Final 5 Electronicos2

FIEE-UNMSM. Berríos, Sanchéz , Sanchéz .
RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN

AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA
Berríos, Eleazar. Sanchéz, Jesús. Sánchez, Pedro.
berriose13@gmail.com eleazar.berrios@unmsm.edu.pe, jesus.sanchez@unmsm.edu.pe
pedro.sanchez@unmsm.edu.pe
Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica - UNMSM
reemplazar los condensadores por su equivalente

Resumen—En resumen esta experiencia trata corto es una manera de generar las capacitancias
fundamentalmente en determinar las características parásitas, estas se harán evidentes al intentar hallar
bajo las que se encuentra un amplificador cuando lo la ganancia y la frecuencia de corte del transistor.
trabajamos a alta frecuencia. Una de las conclusiones Estas capacitancias parasitas se encontraran entre:
más importantes sobre esta experiencia es saber que Base – Emisor, Emisor – colector, Colector – base,
para alta frecuencia los resultados obtenidos de todos estos de los terminales de un transistor BJT.
realizar las respectivas mediciones divergen no por De la cual tendremos que hacer un análisis en
poco de nuestros números teóricos.simulados -. especial a parte de lo hecho cuando hablamos de
un análisis en baja frecuencia, de la cual como
Índice de Términos—Osciloscopio, multímetro, resultado de esta análisis en alta frecuencia
transistores, condensadores, señal sinusoidal. encontraremos:
La frecuencia de corte entre la zona media y alta
del transistor, la fβ y fH.
I. INTRODUCCIÓN
Cuando se trata de analizar el comportamiento de

un BJT en altas frecuencias la reactancia
capacitiva tiende a disminuir, y su vez disminuye
el voltaje de salida (en las terminales del
capacitor), así como la corriente que circula por
este.
Figura 1.2
La figura 1.2 representa el Circuito Thévenin para

la red de entrada.
Figura 1.1
En la figura 1.1 cumple la ecuación :
1
Xc = 2𝜋𝑓𝐶
Además se cunple en enunciado mencionado con

anterioridad.
Para analizar el punto de corte de -3dB hay dos
puntos importantes a evaluar la capacitancia de la
Figura 1.3
red y saber que tanto los valores de evaluar como
la función del transistor en si son dependientes de
La figura 1.3 representa el Circuito Thévenin para
la frecuencia.
la red de salida.
Nos damos cuenta que según ecuación que
acabamos de conocer que si la frecuencia es alta,
el valor de la impedancia capacitiva tiende a ser 0,
osea en términos de funcionamiento para el
circuito se dice que actúa como cortocircuito,
Informe final de práctica de laboratorio
FIEE-UNMSM. Berríos, Sanchéz , Sanchéz .RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
II. MATERIALES Y MÉTODOS
A. Equipos ,materiales y herramientas utilizados
Multímetro.
Generador de señales.
Osciloscopio.
Fuente de poder DC.
Punta de prueba de osciloscopio.
1 transistor 2N2222.
Resistores de 56KΩ, 12KΩ, 10KΩ, Figura 2.3
1.5KΩ, 1KΩ, 0.68KΩ
Condensadores de 100uF y 2 de 22uF.
Protoboard.
En esta última figura se muestra el miliamperímetro
B. Esquemas
que usaremos para realizar las mediciones
C. Procedimiento
1. Determine la ganancia de tensión que se

presenta a frecuencias medias. Complete los
campos correspondientes de la tabla 5.1.
2. Implemente el circuito mostrado en la figura
5.1.
3. Establezca como señal de salida del
generador una onda sinusoidal de 10KHz, con
el mayor nivel de amplitud posible que
permita obtener una señal sin distorsión de
amplitud a la salida del amplificador.
Figura 2.1 4. Despreciando el efecto de los condensadores
(frecuencias medias), determine
experimentalmente la ganancia de tensión y
halle el punto de trabajo.
III. RESULTADOS
VCEQ (V) ICQ (mA) Av

Valor
7.78 1.945 6.52
calculado
Valor
7.629 2.001 6.454
Figura 2.2 simulado
Valor
medido
7.9 2.1 6.27
Valor calculado:
Para hallar VCEQ e ICQ, desarrollamos en análisis DC,
En la figura 2.2 se muestra el circuito de la en otras palabras quitamos los condensadores:
figura 2.1 implementado en protoboard. VCEQ =7.78V, ICQ =1.945mA
Y para hallar Av, colocamos los condensadores y
trabajamos en análisis AC, hallamos la tensión de
salida y la dividimos con la de entrada: Av=6.52
Valor simulado

decibeles vs frecuencias
50
0
1 100 10000 1000000
-50
-100
-150
-200
IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS

Observamos en esta gráfica, echo en el programa
Cuestionario: Excel a una escala semilogarítmica, ocurre una
alteración de la ganancia al aumenta la frecuencia
1) Grafique en papel semilogarítmico la ganancia
porque hay frecuencias que están en función del
de tensión expresada en dB, versus la
frecuencia. Comente su gráfico. transistor y la correcta polarización del transistor nos
da un preciso valor del factor de polarización.
Frecuencia alta de la entrada:
Frecuencia alta de la salida:

2) De acuerdo de su grafico encontrar fH y con este
dato calcular (𝐶𝑏 ′ 𝑒 + 𝐶𝑏 ′ 𝑐(1 + 𝐴𝑣𝑅)) y verificar
la aproximada de la pregunta 3 del informe previo.

[4]Charles A. Schuler “Electrónica, Principios y

Aplicaciones”
2) ¿Qué conclusiones obtuvo del experimento?
 En esta experiencia se pudo demostrar que

cuando el transistor opera como un
amplificador en altas frecuencias entonces
frecuencia de corte estará determinada por el
valor de las frecuencias de cortes de los
condensadores, independientemente uno de
otro.
 Vemos que en altas frecuencias aparecen las

capacidades parásitas del transistor: Cbe, Cbc
y Cce.
 Observamos que ocurre la caída del ancho de

banda hasta lograr un valor casi nulo que se
da a cierta frecuencia, cuando la salida del
amplificador cae en 0.7 de su valor en
frecuencias medias.
V. CONCLUSIONES
 Vemos que en altas frecuencias aparecen las
capacidades parásitas del transistor: Cbe, Cbc y
Cce.
 Observamos que ocurre la caída del ancho de
banda hasta lograr un valor casi nulo que se da a
cierta frecuencia, cuando la salida del
amplificador cae en 0.7 de su valor en
frecuencias medias.
 La mejor manera de realizar el análisis en alta
frecuencia es utilizando el modelo de parámetro
híbrido (π), puesto que aparecen los parámetros
deseados.
 Cuando el condensador está en una parte de la
resistencia del emisor y lo conectamos a toda
resistencia del emisor, obtenemos una máxima
amplificación del circuito que nos da un
amplificador con mayor rango de amplificación.
REFERENCIAS
1]Robert L. Boylestad “Electrónica: Teoría de
Circuitos y Dispositivos Electrónicos” (10ma
edición).
[2] David A. Hodges “Darlington’s Contributions
to Transistor Circuit Design
[3] Malvino “Principios de electrónica”


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reemplazar los condensadores por su equivalente

Cuando se trata de analizar el comportamiento de

La figura 1.2 representa el Circuito Thévenin para

En la figura 1.1 cumple la ecuación :

Además se cunple en enunciado mencionado con

II. MATERIALES Y MÉTODOS

A. Equipos ,materiales y herramientas utilizados

1. Determine la ganancia de tensión que se

VCEQ (V) ICQ (mA) Av

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IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS

Frecuencia alta de la entrada:

Frecuencia alta de la salida:

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[4]Charles A. Schuler “Electrónica, Principios y

2) ¿Qué conclusiones obtuvo del experimento?

 En esta experiencia se pudo demostrar que

 Vemos que en altas frecuencias aparecen las

 Observamos que ocurre la caída del ancho de

[3] Malvino “Principios de electrónica”

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