You are on page 1of 4

BJT: BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR.

NPN



E Emisor
B Base
C Colector
1 DESCONECTO TODOS LOS
TERMINALES Y CALCULO VBE:



CORTE:



Punto de funcionamiento:
Q {VCE, IB, IC}


POL. FIJA: EMISOR COMN:


APLICACIN CORTE:
Conmutacin en
circuitos digitales.
Unin BE en inversa.
Unin BC en inversa.
Circuito abierto.
2 SUPONEMOS CONDUCCIN,
APLICAMOS EL MODELO
EQUIVALENTE Y CALCULAMOS VCE:



CONDUCCIN:

( )






ESTAB. DE EMISOR:

BASE COMN:


APLICACIN COND.:
Amplificador de
corriente.
Unin BE en directa.
Unin BC en inversa.
3 EST EN SATURACIN,
APLICAMOS EL MODELO
EQUIVALENTE Y RECALCULAMOS:



SATURACIN:











COLECTOR-BASE:
COLECTOR COMN:


APLICACIN SAT.:
Conmutacin en
circuitos digitales.
Unin BE en directa.
Unin BC en directa.
Cortocircuito.
PNP



E Emisor
B Base
C Colector
1 DESCONECTO TODOS LOS
TERMINALES Y CALCULO VEB:



CORTE:



TRANSCONDUCTANCIA:

()


CARACT. TRANSISTOR:
Con un trazador de curvas
Con un multmetro digital
Con un hmetro
2 SUPONEMOS CONDUCCIN,
APLICAMOS EL MODELO
EQUIVALENTE Y CALCULAMOS VEC:



CONDUCCIN:

( )








AUTOPOLARIZACIN:

RESISTENCIA B-E:


RESISTENCIA DE SALIDA:


CARACT. AMPLIFICADOR:
Ganancia de tensin


Margen dinmico (MD)
Ancho de banda (BW)
3 EST EN SATURACIN,
APLICAMOS EL MODELO
EQUIVALENTE Y RECALCULAMOS:



SATURACIN:





Punto de funcionamiento:
Q {VCE, IB, IC}


VA Tensin de Early


Impedancias (ZIN, ZOUT)


NO
VCE > 0,2
SI
SI
VEB > 0,7
NO
SI
VBE > 0,7
NO
NO
VEC > 0,2
SI
MOSFET: MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR.

NMOS



S Surtidor
G Puerta (Gate)
D Drenador
1 DESCONECTO TODOS LOS
TERMINALES Y CALCULO VGS:



CORTE:



Punto de funcionamiento:
Q {IDS, VDS}


POL. FIJA:


SURTIDOR COMN:


APLICACIN CORTE:
Conmutacin en
circuitos digitales.
2 SUPONEMOS SATURACIN,
APLICAMOS EL MODELO
EQUIVALENTE Y CALCULAMOS VDS:



SATURACIN:



PUERTA COMN:


APLICACIN SAT.:
Amplificador.
3 EST EN TRIODO, APLICAMOS
EL MODELO EQUIVALENTE Y
RECALCULAMOS:



HMICA (TRIODO):

)
POL. AUTOMTICA:


DRENADOR COMN:


APLICACIN TRIODO:
Conmutacin en
circuitos digitales.
PMOS



S Surtidor
G Puerta (Gate)
D Drenador
1 DESCONECTO TODOS LOS
TERMINALES Y CALCULO VGS:



CORTE:



TRANSCONDUCTANCIA:


RESISTENCIA D-S:



2 SUPONEMOS SATURACIN,
APLICAMOS EL MODELO
EQUIVALENTE Y CALCULAMOS VDS:



SATURACIN:



POL. CON RESIST. P-D:


VA Tensin de Early



3 EST EN TRIODO, APLICAMOS
EL MODELO EQUIVALENTE Y
RECALCULAMOS:



HMICA (TRIODO):

)
Punto de funcionamiento:
Q {ISD, VSD}







SI
VGS > Vt
NO
SI
VSG > Vt
NO
NO
VSD > VSG - Vt
SI
NO
VDS > VGS - Vt
SI
r Resistencia de salida
1.3Modelo deltransistor
r
o
Resistenciadesalida
IC
IB4 o
r

=
u
1
IB0=0 A
IB1
IB2
IB3
IBi>IBi1
I
CQ
u
u
V
A
Tensin
deEarly
CQ
A
o
A
CQ
CEQ A
CQ
o
I
V
r
V
I
V V
I
tg
tg
=

`
~
+
= u
u
VCE
IB0 0A
V
CEQ
u
El valor de V
A
no suele conocerse A pesar de esto, su valor suele estar entre 80120 V,
por lo que puede tomarse un valor intermedio para el clculo de r
Q )
por lo que puede tomarse un valor intermedio para el clculo de r
o
.
r
x
Resistencia de la unin de base que no es accesible desde el exterior (10 a 100 O)
Se puede calcular la resistencia de entrada (r
i
= r +r ) incluso algunos fabricantes Se puede calcular la resistencia de entrada (r
i
= r
x
+r
t
), incluso algunos fabricantes
proporcionan su valor, de forma que es posible obtener el valor de r
x
.
Su valor es importante en alta frecuencia Se suele despreciar en baja frecuencia.
r

Resistencia entre el colector y la base. Su valor es muy elevado, por lo que se


desprecia su efecto.
Tema2.1 31



= +
t
t

1.5Hojadecaractersticas
Valoresque
provocan la
ruptura
Regin decorte
ruptura
Regin deconduccinysaturacin

Voltajesen
saturacin
Tema2.1 49

Resumen configuraciones BJT ResumenconfiguracionesBJT


Zin Zout v i Desfase Aplicacin
Emisor
Comn
Media
baja Alta >1 >1 180
Elevadaamplificacin.Adecuadopara
lasetapas intermedias de
amplificadores en cascada amplificadoresen cascada.
Colector
Comn
Muy
Alta
Muy
Baja
>1 >1 0
Amplificadores detensin ycorriente
con buen aislamientodecarga. Muy
adecuadoparalasetapas inicialesy
Comn Alta Baja finalesdeamplificadoresen cascada.
Base Baja Alta >1 <1 0
No amplificancorriente
Comn
A lifi d 1 A lifi d 2 A lifi d 3
vin vout
Etapasencascada
Amplificador1 Amplificador2 Amplificador3
v
1
v
2
v
3
vin vout
Tema2.1 11
3 2 1 v v v v
A A A = A


= = = =

2 5 Modelo en pequea seal 2.5Modeloenpequeaseal


I 2
NMOS
t GS
DS
m
V V
I
g

=
2
g
m
transconsductancia
V
r
o
resistenciadrenadorsurtidor DS
DS
A
o
r
I
V
r = =
VGSVt = 2.0V
I
DS
VGSVt =1.5 V
VGSVt =1.0V
VGSVt =0.5V
Tema2.2 16 TensindeEarly
V
DS
VGSVt 0 V
Resumen configuraciones MOSFET
2.6Configuraciones
ResumenconfiguracionesMOSFET
Zin Zout v i Desfase Aplicacin
Surtidor
Comn
Muy
Alta Alta >1 >1 180
Elevadaamplificacin.Adecuadopara
lasetapas intermedias de
amplificadores en cascada amplificadoresen cascada.
Drenador
Comn
Muy
Alta
Baja ~1 >1 0
Buffers detensin (aslanla cargadel
circuitodeentrada).
Etapas desalidadeun amplificadoren
Comn Alta cascada.
Puerta Baja Alta >1 ~1 0
Buenarespuestaen altafrecuencia.
A li i l it
Comn
Aplicaciones en las quenonecesitamos
Zin elevada.
A lifi d 1 A lifi d 2 A lifi d 3
vin vout
Etapasencascada
Amplificador1 Amplificador2 Amplificador3
v
1
v
2
v
3
vin vout
Tema2.1 19
3 2 1 v v v v
A A A = A


t i /h i i
~

t i it it

Sustituimos el trt voltmetros y Sustituimoseltrt voltmetrosy

=
Saturacin suponemos V V Como >
=

`
=
=

Saturacin suponemos V V Como >

A A A = A
2.7Aplicaciones p
MOSFETcomointerruptor
F i l d d t t i /h i Funcionaenelmododecorteysaturacin/hmico:
Corte I
DS
~ 0 A,circuitoabierto.
Otromododeoperacin R
DS
,interesa quesea debajamagnitudparaqueV
DS
pequeo,
i t i it seaproximaaun cortocircuito.
Ejemplo:
V
DD
=5V,k=2mA/V
2
,Vt=4V,R=4.7k
AplicamosV
in
=5V
Caso 1: Sustituimos el trt por dos voltmetros y Caso1:Sustituimoseltrt pordosvoltmetrosy
medimosV
GS,
V
DS
s G GS
V V V

=
Saturacin suponemos
5
0
5
GS
S
G
V V Como
V V
V
V V
>
=

`
=
=
Tema2.2 20
Saturacin suponemos
t GS
V V Como >

`
=


<
=

)
`
=
=

=
< =
= = =


2.7Aplicaciones p
CMOS
Paraconseguirelevadavelocidad,menorconsumodepotenciaymayorcapacidadde
integracinsecombinandostransistores(unodecanalPyotrodecanalN)enunamisma
pastillaMOSFETComplementariooCMOS
Actualmenteloscircuitosdigitalessebasanenestatecnologa.
EjemploinversorCMOS(Vss=5V)
VSG1
+
VSS
Vi=5 V
T1cortado(VSG1<VT) IDS1~0 A.
T2 no cortado (VGS2>VT) Calculamos VDS2 _
T1: Canal P
V V
T2nocortado(VGS2>VT) CalculamosVDS2
VO = VDS2
Vi=0 V
+
T2: Canal N
Vi Vo T2cortado(VGS2<VT) IDS2~0 A.
T1nocortado(VSG1>VT) CalculamosVSD1
VO =VSS VSD1
Tema2.2 24
VGS2
+
_
En amboscasos IDS pequea BajaPdisipada

2 8 Hojas de caractersticas 2.8Hojasdecaractersticas


Tema2.2 26
2 8 Hojas de caractersticas 2.8Hojasdecaractersticas
V
t
r
o
g
m
V I 2
Tema2.2 27
DS
DS
A
o
r
I
V
r = = Paracualquierpuntodetrabajo
t GS
DS
m
V V
I
g

=
2
caractersticas caractersticas

2.8Hojasdecaractersticas j
Aproximacindekapartirdelashojasdecaractersticas
II
DS2
I
DS1
V
GS1
V
GS2
1 2
1 2 2 1
7 . 1
2 . 1 6 . 1
6 . 1 7 . 6 2 . 1 8
V
I I
I V I V
V
DS DS
DS GS DS GS
t
=


=
Quedadentrodel margen dadoen las
hojas
Tema2.2 31
( )
2 2
1 1
/ 6 . 80
2
A mV k V V
k
I
t GS DS
= =
caractersticas caractersticas