Introducción a los

Semiconductores

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores
Semiconductor intrínseco

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

0ºK
Si: silicio
Grupo IV de
la tabla
periódica

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores
Semiconductor intrínseco

Si

Si

Si

0ºK

Si

+
Si

Si

300º
K

Electrón

Hueco
Si

Si

Si

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores Semiconductor intrínseco : acción de un campo eléctrico - + - + Si Si Si + Si Si + + Si - + - + - Si Si Si + .

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores Semiconductor intrínseco : acción de un campo eléctrico Conclusiones: La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de portadores de carga: HUECOS y ELECTRONES La temperatura afecta fuertemente a las propiedades eléctricas de los semiconductores: mayor temperatura  más portadores de carga  menor resistencia .

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores Semiconductor extrínseco : TIPO N Si Si Si Si Sb Si + Si Si Si Si Sb: antimonio Impurezas del grupo V de la tabla periódica Es necesaria muy poca energía para ionizar el átomo de Sb mperatura ambiente todos los átomos de impurezas se encuentran ioniz .

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores Semiconductor extrínseco : TIPO N Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Electrones libres Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Impurezas grupo V Sb + 300ºK Átomos de impurezas ionizados Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son electrones libres .

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores Semiconductor extrínseco : TIPO P Al: aluminio + Si Si Si Si Al Si Si Si Si - Si Impurezas del grupo III de la tabla periódica Es necesaria muy poca energía para ionizar el átomo de Al mperatura ambiente todos los átomos de impurezas se encuentran ioniz .

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores Semiconductor extrínseco : TIPO P Al Al - Al - Al Al - Al Al - Huecos libres Al - Al - Al - Al Al - Al Al - Al - Impurezas grupo III Al - 300ºK Átomos de impurezas ionizados Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son Huecos. . Actúan como portadores de carga positiva.

La unión P-N La unión P-N en equilibrio - - - - - - - - - - + + - - Semiconductor tipo P + + + + + - + + + + + + + + + Semiconductor tipo N .

Que actúa como una barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona. .La unión P-N La unión P-N en equilibrio - - - - - - - + + - - Zona de transición - Semiconductor tipo P + + - - + + + + - + + + + + + + + + Semiconductor tipo N Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga espacial denominada ‘zona de transición’.

.La unión P-N La unión P-N polarizada inversamente P - - - - - - - - - + - - + - + + - + + + - + N + + + + + + + + + La zona de transición se hace más grande. Con polarización inversa no hay circulación de corriente.

La unión P-N La unión P-N polarizada en directa P - - - - - - - - - + - - + - - + + + + + - + N + + + + + + + + + La zona de transición se hace más pequeña. . La corriente comienza a circular a partir de un cierto umbral de tensión directa.

.La unión P-N La unión P-N polarizada en directa P - - - - - - - - - + - - + - - + + + + + - + N + + + + + + + + Concentración de huecos Concentración de electrones + La recombinación electrón-hueco hace que la concentración de electrones en la zona P disminuya al alejarse de la unión.

La unión P-N Conclusiones: Aplicando tensión inversa no hay conducción de corriente Al aplicar tensión directa en la unión es posible la circulación de corriente eléctrica P N DIODO SEMICONDUCTOR .

INCISO: Representación del componentes eléctricos en diagrama V-I I V I I + V I + V V Corto (R = 0) Abierto (R = ∞) I V I I + Batería I + - V - I V V Resistencia (R) I + Fuente Corriente V V .

permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto) I + I ¡¡ PRESENTA UN COMPORTAMIENT O NO LINEAL !! P V - N V .CARACTERÍSTICA DEL DIODO Idealmente.

5 IS = Corriente Saturación Inversa K = Cte.25 0.DIODO REAL ánodo cátodo p A 1 i [mA] Ge n K Si V [Volt. Boltzman VD = Tensión diodo q = carga del electrón T = temperatura (ºK) ID = Corriente diodo .] Símbolo -0.25 Silicio Germanio  I D  I S   e  V D q K T   1  0 0.

] -0.8 -10 1 .25 0 0.25 V [Volt.5 i [A] i [pA] V [Volt.] 0 -0.5 Ge V [Volt.] 0 -4 0.DIODO REAL (Distintas escalas) Ge: mejor en conducción Si: mejor en bloqueo i [mA] i [mA] 30 1 Ge Si Si Ge V [Volt.] 0 -0.5 Si -0.

DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES I I Solo tensión de codo Ge = 0.3 Si = 0. análisis gráfico) V .7 Ideal V I V I Tensión de codo y Resistencia directa V Curva real (simuladores.

DIODO: LIMITACIONES Corriente máxima I Tensión inversa máxima Ruptura de Unión avalancha la por Límite térmico. sección del conductor V 600 V/6000 A 200 V /60 A 1000 V /1 A .

DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes id IOmax 1000V Tensión inversa máxima 1A Corriente directa máxima OMAX (AV)= 1V Caída de Tensión directa F = Corriente inversa R = 50 nA R = VR iS Vd NOTA: Se sugiere con un buscador VR = 100V Tensión inversa máxima IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máximaobtener las hojas de características de un diodo VF = 1V Caída de Tensión directa IR = 25 nA Corriente inversa (p.e. 1N4007). . Normalmente aparecerán varios fabricantes para el mismo componente.

DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes Tiempo de recuperación inversa iS U i E + U E R Baja frecuencia frecuencia Alta iS trr = tiempo de recuperación inversa A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce corriente inversa. .

(Ruptura Zener). Aplicaciones en pequeñas fuentes de tensión y referencias. límite de potencia máxima Necesitamos. Podemos añadir al modelo lineal la resistencia Zener. un límite de corriente inversa. En la zona Zener se comporta como una fuente de tensión (Tensión Zener). I V Límite máximo Normalmente.DIODOS ESPECIALES Diodo Zener (Zener diode) Tensión Zener (VZ) La ruptura no es destructiva. .

Con la unión PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de onda. Luz roja) A K .e. Ga As).e. (p.DIODOS ESPECIALES Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode El semiconductor es un compuesto III-V (p.

presentan una corriente de fugas proporcional a la luz incidente (siendo sensibles a una determinada longitud de onda).DIODOS ESPECIALES Fotodiodos (Photodiode) i V 0 iopt Los diodos basados en compuestos III-V. Siendo su aplicaciones principales: COMENTARIO Sensores de luz (fotómetros) Los diodos normales presentan variaciones Comunicaciones en la corriente de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser usados como i sensores térmicos El modelo puede ser una fuente de corriente dependiente de la luz o de la temperatura según el caso I = f(T) V T1 T2>T1 0 . Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.

el dispositivo puede usarse como generador. En este caso.DIODOS ESPECIALES Células solares (Solar Cell) i VCA iCC V Zona uso Cuando incide luz en una unión PN. la característica del diodo se desplaza hacia el 4º cuadrante. .

•Caídas directas mas bajas (tensión de codo  0.2 V). •Menores tensiones de ruptura. •Aplicaciones El efecto SchottkyDigital fue predicho en Electrónica y en Electrónica teóricamente de Potencia en 1938 por Walter H. •Corriente de fugas significativamente mayor. •Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy bajas). •La zona N debe estar poco dopada. Produciéndose el llamado efecto schottky.DIODOS ESPECIALES Diodo Schottky (Schottky diode) •Unión Metal-semiconductor N. Schottky .

ASOCIACIÓN DE DIODOS Puente rectificador Monofásico Diodo de alta tensión (Diodos en serie) + Trifásico + DISPLAY - .

APLICACIONES DE DIODOS Detectores reflexión de objeto Detectores de barrera .

APLICACIONES DE DIODOS Sensores de luz: Fotómetros Sensor de lluvia en vehículos Detectores de humo Turbidímetros Sensor de Color Objetivo LED azul LED verde LED rojo Fotodiodo LED .

no se puede aplicar el principio de superposición! EJEMPLO TÍPICO: RECTIFICADOR VE VS + t VE - VMAX R VE t  VMAX VS t ID VD .COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS Los diodos (y el resto de dispositivos electrónicos) son dispositivos no lineales. ¡Cuidado.

RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO CIRCUITO LINEAL ID RTH VTH + VD - I Característi ca del diodo VTH RTH ID Característica del circuito lineal (RECTA DE CARGA) PUNTO DE FUNCIONAMIENT O VD VTH V .