Diodos de Potencia

Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

TEMA 2 Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 3: Introduccin
Leccin 4: El diodo de potencia
Leccin 6: El rectificador controlado de silicio (SCR)
Leccin 5: Los transistores de potencia
4.1 Construccin y encapsulado
4.2 Caractersticas estticas
4.2.1 Curvas estticas
4.2.2 Estados de bloqueo y conduccin
4.2.3 Clculo de prdidas
4.3 Caractersticas dinmicas
4.3.1 Entrada en conduccin; recuperacin directa
4.3.2 Salida de conduccin; recuperacin inversa
4.3.3 Clculo de prdidas
4.4 Tipos de diodos de potencia.
4.4.1 Diodos rectificadores para baja frecuencia.
4.4.2 Diodos rpidos y ultrarrpidos.
4.4.3 Diodos Schottky.
4.4.4 Diodos para aplicaciones especiales.
4.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.
TEMA 2 Dispositivos semiconductores de potencia

Tensin Trmica
UNIN P-N DE SEMICONDUCTOR:
N P
|
|
.
|
\
|
+ =
n A
n
p D
p 2
i S
L N
D
L N
D
n q A I
|
|
|
.
|
\
|
= 1 e I i
T
V
V
S
Ecuacin de Shockley
q
T k
V
T
=
Corriente inversa de saturacin
A: rea efectiva de la Zona de Transicin
n
i
: Concentracin intrnseca del semiconductor
D
P
, D
A
: Constante de difusin de huecos o electrones, respect.
N
D
, N
A
: Concentracin de dopante donador o aceptador, respect.
L
p
, L
n
: Longitud de difusin de la zona P o de la zona N, respect.
k: Constante de Boltzmann
q: Carga del electrn
T: Temperatura absoluta (Kelvin)
CTODO
CTODO
NODO
NODO
TCNICAS DE CONSTRUCCIN: DIFUSIN
Antes del dopado
P
N
0
Despus del dopado
P
N
0
P
P
N P
Capa andica Capa catdica
P
P
P N
P N
N
(sustrato tipo N)
Atmsfera
dopada con
tomos de
aceptor
In
In
In
In
Electrnica de Potencia, Martnez, S., Gualda, J.A.; Ed. Thomson, 2006.
P
N
VACO O
GAS INERTE
BOBINA DE
INDUCCIN
GRAFITO
SEMICONDUCTOR
FUNDIDO CON
IMPUREZAS
DIODO
CRISTAL
SEMILLA
EJE
ROTATIVO Y
EXTRACTOR
P
TCNICAS DE CONSTRUCCIN: UNIN CRECIDA
Si Si Si Si Si
Si
Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si
Si
Si Si B Si Si
Si
B Si Si Si B
Si
Si
Si
B
B
Si CL
CL
CL
CL
CL
H Si CL
CL
CL
CL
CL
H
CL
H
Si
Si
Substrato
Pelcula epitaxial tipo N
Fase
gaseosa
Ejemplo de formacin de una capa N
SiCl
4
+ 2H
2
Si + 4ClH
TCNICAS DE CONSTRUCCIN: CRECIMIENTO EPITAXIAL
DO - 5
ENCAPSULADO AISLAMIENTO
CONEXIN ELCTRICA
DISIPACIN TRMICA
P
N
Terminal de cobre
(nodo)
Cierre aislante
Cierre metlico
Pastilla
semiconductora
Soldaduras
Au-Si
Base de cobre
(ctodo)
DO 200AC
Grandes corrientes
(3500 5000 A)
ENCAPSULADO
P
N
Base de cobre
(nodo)
Cierre metlico
Cierre
cermico
Soldaduras
Pastilla
semiconductora
Cierre metlico
Base de cobre
(ctodo)
Tipos de diodos
Tipo
Cada de
tensin
directa (V)
Mercurio
Selenio
Germanio
Silicio
Oxido de
cobre
Corriente
de fugas
Temp.
interna
mx. (C)
Tensin
inversa
mx. (V)
Intensidad
directa
mx. (A)
Densidad
de corriente
(A/cm
2
)
15 a 19
1
0,5
1
0,6
baja
alta
baja
muy baja
alta
400
150
120
200
70
20.000
50
800
3.500
30
5.000
50
200
1.000
10
4.000
1
100
100
1
CTODO
NODO
CURVAS ESTTICAS Diodo IDEAL
i
F
u
F
i
F
u
F
POL. DIRECTA
EN CONDUCCIN
POL. INVERSA
EN CORTE
F F F
u 0 i 0 u = <
Ecuacin ideal
F F F
i 0 u 0 i = >
CTODO
NODO
CURVAS ESTTICAS Diodo REAL
i
F
u
F
i
F
u
F
POL. DIRECTA
EN CONDUCCIN
POL. INVERSA
EN CORTE Ecuacin real
|
|
|
.
|
\
|
= 1 e I i
T
V
V
S F
AVALANCHA
R F
u u si >
u
R
CTODO
NODO
CURVAS ESTTICAS Diodo LINEALIZADO
i
F
u
F
i
F
u
F
POL. DIRECTA
EN CONDUCCIN
POL. INVERSA
EN CORTE
Ecuacin
linealizada
< s
< s
>
0 u u si I
u u 0 si 0
u u si
r
u u
i
F R R
F
F
d
F
F
AVALANCHA
u
R
i
R
Intensidad media nominal (I
F AV
):
Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos senoidales de 180 que
el diodo puede soportar con la cpsula mantenida a determinada temperatura
(110 C normalmente).

Intensidad de pico repetitivo (I
F RM
):
Mxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms por tiempo indefinido,
con duracin de pico de 1ms a determinada temperatura de la cpsula.

Intensidad de pico nico (I
F SM
):
Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o ms,
con duracin de pico de 10ms.

ESTADO DE CONDUCCIN
Tensin inversa de trabajo (V
R WM
):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada por el diodo de forma
continuada sin peligro de avalancha.

Tensin inversa de pico repetitivo (V
R RM
):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada en picos de 1ms repetidos
cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensin inversa de pico nico (V
R SM
):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 min
o ms, con duracin de pico de 10ms.

Tensin de ruptura (V
R
):
Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede destruirse o al menos
degradar sus caractersticas elctricas.
ESTADO DE BLOQUEO
u
d
: Tensin directa.
I
F AV
: Corriente media.
r
d
: Resistencia dinmica.
I
F RMS
: Corriente eficaz.
CLCULO DE PRDIDAS (en conduccin)
}
=
T
0
F F DIS
dt ) t ( i ) t ( u
T
1
P
2
FRMS d FAV d DIS
i r i u P + =
i
F
i
F
V
d
r
d
V
F
Diodo Ideal: Diodo Real:
Entrada en conduccin (recuperacin directa)
i
F
u
F
u
d
u
bloqueo
i
d
t
0
: Instante de cierre
t
0
t
rd
: tiempo de recuperacin directa
t
0
: Instante de cierre
i
F
u
F
u
d
u
bloqueo
i
d
t
0
t
rd
u
FP
dt
di
F
Tiempo de recuperacin inversa:
t
a
= tiempo de almacenamiento.
t
t
= tiempo de transicin
Carga de Almacenamiento:
Pico de corriente de recuperacin Inversa:
Diodo Real:
Salida de conduccin (recuperacin inversa)
t
0
: Instante de apertura
i
F
u
F
t
a
t
rr
t
t
dt
di
t I
F
a rr
=
I
rr
t a rr
t t t + =
rr rr rr
I t
2
1
Q =
dt
di
Q 2 I
F
rr rr
=
dt
di
Q 2
t
F
rr
rr
=
t
0
Aproximacin de la salida de conduccin
Existe dependencia de las prdidas con
la frecuencia de conmutacin (f
s
).
Las prdidas de entrada en conduccin
son muy pequeas ( t
rd
<< t
rr
) y suelen
despreciarse!
Clculo de prdidas
i
F
u
F
t
0
t
a
t
rr
t
t
I
rr
V
R
}
=
T
0
F F DIS
dt ) t ( i ) t ( u
T
1
P
s R
t rr
DIS
f V
2
t I
P =
I
F AV
(A):
4.4 Tipos de diodos de potencia
DIODOS RECTIFICADORES DE BAJA FRECUENCIA
V
R RM
(V): t
rr
: (ms):
1 6000 400 3600
V
Fmax
@ I
F AVmax
(V):
1,2
Aplicaciones:
Rectificadores de Red.
Baja frecuencia (50Hz).
10
DIODOS RPIDOS (FAST) Y ULTRARRPIDOS (ULTRAFAST)
I
F AV
(A): V
R RM
(V): t
rr
: (s):
30 200 400 1500
V
Fmax
@ I
F AVmax
(V):
1,2
Aplicaciones:
Alta frecuencia (>20kHz).
Inversores
SAIs.
Accionamiento de motores CA.
0,1-10
DIODOS SCHOTTKY
I
F AV
(A): V
R RM
(V): t
rr
: (ns):
1 120 15 150
V
Fmax
@ I
F AVmax
(V):
0,7
Aplicaciones:
Fuentes conmutadas
Convertidores
Diodos de libre circulacin
Cargadores de bateras
5
DIODOS PARA APLICACIONES ESPECIALES
I
F AV
(A): V
RRM
(KV): t
rr

0,45 2 7,5 18
V
Fmax
@ I
F AVmax
(V):
20-100
Aplicaciones:
Alta tensin 150 ns
507000 400 - 2500 2 Alta corriente 10 s
NODO CTODO
DO 5
200V/60A
Encapsulado cermico
600V/6000A
Alta Tensin
40.000V/0.45A (VF=32V)
Rectificador
1500V/168A (V
F
=1.8V)
Schottky
120A 150V
Fast
1500V
ALGUNOS ENCAPSULADOS

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