doal ak engelleyici ynde artacaktr. Denge kurulduunda, tayc ak duracak ve eklem evresinde bir elektrik alan kurulacaktr. Bu elektrik alann bykl, kullanlan yariletkenlere ve yar iletkenlerin katklanmalarna bal olacaktr. ekil 8.'de grld, gibi eklem evresinde tayclardan boaltlm bir blge olumutur ve bu blgede bir elektrik alan vardr. Bu blgeye giren aznlk tayclar elektrik alann uygulayaca kuvvetle hemen kar tarata iletirler. Daha nce verdiimiz havuz zerine aslm tabannda delik olan depo rneine geri dnersek. "boaltlm blge" iki taraf

arasnda balanty salayan boru ve "eklem zerindeki elektrik alan" ise yerekimi kuvvetinin yerine dnlebilecek kavramlardr. Gne nm altnda p-n eklem diyot Eklem diyodun p- ve n- blgelerinde gelen k sourulduunda, enerjisi band aralndan daha yksek olan fotonlarn deerlik bandndaki elektronlar etkenlik bandna kararak bir elektron-boluk ifti yaratacan ve bu iftin, bir d etki olmad durumda, saniyenin milyonda birinden daha kk olan hayat sreleri ierisinde geliigzel hareket ederek yeniden birleeceini geen blmlerimizde tarttk. p-n eklem diyodun eklem blgesindeki elektrik alan nedeniyle, p-tipi yar-iletkende zerine k dmesi sonucu iletkenlik bandna karlm ve boaltlm blge snrna ulam aznlk tayclar elektronlar, hzla n-tipi blgeye ekilirler. Ayn yaklamla, n-tipi blgede elektronlarn iletkenlik bandna gemesi ile deerlik bandnda kalan aznlk tayclar boluklar boaltlm blgenin kysna ulatklarnda p-tipi blgeye geerler. zet olarak, boaltlm blge kysna ulam aznlk tayclar ounluk taycs olarak tanmlandklar blgeye geerler. Bunun sonucu olarak fotonlarn diyot zerine dmesi sonucu yaratlm elektronlar (eksi ykler), diyodun bir taratma; boluklar da (art ykler) dier tarafna itilirler (ekil 9) Bu biimde birbirinden ayrlm elektronlar ve boluklar, bir d devre zerinden birletirildiinde, d devre elemanndan akan elektriksel ykler, dorudan gne enerjisinden elde edilen elektrik enerjisinin kaynadr. Buraya kadar olan tartmalarmzda p-n eklem diyotla ilgili herhangi bir matematiksel eitlikten kanld. Ancak, ksaca nm altndaki diyodun akm-gerilim (voltaj) karakteristii, karanlktaki diyodun akm-gerilim erisinden snm altnda retilen iL akmnn karlmas olarak ele alnabilir. l=lD-lL Bu erileri kullanarak fotovoltaik diyottan alnabilecek gc hesaplamak olanakldr. Gne nm altnda fotovoltaik diyodun g k aadaki deikenlerde belirlenir; Ak-devre gerilimi (open-circuit voltage, Voc) . Diyodun ular (terminalleri) arasndaki diren sonsuz iken (ak devre) llen gerilim. Ksa-devre akm (short-circuit current, Isc (ekilde Jsci )): Diyodun iki ucu arasndaki diren sfr iken (ksa-devre) llen akmdr. deal koullarda bu deer nmla yaratlan akm deerine eittir. Dolum arpan (Fiil Factor, FF) : Inm altndaki akm gerilim erisinde akmlarn eksi, gerilimlerin pozitif olduu blgede hesaplanan en byk Vmp x Imp deerinin Voc x Isc oran olarak tanmlanr. FF=(Vmp x Imp)/(Voc x Isc) Gne gzesinin k gc, P k, bu deikenler cinsinden, Pk=Vmp x Imp=Voc x Isc x FF eklinde verilebilir.

Bir gne gzesinin verimlilii, , fotovoltaik diyodun zerine den gne nm gcnn, diyottan alnabilecek gce oran olarak tanmlanr. = Pk / Pgiri= (Voc x Isc x FF) / Pgiri Gne gzelerinin verimliliklerinin lld, "Standart Test Koullar"n yeniden anmsarsak, Gne gzesi 25C'de iken, AM1.5 gne spekturumuna sahip 1000 W/m2 gne gc altnda yaplan lmdr. Bulutsuz ve gneli bir gnde 1200 W/m2 'ye varabilen bu deer, bulutlu gnlerde 200-800 W/m2 arasnda deimektedir. Yamurlu bir gnde ise, metre kareye den gne nm 50 W deerine kadar inebilmektedir. Yukardaki basit tartmadan, fotovoltaik diyotlarn verimliliklerini Artrmann yolunun ak devre gerilimi, Voc, ksa-devre akm Isc ve dolunum faktr, FF deerleri ile belirlenecei aktr. Bu deikenlerin uunu e zamanl olarak optimum deerlerine ulatrmak, fotovoltaik diyot retimi iin seilen malzeme ve retim teknolojilerinin doru olmas ile olanakldr. Ancak, bu seilmelerde maliyet hesaplarnn dikkate alnmasnn gereklilii bir gerektir. GZES RETMNDE TEMEL LTLER Gne gzesi retiminde en nemli seimlerden biri, diyodun yapmnda kullanlan malzemedir. Fotovoltaik diyotta sourucu tabaka olarak kullanlan yar- iletken, gne spekturumunun nemli bir blmn metrenin milyonda biri kadar kalnlkta sourmaldr. Gne spekturumunda krmz n enerjisi 1,7 eV dolaynda iken, mavi n enerjisi 2,7 eV dolayndadr; ancak bu deerlerin altnda 0,5 eV ve stnde 3,3 eV deerine kadar spekturumda nemli lde enerji vardr. Yasak enerji aral 0,5 -3,3 eV arasnda olan malzeme, gne gzesi yapmnda kullanlabilir. Elementer kristaller arasnda yalnzca silisyum (1.1 eV) ve germanyum (0,6 eV) elementlerinin kristalleri bu koullar salar. Bu aralkta kullanlacak dier yar-iletken malzemeler, iki yada daha ok yar-iletkenden oluan bileik yar-iletken malzemelerdir. rnein, galyum ve arsenik elementlerinden oluan GaAs kristalinin yasak enerji aral 1.43 eV deerindedir, dolays ile bu enerjiye eit yada byk enerjiye sahip fotonlar sourularak GaAs kristalinde elektron-boluk ifti meydana gelir. GaAs kristalinin dier elektronik zellikleri, birok uygulamada silisyumdan daha uygundur. Bu tartmalardan hemen gne spekturumundaki en dk enerjiyi souracak bir yar-iletken kullanlarak tm spekturumun deerlendirilmesi nerilebilir. Ancak, band aras kldke sistemden elde edilebilecek ak devre geriliminin deeri decektir. Gne gzesinden yksek ak devre gerilimi elde etmenin yolu band araln geniletmektedir; ancak bu da, akmn dmesine neden olur. Daha nceki tartmalarmzda en iyi (optimum) band geniliinin 1-5eV dolaylarnda olduunu belirlemi idik; ancak, band aral 1eV-1.8eV arasnda olan malzeme fotovoltaik diyot yapmnda etkin olarak kullanlmaktadr. Fotovoltaik malzemenin seiminde dier bir lt, yar-iletken maddelerin mikroyapsdr. Yar-iletken malzemedeki kusurlar, tayclarn lde etkileyecektir. Tek kristalli malzemelerle yapsal ve elektriksel zellikler tm maddede ayndr, oysa ok kristalli malzemelerde yapsal zellikleri birbirinden farkl olan ve damar ad verilen blgeler vardr. Bir damardan dierine geerken karlalan sreksizlik ve buna bal olarak mikro-yapda oluan kusurlar, elektriksel iletkenlii olumsuz ynde etkilerler. Sonuta. Tek kristalli malzemeden ok kristalli malzemeye geildiinde elde edilebilecek gne-elektrik

dnm verimi azalr. ok kristalli malzemede damar byklkleri elde edilebilecek verimle doru orantldr. Ayn yar-iletkenin, bir yanm p- ve dier yanm n-tipi katklayarak elde edilen p-n eklem diyotlara homo-eklem diyot, biri birinden farkl yar-iletkenle kullanlmakla elde edilen yaplara ise hetero-eklem diyot ad verilir. Gne gzesi retim teknolojisinde her iki tipte baar ile uygulanmaktadr. Hetero-eklem diyotlarda, eklemin bir taraf gne nlar, eklemin yasak band aral uygun seilen yan iletken tarafnda ounlukla sourulmakta ve daha yksek band aralndan yar-iletken diyottan yksek gerilim elde edilecek ekilde seilmektedir. Bu biimde fabrika edilmi yaplarda eklem ara yzeyleri de tayclarn yeniden birlemesine neden olan kusurlarda almas gereken yeni sorunlar olarak gndeme gelmektedir. Yukardaki ltlerin yannda seilen malzemenin maliyeti, dnya zerinde hangi bollukta bulunduu ve evre dostu olmas byk nem tamaktadr. zetlenirse, yksek verimlikte fotovoltaik evirim iin, yasak enerji aral uygun seimi (optimizasyonu), malzemenin, yapsal ve elektriksel zelliklerinin gelitirilmesi ve hetero-eklem oluumunda en uygun kombinasyonun kullanlmas gerekmektedir. Ayrca, seilen malzemenin byk leklerde ekonomik olarak retilebilmesi iin uygun teknolojilerin varolmas aynnda, kullanlan malzemelerin ve teknolojilerin evre dostu olmas arzulanmaktadr. FOTOVOLTAK GNE GZELER N MALZEMELER Tek Kristal silisyum gne gzeleri Tek-kristal silisyum malzeme le retilen gne gzelerinde gne-elektrik dnm yksek verimlilikte gereklemektedir. Silisyumun elektriksel, optiksel ve yapsal zelliklerinin uzun sre deimemesi ve silisyum retim teknolojisinde elde edilen byk baarlar bu malzemenin en popler malzeme olarak ne kmasn salamtr. Saf tekkristal retimi, olduka zor ve pahal bir teknolojiyi gerektirmektedir. Oksijenden sonra yeryzndeki en ok bulunan element olan silisyumun en ok bulunan biimi kum ve kuartzdr. Kumun saflk derecesi ok dk olduundan, kullanlmaya uygun deildir; ancak, kuartzn %90' silisyumdur. Kuartz ilenerek (stp-saflatrma) %99 silika elde edilir. Ardndan, silikadan metalurji-kalitesinde silisyum elde edilir; bunu izleyen aamada ise silisyum saflatrlarak yar-iletken niteliinde ok kristalli silisyum (poly-silisyum) elde edilir. Poly-silisyum elde edilmesine kadar olan aamalarn her biri, olduka enerji youn ve maliyeti ykselten ilemlerdir. Yan-iletken kalite saf poly-silisyumdan tek kristal silisyum elde etmek iin poly-silisyum yeniden eritilir ve bytlr. Yarap yaklak 10 cm olarak bytlm ingot daha sonra elmas testere ile 0.5mm kalnlnda dilimlere ayrlr. Bu kesme ilemi srasnda olduka pahal tek-kristal silisyum malzemenin yaklak %20 kadar boa gitmektedir. Dilimlenmi tek kristal silisyumun bir kilogramnn fiyat yaklak 900 ABD dolardr. Dilimleme ilemini devreden karlacak yeni ile sonulanmtr. Dentiritik a yntemi olarak da anlan bu yntemde dendiritik ekirdekler ok dk hzla ergimi silisyum banyosundan ekilerek ince tek kristalli tabakalarn bymesi salanr. Bu ekilde dilimleme ilemi gerekmemektedir. retici firma tasarmna gre byme srasnda silisyum n-yada p-tipi olarak katklanr. Yaklaka 0.5mm kalnlnda olan silisyum tabakalar (silisyum wafer) elde edildikten sonra, rnein p-tipi katklanm ise zerine 1m n-tipi yzey tabakas oluturularak eklem diyod oluturulur. Fotovoltaik diyotun tamamlanmas, arka yzeye (p-taraf) metal kontak,

n yze uygun metal a (grid) kontak konulduktan sonra, n yze bir antiyanstc kaplanmas ile gerekleir. Gne gzelerinin n yzlerinde oluturulan grid-kontak tasarmnda, glgelenmeli %5 deerini altnda tutarak, kontak diren optimize edilmektedir. ekil 11.1 tipik grid-tasarmn gstermektedir. ok Kristalli silisyum gne gzeleri ok kristalli malzemede damarlarn kristal yaplarnn birbirine gre ynlenmeleri dnda elektriksel, optiksel ve yapsal zellikleri zdetir. Damarlarn byklkleri kristalin kalitesi ile doru orantldr. Damarlar arasndaki sreksizlik, zellikle elektriksel yk tayclarnn aktarlmasnda nemli lde engelleyici rol oynar. ok kristalli malzemenin elektriksel zelliklerinin klen damar bykl ile orantl olarak bozulmas, elde edilebilecek verimliliin tek kristalle karlatrldnda kk olmasna neden olur. Ancak ok kristalli silisyumun retim teknolojileri daha az enerji-youn ve daha kolaydr, sonu olarak ok kristalli silisyumun maliyeti nemli lde dktr. ok-kristalli silisyumun retilmesinde en ok kullanlan yntem "dkme" yntemidir. ok-kristalli silisyumunda balang malzemesi tek-kristalli silisyumda olduu gibi hazrlanr; aranan saflk derecesi de benzer basamakta olmaldr. Erimi yar-iletken kalitesindeki silisyum, kalplara dklerek soumaya braklr. Elde edilen bloklar daha sonra kare eklinde kesilir. Bu teknoloji ile retilen malzemelerden fabrika edilen gne gzeleri verimliliklerinin daha az olmasna karn, bu gzelerde maliyetler nemli lde aalara ekilebilmektedir. Tek kristalli yada ok kristalli silisyum gne gzeleri, verimlilikleri ve kararllklar ile 1950'li yllardan bu yana kendilerini ispatlamtr. Son yllarda gelitirilen teknolojiler ile gne-elektrik dnm verimlilikleri, beklentilerin bile zerinde seyretmektedir. Verimlilik ve fiyat incelemeleri, ilerdeki kesimlerde karlatrmal olarak ele alnacaktr. nce Film Gne Gzeleri Gne gzelerinde kullanlan malzemenin ve iiliin azaltlmas, teknolojinin basitletirilerek maliyetlerin drlmesi ynnde yaplan aratrma ve gelitirme almalar, yar-iletken malzemenin geni yzeyler zerine ince film eklinde kaplanmas yntemini cazip bir yaklam olarak ortaya karmtr. Bu alanda yaplan aratrma ve gelitirme almalar gne gzeleri retiminde kullanlabilecek bir ok yar-iletken malzemenin dk maliyetlerde cam, metal yada plastik folyo gibi tabakalar zerinde geni yzeylere kaplanabileceini gstermitir, ince film fotovoltaik malzeme genellikle ok kristalli malzemedir. Baka bir deyile, ince film yar-iletken malzeme, byklkleri bir milimetrenin binde birinden milyonda birine dein deien damarlardan olumaktadr. Yar-iletken malzemenin elektriksel, optiksel ve yapsal zellikleri her damar ierisinde fotovoltaik uygulamalar iin ok uygun olsa da, damarlar aras snrlarda yer alan mikro dzeydeki yapsal kusurlar, ok kristalli malzemede karlalan en nemli problemdir. Optiksel zellikleri uygun seilen bir yar iletken malzemede milimetrenin binde biri kadar bir kalnlk ierisinde gne nlarnn tmne yakn bir ksm sourulabilir. Dolays ile, ince film fotovoltaik malzemede kalnlk, silisyum zerinde yaplan gzelere gre ok daha azdr. Ayrca ince-film yar-iletken istenen biimde bir ok farkl malzeme zerinde ve geni yzeylere kaplanabilir, oysa silisyum gzeler bytlen kristalin boyutlar ile snrldr, izleyen blmlerde grlebilecei gibi, fotovoltaik-modl yapmnda ince filmlerin kullanm daha kolay ve uygundur. Bu ve buna benzer stnlkler sralamaya devam edilebilir, ancak uzunca bir sredir aratrma gelitirme almalarnn konusu olan ince-film gne gzeleri, ngrlen retim hedeflerinin gerisinde kalmtr. Bugn laboratuarda verimlilikleri %18'lere

dein km olan ince-film gne gzelerinin uzun dnem kararllklarnn arzulanan dzeylere ulamam olmas, retici firmalarn bu konuda ki yatrmlarm etkilemektedir. Ancak, ulalan dzeyde bile ince film gne gzeleri iin Siemens, BP Solar, Conan gibi firmalar ince film gne gzesi retim denemelerim srdrmektedirler. nce film gne gzeleri arasnda byk aday ne karmaktadr. Bunlar; amorf, silisyum, kadmiyum (Cd) ve tellr (Te) elementlerinden meydana gelen birleik yar-iletken kadmiyum tellr (CdTe) ve Bakr, indiyum, Selenyum elementlerinin bir aral olan Bakr-Indiyum-Diselenid (CulnSe2 ) bileik yar-iletkenidir. Amorf Silisyum gne gzeleri Sourma katsays ok byk olan amorf silisyum, 250C dolayndaki scaklklarda geni yzeylere dzgn bir ekilde kaplanabilmektedir. Amorf-silisyum malzemesini kristallisilisyumdan ayran zellik, silisyum atomlarnn malzeme iindeki dzenlerinin, birinci yaknlktaki komu atomlarn tesinde geliigzel olmasdr. Malzeme ierisindeki yap talarnn bu geliigzel dizilii amorf-silisyumun elektriksel iletim kalitesini drse de, uygun yaklamlarla yar-iletken ierisine %5-10 orannda hidrojen katlarak elektriksel zellikler fotovoltaik evirime uygun seviyeye getirilmektedir. Amorf silisyum iin kullanlan en yaygn teknoloji "Imal-boalm (glow-discharge)"dr. Bu teknikte Silane (SiH4) gaz ve hidrojen karm bir ift elektrot arasndan geirilirken elektrotlarn iaretleri yksek frekanslarda deitirilir; bunun sonucu olarak SH4 paralanarak kararsz SiH3 kkesini (radikalini) oluturur, izleyen aamada, kararsz SiH3 elektrotlardan birine giderek balanr ve kararl hale gelir; ardndan hidrojen yzeyden ayrlarak geride silisyumu brakr; bylece yzey silisyumla kaplanm olur. Elektrot zerinde byyen silisyum gazn ierisine boron yada fosfor katlarak n- yada p-tipi yaplabilir. Karmak gibi grnen teknoloji, makaradan makaraya retime uygundur. ekil 12 "United Solarn amorf silisyum retim birimlerini gstermektedir. Amorf silisyum 1980'li yllarda ince film fotovoltaik alann en gzde malzemesi olmutur. 1982'de %10 verimlilik snr alm ve 1987'de verimlilik % 12.7'lere kadar karlmtr. Son yllarda bu deer laboratuarda %15 deerinin zerine Japon-Amerikan ortakl olan Uni-Solar tarafndan karlmtr. Ancak amorf silisyum gzelerin gne altnda verimliliklerinin hzla dmesi bu tr gzden byk lekli g retiminde tasarm d brakmtr. 1980'lerin banda kararl verimlilik deeri ancak %3.5 dolaynda tutulabilirken, bugn bu deerin %6-6.5 dolaynda olduu belirtilmektedir. Bu tr sorunlara karn kk lekli g gerektiren uygulamada amorf silisyum gzeler en ok kullanlan g kaynaklardr. Kararsz performansn almas ynndeki yeni gelimelerle bu tr gne gzeleri byk lekli g gerektiren uygulamalarda da yerini almaya balamtr. Amorf silisyum alannda Solarex. New Jersey 10Megawatt/yl retim kapasitesi ile bata giderken, onu 5Megawatt/yl kapasite ile Uni-Solar izlemektedir; bunun yannda 1 Megawatt/yl retim kapasitesine sahip bir alman firmas olan ASE-GmbH nmzdeki iki yl ierisinde bu kapasiteyi 15-20 Megawatt/yl deerine kartmay planlamaktadr.

Kadmiyum Tellr ince film gne gzeleri

Peryodik tablonun ikinci grubunda bulunan kadmiyum elementinin ve altnc grubunda bulunan tellr elementinin bir araya gelmesi ile oluan II-VI bileik yar-iletkeni kadmiyum tellrn (CdTe) oda scaklnda yasak enerji aral, Eg=1,5eV deerindedir. Bu deer gne spekturumundan maksimum gne-elektrik dnm elde etmek iin gerekli olan deere (Bak ekil 2) olduka yakndr. Yksek sourma katsays yannda, ince film bytme teknolojilerinin bir ou ile kolayca retime olanak tanmas, geni yzey alanl gne gzesi retiminde CdTe bileik yar iletkeninin ne kmasn salamtr. CdTe ounlukla kadmiyum slfr, CdS, ile bir araya getirilerek hetero-eklem diyot retilir. Yasak enerji aral yaklaka 2,4 eV olan CdS yar-iletkeni ok ince bir tabaka olarak uygulanr. Gne nmnn ounu geiren. CdS, hetero eklemde "pencere" grevi yapar. CdTe ince film bytmede teknoloji ne kmtr. Bunlardan birincisi olan yakn mesafeden buharlatrma (Close Space Sublimation, CSS) yntemi ile en yksek kalitede CdTe malzeme retilmektedir. Bu yntemde scaklk farklar ok az olan kaynak ve filmin byd yzey biri birine ok yakn tutularak malzemenin sblimasyon yoluyla bymesi salanr. Bu yntemi uygulayan ANTEK firmas (Almanya) geni lekli retime gemenin n almalarn Almanaya'da (Erfurt) yapmaktadrlar. kinci CdTe bytme yntemi olan elekrodepozisyon (elektrotta biriktirim) ynteminde ise, kadmiyum ve tellr iyonlar tayan elektrolitten akm geirilerek CdTe yar-iletkeninin katotta bymesi salanr. ok ucuz olan bu yntemde byyen malzemenin denetimi, CSS ynteminde olduu kadar kolay deildir. BP Solar firmas, bu ynteme dayal gne gzesi retimini balatm olup, 1m2 yzey alana sahip 92 watt gcnde ince film panel yapmay baarmtr. BP, 10 Megawat/yl retim kapasiteli bir fabrikay Fairfield California-ABD'de kurma almalarm 2002 yl iinde tamamlamay planlamaktadr. Japonya'da Matsushita firmasnn gelitirdii ipek bask yntemi ile retilen CdTe/CdS gne gzeleri, verimlilikte dierlerinin gerisinde kalmtr. CdTe filmlerde nemli sorunlardan birisi, p-tipi ve kk direnlilie (resistiviteye) sahip malzemenin elde edilmesidir. Malzemenin direncinin yksek olmas byk lde i kayplara neden olmaktadr. Ayrca p-tipi CdTe malzemeye kararl omik kontak yapmak almas g bir sorun olarak karmza kmaktadr. Her ne kadar literatrdeki veriler CdTe/CdS gne gzelerinin verimliliklerinin ilk kayplardan sonra %6 deeri dolaynda kararl duruma geldiini belirtmekte ise de, gne gzelerinde arzulanan kullanma sresi olan 20 yl iin salkl veriler henz elde edilmemitir. Bunlara ramen BP Solar, Solar Inc., ve Antek gibi ok uluslu irketler byk lekli retimler iin ciddi admlar atmaktadrlar.

Bakr indiyum Diselenid gne gzeleri Periyodik tablonun birinci, nc ve altnc grubundan elementlerin uunun yada daha fazlasnn bir araya gelmesi ile oluan bu bileik yan-iletkenleri sourma katsaylar olduka yksek olup, yasak enerji aralktan gnein spekturumu ile ideal bir ekilde uyuacak biimde ayarlanabilir. Bakr indiyum ve Selenyum'dan yaplan l bileik yar iletkenle balayan bu grup (CIS) gne gzeleri olarak anlr ve CdTe gne gzelerine en gl rakip olarak gzkmektedir. Bu gn CIS ince film gne gzelerinin ounluu ierisinde Ga elementinin katlmas ile daha yksek verimlilikler elde edilmektedir. Ancak yar-iletkeni oluturan element say artka gereken teknoloji ve malzemenin zelliklerinin denetimi de bir o kadar karmak duruma gelmektedir. Laboratuardaki kk alan gzelerin verimlilii %18'e dek ularken, 900cm2 yzey alana sahip modllerin verimlilikleri ancak %15 dolayndadr. CIS gzelerde uygulanan teknolojilerden iki tanesi ne kmtr. Bunlardan birincisi, elementlerin

e zamanl olarak vakumda buharlatrlmasdr. kinci yntem, herhangi bir yntemle bytlen bakr-indiyum ince film alamnn uygun bir ortamda selenyumla tepkimeye sokulmasdr (selenizasyon). Her iki durumda da sourucu olarak kullanlan CIS yar-iletken, CdS ile bir araya getirilerek hetero-eklem diyot oluturulur. CdS tabakalarn retilmesinde ne kan yntem CdTe tabakalarda olduu gibi burada da kimyasal banyo yntemidir. Metal elementlerin buharlatrlmasnn ardndan selenizasyonu seen (SET, Shell-Showa ve Siemens Solar gibi firmalardan Siemens Solar 5-10Watt deerinde kk modl retimine ABD'de balamtr. CIS tabakalarn bytlmesinde Stuttgart niversitesi (Almanya) tarafndan gelitirilen ve yine bir Alman firmas olan ZSW tarafndan retime hazr hale getirilen e zamanl olarak vakumda buharlatrma retim ynteminin admlar ekil 15'de verilmitir. Bu ince film gne gzelerinde test altndaki uzun dnem modl verimlilikleri %10 deerinin altnda kalmaktadr.

GNE GZES VERMLLKLER Fotovoltaik gne gzelerinin srekli geliimlerine bal olarak verimliliklerinin zetlendii izelgelerin geerlilik sreleri olduka ksa olmaktadr. Ancak, karlatrmal bir kaynak olmas amac ile Fraunhofer Enstitis tarafndan internette ISE PV Charts (http://www.ise.fhg.de/kallab/Welcome.html)'dan yaplan en yksek verimlilikleri gsteren zet aadaki izelgede verilmitir.

Fotovoltaik Gzenin Cinsi Tek kristal Silisyum ok Kristalli Silisyum Amorf Silisyum Cu/ln,GaSe2 CdTe/CdS GaAS tek Kristal

Ajan cm2 4.00 21,2 1 0.4 1

Verimlilik % 24 17,4 14,7 17.7 15.8 23.9

retilen Birim UNSW, Sydney Avusturalya ISE, Freiburg, Almanya United Solar NREL, USA USA K.Univ, Nijmegen Hollanda

izelge1. Gne Gzelerinde rapor edilmi en yksek verimlilikler Gne gzesi yapmnda kullanlan malzemelerin reserv durumlar da olduka nemli deikenler olarak karmza kmaktadr. Silisyum, doada en ok bulunan element olmas nedeni ile reserv konusunda gelecee ynelik bir sorun yoktur. Dier seenek malzemeleri oluturan elementlerin reserv durumlar dnyadaki yllk retim ve 500MW g retimi iin gerekli miktar izelge 2'de zetlenmitir. Element Dnya Reservleri (Ton) Dnya Yllk retimi (Ton) 500MW G iin Gereken Miktar (Ton)

Cd Te in

970 000 39000 5700

20000 404 180

25 28 25

Se Ga

130000 1 000 000

2000 35

60 5

izelge2 Gne Gzeleri retiminde kullanlan elementlerin dnyadaki rezerv durumu FOTOVOLTAIK G SSTEMLER Gne gzesinin, bir fotovoltaik diyot olup, zerine k dtnde iki u arasnda potansiyel fark (voltaj) ortaya ktm tarttk. Ancak, bir gne gzesinden elde edilebilecek gerilim ok kk (0.5-1 V dolaynda) olduundan. arzulanan gerilime uygun olacak sayda gne gzesi seri olarak balanr. Seri bal gzelerin oluturduu birime PV modl ad verilir. PV modllerin laminasyonu genellikle gne gzelerinin n yzlerinde yksek optiksel geirgenlie sahip cam ve arka yzlerinde de EVA (ethiene vinyl acetate) kullanlarak gerekletirilir. Ayrca, cam korumak ve sistemi daha kolay kullanlabilir salam bir yapya kavuturmak iin modl, metal (ounlukla alminyum) ereve ile erevelenir. Modler yapnn kullanm kolayl yannda, byk bir stnl de, g gereksinimine uygun olarak deiik boyutlarda "Fotovoltaik rg" (PV Array) lerin kurulmasna uygun olmalardr. Fotovoltaik gzelerin veya modllerin verimlilikleri, standart test koullar altnda (25C AM1.5 gne spekturumun da 1kW/m2 deerinde nm) gelen gne enerjisinin dorudan elektrik enerjisine dntrlme oran olarak belirlenir. Gne gzelerine dayal "Fotovoltaik, PV, G Sistemleri" akm ve gerilim gereksinmelerine bal olarak dzenlenmi PV modller, sistemde depolamaya gereksinim var ise, akler ve denetim sistemi ile doru akm/alternatif akm dnmn salayan eviricilerden (invertrlerden) oluur. Yakn gemie kadar allagelmi elektrik enerjisi retim biimleri ile karlatrldnda ok pahal olan PV sistemlerinin kullanm yalnzca uziletiim (telekomnikasyon), uzay almalar gibi zel uygulama alanlarnda snrl kalmtr. Son yirmi ylda PV teknolojilerindeki gelimelere ve PV pazarnn bymesine koul olarak, maliyetler srekli bir d eilimindedir. Bugnk gelinen durumda, PV g retiminin ylda %25-%30 dolaynda artaca varsaylmaktadr. Ancak, bugn PV kurulu gcnn, dnya g gereksiminin yalnzca yz binde drt (%0.004) kadar olduu gerei gz ard edilmemelidir. Bu payn 2010 ylnda %0.13 dolayna ve 2020 ylnda %1 ve 2030 ile 2050 yllar arasnda %5 de %10 do/aynda bir deere ulaaca beklenmektedir. Yakn gelecekte gne enerjisinin dnya enerji gereksiniminin %1 ile %10 kadar bir blmn salayabilmesi varsaym, yeterince gereki bir varsaymdr. ekil 18 dnya genelinde retilen PV gcnn yllara gre deiimimi vermektedir. PV g sistemleri genellikle ebekeden bamsz ve ebekeye bal olmak zere iki ana grupta ele alnabilir. ebekeden Bamsz Sistemler; ebekeye uzakl 1 -2 km olan noktalardaki kk yerleim birimleri iin gne nm verileri yeterli olduunda, PV g sistemleri, yalnzca ilk yatrm giderleri bile gz nne alndnda, ebekeye balanmak iin gerek/i o/an yatrmdan daha kazanl olabilmektedir. lk yatrmn ardndan, yakt ve bakm giderleri sfra yakn olan PV sistemleri, bu tr uygulamalarda olduka ekici bir seenek

olabilmektedir. ABD, Fransa, talya, svire, Avustralya, spanya gibi lkelerin her birinde bu ekilde kurulmu PV sistemlerin gc 2MW deerim' am durumdadr. Ayrca, ebekeden bamsz PV sistemlerinin, iletiim, denizcilik (navigasyon), gzetleme kuleleri, su pompalar, kara/deniz/hava yollar ile ilgi/i sinyaller, petrol ve gaz hatlarnda korozyondan korunma, vb uygulamalar, gn getike artmaktadr.

ebekeye Bal Sistemler: Bu tr sistemler iki balk altnda ele alnabilir. 1. ebekeye Bal PVG santralleri; gleri 100kWp (Wp:Wtepe) ile onlarca MWp arasnda deien PV sistemler olup. ounlukla yerel enerji gereksinimlerine destek olmak zere kurulmulardr. zellikle g gereksiminin artt saatlerde yerel PV sistemlerini devreye sokacak dzenlemeler (peak-shaving uygulamalar) iin ticari olarak enerji hatlarnn gelitirilmesinden daha ekici olabilmektedir. 2. ebekeye Bal Datlm PV G Sistemleri: Son yllarda yaygn hale gelen kullanclarn bina at ve yzeylerine yerletirilen bu sistemler tipik olarak 1kWp-50 kWp arasnda deimekte olup, iki ynl saya uygulamas ile kullanlan PVgc ebekeye verilebilmektedir. Bu tr uygulamalarda PV kurulu gcn 1995 yl itibariyle 35 MWp dolaynda olduu sanlrken, Temmuz 1998'de Viyana'da (Avusturya) kinci Dnya Fotovoltaik Enerji Konferansnda zellikle evlerin atlarnda yerletirilen PV sistemlerine ilginin hzla artt belirtilmitir.

Avrupa ekonomik topluluunun 2010 ylma kadar bir milyon kk Fotovoltaik sistem kuraca aklanmtr. Japonya 2000 ylma kadar yetmi bin atya PV sistem programm tamamlamay planlamaktadr. Benzer olarak Hollanda, PV sistemlerini atda kur-ilet-sahip ol programn balatmtr. 1997'de PV pazar hacmi 120 MVVp'nin zerinde gerekleirken, retim kapasitesi buna cevap vermekte zorlanmaktadr. Bu gn PV sektrnde, retilen modllerinin yaklaka %90 kadarn silisyum kristalim taban alan sistemler oluturmaktadr. PV modl retiminin ounluu ABD (%44), Japonya (%20) ve Avrupa (% 27) olarak bllrken, %9 kadar bir blm de dier lkelerce gerekletirilmektedir. Artan isteme (talebe) kout olarak hzla byyen PV pazarnn i kapasitesi 1 milyar dolar/yl' oktan am durumdadr. 2010 yl itibar ile ABD Fotovoltaik endstrisi 60 milyon dolarlk bir kapasite ngrmektedir. Gne gzeleri retiminde elektronik endstrisinde kullanlamayan (off-cut) silisyum malzeme kullanlmaktadr. Ancak bu kaynak, artan istemi karlamakta zorlanmaktadr; bu nedenle, rnein Japonya'nn nmzdeki iki yl iin hedefledii 70.000 atya PV sistemi programm gerekletirebilmesi iin PV kalite silisyum retecek bir fabrikay kurmas beklenirken, Avrupa'nn da bunu izleyecei sanlmaktadr. Bu gelimelerin, raporun son blmnde ayrntlar tartlacak olan, nemli maliyet dlerim beraberinde getireceine inanlmaktadr.

Gne gzesi tr

Tipik modl verimlilii Maksimum Gne Gzesi (Maksimum llen) % Verimlilii (Laboratuvarda) %

Tek kristal Silisyum BP Solar High-Tech ok kristalli Silisyum Amorf Silisyum Kadmiyum Tellr Bakr ndiyum di Selenid

12-15 16-18 11-14 6-7 7-8 ---

(22.3)

24

(15.3) (10.2) (10.1) (14.1)

18.6 14.7 15.8 17.7

izelge 3. Fotovoltaik Modl Verimlilikleri Bunlarn yannda, kararll ispatlanm kristalli silisyum malzemenin ince film formunda kullanlmas almalar da, nemli gelimeler kaydetmi olup, akn gelecekte adaylar arasna girme yolundadr. PV g sistemlerinin fiyatlar PV g sistemlerinin fiyatlarnn nemli bir blmn modl fiyatlar oluturur. G sistemlerinin byklne ve kullanlan malzemeye bal olarak modl fiyatlar dalgalanmalar gsterse de, fabrika k fiyat kristalli silisyum iin 5,5 S/Wp ila 4,9$/Wp arasnda amorf silisyum iin 4.9$/Wp ila 4,1$/W arasnda deimektedir. Yalnzca 1993 ve 1995 yllar arasnda modl fiyatlar%20- %39 arasnda dler gstermitir ve bu eilim srmektedir. Yllk modl retim kapasitesi, 1997'de 120MWp/yl dolaynda gereklemitir. 1996'da Madrid (spanya)'da yaplan "Avrupa iin Yenilenebilir Enerji Stratejileri konferansnda kresel boyutlarda gerek PV g isteminin 500MWp/yl ile 1GW/yl arasnda olduu belirtilmitir. retim bu boyutlara ulatnda, modl fiyatlarnda hedef fiyat olan 1$/Wp deerinin altna hem kristalli silisyum, hem de ince film modller iin kolayca inilebilecei, Temmuz 1997 Barcelona (spanya) da yaplan 14. Avrupa Fotovoltaik Gne Enerjisi Konferansnda sunulan iki zgn alma ile gsterilmitir. PV modllerinde retilen d.c. elektriin, a.c. elektrie dntrlmesinde gerekletiren eviriciler (inverter), sistem fiyatna 0.88$/VA ve 1.06$/VA arasnda deien bir katk getirmektedir. PV g sistemlerinin anahtar teslim $/Wp fiyatlar, sistemin byklne, bulunduu blgeye, ebekeye bal yada ebekeden bamsz olmasna bal olarak, olduka geni bir aralkta deiebilmektedir. rnein, ebekeden bamsz 100-500Wp byklndeki g sistemlerinin fiyat 14$/Wp - 41$/Wp arasnda deiirken. 1-4 kWp sitemler iin 10$/Wp 28$/Wp arasnda hesaplar karlmtr. ebekeye bal sistemler iin ise, 1-4 kWp sistemler iin, 6,9$/Wp-20$/Wp arasnda deien rakamlar varken, gc 50kWp deerinin zerindeki sistemler iin, 7$/Wp - 14$/Wp arasnda deerler verilmektedir. Bu karlatrmadaki fiyat farkllklarn, birok sistemin uygulama sistemi olmasndan dolay hesaplara birok deikenin doru yansmamas nedeni ile ve sistemlerin bulunduu lkelerde gne nmnn farkl olmas nedeni ile olduu dnlmektedir. rnein, geni lekli bir fotovoltaik g sisteminde retilen elektriin fiyat Almanya'da kilowatt-saat basna 1.5 DM deerinde iken,

lkemiz gibi gne kuanda bulunan lkelerde ebekeye bal sistem fiyatlarnn bunun yarsna inmesi umulmaktadr, izleyen ekil Mula ve Viyana'y, ayalara gre gelen gne nmna gre karlatrmaktadr. Sistemin bykl ile ters orantl olan PV sistemleri iin g retiminin fiyat iin en salkl deerler, 1997'de balayan bir Avrupa Topluluu destei ile yaama geirilen ve bugne kadar en byk PV g sistemi projesi olan Girit adasnn 50MW bir PV sistem ile elektrifikasyonunda ortaya kan rakamlardr. ok kristalli silisyum modllerin kullanld projede 8.5 cent/kVV-saat olan maliyet PV sektr iin olduka isteklendiricidir. Avusturya-Viyana'da Temmuz 1998'de yaplan ikinci Dnya Fotovoltaik Enerji Konferansnda belirtilen Fotovoltaik gcn %30 - %40 arasndaki yllk ortalama byme hznn (1997'de %40) srmesi, fotovoltaik kurulu gcnn 2030-2040 arasnda "1000 gigawatt" dzeyine kmasn beraberinde getirecektir. ekil 21.'de gsterilen bu deerlendirmede yatay izgi, bugnk kurulu nkleer gc gstermektedir.

Yukarda zetlenen fiyatlarn allagelmi kaynaklarla karlatrlmasnda, evre etkileri ve sosyal maliyet, iin ierisine katlmamtr. Fraunhofer Enstits tarafndan Almanya iin yaplan ayrntl bir almada, fosil kaynaklarndan elektrik enerjisi retmenin toplam sosyal maliyetinin en az 0,27$/kW-saat olduu ve nkleer santrallerin getirecei toplam sosyal maliyetin ise en az 0,04$/kW-saat olduu belirtilmektedir. PV g sistemlerinin sosyal maliyeti sfra ok yakn alnabileceinden, fiyat karlatrlmalarnda bu gerein gz nne alnmas gerekmektedir. GELECEK VE NERLER Dnya genelinde bugn bile 2 milyar insan, elektrik enerjisinden yoksundur. Nfus younluunun kk olduu blgelerde "Fotovoltaik Enerji" bugnk fiyatlarla bile ekici grnmektedir. Yukardaki tartmalardan grld gibi, tasarm, alt yap, akler, evirici, ve btn gerekli balantlar hesaba katldnda maliyet 7$/Wp deeri dolaynda olmaktadr; bu ise, bir birka kilowatt g gereken bir noktaya 500m teden g balamann maliyeti ile karlatrldnda, daha ucuzdur. Bunun yannda, yeni enerji kaynann hibir devingen (hareketli) paras olmad iin grltsz alr, bakm kolaydr. Fotovoltaik modllerin mr srelerinin 20 yl olduu dnlrse, yaplan yatrmn ka ylda geri alnabilecei sorusuna, literatrde verilen cevap, gne kuandaki blgeler iin, tek kristal iin, yaklaka 5 yl; ok kristalli silisyum sistemler iin, yaklaka 2,5 yl biimindedir. retim kapasitesinin art ve teknolojik gelimelerle birlikte bu deerin yakn gelecekte bir yln altna inecei sanlmaktadr. Bylece, yeni ve yenilenebilir enerjilere giderek artan ilgiye bal olarak PV g sistemleri iin "fiyatlarn ok yksek olmas" ynndeki inan yerini fiyat farknn ok byk olmad eklindeki bir syleme brakmtr. zellikle evre ve sosyal maliyetler gz nne alnarak PV kullanmna nemli devlet destekleri verilmektedir. PV g sistemlerinin iyi planlanm mimari integrasyonunun salayaca %20 dolayndaki bir kazanm bu tr uygulamalar orta ve kuzey Avrupa'da bile ok ekici bir maliyet aralna tam olup, PV pazarnn bymesine bu tr uygulamalarn nderlik edecei dnlmektedir. Trkiye'nin gne enerjisi potansiyeli gz nne alndnda, PV g sistemleri bir ok farkl uygulamada ekici bir seenek olma potansiyeline sahip olmasna ramen, bu sistemlerin devlet otoritelerine ve toplumumuza geni llerde salkl verilerle tantlmam olmas nedeni ile, lkemizde yeterince desteklenmemektedir. Yakn gelecekte yeni ve

yenilenebilir enerji kaynaklarnn dnya enerji dengelerinde kmsenemeyecek katklarnn olaca ve PV sistemlerinin bu katkda nemli bir pay olaca, genel bir kabul halindedir. Bu gelimelere ayak uydurabilmek amac ile "Gne Gzesi Teknolojileri" ve "PV G Sistemleri ile ilgili 'bilgi-beceri (know-how)' birikiminin lkemize tanabilmesi iin bu konuda bilimsel ve teknolojik projelerin retilmesi devlet ve zel giriimce zendirilmelidir. Ayrca, PV g sistemlerinin mimari entegrasyonu ve ift ynl saya kullanm konusunda da yasal dzenlemelerin yaplarak ncelikle kamuya ait yeni projelerde, niversite yerleke planlamalarnda, otoyol inaatlarnda ve dier yaplarda kullanm isteklendirilmelidir. PV konusunda toplumsal eitime nem verilerek ncelikle ortaretim kurumlar ve niversiteler hedef guruplar olarak seilip salkl tantm kampanyalar ile "Gne Gzeleri" ve "PV G Sistemleri" abartsz anlatlmaldr.