Tema07 Diodos Aplicaciones Del DiodoII2011

Universidad de Oriente
Departamento de Fsica
Electrnica para Qumicos
Diodos y Aplicaciones del Diodo
Cuman, febrero 2011

Prof. Jos Mendoza
06/06/15
Teora del Diodo

El trmino diodo, obedece al hecho de que se trata de un dispositivo electrnico
con dos terminales o electrodos: la terminal identificada como positiva o nodo,
y la terminal negativa o ctodo
Diodo Ideal
Las caractersticas de un diodo ideal son las mismas que la de un interruptor
que slo permite la conduccin de corriente en una sola direccin.
06/06/15
Materiales Semiconductores
El prefijo semi es aplicado normalmente a un rango de nivel entre dos lmites.
El trmino conductor se aplica a cualquier material que permite un flujo
generoso de carga cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se
aplica a travs de sus terminales.
Un aislante o dielctrico es un material que presenta un nivel muy inferior
de conductividad cuando se encuentra bajo presin de una fuente de voltaje
aplicada.
Un semiconductor, por lo tanto, es un material que posee un nivel de
conductividad que se localiza entre los extremos de un dielctrico y de un
conductor.
Boylestad, 2003
06/06/15
Materiales Semiconductores
Inversamente relacionado con la conductividad de un material, se encuentra la
resistencia al flujo de carga o corriente, es decir, mientras mayor sea el nivel de
conductividad, menor ser el nivel de resistencia.
DIFERENCIAS CUANTITATIVAS
Conductividad ( m)-1
< 10-8
10-8
10-8 -106
106 -108
06/06/15
aislantes
Cuarzos, plsticos,..
Semiconductores intrnsecos
Silicio, germanio
Semiconductores
Si o Ge con impurezas de
Ga, In, Sb, P, etc.
extrnsecos
conductores
Cobre, plata,...
Diferencias Conductor-Semiconductor
108 (m)-1
Conductividad
Conductividad
Variacin de la resistencia elctrica con la temperatura
Cu
106 (m)-1
Ge
T(K)
T(K)
El Si y el Ge a temperaturas muy bajas son aislantes, ya que todos los e- estn ligados
a sus tomos. Al aumentar T, debido a la agitacin trmica se rompen algunos enlaces,
i.e., algunos e- quedan libres para moverse por el cristal. La falta de un e- en un enlace
covalente se comporta como una carga e+, denominada hueco.
06/06/15
Diodo Semiconductor
Diodo semiconductor: Dispositivo formado por dos capas de material slido
cristalino (usualmente Germanio o Silicio), cuya caracterstica principal es que
puede permitir el paso de la corriente elctrica a travs de l, en determinadas
condiciones, mientras que puede interrumpirla en otras.
Una capa llamada nodo o material tipo p, se identifica como la terminal
positiva; mientras que la segunda, es el ctodo o material tipo n y se identifica
como la terminal negativa.
ctodo
nodo
p
n
unin
06/06/15
Diodo Semiconductor
Unin pn unin np
En el momento en que los dos materiales se unen, los electrones y los huecos
en la regin de unin se combinar, y como consecuencia se originar una
carencia de portadores en la regin cercana a la unin.
Esta regin de iones positivos y negativos descubiertas se denomina
regin de agotamiento o zona de carga espacial (z. c. e.) o vaciado
debido a la disminucin de portadores en ella.
Ya que el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicacin de un voltaje a
travs de sus terminales ofrece tres posibilidades: sin polarizacin (VD = 0V),
polarizacin directa (VD > 0 V), y polarizacin inversa (VD < 0 V).
06/06/15
Diodo Semiconductor
Unin pn unin np
Los diodos pn son uniones de dos
materiales semiconductores tipos p y n,
(o unin pn). Ninguno de los dos
cristales por separado tiene carga
elctrica, ya que en cada cristal, el
nmero de electrones y protones es el
mismo.
Al unir los cristales p y n, se manifiesta
una difusin de electrones del cristal tipo
n al tipo p (Je), vase figura.
06/06/15
Diodo Semiconductor
Diodo sin polarizacin (VD = 0 V)
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial
(z.c.e), de agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferenta de potencial
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V para los cristales de
silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el
otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
06/06/15
Diodo sin Polarizacin

Potencial de barrera
La capa de agotamiento acta como una barrera para la
posterior difusin de electrones libres a travs de la unin.
La energa de la capa de agotamiento aumenta con cada
cruce de electrn hasta que llega al equilibrio; en este punto
la repulsin interna de capa de agotamiento detiene la
difusin posterior de electrones libres a travs de la unin.
La diferencia de potencial a travs de la capa de
agotamiento se llama potencial de barrera. Este potencial
de barrera, a una temperatura de 25 C, es igual a 0,7 V
para diodos de silicio (los diodos de germanio tienen un
potencial de barrera de 0,3 V).
06/06/15
10
Polarizacin Directa
Diodo con polarizacin directa (VD > 0 V)
Si el terminal positivo de una fuente se conectado al material tipo p y el terminal
negativo de la fuente es conectado al material tipo n, eso es Polarizacin Directa o
encendido.
Un diodo semiconductor se encuentra en
polarizacin directa cuando se establece una
asociacin tipo p con positivo y tipo n con
negativo.
(Boylestad, 2003)
En el caso de la polarizacin directa, la batera disminuye la barrera de potencial de la
zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la
unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad, vase figura.
06/06/15
11
Polarizacin Directa
Diodo con polarizacin directa (VD > 0 V)
Aqu la corriente circula con facilidad, debido a que la fuente obliga a que los electrones
libres y huecos fluyan hacia la unin. Al moverse los electrones libres hacia la unin, se
crean iones positivos en el extremo derecho de la unin que atraern a los electrones
hacia el cristal desde el circuito externo.
Para que un diodo est polarizado directamente, se tiene que conectar el polo positivo
de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones se
puede observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
06/06/15
12
Polarizacin Inversa
Diodo con polarizacin inversa (VD < 0 V)
Se invierte la polaridad de la fuente continua, el diodo se polariza en inversa, el terminal

negativo de la batera se conecta al lado p y el positivo al lado n, esta conexin se
denomina Polarizacin Inversa.
El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y
el terminal positivo atrae a los electrones libres, as
los huecos y los electrones libres se alejan de la
unin y la z.c.e. se ensancha.
A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la capa de agotamiento deja
de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensin inversa aplicada (V),
entonces los electrones y huecos dejan de alejarse de la unin.
A mayor la tensin inversa aplicada mayor ser la z.c.e.
06/06/15
13
Polarizacin Inversa
Diodo con polarizacin inversa (VD < 0 V)
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la
zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona
hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al
efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin
produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa
de saturacin.
Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como
su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo.
06/06/15
14
Polarizacin
UNIN EN CIRCUITO ABIERTO
* Aparece un potencial en la unin (V0)
* Existe un equilibrio dinmico en la unin
POLARIZACIN INVERSA
* Aumenta la anchura de la zona de transicin o carga espacial
* El potencial de la unin aumenta
* Corriente inversa I0 debido a portadores minoritarios
POLARIZACIN DIRECTA
* Disminuye la anchura de la zona de transicin o carga espacial
* El potencial de la unin disminuye
* Corriente directa debida tanto a huecos como a electrones
06/06/15
15
Curva Caracterstica del Diodo

Curva caracterstica del diodo:
Tensin umbral, de codo o de disparo (VV)
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa
coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado.
Al polarizar directamente el diodo, la
barrera de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la corriente
ligeramente, alrededor del 1 % de la
nominal.
06/06/15
16

Corriente mxima (Imx)
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (IS)
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la
formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se
duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.
Corriente superficial de fugas
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo, esta corriente es funcin
de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente
superficial de fugas.
06/06/15
17

Tensin de ruptura (Vr)
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de
saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo
normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro
tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan
pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material,
menor es la anchura de la zona de carga.
06/06/15
18

Efectos de la temperatura
Puede demostrarse que a tensin constante, la corriente directa del diodo aumenta al
incrementarse la temperatura. Esto se produce ya que el potencial de barrera se reduce
a razn de 2 mV por cada grado Celsius de incremento de temperatura, con lo que las
curvas caractersticas del diodo se desplazan hacia el eje vertical.
La magnitud de la corriente de saturacin inversa Is se incrementar en
una proporcin doble por cada incremento de 10 C en la temperatura.
06/06/15
19

Comparacin entre el silicio y el germanio
Los diodos de silicio tiene un PIV y un ndice de corriente mayores, as como un rango
de temperatura ms amplio que los diodos de germanio.
Los niveles de PIV para el caso del silicio se encuentran cercanos a 1000 V, mientras
que el valor mximo para el caso del germanio se encuentra alrededor de 400 V.
El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura puede elevarse
hasta 200 C, mientras que el germanio posee un nivel mximo mucho menor (100 C).
Las desventajas que tiene el silicio comparado con el germanio es la del mayor voltaje
de polarizacin directa que requiere para alcanzar la regin de conduccin. Este voltaje
se encuentra alrededor de 0,7 V para diodos de silicio comercialmente disponible y de
0,3 V para los diodos de germanio.
06/06/15
20
Ecuacin del Diodo

Ecuacin del diodo
Es posible mediante el empleo de la fsica del estado slido que las caractersticas
generales de un diodo semiconductor se pueden definir con la siguiente ecuacin, tanto
para la regin de polarizacin inversa como para la directa:
VD / TK
I D I s (e
1)
donde: IS = corriente de saturacin inversa.

= 11600/n, aqu n = 1 (Ge) y n = 2 (Si) para niveles relativamente bajos de
corriente y n = 1 tanto para Ge como Si para niveles mayores de corriente del
diodo.
TK = TC + 273.
06/06/15
21
Aproximaciones del Diodo

Primera aproximacin o diodo ideal
Se aproximar el funcionamiento del diodo. Qu hace el diodo? Conduce bien en
polarizacin directa y mal en la inversa. En esencia, un diodo ideal acta exactamente
igual a un conductor perfecto (cero voltaje), cuando se encuentra polarizacin
directamente y como un aislador perfecto (cero corriente) cuando est polarizado
inversamente, como se indica en la figura
06/06/15
22

Modelo Ideal del diodo (Primera aproximacin).
El diodo es considerado como un interruptor sencillo, el cual puede tener
dos nicos estados:
1. Cerrado.
Cerrado Representa al diodo en polarizacin directa y permite el paso de la
corriente a travs de l. Se le considera como un corto circuito.
2. Abierto.
Abierto Representa al diodo en polarizacin inversa y no permite el paso
de la corriente. Se le considera como un circuito abierto.
Su representacin simblica para cada caso es la siguiente:
06/06/15
23

Modelo Ideal del diodo (Primera aproximacin).
Smbolo
Polarizacin
Circuito equivalente
ID
directa
+
I D= 0
inversa
06/06/15
+
24

Modelo Ideal del diodo
(Primera aproximacin)
ID
ID (mA)
Grfica de corriente vs
voltaje (curva caracterstica)
Observar los signos del voltaje de polarizacin
Polarizacin directa
VD (volts)
Polarizacin inversa
ID = 0
-
Observar los signos del voltaje de polarizacin
06/06/15
El diodo conduce en el
momento de tener
polarizacin directa.
25

Segunda aproximacin
La idea es pensar que el diodo es un interruptor en serie con un batera de 0,7 V; si el
voltaje de fuente es mayor de 0,7 V, el interruptor se cierra y el voltaje de diodo es 0,7 V;
si el voltaje de fuente es menor de 0,7 V, o si el voltaje de la fuente es negativa, el
interruptor se abre.
La figura muestra la grfica para la segunda aproximacin. sta indica que no hay flujo
de corriente hasta que aparecen los 0,7 V aplicados al diodo.
06/06/15
26

Modelo simplificado (Segunda aproximacin)
El diodo se representa mediante un interruptor sencillo, en serie con una cada de
voltaje de 0,7 V para silicio y 0,3 V para germanio.
El interruptor puede tener los dos estados considerados en la primera
aproximacin: abierto, en polarizacin inversa; cerrado, en polarizacin directa.
La cada de voltaje se representa como una fuente virtual VT en oposicin al voltaje
de polarizacin.
06/06/15
27

Smbolo
Polarizacin
I
D
VT
+ -
directa
V
V
ID= 0
VT
+ -
inversa
06/06/15
+
28

ID
Polarizacin
del diodo
ID
V
directa
VT
inversa
ID = 0
06/06/15
VD
El diodo conduce despus de
superar la barrera de energa
en la unin, que equivale al VT.
29

Tercera aproximacin
En la tercera aproximacin del diodo se incluye la resistencia macroscpica rB. Como se
dijo anteriormente, el diodo conduce al tener 0,7 V. El voltaje adicional aparece aplicado
a la resistencia macroscpica, de tal manera que el voltaje total del diodo es mayor a
0,7 V.
El circuito equivalente de la tercera aproximacin es un interruptor en serie con una

batera de 0,7 V y una resistencia rB (vase figura).
06/06/15
30

Modelo de segmentos lineales (Tercera aproximacin)
El diodo es considerado como un interruptor sencillo, en serie con una cada de
voltaje de 0,7 V para silicio y 0,3 V para germanio y una pequea resistencia rav,
debida a la estructura fsica del dispositivo, cuyo valor es del orden de unos
cuantos ohms.
El interruptor puede tener los dos estados considerados en la primera
aproximacin: abierto, en polarizacin inversa; cerrado, en polarizacin directa.
La cada de voltaje se representa como una fuente virtual VT en oposicin al voltaje
de polarizacin.
06/06/15
31

smbolo
ID
VT
+
Polarizacin directa
+
06/06/15
Polarizacin inversa
V
VT
rav
I D= 0
rav
+
32

ID
ID
Polarizacin del
diodo
directa
inversa
ID = 0
06/06/15
VT
VD
El diodo conduce despus de

superar la barrera de energa en
+
la unin, que equivale al VT y a
travs de la resistencia rav.
33

Ejemplo
Utilizando la segunda aproximacin para encontrar la corriente del diodo que se indica
en la figura a
Solucin: El diodo est polarizado directamente, por lo que produce una cada de 0,7
V. El voltaje aplicado en el resistor es la diferencia entre el voltaje de la fuente y el
voltaje del diodo (10 V 0,7 V), lo cual es igual a 9,3 V. Por lo tanto, la corriente del
9,3 V
diodo es:
06/06/15
5 k
1,86 mA
34
Anlisis del Diodo

Modelo Ideal:
El diodo usado como un simple indicador on/off.
Conduce o no el diodo?
Se supone, inicialmente que el diodo est conduciendo,
es decir:
vD 0 V
La corriente circulante por el diodo ser
06/06/15
1,5 V
iD
1,5 mA
1000
35
Anlisis del Diodo

...Modelo Ideal:
Ahora se supone que el diodo no est conduciendo, es decir: vD < 0 V
Ya que el diodo est abierto se puede usar la 2da
Ley de Kirchhoff, para este caso:
1,5 vD 1,000iD vD
Pero no circula corriente por la resistencia, por lo que:
vD 1,5 V
Lo que contradice la condicin:

Para el diodo abierto. Por lo tanto, conduce.
06/06/15
36
Transformador
Reduccin de voltaje
La mayora de los equipos electrnicos estn equipados con un transformador como el
de la figura, para elevar o reducir el voltaje de lnea dependiendo sus necesidades.
V2 N 2
V1 N1
En donde V1 = voltaje primario, ya sea rms o pico

V2 = voltaje secundario, ya sea rms o pico
N1 = nmero de vueltas en el devanado primario
N = nmero de vueltas
en el devanado secundario
06/06/15 2
37
Rectificador de Media Onda

Rectificacin
El rectificado de media onda convierte el voltaje de entrada CA a un voltaje de CD
pulsante. En otras palabras, el voltaje en la carga es siempre positivo o cero,
dependiendo de la mitad del ciclo en que se encuentre.
Dicho de otra manera, la corriente de carga circula siempre en la misma direccin; esta
conversin de CA a CD se conoce como rectificacin.
06/06/15
38

Voltaje promedio
Si se desprecia la cada en el diodo, el promedio o valor de CC de la seal de media
onda que se indica en la figura anterior es
VCC 0,318 V2 ( pico )
V2 ( pico )
El voltaje promedio se llama voltaje de CC porque es la lectura del voltmetro de CC al

conectarse a travs del resistor de carga.
Por ejemplo, suponiendo que el voltaje del secundario es 12,6 Vca, el voltaje pico ideal
del secundario es:
V2 ( pico )
12,6V
17,8V
0,707
06/06/15
y el valor promedio
VCC 0,318 (17,8V ) 5,66 V
39

Voltaje inverso pico (PIV)
El valor nominal del voltaje inverso pico (PIV) [o PRV (voltaje reverso pico)] del diodo
tiene una importancia primordial en el diseo de sistemas de rectificacin.
Es indispensable recordar que est es el valor nominal del voltaje que no deber
excederse en la regin de polarizacin inversa o el diodo entrara en la regin de
avalancha o Zener.
Al aplicar la ley de Kirchhoff, el valor nominal del
PIV del diodo debe igual o exceder el valor pico
del voltaje aplicado. Por lo tanto,
valor nominal PIV Vm
06/06/15
rectificador de media onda
40
Rectificador de Onda Completa

Efecto del secundario con derivacin central
La figura ilustra un rectificador de onda completa.
Durante la mitad positiva del ciclo del voltaje del

secundario, el diodo superior se polariza directamente
y el diodo inferior se polariza inversamente; por
consiguiente, la corriente pasa a travs del diodo
superior, el resistor de carga y la mitad superior del
devanado.
06/06/15
41

Efecto del secundario con derivacin central
Durante la mitad negativa del ciclo, la corriente pasa a travs de la parte inferior del
diodo, el resistor de carga, y la mitad inferior del devanado.
La red de la figura ayudar a determinar el PIV neto para cada
diodo de este rectificador de onda completa. Al aplicar el
voltaje mximo para el voltaje secundario y para Vm como lo
establece la malla adjunta, dar como resultado:
PIV Vsec undario VR Vm Vm

PIV 2Vm
06/06/15
Transformador CT, rectificador

de onda completa
42

Voltaje promedio
El promedio o valor de CC de la salida rectificada de onda completa, es dos veces la
salida de la rectificacin de media onda excitada por el mismo voltaje del secundario:
VCC 0,636 Vsal ( pico )
2 Vsal ( pico )
Corriente nominal de diodos

Dado un voltaje en la carga de CC de 5,66 V y una resistencia de carga de 10 , la
corriente de carga de CC es:
I CC
06/06/15
5,66 V
5,66 A
10
43

Frecuencia
En un rectificador de media onda el periodo de salida es igual al de entrada, lo cual
significa que la frecuencia de salida es la misma que la frecuencia de entrada; en otras
palabras, se obtiene un ciclo en la salida por uno de entrada.
Un rectificador de onda completa es diferente. El periodo de salida es la mitad del
periodo de entrada. Es decir, ocurren dos ciclos completos de salida para cada ciclo de
entrada.
Esto se debe a que el rectificador de onda completa ha invertido la parte negativa del
ciclo. Como resultado, la salida de un rectificador de onda completa tiene una frecuencia
el doble de la frecuencia de entrada.
06/06/15
44
Rectificador Puente de Onda Completa

Puentes de diodos
El nivel de CD obtenido de una entrada senoidal se puede mejorar un 100% mediante la
utilizacin de un proceso llamado rectificador de onda completa.
La figura muestra un rectificador puente; durante la

mitad positiva del ciclo de voltaje del secundario los
diodos D2 y D3 estn polarizado directamente, por lo
que el voltaje en la carga tiene la polaridad indicada.
06/06/15
45

Puentes de diodos
Durante la parte negativa del ciclo, los diodos D1 y D4
estn polarizados directamente; de igual forma, el
voltaje en la carga tiene la polaridad de menos a ms
indicada.
Voltaje promedio
El voltaje pico en la carga es:
Vsal ( pico ) V2( pico )
Ntese que todo el voltaje del secundario aparece a travs del resistor de carga; sta
es una de las razones por las que el puente rectificador es mucho mejor que el
rectificador de onda completa estudiado anteriormente, en donde slo la mitad del
voltaje del secundario alcanza la salida.
06/06/15
46

Voltaje promedio
Un transformador con derivacin central que produzca voltaje iguales en cada mitad de
los devanados secundarios, es difcil y costoso de construir.
Utilizando el rectificador puente, el diseador elimina la necesidad de tener una
derivacin central exacta; el ahorro es mayor que el costo de dos diodos adicionales.
Como la salida del puente es una seal de onda completa, el valor de CC o su
promedio es:
VCC 0,636 Vsal ( pico )
06/06/15
47

Especificaciones y frecuencia
Dado un voltaje en la carga de CC de 11,3 V y una resistencia de carga de 10 , la
corriente de CC en la carga es 1,13 A. Debido a que cada uno de los diodos conduce
slo la mitad de un ciclo, la I0 nominal de los diodos debe ser por lo menos la mitad de
la corriente de CC, o sea 0,55 A.
En la figura, el diodo D2 idealmente est en corto y el diodo D4 est abierto. Sumando
los voltajes en la malla externa dan:
V2 ( pico ) PIV 0 0
en donde 0 en el lado izquierdo de la ecuacin es el voltaje ideal a travs de D2. por lo
tanto, el voltaje inverso pico a travs de D4 es:
PIV V2 ( pico )
06/06/15
48
Filtro con Capacitor de Entrada

Filtro para media onda
La figura muestra un filtro con capacitor de entrada.
I
Vriz
fC
En donde Vriz = voltaje pico a pico del rizado
I = corriente de carga de CC
f = frecuencia del rizado
C = capacitancia
06/06/15
49
Aplicaciones de Diodos
Aplicaciones de diodos
Detectores reflexin de
objeto
Detectores reflexin de espejo

06/06/15
Detectores de barrera
50
Aplicaciones de Diodos
Aplicaciones de diodos
Sensores de luz: Fotmetros
Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color
Objetivo
LED azul
LED verde
LED rojo
06/06/15
Fotodiodo
LED
51
"CUANDO HABLES, PROCURA QUE TUS PALABRAS

SEAN MEJOR QUE EL SILENCIO".
Proverbio Hind.
06/06/15
52

Tema07 Diodos Aplicaciones Del DiodoII2011

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Tema07 Diodos Aplicaciones Del DiodoII2011

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Universidad de Oriente

Diodos y Aplicaciones del Diodo

Cuman, febrero 2011

Electrnica para Qumicos

Teora del Diodo

Electrnica para Qumicos

Electrnica para Qumicos

Variacin de la resistencia elctrica con la temperatura

Electrnica para Qumicos

Electrnica para Qumicos

Electrnica para Qumicos

Electrnica para Qumicos

Electrnica para Qumicos

Diodo sin Polarizacin

Electrnica para Qumicos

Electrnica para Qumicos

Electrnica para Qumicos

Se invierte la polaridad de la fuente continua, el diodo se polariza en inversa, el terminal

Electrnica para Qumicos

Electrnica para Qumicos

Electrnica para Qumicos

Curva Caracterstica del Diodo

Electrnica para Qumicos

Curva Caracterstica del Diodo

Electrnica para Qumicos

Curva Caracterstica del Diodo

Electrnica para Qumicos

Curva Caracterstica del Diodo

Electrnica para Qumicos

Curva Caracterstica del Diodo

Electrnica para Qumicos

Ecuacin del Diodo

donde: IS = corriente de saturacin inversa.

Electrnica para Qumicos

Aproximaciones del Diodo

Electrnica para Qumicos

Aproximaciones del Diodo

Electrnica para Qumicos

Aproximaciones del Diodo

Electrnica para Qumicos

Aproximaciones del Diodo

Observar los signos del voltaje de polarizacin

Observar los signos del voltaje de polarizacin

Electrnica para Qumicos

Aproximaciones del Diodo

Electrnica para Qumicos

Aproximaciones del Diodo

Electrnica para Qumicos

Aproximaciones del Diodo

Electrnica para Qumicos

Aproximaciones del Diodo

Electrnica para Qumicos

Aproximaciones del Diodo

El circuito equivalente de la tercera aproximacin es un interruptor en serie con una

Electrnica para Qumicos

Aproximaciones del Diodo

Electrnica para Qumicos

Aproximaciones del Diodo

Electrnica para Qumicos

Aproximaciones del Diodo

El diodo conduce despus de

Aproximaciones del Diodo

Electrnica para Qumicos

Anlisis del Diodo