Para valores de I

positivos, el primer trmino de la ecuacin

general crecer de forma muy rpida y sobrepasar el efecto
contrario del segundo trmino. El resultado de esto es que
para valores positivos de I

, I

ser positiva y crecer a un

ritmo equivalente de y = c
x
que aparece en la figura 1.20.
Para el caso cuando I

= u I, la ecuacin anterior se con-

vierte en I

= I
S
(c
0
-1) = I
S
(1 -1) = u mA como aparece en
la figura 1-19. Para el caso de valores negativos de I

, el
primer trmino de la ecuacin rpidamente caer hacia niveles
inferiores de I
S
con lo que se obtiene: I

= -I
S
, lo cual se
representa con la lnea horizontal de la figura 1-19, La
discontinuidad para la condicin I

= u I aparece de esa forma en la grfica debido al cambio

dramtico de escala de mA a A.

Observe en la figura 1-19 que el dispositivo comercialmente disponible tiene sus caractersticas
desplazadas hacia la derecha con una magnitud de algunos dcimos de volt. Esto se debe a la
resistencia interna del "cuerpo" del diodo y a la resistencia externa del "contacto" del mismo. Cada
una de stas resistencias contribuye a obtener un voltaje adicional con el mismo nivel de corriente
como lo determina la ley de Ohm (I = IR). Con el tiempo, y a medida que los mtodos de
fabricacin mejoren, esta diferencia ser menor y las caractersticas reales se aproximarn a las de la
ecuacin general.

Es importante prestar atencin al cambio en la escala del eje vertical y el horizontal. Para valores
positivos de I

la escala se encuentra en miliamperes y la escala bajo el eje en microamperes (o

posiblemente en nanoamperes). Para el caso de I

, la escala para los valores positivos se encuentra

en dcimos de volt y para los valores negativos en decenas del mismo.

A simple vista, la ecuacin general podra parecer compleja y alguien podra temer que su utilizacin
sea necesaria para todas las aplicaciones subsiguientes del diodo; sin embargo. posteriormente en
esta seccin se realizarn varias aproximaciones, que evitarn el uso de esta ecuacin, y nos
facilitarn una solucin con un mnimo de dificultad matemtica.

Antes de abandonar el tema del estado de polarizacin
directa, se repite en la figura 1.21 la situacin de
conductividad (estado "encendido") con las polaridades
requeridas y la direccin del flujo de portadores mayoritarios
resultante. Observe en particular la forma en que la direccin
de la conduccin es la misma que la que indica la flecha del
smbolo (segn se mostr para el diodo ideal).

Regin Zener
A pesar de que la escala utilizada en la figura 1.19 se
encuentra en decenas de volts para la regin negativa, existe
un punto donde al aplicar un exceso mayor de voltaje se ocasiona un cambio drstico en las
caractersticas, como se muestra en la figura 1.22. En este punto, la corriente se incrementa a un
ritmo muy rpido con una direccin opuesta a la que tiene la regin de voltaje positivo. El potencial de
polarizacin inversa que provoca este cambio dramtico de las caractersticas del diodo se denomina
potencial Zener y se le asigna el smbolo I
z
.

A medida que el voltaje a travs del diodo se incrementa sobre la regin de polarizacin inversa,
tambin se incrementa la velocidad de los portadores minoritarios que son los responsables de la
corriente de saturacin inversa I
S
. En algunas ocasiones, su velocidad y u energa cintica asociada
[w
K
=
1
2
m:
2
sern lo suficientemente grandes como para liberar portadores adicionales mediante
colisiones con estructuras atmicas que en otro caso seran estables. Esto es, cuando los electrones
de valencia absorban tanta energa como para abandonar su tomo, se provocar un proceso de
ionizacin. Estos portadores adicionales pueden entonces apoyar al proceso de ionizacin al punto
donde se establezca un alta corriente de avalancha y se determine la regin de ruptura en
avalancha.

La regin de avalancha (I
z
) se puede acercar al eje vertical mediante el incremento en los niveles de
dopado tanto para el material tipo n como para el tipo p. Sin embargo, a medida que I
z
disminuye a
niveles muy bajos, como -5 V, existe otro mecanismo llamado ruptura Zener, el cual contribuir al
cambio severo en la caracterstica. Esto sucede debido a que existe un campo elctrico fuerte en la
regin de unin que es capaz de romper las fuerzas internas de enlace del tomo y "generar"
portadores. A pesar de que el mecanismo de ruptura Zener contribuye de manera importante slo a
bajos niveles de I
z
, este cambio severo en la caracterstica en cualquier nivel se denomina regin
Zener, y los diodos que aprovechan esta porcin nica de la caracterstica de la unin p-n se
designan como diodos Zener, los cuales se describirn posteriormente.

La regin Zener descrita para un diodo semiconductor deber de evitarse si la respuesta del sistema
no debe ser completamente alterada por el cambio severo en las caractersticas para esta regin de
voltaje inverso.

El potencial mximo de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de ingresar en la regin Zener
se denomina voltaje pico inverso (referido simplemente como el valor PIV, por las iniciales en ingls
de Peak Inverse Voltage) o como voltaje PRV (por las iniciales en ingls de Peak Reverse Voltage).

Si una aplicacin especfica requiere un nivel de PIV mayor que el que puede ofrecer una sola unidad,
es posible conectar en serie un conjunto de diodos con las mismas caractersticas. Los diodos
tambin se pueden conectar en paralelo con el objetivo de incrementar la capacidad para conducir
corriente.

Efectos de la temperatura.
La temperatura puede ejercer un efecto marcado sobre las caractersticas de un diodo semiconductor
de silicio, como podemos observar para el caso de un diodo de silicio tpico en la figura 1.24. De forma
experimental se ha encontrado que:
La magnitud de la corriente de saturacin inversa I
S
se incrementar en una proporcin doble
por cada incremento de 10C en la temperatura.

No es poco frecuente que un diodo de germanio con un I
S
del orden de 1 o 2 A a 25C mantenga una
fuga de corriente de 100A = 0.1 mA a una temperatura de 100C. Tales magnitudes de niveles de
corriente para la regin de polarizacin inversa seguramente nos harn cuestionarnos acerca de la
validez de la condicin deseada de circuito abierto para la regin de polarizacin inversa. Para el
silicio, los valores tpicos de I
S
son mucho menores que para el germanio a niveles de corriente y de
potencia similares como se muestra en la figura 1.23. El resultado de esto es que incluso a
temperaturas altas, los niveles de I
S
para los diodos de silicio, no llegan a alcanzar los elevados
niveles obtenidos del germanio, lo cual es una razn muy importante por la cual los dispositivos de
silicio disfrutan de un mayor nivel de desarrollo y de utilizacin en el diseo. Fundamentalmente, a
cualquier temperatura, se obtiene un equivalente mejor de circuito abierto para la regin de
polarizacin inversa mediante el silicio en lugar del germanio.

Los mayores niveles de I
S
como resultado del incremento de temperatura, son responsables de los
niveles bajos del voltaje de umbral como se muestra en la figura 1.24. Observe que al incrementar el
nivel de I
S
en la ecuacin general existir un incremento rpido en la corriente del diodo. Desde luego,
el nivel de I
K
tambin se incrementar en la misma ecuacin; sin embargo, el nivel creciente de I
S
se
sobrepondr al menor cambio porcentual de I
K
. A medida que la temperatura se incrementa, las
caractersticas en polarizacin directa se vuelven ms "ideales"; sin embargo, cuando analicemos las
hojas de especificaciones veremos que temperaturas superiores a los rangos normales de operacin
pueden ejercer un efecto muy nocivo en los niveles mximos de potencia y de corriente del diodo.
Para la regin de polarizacin inversa el voltaje de ruptura se incrementa con la temperatura, pero
tambin advierta el incremento inconveniente en la corriente inversa de saturacin.

Diodos Zener.
En una seccin anterior analizamos con cierto detalle la regin
Zener de la figura 1.52. En la que se aprecia la cada en una
forma casi vertical de la caracterstica bajo un potencial de pola-
rizacin inversa denotado como I
z
. El hecho de que la curva
caiga alejada del eje horizontal en lugar de que se eleve alejada
de la regin positiva I

indica que la corriente en la regin Zener

mantiene una direccin opuesta a aqulla de un diodo en
polarizacin directa.

Esta regin de caractersticas nicas se utiliza en el diseo de los
diodos Zener, los cuales tienen el smbolo grfico que aparece
en la figura 1.53a. Tanto el diodo semiconductor como el diodo
Zener se presentan juntos en la figura 1.53 para asegurar que se
entienda claramente la direccin de la corriente en cada uno,
junto con la polaridad requerida para el voltaje aplicado. Para el
diodo semiconductor, el estado de "encendido" resistir una
corriente en direccin de la fecha del smbolo. Para el diodo
Zener, la direccin de conduccin es opuesta a la flecha de su
smbolo como indicamos en la parte introductoria de esta seccin.
Observe tambin que la polaridad de I

y de I
z
son las mismas
que las que se hubieran obtenido si ambos fueran elementos
resistivos.

En la seccin 1.6 analizamos con cierto detalle la regin Zener de la figura 1.52. En la que se aprecia
la cada en una forma casi vertical de la caracterstica bajo un potencial de polarizacin inversa
denotado como I
z
. El hecho de que la curva caiga alejada del eje horizontal en lugar de que se eleve
alejada de la regin positiva I

indica que la corriente en la regin Zener mantiene una direccin

opuesta a aqulla de un diodo en polarizacin directa.

Esta regin de caractersticas nicas se utiliza en el diseo de los diodos Zener, los cuales tienen el
smbolo grfico que aparece en la figura 1.53a. Tanto el diodo semiconductor como el diodo Zener se
presentan juntos en la figura 1.53 para asegurar que se entienda claramente la direccin de la
corriente en cada uno, junto con la polaridad requerida para el voltaje aplicado. Para el diodo
semiconductor, el estado de "encendido" resistir una corriente en direccin de la fecha del smbolo.
Para el diodo Zener, la direccin de conduccin es opuesta a la flecha de su smbolo como indicamos
en la parte introductoria de esta seccin. Observe tambin que la polaridad de I

y de I
z
son las
mismas que las que se hubieran obtenido si ambos fueran elementos resistivos.

La localizacin de la regin Zener puede controlarse mediante la variacin de los niveles de dopado.
Un incremento en el dopado, que produce un incremento en el nmero de impurezas aadidas,
disminuye el potencial Zener. Existen diodos Zener disponibles con potenciales Zener de 1.8 a 200 V
con valores de potencia
1
4
a 50 W. Debido a su capacidad para soportar temperaturas y corriente
mayores, se prefiere utilizar el silicio para fabricar diodos Zener.

El circuito equivalente completo del diodo Zener en la regin
Zener incorpora una pequea resistencia dinmica y una
batera dc equivalente al potencial Zener como se muestra en
la figura 1.54. Sin embargo, para el resto de las aplicaciones
siguientes, debemos asumir como primera aproximacin que
los resistores externos son mucho ms grandes en magnitud
que el resistor equivalente Zener y que el circuito equivalente
simplemente ser el que se indica en la figura 1.54b.

En la figura 1.55 se proporciona un dibujo ms grande de la
regin Zener para permitir una descripcin de los datos con el nombre Zener que aparecen en la tabla
1.4 para el caso de un diodo de 10 V, 500 mW y 20%. El trmino nominal asociado con I
z
indica que
se trata de un valor tpico promedio. Ya que ste es un diodo de 20%, el potencial Zener se puede
expresar con una variacin de 10 V 20% o con un rango de operacin de 8 a 12 V. Tambin se
encuentran disponibles diodos de 10% y 5% con las mismas especificaciones. La corriente de prueba
I
z1
es la corriente definida para
1
4
del nivel de potencia y Z
z1
es la impedancia dinmica en este nivel
de corriente. La impedancia mxima en el punto de inflexin ocurre en la corriente del punto de
inflexin I
zK
. Se proporciona adems la corriente de saturacin inversa para un nivel potencial
particular, e I
zM
es la corriente mxima para la unidad de 20%.

El coeficiente de temperatura refleja el cambio porcentual de I
z
con respecto a la temperatura, y se
define por la ecuacin:

I
C
=
v
Z
v
Z
(1
1
-1
0
)
1uu% % / C.



donde I
z
es el cambio en el potencial Zener, resultado de la variacin de temperatura. Observe en la
figura 1.56a que el coeficiente de temperatura puede ser positivo, negativo e incluso cero para los
distintos niveles Zener. Un valor positivo indica un incremento en I
z
como resultado de un incremento
de temperatura, mientras que un valor negativo indica un decremento en el valor cuando la
temperatura se incrementa. Los niveles de 24 V, 6.8 V Y 3.6 V se refieren a tres diodos Zener que
cuentan con estos valores nominales dentro de una misma familia de Zeners. La curva para el Zener
10 V naturalmente se encontrara entre las curvas de los dispositivos de 6.8 V y de 24 V. Regresando
a la ecuacin de I
C
, I
0
es la temperatura a la cual I
z
se suministra (normalmente a temperatura
ambiente de 25C), y I
1
es el nuevo nivel. El siguiente ejemplo demostrar la utilizacin de la
ecuacin de I
C
.


EJEMPLO.
Determine el voltaje nominal del diodo zener de la Tabla 1.4 a una temperatura de 100 C.

En la figura 1.56b, se muestra la variacin en la impedancia dinmica (fundamentalmente, su
resistencia en serie) a cambios en la corriente. De nuevo, el diodo zener 10 V aparece entre los
Zeners 6.8 V Y 24 V. Observe que mientras ms fuerte es la corriente (o mientras ms arriba de la
curva en crecimiento vertical se encuentre en la figura 1.52), menor ser el nivel de resistencia.
Observe tambin que a medida que se cae por debajo del punto de inflexin de la curva, la resistencia
se incrementa a niveles considerables.

En la figura 1.57 aparecen tanto la identificacin de las terminales como el encapsulado para distintos
diodos Zener. La figura 1.58 es una fotografa real de una variedad de instrumentos Zener. Observe
que su apariencia es muy parecida a la de los diodos semiconductores. Posteriormente se revisarn
algunas reas de aplicacin para los diodos Zener.




ANLISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA.
Por lo general, la carga aplicada tendr un impacto importante en el
punto o regin de operacin de un dispositivo. Si el anlisis se
realiza de forma grfica, se puede dibujar una lnea recta sobre las
caractersticas del dispositivo que represente la carga aplicada. La
interseccin de la recta de carga con las caractersticas
determinar el punto de operacin del sistema. Tal anlisis es
llamado, por razones obvias, anlisis por medio de la recta de
carga. A pesar de que la mayora de las redes de diodos que se
analizan en este captulo no emplean el enfoque de la recta de
carga, la tcnica es una de las que se utilizan de forma ms
frecuentemente, y esta introduccin ofrece la aplicacin ms
simplificada del mtodo. De igual forma, permite una validacin de
la tcnica de aproximacin descrita a travs del resto de este
captulo.

Considere la red de la figura 2.1a, la cual emplea un diodo que
posee las caractersticas de la figura 2.1 b. Observe que en la
figura 2.1 a la "presin" de la batera tiene como finalidad
establecer una corriente a travs del circuito en serie en direccin
de las manecillas del reloj. El hecho de que esta corriente y la direccin de conduccin definida del
diodo "coincidan", revela que el diodo se encuentra en el estado de "encendido" y que la conduccin
se ha establecido. La polaridad resultante a travs del diodo ser la mostrada y el primer cuadrante
(I

e I

positivos) de la figura 2.1.b ser la regin de inters: la regin de polarizacin directa.

Mediante la aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie de la figura 2.1a el
resultado ser
E -I

-I
R
= u
o E = I

+I

R (2.1)

Las dos variables de la ecuacin (2.1) (I

e I

) son las mismas que las variables de los ejes del diodo
de la figura 2.1b. Esta similitud permite una graficacin de la ecuacin (2.1) sobre las mismas
caractersticas de la figura 2.1b.

Las intersecciones de la recta de carga sobre las caractersticas se pueden determinar fcilmente si
se tiene en cuenta que en cualquier lugar del eje horizontal I

= u A y que en cualquier lugar del eje

vertical I

= u V.

Si establecemos que I

= u V en la ecuacin (2.1) y se resuelve para I

, tendremos la magnitud de
I

sobre el eje vertical. Por tanto, con I

= u V, la ecuacin (2.1) se convierte en

E = I

+I

R
= u I +I

R

e I

=
L
R

v
D
=0 v
(2.2)
como se muestra en la figura 2.2. Si establecemos I

= u A en la ecuacin (2.1) y resolvemos para

I

, obtenemos la magnitud de I

sobre el eje horizontal. Por tanto, con I

= u A, la ecuacin (2.1) se
convierte en

E = I

+I

R
= I

+(u A)R
y I

= E|
I
D
=0 A
(2.3)

como se muestra en la figura 2.2. Una lnea recta dibujada entre los dos puntos definir la recta de
carga como la descrita en la figura 2.2. El cambio en el nivel de R (la carga) cambiar la interseccin
sobre el eje vertical. El resultado ser un cambio en la pendiente de la recta de carga, y un punto de
interseccin diferente entre la recta de carga y las caractersticas del dispositivo.



Ahora tenemos una recta de carga definida por la red y una curva caracterstica definida por el
dispositivo. El punto de interseccin entre los dos es el punto de operacin para este circuito. Al
dibujar simplemente una lnea recta hacia abajo en direccin al eje horizontal, puede determinarse el
voltaje del diodo I

, mientras que una lnea horizontal proveniente del punto de interseccin hacia el
eje vertical proporcionar el nivel de I

. La corriente I

es en realidad la corriente a travs de toda la

configuracin en serie de la figura 2.1a. Por lo general, el punto de operacin se denomina punto de
operacin estable ("Q-pt", abreviacin deda de su nombre en ingls Quiescent point) debido a las
cualidades de "estabilidad e inmovilidad", segn lo definido por una red de dc.

La solucin que se obtiene en la interseccin de las dos curvas es la misma que se podria obtener por
una solucin matemtica simultnea de las ecuaciones (2.1) y (1.4) |I

= I
S
(c
Xv
D
1
K

-1)]. El anlisis
por medio de la recta de carga que se describi anteriormente, provee una solucin con un esfuerzo
mnimo, y una descripcin "pictrica" de cmo se obtuvieron los niveles de solucin para I

e I

.
Los siguientes dos ejemplos demostrarn las tcnicas que se presentaron previamente, y tambin la
facilidad relativa con la que puede dibujarse la recta de carga mediante el uso de las ecuaciones (2.2)
y (2.3).

EJEMPLO 1.
Para la configuracin del diodo en serie de la figura 2.3a y utilizando las caractersticas del diodo de la
figura 2.3b determinar:
(a) I

e I

.
(b) I
R
.



EJEMPLO 2.
Repita el anlisis de Ejemplo 1con R = 2 K.

EJEMPLO 3.
Repita el Ejemplo 1 utilizando el modelo equivalente del diodo semiconductor de silicio.

EJEMPLO 4.
Repita el Ejemplo 2 empleando el modelo equivalente aproximado para el diodo semiconductor de
silicio.

EJEMPLO 5.
Repita el Ejemplo 1 utilizando el modelo ideal del diodo.