Tema3 Amplificadores

TEMA 3.
AMPLIFICADORES
http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg
IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/
Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es
TEMA 3. AMPLIFICADORES
1. Introduccin 2. 3. 4. 5. 6. Amplificadores. Amplificadores bsicos con BJT. Amplificadores bsicos con MOSFET. Circuitos integrados (Tecnologa). Amplificador Operacional (AO).
7. Osciladores. 8. Problemas propuestos.
3.1. INTRODUCCIN
Un Circuito Integrado es un circuito electrnico fabricado completamente sobre la cara superior de una delgada pieza rectangular de semiconductor al que suele denominarse como chip. Un CI contiene un gran nmero de transistores que realizan varias operaciones: Es difcil asignar una operacin o funcin a un solo transistor. Es til considerar que un CI est formado por subcircuitos (con ms de un transistor) que realizan funciones especficas.
INDICE:
Inicialmente, vamos a estudiar las propiedades de los circuitos ms sencillos con UN SOLO TRANSISTOR Despus vamos a estudiar como se fabrican los CIs A continuacin, analizaremos el AMPLIFICADOR OPERACIONAL
http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/int/sist_digit/image020.jpg
3.1. INTRODUCCIN
Los circuitos electrnicos estn diseados para una operacin dinmica (con corrientes y tensiones en alterna):
Para realizar el estudio el transistor o el circuito electrnico se sustituye por un modelo circuital (Modelo equivalente de pequea seal) Previamente al estudio en pequea seal, debe estudiarse siempre la operacin esttica (con corrientes y tensiones de continua): la polarizacin de los transistores y la obtencin de sus POE.
Sedra/Smith 2004
VCC
I C (t )
RC
RB
C B
VCE (t )
vi (t )
I B (t )
VBB
VBE (t )
PARA DISTINGUIR SEALES ac y dc
convenio:
Seales DC: Smbolo y subndice en MAYUSCULA Seales AC: Smbolo y subndice en minscula
IB
vi (t )
Circuito equivalente de pequea seal:
RB
ib
+
RC
ib
ic
r
Valor total de la seal (ac + dc): Smbolo minscula y subndice en mayscula.
vbe
F ib
iB = I B + ib
Hoy en da los circuitos equivalentes son muy complejos, y requieren de herramientas como SPICE (Simulated Program with Integrated Circuits Emphasis).
Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 4
3.2. AMPLIFICADORES
Antes de proceder al estudio de amplificadores concretos, vamos a estudiar con carcter general, lo que entendemos por amplificador y sus diferentes tipos.
Un amplificador establece una relacin (generalmente lineal) entre una seal de entrada y una seal de salida. En la Figura se muestran las 4 configuraciones bsicas de amplificadores ideales.
Amplificador de corriente ideal: (a) (Fuente de corriente controlada por corriente). La condicin de transferencia es
i0 = K I ii
D. Pardo, et al. 1999
(siendo KI la ganancia en corriente del amplificador) Ejemplo BJT
Amplificador de transresistencia ideal (b) (Fuente de tensin controlada por corriente). La condicin de transferencia es (siendo KR la transresistencia del amplificador) Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es
v0 = K R ii
3.2. AMPLIFICADORES
Amplificador de tensin ideal: (c) (Fuente de tensin controlada por tensin). La condicin de transferencia es
v0 = KV vi
(siendo KV la ganancia en tensin del amplificador)

Amplificador de transconductancia ideal (d) (Fuente de corriente controlada por tensin). La condicin de transferencia es
i0 = K G vi
(siendo KG la transconductancia del amplificador) Ejemplo MOSFET

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS
3 .Amplificadores bsicos con BJTs

BJT en emisor comn BJT en colector comn BJT en base comn BJT en emisor comn con resistencia de emisor
4 .Amplificadores bsicos con MOSFETs

MOSFET en fuente comn MOSFET en fuente comn con carga de realce
5 .Tecnologa de Fabricacin de CIs
Un Circuito Integrado es un circuito electrnico fabricado completamente sobre la cara superior de una delgada pieza rectangular de semiconductor al que suele denominarse como chip.
La fabricacin de un CI completo lleva consigo una secuencia de muchas etapas (entre 3 y 20) de procesos tecnolgicos: Crecimiento del lingote Oxidacin Difusin y/o implantacin de impurezas Litografa Metalizacin Todos estos pasos se realizan simultneamente para un gran nmero (cientos o miles) de circuitos en la misma oblea de semiconductor.
http://www.nist.gov/public_affairs/images/ChipScaleClock2_HR.jpg
Posteriormente cada circuito se somete a una prueba automtica de test en la que se examinan de forma individual los circuitos Se desechan los defectuosos o los que no cumplen las especificaciones Los que cumplen las caractersticas Encapsulado
Tecnologa de Fabricacin de CIs
Sala blanca:
Las operaciones de fabricacin de un dispositivo se realizan mediante sistemas robticos controlados por ordenador en salas blancas (miles de veces ms limpias que los quirfanos de hospitales). Los trabajadores estn vestidos con trajes especiales que cubren a cada persona de la cabeza a los pies. El aire se filtra continuamente y se hace recircular para mantener el nivel de partculas de polvo en un mnimo absoluto. La temperatura, la presin baromtrica y la humedad se controlan de modo que los circuitos microscpicos totalmente protegidos. Una nica partcula de humo podra destruir un proceso de crecimiento de un chip.
Entrando en una sala blanca
http://en.wikipedia.org/wiki/Cleanroom
http://en.wikipedia.org/wiki/Cleanroom http://en.wikipedia.org/wiki/Cleanroom
P r o c e s o s d e f a b r ic a c i n d e u n
c h ip
L a e s tru c tu ra d e u n c h ip e s co m p le ja (e n s u su p e rfic ie y e n su co m p o s ic i n in te rn a trid im e n s io n a l). E l c h ip se fa b rica m e d ia n te m u c h a s ca p a s , c a d a u n a d e l a s c u l e s e s d i s e a d a d e m a n e r a d e t a l l a d a . P o r e je m p lo : P o d e m o s c re c e r u n a ca p a fin a d e S i 0 2 (m a te ria l a is la n te ) e n la s u p e rficie d e la o b le a .
S ec c i n tran s v ers al d e u n H B T d e IB M e n u n p ro c es o B iCM O S
Paul, D. J. (1999), Silicon-Germanium Strained Layer Materials in Microelectronics. Advanced Materials, 11: 191204
10
Tecnologa de Fabricacin de CIs Grabado y litografa
Como imprimir un libro en miniatura
Los diseos son creados en las capas de Si02 utilizando una tcnica de impresin denominada fotolitografa. Una capa fina de polmero sensible a la iluminacin (llamado resina) se aplica sobre el Si02. Se proyecta luz ultravioleta a travs de una mascara de cristal tan fina que se proyecta la imagen de la mscara sobre la resina. La resina que no ha sido expuesta a la luz se puede lavar mediante disolventes. Tambin se elimina el Si02 protector mediante diferentes tcnicas de grabado para prepararlo para el siguiente paso en el proceso.
http://www.semiconductor-technology.com/projects/philips/images/image_3.jpg
11
Metalizaciones: Autopistas minsculas
Finalmente, se aaden las delgadas capas metlicas y de polisilicio (interconexiones entre los transistores individuales y entre otros dispositivos). Algunos chips contienen ms de seis capas de cables de interconexin uniendo mas de 4 millones de circuitos.
Fotografa SEM de una matriz de lneas de metalizacin (rosas, verdes blancas y amarillas ) que realizan las interconexiones en una memoria RAM (varias celdas de memoria). El xido aislante ha sido retirado. Gris (bajo metalizaciones es el Si). (Cortesia de IBM)
12
Tecnologa de Fabricacin de CIs Pruebas de test
En cada uno de los pasos del proceso, las obleas son minuciosamente examinadas con un equipo diseado especialmente y controlado por ordenador, algunas de las medidas tienen lugar a escala atmica. Cuando se completa el proceso de metalizacin, todos los chips de la oblea son de nuevo analizados.
http://www.plyojump.com/classes/images/hardware/wafer_dicing.jpg
http://www.a-m-c.com/successes/industry_highlight/semiconductor/semi_wafer_probe.jpg
13
Tecnologa de Fabricacin de CIs Montaje y empaquetado
Los chips que pasan los rigurosos test elctricos son entonces cortados de la oblea mediante sierras especiales de diamante y montados en empaquetados metlicos o plsticos especiales denominados mdulos. Estos mdulos son de nuevo comprobados. Materiales del substrato. Montaje del chip sobre la estructura: leadframe Conexiones elctricas. Tipos de empaquetado. Circuitos hbridos y placas de circuitos impresos.
14
Fabricacin de un diodo
http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe.html
1. Crecimiento del lingote del semiconductor: oblea
jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe.html
15
2. Crecimiento del lingote del semiconductor: oblea
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3. Crecimiento de una capa nativa de Si02 para la posterior aplicacin de mscaras litogrficas (para la realizacin del dopaje de la regin p en una zona selectiva del material)
17
4. Se aplica sobre la superficie del xido un material denominado resina.

Su aplicacin servir para aplicar un proceso fotolitogrfico en el que se abrir una ventana en el semiconductor a travs de la cul se realizar la posterior difusin de la regin p. Seguidamente, tiene lugar un calentamiento de la oblea de modo que la resina se solidifica.
18
5. Posteriormente se aplica el proceso fotolitogrfico (se proyecta luz ultravioleta, UV, a travs de una mscara).
La luz UV endurece la regin de resina expuesta a ella. Las regiones cubiertas por la mscara se eliminan mediante grabado qumico.
UV light
mask
19
6. Se realiza el grabado o eliminacin de la resina fotoreactiva mediante la aplicacin de un cido.
20
7. A travs de la ventana abierta mediante el proceso fotolitogrfico tiene lugar la difusin o la implantacin inica de impurezas (para realizar el dopaje) de boro (impureza tipo p para el Silicio). De este modo se forma la regin p de la unin pn.
21
8. Se realiza la deposicin del aluminio (mediante sputtering) para la realizacin del contacto a ambos lados de la oblea.
22
9. Se realiza un nuevo paso fotolitogrfico (no se muestra) utilizando de nuevo una resina para modificar la forma del aluminio y obtener la forma de la metalizacin final.
Finalmente se lleva a cabo la pasivacin de la superficie que proporciona proteccin mecnica y elctrica.
23
10. Los chips finales en la oblea tienen el aspecto que muestran las figuras (visin transversal a la izquierda y visin superior a la derecha).
Posteriormente cada uno de ellos se separa de la oblea (se corta) y se miden sus propiedades elctricas (caracterizacin).
24
Adaptadores o acondicionadores de seal
3.6. AMPLIF. OPERACIONAL (AO)
Convierten una seal (elctrica o no) en una seal elctrica de caractersticas especiales
+Vcc v0=Avi
Amplificadores: necesarios para procesar o presentar las seales con la instrumentacin estndar (osciloscopios, ordenadores, etc.)
vi
Adaptacin del rango
Esquema general de un amplificador de ganancia en tensin A
Las seales pueden tener ruido (asociado por ejemplo a la red elctrica: 50 Hz) que puede eliminarse utilizando: FILTROS o INTEGRANDO la seal Conversores A/D, D/A, etc. La mayora de estos circuitos estn basados en : Amplificador Operacional
25
Caractersticas del AO Ideal/Real
Amplificador: circuito que a la salida proporciona ms potencia de la que toma de la seal entrada El Amplificador Operacional Ideal/Real: +Vcc
v0 = A (v1 v2 ) = A vi
v1
Se representa como un tringulo vi Entrada diferencial y salida simple Ganancia en tensin infinita: v2 5-1010) -Vcc G= v1=v2 (10 D. Pardo, et al. 1999 Desde el punto de vista de impedancias: Impedancia de entrada infinita: (Rin = ) : 1 M-100 M toma poca corriente Impedancia de salida nula: (Rout=0): 10-50 proporciona mucha corriente a la salida Sus caractersticas no dependen de la frecuencia o la temperatura En l no se produce ni distorsin ni ruido
v0=Avi
El Amplificador Operacional Real
El ms utilizado es el A 741 Viene en una gran variedad de empaquetados, la mas usual es la de 8 pins duales en lnea: Pin n 4: - Vcc = -10 Voltios y Pin n 7 + Vcc = +10 V de alimentacin continua Pin n 2: Entrada inversora, Pin n 3: Entrada inversora Pin n 6: Salida del AO
J. Turner, et al. 1999
27
Estructura del Amplificador Operacional Real

VCC
12
13 14
vi1
1 R5 3 4 VCC 39K 7 2
vi2
CC
15 19 18 R10 40K VCC 16 23 21 20 R6 R7 22
vo
22
5 11 R4 5K 10 50K
6 17 R8 1K R1 1K R2 50K
Ajuste externo de offset
22 R9 100
24
50K -VEE
28
El Amplificador Operacional Real:
El diseo de un AO real est encaminado a que sus propiedades se aproximen a las del ideal Los lmites de amplificacin vienen dados por la alimentacin dc: Vcc Constitucin interna genrica (en bloques) de un amplificador operacional real y sus caractersticas de transferencia
Entrada no inversora
v1 v2
Entrada inversora
Etapas de amplificacin
Salida
Etapa de salida
Etapa diferencial
29
Generalmente, el AO se utiliza bajo realimentacin: REALIMENTACION NEGATIVA

Entrada
Amplificador
Salida
Entrada
vi
Amplificador
Salida
vi vr
A
Bloque de realimentacin
v0
v0
v0 = A vi
v0 = A v v = vi vr vr = v0
v0 =
A vi 1 + A
v0 =
vi
A es la ganancia en lazo abierto Como la ganancia A del AO es muy elevada: la salida no depende de la ganancia A sino que slo depende de la de la red de realimentacin La ganancia en lazo cerrado:
v0 1 = vi
Reglas que han de cumplirse en prcticamente todos los circuitos de AO ideales con realimentacin externa:
Regla n 1= Dado que la ganancia G=

los dos terminales de entrada
asumir que no hay diferencia de voltaje entre
v1 = v 2
El AO ajusta v0 de modo que la realimentacin sea capaz de hacer que (v1-v2) sea lo ms prxima a cero. En caso contrario la salida v0 tomara el valor de saturacin: +VCC o - VCC
R1
R2
Regla n 2= Debe asumirse que la

impedancia de entrada Rin=
No entra corriente a ninguna de las dos entradas del operacional:
vx
i1
v1 v2 v0
i1 = 0 i2 = 0
vy
i2
R1 R2
31

Ejemplo n 1: Circuito Amplificador NO INVERSOR

Aplicando las reglas
Podemos plantear
v1 = v 2
i1 = 0 i2 = 0
vi
v0
0 vi vi v0 = R1 R2
De donde, obtenemos la ganancia:
R1
v0 R = 1+ 2 vi R1
v0 R = 2 vi R1
R2
Montar en el Laboratorio
Ejemplo n 2: Circuito Amplificador INVERSOR

Se plantea:
R1 vi
R2
vi 0 0 v0 = R1 R2
Obtenemos la ganancia:
v0 R = 2 vi R1
v0
Si elegimos R1=R2 (es slo INVERSOR: ganancia = - 1)
32
Ejemplo n 3: Circuito SUMADOR
RF R1 v1 R2 v2
v0 R = 1+ 2 vi R1
Podemos plantear:
v1 v2 v v + + ... + n = 0 R1 R2 Rn RF
De donde
v0
v v v RF 1 + 2 + . . . + n = v0 R R Rn 2 1
La salida es (con signo menos) la suma ponderada de todas las entradas (cada entrada va ponderada por su resistencia) Si se verifica que
Rn vn
R1 = R2 = ..... = Rn = R
v0 = (v1 + v2 + .... + vn )
RF = R
Ejemplo n 4: Circuito RESTADOR
R1
Podemos plantear:
R2
v1 v v v0 = R1 R2
v2 v + v + = R1 R2
v1
i1 i2
R1
vv+ v0
v2
Como se cumple:
v =v
v1 v0 v2 + = R1 R2 R1
R2
Este circuito es restador de dos seales
v0 =
R2 (vx v y ) R1
34
Ejemplo n 5: Circuito con DIODO
R
Podemos plantear:
iR =
vi 0 R1
0 v0 VT
iD
vi v0
iD = I 0 e
De donde
vi = I 0 e v0 / VT R1
v ln i = v0 / VT R I0
Este circuito nos da en la salida una seal proporcional al logaritmo de la entrada.
vi v0 = VT ln R I 0
35
Ejemplo n 6: Circuito INTEGRADOR:
Este circuito es idntico al Amplificador Inversor en el que la resistencia R2 ha sido sustituida por un condensador Podemos plantear
R vi
i
ic
vi 0 =i R
v0
Teniendo en cuenta que en un condensador la corriente que lo atraviesa y la diferencia de potencial entre sus terminales cumplen:
dQ dQ dvc dv ic = = =C c dt dvc dt dt
Obtenemos, para este caso concreto:
ic = C
d (0 v0 ) dt
Igualando
d (0 v0 ) vi C = dt R
v0 =
1 v i dt + C RC
i 0
La seal a la salida, v , es la integral de la entrada v y adems est invertida (signo - ) adem est
Ejemplo n 7: Circuito DIFERENCIADOR:

Este circuito es idntico al Amplificador Inversor en el que la resistencia R1 ha sido sustituida por un condensador Podemos plantear
ic
R
i
vi
0 v0 =i R
Igual que en el caso anterior:
v0
ic = C dvc dt
Obtenemos, para este caso concreto:
ic = C
d (vi 0) dt
De donde
d (vi 0) v = 0 dt R
0
v0 = R C
dvi dt
i
La seal a la salida, v , es la derivada de la entrada v y adems est invertida (signo - ) adem est
37
Generadores de funciones:
Fuentes de seal calibrada y estable.
3.7. OSCILADORES
Para transmitir, recibir o procesar informacin: necesitamos de seales elctricas de formas y frecuencias prefijadas. Generadores de seales temporales:
Senoidales: sus parmetros son : Frecuencia Amplitud de oscilacin Rectangulares: adoptan dos valores de tensin diferentes Ondas cuadradas : t1= t2 Impulsos de ondas rectangulares Triangulares: pueden ser simtricas Simtricas: pendiente ascendente = descendente No simtricasdiente de sierra
E. Mandado, et al. 1995
38
AO se utiliza bajo : REALIMENTACION POSITIVA
Entrada
Amplificador
Salida
Entrada
vi
Amplificador
Salida
vi vr
A
v0
v0
v0 = A v
v0 = A vi
v = vi + vr vr = v0
v0 = A (vi + v0 )
v0 = A vi 1 A
39
3.7. OSCILADORES
Entrada
En el amplificador con realimentacin positiva se cumple:
A v0 = vi 1 A
Amplificador
Salida
vi vr
A
v0
Osciladores lineal: circuito electrnico cuya funcin es producir una onda de salida senoidal sin aplicar excitacin de entrada: Si conseguimos
Iguales en mdulo Fases diferentes
A =1
A =1
A = 0
La ganancia tiende a infinito Podramos eliminar vS y la seal de salida se mantendra sin entrada
A m plificador
A
Salida
vr
v0
v0 = A vr vr = v0
nicamente habr una frecuencia en la que aparecer una seal donde se cumplen las condiciones anteriores.
Condicin de oscilacin
B loque de realim entacin
40
3.7. OSCILADORES
Oscilador de puente de Wien: genera seal senoidal

Un circuito oscilante que utiliza un puente equilibrado como red de realimentacin Elemento activo Ampl. Operacional
Z2
C 4
Z1
C R 2 R
3 R1 1
Ganancia muy elevada: GV Resistencia de salida: R0 =0 Resistencia de entrada Ri =
vi
R2
v0
Para encontrar la ganancia del lazo:
Se rompe el lazo de realimentacin en el punto 3 Se aplica una tensin externa V0 entre terminales 3 y 4
v0 = Avi
v0 vi A= ' = ' A v0 v0
vi = v + v
vi v + v = ' = ' v0 v0
41
3.7. OSCILADORES
Oscilador de puente de Wien: genera seal senoidal (continuacin)

v0 = A v + v
R + R2 v0 = v 1 R2
v0 = v + Z1 + Z 2 Z2
)
C R1
Z1
R
1 R2
RC j Z1 = C
vi
v0
Z2 =
R (1 j RC ) 1 + 2R 2 C 2
Z2
C 4
Igualando la fase de Z1 y Z2 (arctg:Im/Re) se obtiene la frecuencia Para esa frecuencia adems se cumple:
Z1 = R (1 j )
R Z 2 = (1 j ) 2
0=1/RC
R1 + R2 Z1 + Z 2 = =3 R2 Z2
R1 = 2R2
42
3.7. OSCILADORES
Oscilador de puente de Wien: genera seal senoidal (continuacin II)

3
Circuito a montar en el laboratorio

Z1
2
C R
R1 1 R2
vi
v0
Utilizar los siguientes valores
Z2
C 4
R= 5.6 K C= 10 nF
0=1/RC
0=2 f0
f0=2842 Hz
R1= 10 K R2= 5 K
Oscilacin
R1 = 2R2
10 k
10 K
Utilizar un potencimetro o resistencia variable

43
3.7. OSCILADORES
Oscilador de puente de Wien: genera seal senoidal (continuacin III)

R2 muy baja: disminuye v3 C R1 1 R2 R C 4
V
VCC t -VCC
Realimentacin positiva: O OSCILA
Z2
Z1
R 2
vi
v0
R2 muy elevada: aumenta v-
Oscilacin R2 =R1/2
f0=2842 Hz
V
VCC t -VCC
Realimentacin negativa: el circuito oscila con v0 en saturacin
V
VCC t -VCC
T
44
3.7. OSCILADORES
Circuito generador de onda cuadrada
I
La realimentacin positiva siempre sigue a la salida: v+= v0 En la salida el AO da los valores de saturacin: +VCC, -VCC
R2 R1 + R2
vi
C
v0
R1 R2
Si v0=+VCC v+= VCC La corriente I tiende a cargar el condensador C Si v0=-VCC v+= - VCC La corriente I tiende a descargar el condensador C
Dependiendo de la carga y descarga del condensador C: la corriente I circula en uno u otro sentido se genera una onda cuadrada
45
3.7. OSCILADORES
Circuito generador de onda cuadrada (continuacin )

V0
VCC t -VCC
R2 1 = R1 + R2 2
C
vi
v0
R1 R2
T
v+
t
En el laboratorio R1=R2=10K R= 10 K C= 10 nF El periodo de la oscilacin:
VCC
- VCC
VCC
- VCC
vt
R T = 2 RC ln1 + 2 2 R1
f0=4550 Hz
46
T=0.22 ms
Agradecimientos Daniel Pardo Collantes. Departamento de Fsica Aplicada. Universidad de Salamanca. Figuras cortesa de: Pardo Collantes, Daniel; Bailn Vega, Lus A., Elementos de Electrnica. Universidad de Valladolid. Secretariado de Publicaciones e Intercambio Editorial.1999. E. Mandado, P. Mario y A. Lago, Instrumentacin Electrnica. Marcombo. 1995. Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith. Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc. J. Turner, M. Hill. Instrumentation for Engineers and Scientists. Oxford University Press.1999. http://www.semiconductor-technology.com/projects/philips/images/image_3.jpg http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe.html http://en.wikipedia.org/wiki/Cleanroom http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg http://www.plyojump.com/classes/images/hardware/wafer_dicing.jpg http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/int/sist_digit/image020.jpg http://www.nist.gov/public_affairs/images/ChipScaleClock2_HR.jpg Paul, D. J. (1999), Silicon-Germanium Strained Layer Materials in Microelectronics. Advanced Materials, 11: 191204
47

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IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

7. Osciladores. 8. Problemas propuestos.

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

PARA DISTINGUIR SEALES ac y dc

Circuito equivalente de pequea seal:

Valor total de la seal (ac + dc): Smbolo minscula y subndice en mayscula.

(siendo KI la ganancia en corriente del amplificador) Ejemplo BJT

(siendo KV la ganancia en tensin del amplificador)

(siendo KG la transconductancia del amplificador) Ejemplo MOSFET

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

3 .Amplificadores bsicos con BJTs

4 .Amplificadores bsicos con MOSFETs

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

Entrando en una sala blanca

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

S ec c i n tran s v ers al d e u n H B T d e IB M e n u n p ro c es o B iCM O S

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

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3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

2. Crecimiento del lingote del semiconductor: oblea

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3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

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3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

4. Se aplica sobre la superficie del xido un material denominado resina.

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3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

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3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

6. Se realiza el grabado o eliminacin de la resina fotoreactiva mediante la aplicacin de un cido.

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3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

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3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

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3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

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3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

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3.6. AMPLIF. OPERACIONAL (AO)

D. Pardo, et al. 1999

Adaptacin del rango

Esquema general de un amplificador de ganancia en tensin A

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

3.6. AMPLIF. OPERACIONAL (AO)

3.6. AMPLIF. OPERACIONAL (AO)

J. Turner, et al. 1999