Experimento 4: Transistores.

Disciplina: EN2701 Fundamentos de Eletrnica.

Discentes: Fernando Henrique Gomes Zucatelli Pedro Caetano de Oliveira Turma: A/Noturno Prof . Dr. Roberto Jacobe Rodrigues.

Santo Andr, 16 de Junho 2011.

1. INTRODUO
A criao dos transistores por volta de 1951 criou toda uma indstria de eletrnicos como circuitos integrados, microprocessadores, computadores, celulares entre outros alm de reduzir dimenses e aumentar confiabilidade de outros dispositivos que se utilizavam de vlvulas para seu funcionamento [1]. O transistor bipolar composto por duas junes PN, podendo estar dispostas como NPN ou PNP, conforme Figura 1.

Figura 1 Regies do transitor nas configuraes NPN (a) e PNP (b) [1].

Dos terminais do transistor, o coletor o mais extenso enquanto que a base o menos extenso, fato necessrio para que o efeito transistor posso ocorrer, caso contrrio a barreira de potencial seria muito elevada o que prejudicaria os efeitos de amplificao ou a configurao de transistor como chave [1]. Os efeitos de amplificao de um transistor podem ser vistos na Figura 2. Para pequenas alteraes da corrente na base (IB) tm-se grandes variaes na corrente do coletor (IC). Outra caracterstica do transistor a possibilidade dele atuar como uma chave eletrnica, para isso necessrio configurar as resistncias para que dentro da reta carga obtenham-se os pontos de corte, onde toda a tenso da fonte VCC cai sobre os terminais entre emissor e coletor (VCE) o que implica que a corrente IC = 0 e o ponto de saturao quanto a VCE=0 o que implica que a corrente IC mxima. Essa configurao permite o desenvolvimento de portas lgicas, implementando a lgica digital baseada em zeros e uns, base de toda a tecnologia da computao desenvolvida ao longo da histria.

Figura 2 Curvas de caractersticas de um transistor e pontos de saturao e corte [1].

2. OBJETIVOS
Compreender a nomenclatura dos terminais de um transistor tal como identificar sua configurao de junes PNP ou NPN. Analisar as curvas caractersticas e a influncia da temperatura sobre o comportamento das junes do transistor. Simular uma aplicao dos transistores como portas lgicas.

3. PARTE EXPERIMENTAL
Foram usados resistores de 47 , 100 , 1k8 , 4k7 (2), 10k e 15k . Transistores TIP31, BC327, BC337 e 2N3005. Um multmetro digital Marca Minipa ET-2510 (porttil). Um Protoboard (Matriz de contato). Uma fonte de Tenso Marca Minipa MPL-3303 e cabos e fios para conexo.

3.1. Identificao da configurao das junes

Para identificar as junes dos transistores acima citados (PNP ou NPN), utilizouse um multmetro na funo de teste de diodo, intercalando cada uma das pontas de prova (positiva - vermelha e negativa - terra) por cada par de terminais (BaseColetor, Base-Emissor, Coletor-Emissor), segundo especificado pelo fabricante. Analisou-se se a tenso obtida, sendo que uma tenso infinita significava polarizao reversa e uma finita, polarizao direta. A tenso Coletor-Emissor foi obtida meramente para checagem, j que, sem falhas no transistor, sempre de circuito aberto.

3.2. Levantamento da curva caracterstica

A partir do circuito da Figura 3, foi realizado o levantamento da curva caracterstica do transistor BC337.

Figura 3 Circuito para determinao da curva caracterstica.

A tenso da fonte V1 foi ajustada para 0,5V, enquanto a tenso da fonte V2 foi variada de 0,5V a 5,0V, sempre com um passo de 0,5V. Essa variao no foi completamente correta, pois o ajuste na fonte de tenso no era exato. A tenso no coletor de Q1 foi sempre anotada e repetiu-se o mesmo procedimento para V1 ajustado em 1V, 2V e 4V.

3.3. Polarizao e efeito da temperatura.

Em seguida, foi montado o circuito da Figura 4, tanto com o transistor TIP31 quanto com o BC337.

Figura 4 Circuito para verificar polarizao do transistor e efeito da temperatura.

As tenses dos resistores, bem como no coletor, na base e no emissor foram medidas para ambos os transistores. Em seguida, com o resistor de linha (alto dissipador de calor) conduzindo, elevou-se a temperatura do transistor BC337 atravs do contato entre eles, medindo-se ento as tenses de base, coletor e emissor.

3.4. Porta lgica a transistor.

O circuito da figura Figura 5 foi montado no software CircuitMaker e foram ento, realizadas as seguintes etapas: Aplicou-se 5V nos emissores de Q2 e Q3, 5V em Q3 e 0V em Q2 (o mesmo que aplicar 5V em Q2 e 0V em Q3 e 0V em ambos os transistores, medindo sempre a tenso de sada no coletor de Q1. Para a simulao, utilizou-se o transistor 2N3005.

Figura 5 Circuito de porta lgica (a ser identificada) a transistor.

4. RESULTADOS E DISCUSSO 4.1. Identificao da configurao das junes

A Figura 6 mostra os terminais dos transistores analisados e a identificao da Base (B), Coletor (C), Emissor (E).

Figura 6 Identificao dos terminais dos transistores utilizados.

A Tabela 1 apresenta os valores das medies dos pares de terminais dos transistores e o resultado do teste entre parnteses ao lado do cdigo do transistor. Os transistores que apresentaram tenso diferente de infinito (circuito aberto) quando polarizada a base com positivo e o terra no coletor e emissor so do tipo NPN, enquanto que os que apresentaram valor finito quando o terra se encontrava na base e o positivo no coletor e no emissor so os do tipo PNP. Todas as combinaes foram testadas para verificar se os transistores apresentavam comportamento correto, em destaque o fato que a tenso entre emissor e coletor (VCE) deve sempre ser infinita quando no h corrente de base (IB) o que indica que o transistor no se encontra com mau funcionamento por curto circuito entre emissor e coletor.
Tabela 1 Identificao das junes (GND terra e VM a ponta vermelha (positivo) do multmetro). TIP31 (NPN) B B C C E E C E E B B C 0,57 0,56 B B C C E E BC327 (PNP) C E E B B C 0,68 0,68 B B C C E E BC337 (NPN) C E E B B C 0,62 0,62 B B C C E E 2N3055 (NPN) C E E B B C 0,53 0,54

GND VM medio (V) GND VM medio (V) GND VM medio (V) GND VM medio (V)

4.2. Levantamento da curva caracterstica

O circuito para levantar curva caracterstica do transistor e equaes das malhas o circuito da Figura 7.

Figura 7 Circuito para levantar curva caracterstica do transistor NPN e equaes das malhas.

O sistema de equaes para as 2 malhas do circuito a transistor da Figura 7 descrito em (1), sendo as correntes I1 e I2 correntes para a anlise de malhas.

VBB + RB .I1 + VBE + RE ( I1 I 2 ) = 0 ( RB + RE ).I1 RE I 2 = VBB VBE +VCC + RC .I 2 VCE + RE ( I 2 I1 ) = 0 RE .I1 + ( RC + RE ) I 2 = VCE VCC

(1)

Sendo que de acordo com o sentido das correntes I1 e I2 adotados na Figura 7 as correntes IC, IB e IE so descritas por (2): I B = I1 ; I C = I 2 ; I E = I1 I 2 (2)

Os valores para a equao (1) so: RB=10k ; RC=100 ; RE=0 ; VCC=V2; VBB=V1; VCE=VC-VE = VC (medido), sendo VE =0, pois no h diferena de tenso entre o emissor e o terra e VBE=0,62V (Tabela 1). Dessa forma pode-se calcular a corrente IC a partir dos dados da Tabela 2 com uso da equao (3), partindo-se de (1) e das relaes de (2).

104 I1 = V1 0, 62 ( RB + 0).I1 = V1 VBE V V V 0, 62 IC = 2 C ; I B = 1 4 100 10 ( RC + 0) I 2 = VCE V2 100 I 2 = VC V2

(3)

A Tabela 2 mostra os dados coletados para levantamento da curva caracterstica do transistor BC337 conforme grfico da Figura 8.

Tabela 2 Dados coletados para confeco da curva caracterstica do transistor BC337. V1=0,5V; IB 10A V2 (V) 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 Vc (V) 0,400 0,925 1,461 1,906 2,430 2,871 3,382 3,844 4,481 4,894 Ic (mA) 0,001 0,750 0,390 0,940 0,700 1,290 1,180 1,560 0,190 1,060 V1=1,0V; IB 40A V2 (V) 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 Vc (V) 0,147 0,712 1,381 1,953 2,284 2,602 3,263 3,800 4,095 4,663 Ic (mA) 3,530 2,880 1,190 0,470 2,160 3,980 2,370 2,000 4,050 3,370 V1=2,0V; IB 100A V2 (V) 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 Vc (V) 0,057 0,087 0,111 0,137 0,176 0,237 0,724 1,280 1,740 2,130 Ic (mA) 4,430 9,130 13,890 18,630 23,240 27,630 27,760 27,200 27,600 28,700 V1=4,0V; IB 300A V2 (V) 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 Vc (V) 0,035 0,056 0,071 0,084 0,092 0,108 0,118 0,129 0,145 0,160 Ic (mA) 4,650 9,440 14,290 19,160 24,080 28,920 33,820 38,710 43,550 48,400

Figura 8 Grfico da corrente IC x tenso VCE do transistor BC337.

De acordo com o grfico da Figura 8 nota-se que para valores de V1 menores que 1V (correntes menores que 50 A) a corrente de coletor oscilou prximo do valor zero para todas as tenses aplicadas no teste e como a tenso VC praticamente toda a tenso da fonte, constata-se que o transistor est operando como um circuito aberto. A curva quando V1=2V apresenta um crescimento inicial aparentemente linear, todavia aps um dado valor de VCE, a corrente IC para a ser constante, i.e. cada acrscimo na fonte V2 implica em um igual acrscimo de VCE, neste caso, a capacidade do transistor de amplificar a corrente est saturada. Por fim, a curva para V1=4V, indica que a corrente IC tem alta taxa de crescimento em pequenas variaes de VCE que est sempre muito prximo de zero, neste caso o transistor est se comportando como um curto circuito.

4.3. Polarizao e efeito da temperatura.

A Tabela 3 mostra dos dados das tenses dos resistores e das junes do transistor TIP31 e BC337 conforme circuito da Figura 4.
Tabela 3 Dados coletados para confeco da curva caracterstica do transistor BC337. TIP31 BC337 BC337* VR1 3,536 V 3,492 V VR2 2,034 V 1,953 V VR3 0,964 V 0,938 V VR4 1,580 V 1,602 V VBC 1,507 V 1,533 V 1,333 V VCE 2,123 V 2,194 V 1,921 V VBE 0,616 V 0,663 V 0,592 V *Dados coletados com o transistor BC337 sob a influncia do calor fornecido pelo resistor de fio.

Nota-se que a diferena entre os valores obtidos para o TIP31 e o BC337 a temperatura ambiente no foram muito distintos, todavia, as tenses nos resistores com o TIP foram sempre ligeiramente maiores que as mesmas tenses durante o uso do BC337, consequentemente, as tenses sobre os terminais do TIP31 foram ligeiramente menores. Ao se aproximar do transistor BC337 um resistor de potncia (de fio) aquecido de forma que o transistor estivesse sob a influncia da temperatura elevada notouse que as tenses sobre os terminais do transistor foram menores do que quando este se encontrava a temperatura ambiente, isso se deve ao fato de que a temperatura propcia maior grau de ionizao (trmica) dos tomos do transistor, dessa forma necessrio fornecer uma menor quantidade de energia para que os eltrons cheguem camada de conduo. Entretanto, o aumento de temperatura de forma a superar o limite previsto no projeto do componente pode ser prejudicial, pois alm de literalmente queimar o componente, a diminuio da tenso nos terminais significa aumento da tenso nos demais componentes do circuito conforme visto na Tabela 3 comparando-se o TIP31 com o BC337, assim os demais componentes para apresentar defeitos devido sobre tenso em seus terminais.

4.4. Porta lgica a transistor.

Realizada a simulao, foram obtidos os valores apresentados na Tabela 4.

Tabela 4 Resultados da simulao (valor em parnteses corresponde a valor booleano). Q2 (entrada) 0V (0) 5V (1) 0V (0) 5V (1) Q3 (entrada) 0V (0) 0V (0) 5V (1) 5V (1) Q1 (sada) 5V (1) 5V (1) 5V (1) 19,4mV (0)

As Figuras 9, 10 e 11 a seguir apresentam as simulaes realizadas.

Figura 9 Simulao do circuito (ambas entradas 0V).

Figura 10 Simulao do circuito (uma entrada 0V e a outra 5V).

Figura 11 Simulao do circuito (ambas as entradas 5V).

10

Assim, pode-se perceber que o circuito apresenta uma operao booleana de NAND, ou seja, um NOT da operao AND, j que se tem o oposto do que aconteceria para um AND, com duas entradas verdadeiras dando como sada uma falsa e as demais combinaes de entrada dando como sada uma resposta verdadeira.

5. CONCLUSO
Transistores so dispositivos eletrnicos baseados nas propriedades da juno PN que permitem amplificar/controlar sinais maiores a partir pequenas correntes na base, efeito visualizado na Figura 8. O efeito da temperatura sobre o transistor reduz a tenso em seus terminais o que implica em sobre tenses sobre os demais componentes do circuito. Os transistores podem ser dispostos em configuraes que permitam seu uso como portas lgicas, estabelecendo operaes que apenas os diodos no so capazes. Nesse caso, criou-se a operao NAND.

6. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
[1] MALVINO, Albert P. Eletrnica. 1.ed. So Paulo, McGraw-hill, 1987.