EFEK HALL

(Pertemuan 12B)

Medan Magnet dan Efek Hall

Medan dan Gaya Magnet

Muatan yang bergerak dalam medan magnet
akan mengalami gaya magnet:
v

F qv B

Fmagnet
B

Muatan uji, +q

Besar gaya magnet:

F qvB sin

Gaya magnet pada kawat berarus

Fmagnet ILxB

Fmagnet ILB sin

The Hall Effect

References: 1, 4.

Discovered in 1879 by Edwin H. Hall and published

in the paper "On a New Action of the Magnet on
Electrical Current"

Noticed that a when a magnetic field was applied to

a current-carrying thin metal strip, a small transverse
voltage appeared

Provides a simple method for accurately measuring

carrier density, electrical resistivity, and the mobility
of carriers in semiconductors

Basic Physical Phenomena

When an electron moves in a direction perpendicular to an applied magnetic

field, it experiences a force (Lorentz force) acting normal to both directions
and moves in response to this force (see below for an n-type semiconductor)
Lorentz Force
F=-ev x B

Coordinate
System
z

B
v

V=0

F
I

ed
V-VH

References: 2, 3.

Constant current I (flows along xaxis) in the presence of magnetic

field B (z-axis) causes Lorentz
force F (y-axis)
Causes electron paths to bend
towards negative y-axis
Charge builds up on the surface of
the side of sample, and the
potential drop across the two sides
of the sample is known as the Hall
voltage (VH)

Efek Hall
Gaya magnet pada partikel
pembawa muatan dalam
konduktor berarus akan
menimbulkan beda potensial
(efek hall)
qvB qEH
I nqvA

E H vB
I
I
v

nqA nqd .t

Potensial Hall:
Koefisien Hall:

IBRH
VH EH d vBd
t
I
t
RH
nq
d

V
+ +

A=d.t

Important Equations

The number of conduction electrons per unit volume (N) is found by:
N

Ix Bz

edVH

Where Ix= current, Bz= magnetic field, d=sample thickness, e= elementary charge,
VH=Hall voltage in the y-direction

The Hall Resistance, or Hall constant, (RH) is often defined:

Thus, the Hall voltage (VH) can be written as:

Then, the Hall mobility () can be determined:

VH

Ix Bz
B
Ix R H z
Ned
d

VH
1

RsIx Bz RsNde

Where Rs is the sheet resistance, easily determined by the van der Pauw method
References: 2, 3, 9.

RH

1
Ne

Efek Hall pada Semikonduktor

Apabila suatu medan listrik E diaplikasikan

sepanjang sumbu x positif (mendatar) pada keping
semikonduktor jenis-p, dan suatu medan magnet
diaplikasikan sepanjang sumbu z (masuk dalam
bidang gambar), maka karena medan magnet tsb.
akan timbul gaya Lorentz pada lubang yang arahnya
dari bawah ke atas F = qv x B (= qvxBz).

Gaya Lorentz ini menyebabkan terjadi penumpukan

lubang pada sisi atas sehingga timbul medan listrik
yang arahnya dari sisi atas ke bawah Ey (= qEy).

References: 1, 4.

Selama tidak ada arus mengalir sepanjang arah y pada keadaan

setimbang, gaya listrik sepanjang arah y sama dengan gaya Lorentz.
qEy= qvxBz
Ey= vxBz

Pada keadaan seperti ini, medan listrik diketahui sebagai efek Hall
disebut medan Hall, dan tegangan terminal disebut tegangan Hall,
VH = E y d
dengan d adalah tebal semikonduktor jenis-p di atas.

References: 1, 4.

Gaya Lorentz ini menyebabkan terjadi penumpuan lubang pada sisi

atas sehingga timbul medan listrik yang arahnya dari sisi atas ke
bawah Ey (= qEy).

Untuk kerapatan arus lubang

Jp = Ip/A = qpvp= qppE
dengan A adalah luas penampang semikonduktor dan p
menyatakan mobilitas lubang, maka terdapat hubungan
Ey= [Jp/qp] Bz= RH Jp Bz
RH= 1/qp
disebut koefisien Hall.

Untuk semikonduktor jenis-n dihasilkan

RH= -1/qn

References: 1, 4.

Penghitungan tegangan Hall untuk arus dan medan magnet yang diketahui
dihasilkan:
p = 1/qRH = Jp Bz /qEy = [(I/A)Bz/q(VH/d)] =[Ibzd/qVHA]

Soal
Sebuah sampel silikon didoping dengan Pospor 10 16 atom/cm3. Tentukan
tegangan Hall pada sampel dengan ketebalan d = 500 m, A = 2,5 x 10-3
cm2 , I = 1 mA, dan Bz = 10-4 Wb/cm2.

References: 1, 4.

Jawab
RH= -1/qn = - (1/1,6x10-19 x1016) = - 625 cm3/C

Tegangan Hall
VH= Ey d = [RH (I/A)Bz]d
VH = [-625 (10-3/2,5x10-3)10-4] 500x10-4
VH = - 1,25 mV

References: 1, 4.

TERIMA KASIH

References: 1, 4.