ELEMENTOS DE

JUNTURA

TRANSISTOR
BIPOLAR

INTRODUCCI
N

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres

capas que consta de dos capas de material tipo n y
una de material tipo p o de dos capas de material
tipo p y una de material tipo n.
El primero se llama transistor npn y el segundo
transistor pnp.

VBE>VBC

VEB>VCB

La concentracin de impurezas en los 2 diodos es

diferente de tal manera que caer un voltaje.

CARACTERST
ICAS
Se utilizan para controlar corrientes relativamente grandes a partir de
seales de corriente o de voltaje muy dbiles actuando como
resistencias o interruptores controlables electrnicamente.

 Los circuitos que utilizan los transistores como

resistencias variables se denominan lineales o
anlogos.
Los circuitos que utilizan los transistores como
interruptores se denominan digitales o lgicos.
Los transistores se fabrican no solamente como
componentes discretos, estos forman parte de circuitos
integrados (chips), los cuales contienen cientos o miles
de ellos, construidos e interconectados sobre una
diminuta pastilla de silicio.
Son el ingrediente esencial de todos los circuitos
electrnicos modernos, desde el mas simple amplificador
hasta el mas sofisticado computador

TRANSISTOR DE SILICIO PNP

TIPOS DE TRANSISTORES
Los transistores pueden ser bsicamente de dos tipos:
1) Unipolares
2) Bipolares.
)Los transistores Unipolares, por su parte, se
denominan transistores de efecto de campo o FET
(field efect transistor) y son dispositivos controlados
por voltaje.

 Los transistores Bipolares se denominan tambin

transistores de unin BJT (bipolar junction transistor)
y son dispositivos controlados por corriente.

INTERRUPTOR ABIERTO

INTERRUPTOR CERRADO

CURVA CARACTERISTICA DEL

TRANSISTOR

REGIONES OPERATIVAS DEL

TRANSISTOR

REGIN ACTIVA:
Cuando un transistor no est ni en su regin de
saturacin ni en la regin de corte entonces est en una
regin intermedia, la regin activa.
Esta regin es la ms importante si lo que se desea es
utilizar el transistor como un amplificador de seal.
REGIN DE CORTE:
Corriente de colector=corriente de emisor= 0.
(Ic=Ie= 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentacin del circuito.
(Como no hay corriente circulando, no hay cada de
voltaje, verLey de Ohm).
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de
base = 0
(Ib =0)

REGIN DE SATURACIN:
Un transistor est saturado cuando:
Corriente de colector=corriente de emisor=corriente
mxima.
(Ic=Ie=I mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del
voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente
de base es lo suficientemente grande como para inducir
una corriente de colector veces ms grande.
(Recordar que Ic = * Ib).
se llama ganancia, este valor en la hoja de datos se le
encuentra como hFE.

ECUACIONES DEL
TRANSISTOR

En un transistor bipolar siempre se va cumplir, que si se

encuentra operando en la regin de saturacin o en la
regin activa, la tensin que existir entre la base y el
emisorVBE=0,7V ya que el diodo existente entre la
base y el emisor est polarizado en forma directa.
En un transistor bipolar siempre se va cumplir, que si se
encuentra operando en la regin de saturacin la
tensin VCE=0,2V

 Aplicando ley de corrientes de Kirchoff, se tiene que:

IE=IC+IB
La corriente de la base IB es pequea comparada con
la corriente del colector IC, por eso muchas veces se
la puede ignorar, con lo cual la corriente del emisor IE
se puede asumir como: IE=IC
Cuando el transistor bipolar se prepara para que
opere en la regin activa, se cumple que la corriente
que ingrese por la base IB va a controlar la cantidad
de corriente que circular por el colector IC, este
control es en forma lineal, y cumple =IC/IB.
Las corrientes y las tensiones sobre el transistor
bipolar tienen valores mximos que no hay que
sobrepasar, ya que de lo contrario se daarn; estos
valores mximos se encuentran en la hoja de datos
del transistor que se este utilizando.

TRANSISTOR COMO
INTERRUPTOR
Vcc.

=RL.

Se debe de cumplir:

EJERCICIOS
1) Encuentre el valor de RB en un transistor NPN, para que
trabaje en la zona de saturacin, con un voltaje Vcc=5V y
un voltaje en la base Vi=2V considere un =50

2) Disear un circuito para controlar la iluminacin exterior de una

planta industrial empleando como sensor un LDR cuyo valor es de:
En el dia R= 5K y en la noche R= 25K; tambin se utiliza un transistor
TBJ NPN que accionara un rel a 5V cuya resistencia interna es de 400.

PRUEBA DEL TRANSISTOR

Se coloca el multmetro para medirconductividad.

 Se coloca la punta decolorrojo en cualquiera de los 3 terminales.

Se coloca la punta de color negra en cualquiera de los dos
terminales restantes.
Se procede a realizar la medicin. Si el medidor de conductividad
nos da un valor de alrededor de 0,6 V, procedemos al siguiente
paso.
En caso de que el medidor de conductividad no da ningn valor
procedemos a mover la punta roja en el otro terminal restante.

PRUEBA DEL
TRANSISTOR

En este paso se deber de tener un valor de alrededor

de 0,6 Voltios

 Por lo tanto el terminal de color rojo seria su BASE.

Colocamos la punta de color negra en los 2 terminales y
tomamos su voltaje para cada uno de los terminales. (la
punta de color roja no se debe mover).
Tendremos valores aproximados de 0,63V y 0,61V para
cada caso.
El terminal que tenga el mayor voltaje seria EMISOR
mientras que el terminal del menor voltaje seria su
COLECTOR.
Se debe de cumplir que el voltaje VBE>VBC.
Como la punta de color rojo se quedo fija entonces se trata
de un transistor PNP. Si la punta de color negra se queda
fija seria un transistor NPN

ENCAPSULADOS DE
TRANSISTORES

APLICACIONES DEL TRANSISTOR

Amplificacin de todo tipo (radio,televisin,instrumentacin)
Generacin de seal (osciladores, generadores deondas.)
Conmutacin,
actuando
de
interruptores
(control
de
rels,fuentesde
alimentacin
conmutadas,
control
de
lmparas,modulacinpor anchura de impulsos PWM para
manejo de motores).
Deteccin
deradiacinluminosa
(fototransistores)

TRANSISTOR UJT.
Llamado como transistor de Unijuntura.
Es un dispositivo de conmutacin de transicin conductiva.
Sus caractersticas lo hacen ser muy til en varios
circuitos industriales que incluyen temporizadores,
osciladores, generadores de formas de onda y, lo que es
ms importante, en circuitos de control de compuertas
para SCR y triacs.

 El UJT es un componente que posee tres terminales: dos

bases y un emisor, tal como se muestra en la siguiente
figura:

CARACTERSTI
Esta
constituido por dos regiones contaminadas.
CAS
El emisor esta fuertemente dopado con impurezas P, y
la regin en las bases dbilmente dopado con
impurezas N
RB1 y RB2 constituyen la resistencia de la barra de
silicio, siendo RBB. La resistencia total.
RBB = RB1 + RB2.
RBB es denominada resistencia interbase, y es la
resistencia hmica que presentan los terminales B1 y
B2 cuando no hay corriente de emisor (no conduce). En
trminos generales esta vara entre 5 k y 10 k.

OPERACIN
DEL UJT.

 La circulacin de corriente solo va en un

solo sentido
Cuando
el voltaje entre el emisor y la base 1, VEB1, es
menor que un cierto valor denominado voltaje pico, Vp,
el UJT est apagado, y no puede fluir corriente de E a
(IE = 0).
B1
Cuando
VEB1 excede a Vp, el UJT se dispara o se
enciende. Cuando esto sucede, el circuito de E a B1 se
convierte en prcticamente un circuito cerrado y la
corriente empieza a surgir de una terminal hacia la
otra.
El voltaje entre las dos terminales de base se simboliza
mediante VB2B1, como se indica.
Para una tipo dado de UJT, el voltaje pico Vp ser un
cierto porcentaje fijo de VB2B1 ms 0.6 V.
Este porcentaje fijo se denomina el coeficiente de
separacin intrnseco, o simplemente coeficiente de
separacin del UJT, y se simboliza como .

ECUACIONES
Vp= Voltaje
Pico
DEL
UJT.

= coeficiente de separacin del UJT (0,5 a 0,8 dato

fabricante)
EJEMPLO1:
Un UJT tiene un coeficiente de separacin de = 0.55 y un
voltaje aplicado externamente VB2B1 de 20 V, cul es el
voltaje pico?

En este caso VEB1 tendra que exceder 11.6 V para

disparar al UJT

ECUACIONES
DEL UJT
EJEMPLO2:
a) Un UJT tiene una rB1 de 6.2 k y una rB2 de 2.2 k , cul es
el coeficiente de separacin?
b) Qu tan grande es el voltaje pico? Con VB2B1=25V

APLICACIONES DE UJT
OSCILADOR DE RELAJACIN
El oscilador de relajacin es el corazn de la mayora de los
circuitos temporizadores y osciladores de UJT.
Prcticamente es el mismo circuito que se muestra en la
figura anterior, con la excepcin de que se aaden resistores
a las terminales B1 y B2 para desarrollar seales de salida.
Estos resistores externos son ms bien pequeos en
comparacin con la resistencia interna del UJT, rBB.
Los resistores externos por lo general se simbolizan como R2
y R1

R1= 100

R2=

UJT Encendido

UJT Apagado

FORMAS DE ONDA

EJERCICIO:
En referencia al oscilador de relajacin mostrado en la figura, suponga que el
UJT tiene las siguientes caractersticas:
=0,63
rB1 = 5.8 k rB2 = 3.4k Ip=5A
Iv=3.5mA
Vv=1.5V
Vs=24V
Encuentre
a) VP.
b) Cul es la frecuencia de salida aproximada?
c) Demuestre que un RE de 10 k est dentro del rango aceptable. Es decir,
REmn <RE<R Emx.
d) Describa la forma de onda que aparece a travs de R1. Qu tan grandes
son los picos?
Qu voltaje aparece a travs de R1 durante el tiempo que el UJT est
apagado?