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Nota: Las capturas e informacin contenida en esta presentacin corresponden a la versin LTSpice IV v4.16b (25/09/2012)
Universidad de Oviedo - Escuela Politcnica de Ingeniera de Gijn
Paso 2: Especificacin del tipo de anlisis y simulacin Paso 3: Anlisis de resultados Tipos de Anlisis y ejemplos
Tecnologa Electrnica
Visin general del proceso de Ingeniera Asistida por Computador (CAE) en electrnica
Diseo de tarjetas de circuito impreso
Captura de esquemas
Simulacin
IDEA
Esquema elctrico
Extraccin de parsitos
Tecnologa Electrnica
La simulacin en electrnica
La simulacin permite verificar el funcionamiento de un determinado diseo elctrico o electrnico, antes de construirlo Permite decidir cambios y detectar errores sin necesidad de tocar el hardware. Cuanto ms tarde se detecten los errores o la necesidad de cambios, ms coste tendrn los mismos. Los cambios en el circuito simulado son rpidos y baratos. La verificacin final, en cualquier caso, debe realizarse sobre un prototipo de laboratorio en el que se realizarn todas las medidas y pruebas necesarias Es un banco de pruebas software en el que se puede probar un montaje y tomar medidas virtuales
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Proceso completo
Especificaciones de funcionamiento
Proceso de simulacin
SIMULADOR
NO
Cumple Especificacin?
Resultados
Modelos de componentes
S
PROTOTIPOS Cumple Especificacin?
NO ?
PRODUCCIN
S
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Simulacin
Tipo de Simulacin
Anlisis de Resultados
Diagramas de representacin
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Barra de estado Indica adems la accin que el programa espera del usuario en cada momento
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Paso 1: Descripcin del Circuito: elementos del circuito Descripcin del entorno de trabajo
Se dispone de varios editores: Editor de esquemas (*.asc)
Se abre con: File New Schematic Tambin se lanza al abrir un esquema
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NOTA: Al guardar el esquema (File Save), hay que tener permiso de escritura, por lo que, segn los casos, habr que cambiar de la carpeta donde se guarda por defecto (Archivos de programa\LTC\LTspiceIV) a una carpeta con permisos. Se recomienda crear una carpeta para cada esquema, ya que TODOS los ficheros relacionados (.raw, .net, etc) se guardarn en esa carpeta
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Ahora se puede empezar a editar el esquema, los elementos disponibles se encuentran en el menu Edit, y algunos de ellos en la barra superior
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Directivas y opciones de simulacin: Permiten establecer las opciones de simulacin y definir directivas para controlar algunos aspectos:
- Spice Directive (Directiva Spice. Existen diferentes directivas que se leen al simular) - Spice Analysis (Define el anlisis a realizar. Accesible tambin desde Simulate Edit simulation cmd) Universidad de Oviedo - Escuela Politcnica de Ingeniera de Gijn
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Label Net
Hilos de conexin
Masa
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Para colocar cualquier componente (resistencia, bobina, condensador, diodo u otros componentes) se selecciona la opcin correspondiente y se arrastra al rea de dibujo, volviendo a hacer clic en el botn de seleccin para colocarlo en su posicin final. Es posible girar (CTRL+R) o hacer la imagen especular (CTRL+E) mientras se arrastra el componente antes de colocarlo. Despus de colocarlo se pueden editar sus propiedades, colocndose sobre l y pulsando el botn derecho: un men permite editarlo Despus de colocar los componentes se procede a su conexionado mediante hilos elctricos ( Draw Wire). OJO: no sirven las lneas dibujadas como objetos grficos. Las etiquetas de identificacin de nodos ( la visualizacin de valores posteriormente Label Net) permiten identificarlos para
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Transistores bipolares
NPN (npn,npn2,npn3, npn4)
Transistores de unin
Transistores MOSFET
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Lineas de transmisin
Lnea de transmisin sin prdidas (tline) Lnea de transmisin con prdidas (ltline)
Otros
MESFET (mesfet) PNP lateral (lpnp)
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Unidades K = k = kilo MEG = mega m = M = milli u = U = micro G = g = giga T = t = tera n = N = nano p = P = pico f = F = femto
Los elementos base estndar estn guardados en la carpeta \lib\cmp dentro de la carpeta de instalacin, por defecto Archivos de programa\LTC\LTspiceIV\lib\cmp Los ficheros standard.* contienen los modelos estndar de TODOS los elementos bsicos Universidad de Oviedo - Escuela Politcnica de Ingeniera de Gijn
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Al escoger el diodo, se usar el modelo .model (definido en el fichero standard.dio para el caso del diodo). Si se agregan aqu modelos se usarn directamente por el simulador Universidad de Oviedo - Escuela Politcnica de Ingeniera de Gijn
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Modificando los parmetros del modelo por defecto que nos interesen (directiva .model en el esquema) Incluyendo un fichero con la definicin del modelo (directiva .include) Utilizando libreras de componentes (ficheros .lib con definiciones de modelos, que se pueden usar mediante la directiva .lib
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EXP. Exponencial. Ajustables los valores iniciales, finales y constantes de tiempo SFFM. Fuente de FM modulada por una sola frecuencia PWL. Definida por puntos PWL FILE. Idem que PWL pero definida en un fichero exterior
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Al editar una fuente, por defecto es de continua (DC). En simulaciones DC es necesario definir este valor.
Valor de continua Resistencia de salida (serie)
Para generar una forma compleja, seleccionamos Advanced Tras seleccionar el tipo, se ajustan los parmetros
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V1
Von[V]=5
Ncycles=2
t
Tont [s]=2,5
Vinitial[V]=-5 Tdelay[s]=6
Tperiod[s]=20
Tfall [s]=1,5
Trise [s]=2
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Ph[deg]=Desfase inicial
Tdelay(s) DC offset[V] t
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Paso 2: Simulacin
Tipos de Anlisis Tras la descripcin del circuito, se debe especificar en qu condiciones se quiere realizar la simulacin: el tipo de anlisis El tipo de simulacin a realizar aparece en el esquema como si fuera una directiva Ejemplo: Las simulaciones posibles se seleccionan con: - Edit Spice Analysis o bien - Simulate Edit simulation cmd Tipos de anlisis posibles: Transient: Evolucin en el tiempo AC Analysis: Anlisis en frecuencia DC Sweep: Barrido de continua Noise: Anlisis de ruido DC Transfer: Funcin de transferencia de continua DC op pnt: Punto de funcionamiento
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Paso 2: Simulacin
Ejecutar la simulacin - Una vez que se ha especificado el esquema y el tipo de anlisis que se desea realizar, se lanza la simulacin: Simulate Run o en el menu - En el caso de existir errores, aparecern ventanas informando de los errores o avisos y, al acabar, se abrir un archivo *.log, con el resumen de los errores. - Si no hay errores, se abrir una ventana de visualizacin de resultados (el archivo *.log tambin se crea por si se quiere ver, pero no se abre) - Segn los casos, la ventana de visualizacin puede ser un simple fichero de texto o una ventana grfica en la que visualizar formas de onda Posibles formas en que se muestran los resultados: Tabular: un fichero tipo texto muestra la lista de valores Cartesiano: Representa la relacin entre dos magnitudes.
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Ajustes de los ejes Permite agregar objetos grficos para documentacin (texto, lneas, etc)
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Este es un anlisis en rgimen permanente y en continua en el que se calculan las tensiones en los nodos y las corrientes en las ramas del circuito. Es una simulacin que puede servir para verificar el punto de funcionamiento de los semiconductores en un determinado circuito Ejercicios del tpo: obtngase el punto de funcionamiento del diodo y el zener
1N750 Vz = 4,7 V
1 KW
2 KW
D1
15 V
D2 2 KW 1 KW
Visualizacin de resultados:
Al terminar la simulacin, se abre una ventana con los resultados de tensiones y corrientes en todos los nodos Puede visualizarse posteriormente, abriendo el archivo .raw de datos correspondiente
Pueden verse las corrientes que atraviesan todos los elementos del circuito
Para visualizar la corriente por un elemento basta poner el cursor encima: se muestra la corriente y la potencia disipada en la barra de estado Para visualizar el valor de tensin en un nodo, basta con pasar el cursor por encima: nos indica el nombre del nodo y la tensin
Es un anlisis que permite realizar mltiples simulaciones, modificando el valor de las fuentes de continua presentes en el circuito. Se realiza un barrido desde el valor inicial al valor final, modificando poco a poco el valor. Como aplicacin, se pueden obtener las curvas caractersticas de un dispositivo obteniendo toda una serie de puntos de funcionamiento en continua (repitiendo anlisis del tipo DC) que se representan grficamente Se pueden realizar barridos mltiples para obtener curvas caractersticas dependientes de varios parmetros. En ese caso, se realizan barridos anidados. El parmetro que se barre, puede modificarse de manera lineal, logartmica, o bien con una lista de valores que se especifican al definir la simulacin
Ejemplo: Obtencin de las curvas caractersticas de salida de un transistor bipolar npn Se realizarn varios anlisis DC modificando la tensin colector-emisor (Vce) como primer parmetro de barrido y a su vez, haremos varias repeticiones de ese barrido, tomando como segundo parmetro la corriente de base (Ib)
Barrido principal: modificaremos la tensin colector-emisor (Vce) para dibujar una curva Barrido secundario: modificamos la corriente de base (Ib), asignndole valores diferentes para que dibuje varias curvas
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Tecnologa Electrnica Tipos de Anlisis: DC Sweep (Barrido de continua) Preparacin de la simulacin: Seleccionamos DC sweep (Barrido en continua)
Permite anidar hasta tres barridos Fuente a barrer Tipo de barrido Valor inicial Valor final Incremento entre valores Directiva de simulacin visible en el esquema
Visualizacin de resultados:
Al terminar la simulacin, se abre la ventana con los resultados Es un diagrama cartesiano que representa los datos contenidos en el fichero de datos (.raw) - Eje X: Primer parmetro de Barrido (VCE) - Eje Y: Se selecciona la traza a representar (tensin, corriente) de la forma ya vista
Se trata de un tipo de anlisis que permite simular el comportamiento del circuito en el dominio del tiempo. Permite obtener la evolucin en el tiempo de tensiones y corrientes en el circuito desde un instante inicial hasta un instante final especificado. Preparacin de la simulacin: Seleccionamos Transient (Transitorio)
Tiempo a simular Instante en que se empiezan a guardar datos Paso de tiempo mximo Permite no calcular la condicin inicial Directiva de simulacin visible en el esquema
Tecnologa Electrnica Tipos de Anlisis: simulacin transitoria Si hay bobinas y condensadores en el circuito se pueden especificar unos valores iniciales de partida (t=0) mediante la directiva .IC Ejemplo: .IC V(VOUT)=4 fuerza a que en t=0 V(VOUT)=4 V Visualizacin de resultados:
Al terminar la simulacin, se abre la ventana con los resultados Es un diagrama cartesiano que representa los datos contenidos en el fichero de datos (.raw) - Eje X: Tiempo - Eje Y: Se selecciona la traza a representar (tensin, corriente) de la forma ya vista
El empleo de componentes semiconductores reales (en las libreras) puede generar ms problemas de convergencia que cuando se emplean componentes ideales (en componentes no lineales) Los tiempos de simulacin pueden ser muy superiores en el caso de que se empleen componentes reales respecto al empleo de componentes ideales, especialmente si estn modelados mediante subcircuitos En el caso de simulaciones transitorias, la asignacin de las condiciones iniciales puede ayudar a establecer el punto de polarizacin inicial a partir del cual se evitan problemas de convergencia. En caso de problemas es posible modificar algunos parmetros de la simulacin referidos a la forma y precisin de clculos para facilitar la convergencia (ToolsControl panelSPICE) Elementos demasiado ideales (L, p.e.) pueden dar problemas: la introduccin de parsitos (RSERIE, p.e.) puede facilitar la convergencia
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