eman ta zabal zazu

Universidad del Pas Vasco

Departamento de Arquitectura y Tecnologa de Computadores
upv

ehu

TRANSISTORES

PED 2002-03

Smbolo. Caractersticas
Clasificacin de los transistores
Transistores bipolares
Transistores unipolares

4.1

Caractersticas. Smbolo

Elemento triterminal: Terminal de control

Magnitud control: tensin o corriente
Funcionamiento especfico: dos uniones PN
Funcionamiento en rgimen permanente:
componentes de los circuitos digitales

terminal de
control i

T.C.

vT.C.

A
+
vAB

IQ 3
IQ 2
IQ 1

PED 2002-03

VQ

v
4.2

Clasificacin de los transistores

Transistores bipolares: BJT
Corriente: movimiento de electrones y huecos.
Magnitud de control: corriente
Dos tipos: NPN y PNP

Transistores unipolares o de efecto de campo: FET

Campo elctrico influye en el comportamiento
Corriente: movimiento slo de electrones o huecos, segn el tipo
de transistor
Magnitud de control: diferencia de potencial
JFET
FETMOS: de canal N (electrones); de canal P (huecos)

Transistores uniunin: UJT

Muy especiales. No los veremos

PED 2002-03

4.3

TRANSISTORES BIPOLARES

Magnitud de control: corriente

Terminal central: corriente de control. Terminal base: B
Terminal izquierda: emisor, E
Terminal derecha: colector, C

A
i T.C.

PED 2002-03

+
vAB

B
P

i f (v AB , iT .C . )
N

4.4

Tipos de transistores bipolares

transistor bipolar NPN

transistor bipolar PNP

C

colector

colector

base

emisor

base

emisor

Sentido flecha: de P hacia N

PED 2002-03

4.5

Magnitudes en los transistores bipolares

Seis magnitudes a relacionar
Corriente en cada terminal: IC, IB , IE
Diferencias potencial entre terminales: VBE, VBC , VCE
Dos ecuaciones de comportamiento
Convenio para el sentido de las corrientes y signo de las tensiones

NPN
VBC

IB
B

+
+
VBE

IC

VCE

IE
PED 2002-03

PNP

IB
B

VCB

VEC

VEB

IC

+
IE
4.6

Ecuaciones de comportamiento de los t. bipolares

IC

RC
VBC

RB
VBB

PED 2002-03

IB
IB

VBE

IC

IC

VCE

VCC

IE

IC

4.7

Ecuaciones de comportamiento de los t. bipolares

I E I B IC
V BB RB I B V BE

IC f (VCE , I B )

V BC VBE VCE

V CC RC IC VCE

I B g(VBE , VCE )

Ecuaciones comportamiento: anlisis experimental

Simplificando: punto operacin del transistor Q(IB, IC,

PED 2002-03

VBE, VCE)

4.8

Curvas caractersticas: dos

I B g(VBE , VCE )
VCE poca influencia. Se simplifica.

IB

IB

VBE

PED 2002-03

IB g( VBE )

VBE

4.9

IC f (VCE , I B )
IC

mA
IB 100 mA

12

IB 80 mA

10

IB 60 mA

8
6

IB 40 mA

IB 20 mA

2
0

PED 2002-03

10

VCE

4.10

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar

Un transistor tiene dos uniones PN, 4 posibles polarizaciones:
unin BE
unin BC

IP
IP

IP
DP

DP
IP

DP
DP

Distinguir entre E y C?

Polarizacin relativa determina quin funciona como E y quin como C

E y C no son exactamente iguales a nivel fsico
Funcionamiento directo o normal (NPN): VBE> VBC
Funcionamiento inverso (NPN): VBE< VBC
Habitualmente: funcionamiento directo
Posible con tres de las cuatro opciones
Tres zonas de funcionamiento
Corte
Regin Activa Normal (R.A.N.)
Saturacin

PED 2002-03

4.11

1. Corte
BE y BC en I.P.
Por tanto VBE 0,7 V y VBC 0,7 V (se suele comprobar slo VBE 0,7 V)
En I.P. no circula corriente, por tanto: IC = 0 A IB = 0 A (por tanto IE = 0 A)
Ya tenemos las dos ecuaciones que nos faltaban

Resumiendo:

condicin
VBE 0,7 V

PED 2002-03

ecuacin

IC = 0 , IB = 0

4.12

2. Regin Activa Normal (R.A.N.)

BE en D.P., BC en I.P
Slo una unin en D.P. pero corriente en ambas. An as IB << IC
BE en D.P., por tanto, VBE = 0,7 V (una ecuacin ms)
Otra ecuacin: analizando las curvas caractersticas del transistor

Conclusin anlisis: IC/IB = ( nueva ecuacin, ganancia de corriente)

Vara segn el tipo de transistor. Consideraremos 100
Verificacin de esta zona implica comprobar unin BC en I.P: comprobar
VBC 0,5 V (no 0,7 como en una unin aislada). Equivalente: VCE 0,2 V

condicin
VCE 0,2 V
PED 2002-03

ecuacin
IC
VBE = 0,7 V ,
IB
4.13

3. Saturacin
BE y BC en D.P.
Corriente en las dos uniones, IB mayor que antes
Ambas uniones en D.P.: VBE = 0,7 V y VCE = 0,2 V
No relacin constante anterior

Verificacin de esta zona implica comprobar IC/IB

condicin

IC

IB

PED 2002-03

ecuacin

VBE = 0,7 V
VCE = 0,2 V

4.14

Zonas de funcionamiento en la curva caracterstica

mA IC

IB 100 mA

12

8
6

IB 80 mA

Saturacin

10

IB 60 mA

R.A.N.

IB 40 mA

IB 20 mA

2
0

PED 2002-03

Corte
0

10

VCE V

4.15

Aproximacin realizada

IC

I B4

I B3
I B2
I B1
0,2 V
PED 2002-03

VCE
4.16

Resolucin grfica de circuitos con transistores

Conocemos curvas (IB ,VBE) y (IC ,VCE) del transistor
Circuito de entrada

V BB

IB

RB

+
V BE

"carga" del
circuito de
entrada

V BB RB I B V BE

V BB
1
IB

V BE
RB
RB
PED 2002-03

RECTA DE CARGA de entrada

4.17

 Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (IB ,VBE)

IB

VBE
Obtenemos punto de operacin de entrada: (IBQ ,VBEQ)

PED 2002-03

4.18

 Circuito de salida

V CC
IC

RC

C
"carga" del
circuito de
salida
E

+
V CE

V CC RC IC VCE

VCC
1
IC

VCE
RC
RC

PED 2002-03

RECTA DE CARGA de salida

4.19

 Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (IC ,VCE)

IC

IB5
IB4
IB3
IB2 =IBQ
IB1

VCE
Obtenemos punto de operacin de salida
Con ambos puntos, tenemos el punto de operacin del transistor
PED 2002-03

4.20

TRANSISTORES UNIPOLARES O DE EFECTO DE CAMPO

Campo elctrico influye en el comportamiento

Corriente: movimiento slo de electrones o huecos, segn tipo
Magnitud de control: diferencia de potencial
JFET
FETMOS: de canal N (electrones); de canal P (huecos)

A
T.C.

i f (v AB, v T.C. )

vT.C.

PED 2002-03

+
vAB

B
4.21

JFET, transistores de efecto de campo de unin

transistor JFET de canal N

transistor JFET de canal P

D drenador

D drenador
G

puerta

S fuente

puerta

S fuente

Otros smbolos
t ransi stor JFET de canal N

PED 2002-03

t ransi stor JFET de canal P

4.22

Magnitudes de los JFET

Tres magnitudes para analizar comportamiento: ID, VDS y VGS (t. control)
Funcionamiento adecuado: dos uniones PN en I.P
Canal N: VGS < 0. Canal P: VGS > 0
Portadores de carga de fuente hacia drenador, generan ID
Corriente IG =0. Por tanto: IS= ID

canal P

canal N

IG 0

ID +

VDS

VGS

(< 0)

PED 2002-03

(> 0)

IG 0

VGS

VSD

G
D

ID

4.23

Curvas de transferencia en los JFET

Punto de operacin: Q( IDQ, VDSQ, VGSQ)
Corriente ID depende de las dos tensiones: ID = f(VGS,VDS)
Circuito para analizar el funcionamiento

ID

IG 0
VGG +

(variable)

PED 2002-03

D
G

VDS

VGS

RD
+

VDD

(variable)

4.24

 Dos curvas

* Curva 1: manteniendo VDS, ID sat= f(VGS)

ID

IDSS
IDsat

V GSoff ( < 0 siempre)V GSQ

VGS
I Dsat I DSS 1
VGSoff

V GS

IDSS corriente de saturacin (VGS=0)

VGSoff tensin de estrangulamiento (canal desaparece, ID = 0)

PED 2002-03

4.25

* Curva 2: para distintos valores de VGS, ID = f(VDS)

IDSS

ID

V GS 0 V
Saturacin

V GS 1 V
V GS 2 V

IDsat
Vgs=-2

Corte
VDSsatVDSS

V GS VGSoff ( < 0 )
V DS

Vgs=-2

IDSS corriente de saturacin (VGS=0)

VGSoff tensin de estrangulamiento (canal desaparece, ID = 0)

PED 2002-03

4.26

Tres zonas de funcionamiento:

condicin

ecuacin

CORTE:

VGSQ VGSoff

ID = 0

ZONA OHMICA:

VGSoff VGSQ 0
VDSQ VDSsat

ID = VDSS / RDS
RDS = VDSS / IDSS

SATURACIN:

VGSoff VGSQ 0
VDSQ VDSsat

ID = K IDSS

VGSQ
K 1

GSoff

VDSS tensin para estrangular el canal : |VGSoff|

VDSsat frontera entre zona hmica y saturacin (no constante)
2

V DSsat
PED 2002-03

VGSQ
1
VGSoff
V

GSoff
4.27

MOS, transistores metal-xido-semiconductor

NMOS de enriqueci mi ent o

PMOS de enriquecimiento

drenador

drenador

puert a

s ust rat o

puerta

PMOS de empobrecim iento

drenador

drenador

puerta

sustrato

fuente
PED 2002-03

fuente

fuent e
NMOS de empobrecimiento

sustrato

puerta

sustrato

fuente
4.28

 Otros smbolos

transistores de enriquecimiento
PMOS
NMOS

t ransi s tores de empobreci mient o

P MOS
NMOS

Enriquecimiento: D y S fsicamente separadas

Empobrecimiento: entre D y S siempre hay canal
B, sustrato (bulk). No es un terminal, sino la base fsica sobre la que se
ha construido el MOS. Normalmente se conecta a S

PED 2002-03

4.29

Magnitudes de los MOS

Tres magnitudes para analizar comportamiento: ID, VDS y VGS (t. control)
Corriente IG =0 siempre, no dependiendo de la polarizacin
Polarizacin adecuada para crear canal entre S y D (enriquecimiento) o
para estrechar el canal existente (empobrecimiento)

PMOS de enriquecimiento
(< 0)

NMOS de enriquecimiento

IG 0

+V

+
VDS

GS

(> 0)

PED 2002-03

ID

IG 0

VGS

VSD

G
D

ID

4.30

Curvas de transferencia en los MOS

Punto de operacin: Q( IDQ, VDSQ, VGSQ)
Corriente ID depende de las dos tensiones: ID = f(VGS,VDS)
Obtenemos esa curva experimentalmente, al igual que antes, con un
circuito similar

* Curva 1: manteniendo VDS, ID = f(VGS) (transistor en saturacin)

NMOS de enriquecimiento

ID

V GS V T
I D I Don

V GSon VT

IDon

VT
PED 2002-03

V GSon

V GS
4.31

* Curva 2: para distintos valores de VGS, ID = f(VDS)

ID

NMOS de enriquecimiento

V GSQ

IDsat

V DSsat

PED 2002-03

V GS 10 V
Saturacin

Zon
a

hm

i ca

V GS 15 V

Corte

V GS 5 V
V GS VT
V DS

4.32

MOS enriquecimiento, tres zonas de funcionamiento:

condicin

ecuacin

CORTE:

VGSQ VT

ID = 0

ZONA OHMICA:

VGSQ VT
VDSQ VDSsat

ID = VDSS / RDS

SATURACIN:

VGSQ VT
VDSQ VDSsat

ID = K IDon

PED 2002-03

VGS VT
K

V
GSon
T

4.33