Caractersticas a tener en cuenta para un IGBT

Debe evitarse el Latch-up, porque se pierde el control. Entrada en conduccin del SCR parsito Mtodos para evitar el Latch-up en IGBT 1) Limitar ID mxima al valor recomendado por el fabricante. 2) Limitar la variacin de VGS mxima al valor recomendado por el fabricante (retardando el apagado del dispositivo). En la construccin del dispositivo, se intentar disminuir la resistencia de dispersin de sustrato del dispositivo: 1) Construir el sustrato como dos regiones de diferente dopado 2) Eliminar una de las regiones de fuente en las celdillas. Se disea para que cuando VGS = VGSMAX la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta. VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp es muy baja, ser VDSmax=BVCBO Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C Hay en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp. La tensin Vds difcilmente vara con la temperatura, se pueden conseguir grandes corrientes. El dispositivo mas usado para potencias entre kW y un par de MW, a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz. Es el IGBT. Es el que mejor trabaja

Efecto de VGS y la corriente de drenador sobre la cada en conduccin (Prdidas en conduccin). Uso de VGS mximo (normalmente=15V). Efecto de la corriente de drenador sobre la derivada de la cada en conduccin respecto a la temperatura. Derivadas positivas permiten conexin en paralelo. Los dispositivos aislados es preferible una derivada negativa, ya que al subir la corriente, sube la temperatura disminuyendo la cada de potencial (suben menos las prdidas). En los PT-IGBT, la corriente nominal suele quedar por debajo del lmite (siempre derivadas negativas) en los NPT-IGBT, se suele trabajar en zona de derivada positiva.

Las capacidades que surgen suelen ser: Cre o Cmiller : es la Cgd. Ci, Capacidad de entrada: es la suma de Cgd y Cgs. (Medida manteniendo VDS a tensin constante). Co, Capacidad de salida: es la suma de Cgd y Cds. (Medida manteniendo Vgs a tensin constante).

Comparacin de prestaciones entre los diferentes dispositivos de electrnica de potencia.

Dispositivos de potencia ms utilizados, haciendo especial ahnco en los lmites de tensin, corriente y frecuencia de trabajo. Tabla de trabajo

Aplicaciones de los diferentes tipos de semiconductores en la electrnica de potencia

Los ms usados que se encuentren en Venezuela

Entre los mas usados se encuentra Transistor IGBT IRGB6B60

Category Discrete Semiconductor Products Family IGBTs - Single Series IGBT Type NPT Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 5A Current - Collector (Ic) (Max) 13A Power - Max 90W Input Type Standard Mounting Type Through Hole Package / Case TO-220-3 Supplier Device Package TO-220AB