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UNION P-N
En este applet los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p, esa unin pn tiene unas propiedades muy tiles y entre otras cosas forman los "Diodos". El tomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un electrn libre y se puede representar como un signo "+" encerrado en un circulo y con un punto relleno (que sera el electrn) al lado.
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Y la de un SC tipo p:
Al juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unin" o "Unin pn".
Una unin pn consiste en un nico cristal semiconductor al cual se le han aadido impurezas de manera que se obtiene un zona p y otra n. Si estuviera formado por dos cristales independientes, antes de conformar fsicamente la unin, se tendra una distribucin de portadores segn se indica en la figura. La corriente total corresponde a la suma de la corriente debida a los huecos, y la debida a los electrones.
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En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Este esquema se situa en la parte superior derecha del applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo "click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada zona sensible.
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LEY DE SHOCKLEY
En este applet se simula el transistor de efecto de campo (FET) es un ejemplo de un transistor unipolar. El FET tiene ms similitudes con un transistor bipolar que
INGENIERIA DE SISTEMAS ROSA LUZ JARA VILLANUEVA
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