INTRODUCCIN

Objetivo Calcular la densidad de portadores en semiconductores puros y poco dopados Motivo Poder determinaran los comportamientos caractersticos tensin/corriente de los dispositivos Esquema Densidad de estados x portadores Probabilidad de ocupacin Densidad de

Concepto: Equilibrio trmico Es el estado en que un proceso es acompaado por otro, igual y opuesto (estado dinmico), mientras que el sistema se mantiene a la misma temperatura, sin intercambios de energa con el exterior.

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS

Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica.

En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero.

La tensin aplicada en la figura forzar a los electrones libres a circular hacia la derecha (del terminal negativo de la pila al positivo) y a los huecos hacia la izquierda.

Cristal Semiconductor intrnseco:

A simple vista es imposible que un semiconductor permita el movimiento de electrones a travs de sus bandas de energa Idealmente, a T=0K, el semiconductor es un aislante porque todos los e- estn formando enlaces. Pero al crecer la temperatura, algn enlace covalente se puede romper y quedar libre un e- para moverse en la estructura cristalina.
El hecho de liberarse un e- deja un hueco (partcula ficticia positiva) en la estructura cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el electrn libre (e-), pero tambin hay un segundo tipo de portador: el hueco (h+)

Modelo de bandas de energa: Conduccin intrnseca

Estructura de un metal

Estructura de un semiconductor

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
En la prctica nos interesa controlar la concentracin de portadores en un semiconductor (n o p). De este modo se pueden modificar las propiedades elctricas: conductividad Para ello se procede al proceso de DOPADO: Un pequeo porcentaje de tomos del SC intrnseco se sustituye por tomos de otro elemento (impurezas o dopantes). Estas impurezas sustituyen a los tomos de Silicio en el cristal formando enlaces. De este modo podemos Favorecer la aparicin de electrones (Semiconductores Tipo N: donde n > p) Favorecer la aparicin de huecos (Semiconductores Tipo P: donde p>n).

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
Los semiconductores extrnsecos se forman aadiendo pequeas cantidades de impurezas a los semiconductores puros. El objetivo es modificar su comportamiento elctrico al alterar la densidad de portadores de carga libres

Estas impurezas se llaman dopantes. As, podemos hablar de semiconductores dopados. En funcin del tipo de dopante, obtendremos semiconductores dopados tipo p o tipo n.

Para el silicio, son dopantes de tipo n los elementos de la columna V, y tipo p los de la III

D E N S I D A D D E P O R T A D O R E S

En los semiconductores tipo n, los electrones son los portadores mayoritarios. En los semiconductores tipo p, los huecos son los portadores mayoritarios. La ley de accin de masas se cumple para semiconductores extrnsecos, en equilibrio trmico

S E M I C O N D U C T O R E S

Potencial de contacto

Capacitancia y

2.3 UNIN P-N EN ESTADO DE EQUILIBRIO

Campo elctrico

Carga almacenada

Zonas de vaciamiento

2.3 UNIN P-N EN ESTADO DE EQUILIBRIO

Dos materiales semiconductores, uno de tipo P y otro de tipo N separados entre s. En ellos el nivel de Fermi EF est cerca de la banda de valencia para la muestra de tipo P y cerca de la banda de conduccin para el material de tipo N. Por otra parte, el material de tipo P tiene una concentracin de huecos mucho mayor que de electrones y al revs ocurre en el material de tipo N.

(a) Semiconductores de tipo N y tipo P uniformemente dopados antes de la unin. (b) Campo elctrico en la regin espacial de carga y diagrama debandas de energa en la unin p-n en equilibrio trmico.

Antes de producirse el equilibrio y desde el instante del contacto, existen unas corrientes de difusin producidas por la variacin del gradiente de portadores a cada lado de la unin

Condiciones de polarizacin
Diodo ? Se forma con unir un material tipo P con uno tipo N

Sin polarizacin =0

Polarizacin directa >0

Polarizacin inversa <0

2.4.1 Efecto de potencial de barrera

El potencial vendr dado en este caso por la siguiente funcin:

Caso E< Nos permite analizar la influencia del potencial sobre el flujo de partculas de energa bien definida que incide sobre la barrera.

Caso E> Se utiliza en caso en que la energa de las partculas es mayor que la energa de barrera

2.4.4 Caractersticas de corriente-voltaje

La corriente es como un rio Es la cantidad de carga elctrica C que pasa a travs de un punto por segundo

El voltaje es como un lago Si inclinamos el lago se crea una diferencia de potencial. Va a existir un punto con mayor potencial y otro con menor.

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