Elektronika

Poluvodii (poluprovodnici)

1
 Materijali
Sa stajalita elektronike osnovna podjela materijala:
vodii (provodnici)
poluvodii
izolatori (dielektrici)

Osnovna razlika u vrijednosti specifinog otpora materijala.

<10-3 cm - vodii
10-3 cm<<106 cm - poluvodii
>106 cm - izolatori

2
 Dakle, vodii imaju najmanji specifini otpor (najveu
vodljivost), izolatori najvei, dok specifini otpor
poluvodia varira u irokom rasponu zavisno o tipu
i uslovima rada poluvodia, poluvodi se moe
ponaati gotovo kao vodi ili gotovo kao izolator.
Osnovni razlog velikih razlika u specifinom otporu (ili
vodljivosti) je velika razlika u broju slobodnih
(pokretnih) naboja, tj. naboja ije kretanje ini
el.struju.
Razlika u broju naboja koji se, unutar molekularne
strukture materijala, mogu osloboditi je posljedica
razliitih naina meusobnog vezivanja atoma za
razliite materijale.

3
 Poluvodii
Poluvodiki materijali mogu se podijeliti na:
prirodne elemente Ge, Si
prirodne hemijske spojeve (i legure),
umjetno nainjene spojeve (keramika).

Po specifinom otporu nalaze se izmeu vodia i izolatora.

isti poluvodi (bez dodatnih materijala primjesa) na sobnoj
temperaturi ima vrlo malo pokretnih naboja (tzv. slobodnih
nositelja naboja) vrlo slabi vodii (visok spec.otpor)
gotovo kao izolatori
Meutim, broj slobodnih nositelja naboja (i samim tim, vodljivost)
se moe mijenjati dodavanjem primjesa istom poluvodiu.

4
 Poluvodii
Valentni elektroni
Valentni elektroni nalaze se u vanjskoj (najdaljoj) ljusci.
Najslabije su vezani za atom prvi su u interakciji sa susjednim atomima
definiu svojstva materijala.
Atomi tee da vanjska (valentna) ljuska bude kompletno popunjena.
Npr. Si ili Ge su 4-valentni elementi (no vanjska ljuska je puna sa 8 elektrona)
Ako se nau blizu drugog istog atoma, po jedan elektron od svakog atoma
formira par koji ini vrstu kovalentnu vezu ovako su vezani atomi u
kristalnoj reetci Si.
Atomi Si posuuju elektrone susjednih atoma kako
bi popunili vanjsku ljusku kovalentna veza.
Kovalentna veza je vrlo vrsta potrebno je (u
prosijeku) uloiti veliku energiju da bi se kovalentna
veza prekinula i elektron oslobodio.
Primaran izvor energije u naim razmatranjima je
toplina. Stoga se moe rei da je u prosijeku potrebna
velika temperatura T kako bi se kovalentna veza
prekinula, tj. kako bi se valentni elektron oslobodio.
5
Model kristalne reetke za Ge ili Si
 Poluvodii
Voenje u intrinsinim (istim) poluvodiima
Kod istih poluvodia, slobodni nositelji naboja (i samim tim mogunost voenja
struje) nastaju prekidanjem kovalentnih veza uslijed temperature T.
S obzirom na ogroman broj kovalentnih veza u bloku poluvodikog kristala, ne
postoji neka konkretna temperatura T na kojoj se moe rei da se kov.veza
prekida (to bi znailo da se na toj T sve veze odjednom prekinu).
Umjesto toga, postoji vjerojatnoa prekida kov. veze: na niskim T, ova
vjerojatnoa je vrlo mala, no ipak postoji, pa se odreeni broj kov. veza ipak
uspije prekinuti (npr. 1 od milijardu).
to je vea T, vjerojatnoa prekida je sve vea, vie kovalentnih veza se prekida i
sve vie elektrona postaje slobodno (tj. vodljivost poluvodia raste).
Na sobnoj temperaturi (najee se uzima T=300K) vrlo malo kovalentnih veza
se uspije prekinuti vrlo malo slobodnih nositelja naboja vrlo mala
vodljivost na sobnim temperaturama isti poluvodi se ponaa gotovo kao
izolator.
Elektroni koji nakon prekida kovalentnih veza postaju slobodni (mogu se kretati
pod uticajem el. polja) nisu jedini slobodni nositelji naboja u poluvodiu
naime, postoji i drugi nain kretanja naboja tzv. upljine (pozitivno nabijene).
6
 Poluvodii
Voenje u intrinsinim (istim) poluvodiima

Nakon prekida kovalentne veze, jedan od atoma ostaje bez valentnog elektrona.
Ovakav atom e vrlo lako uzeti elektron od susjednog atoma, kako bi popunio
svoju kovalentnu vezu.
Meutim, sada e ovaj susjedni atom imati isti problem, pa e i on imati jaku
tendenciju uzimanja elektrona od nekog drugog atoma itd.
Ukratko, moe se rei da ovaj manjak elektrona (ili
upljina) putuje od jednog atoma do drugog.
upljina se moe shvatiti kao slobodna pozitivno
nabijena estica (iako je stvarno ovo virtualna estica,
i gibanje upljina nastaje kao posljedica stvarnog
gibanja elektrona) i ovo se u pravilu radi, jer je
posmatranje kao gibanje naboja jednostavnije)
Stoga moemo rei da je posljedica prekida kovalentne
veze nastajanje 2 slobodne estice: negativnog elektrona
i pozitivne upljine ili para elektron-upljina
Vodljivost se moe poveati (znaajnim) poveanjem T,
meutim postoji i drugi nain dodavanjem primjesa. 7
 Poluvodii
Ekstrinsini (oneieni) poluvodii

Vodljivost se moe poveati (znaajnim) poveanjem T, meutim postoji i drugi

nain dodavanjem primjesa.
Namjerno oneienje (dopiranje) intrinsinog poluvodia radi se zbog
poveanja vodljivosti poluvodia (poveanjem slobodnih nositelja naboja).
Dodaju se 3-valentne ili 5-valentne primjese.
Ovo rezultira u P-tipu ili N-tipu poluvodia.
Osnovna ideja:
N-tip: dodavanjem 5-valentne primjese, 4 valentna elektrona se veu
kovalentnim vezama (vrlo teko se oslobode), no 5. elektron primjese je
viak ne sudjeluje u kovalentnoj vezi potrebna vrlo mala energija
(tj. temperatura T) da bi se odvojio od atoma i postao slobodan ovako
oneien poluvodi e na sobnoj T imati puno slobodnih elektrona.

P-tip: dodavanjem 3-valentne primjese, sva 3 valentna elektrona se veu

kovalentnim vezama (vrlo teko se oslobode), no 1 kovalentna veza ostaje
nepopunjena (upljina) atom primjese e vrlo lako (uz malu energiju)
uzeti elektron susjednom atomu ovako oneien poluvodi e na
sobnoj T imati puno upljina. 8
 Poluvodii N-tip
Dodaju se 5-valentne primjese (npr. arsen, fosfor) u niskim koncentracijama
(1:103 1:109) - dopiranje
Atomi primjesa (donori) lako (na relativno niskim T) daju (ili doniraju)
elektrone, jer su samo 4 vezana kovalentnim vezama, a 1 je viak koji ne
sudjeluje u kov. vezama, pa ga se lako odvoji od atoma.
Rezultat uz mali broj upljina i elektrona nastalih prekidanjem kovalentnih veza,
pojavljuje se puno dodatnih slobodnih elektrona (koje su otpustili donorski atomi),
a donori postaju pozitivni ioni (jer su izgubili 1 elektron).
Na sobnim T, toplinska energija je dovoljna da praktino svi donori otpuste
elektron koji ne sudjeluje u kovalentnim vezama
U ovakvom tipu poluvodia imamo znaajan broj +4 +4 +4

slobodnih elektrona (veinski nositelji) i malo

upljina (manjinski nositelji) zato N-tip
(dominiraju Negativni nositelji naboja). Broj
+4 +5 +4
slobodnih elektrona, a samim tim i vodljivost se
moe podeavati biranjem koncentracije 5-
valentnih primjesa s kojim se intrinsini poluvodi
oneisti. dodatni elektron vika - slabo vezan uz
+4 +4 +4
donorski (5-valentni) atom (ne sudjeluje u 9
kovalentnim vezama)
 Poluvodii P-tip
Dodaju se 3-valentne primjese (npr. aluminij, galij) u niskim koncentracijama
(1:103-1:109) - dopiranje
Atomi primjesa (akceptori) lako primaju ili akceptiraju elektrone od
atoma poluvodia, jer im nedostaje jedan elektron za popunjavanje zadnje (4.)
kovalentne veze.
Rezultat uz mali broj upljina i elektrona nastalih prekidanjem kovalentnih
veza, pojavljuje se puno dodatnih upljina (koje su stvorili akceptorski atomi),
a akceptori postaju negativni ioni (jer su primili 1 elektron, dakle imaju viak
negativnog naboja).
U ovakvom tipu poluvodia imamo znaajan broj
upljina (ovdje su upljine veinski nositelji) i
malo slobodnih elektrona (manjinski nositelji) +4 +4 +4

zato je poluvodi P-tipa (dominiraju Pozitivni

nositelji naboja). Broj upljina, a samim tim i
vodljivost se moe podeavati biranjem +4 +3 +4
koncentracije 3-valentnih primjesa s kojim se
intrinsini poluvodi oneisti.
dodatna upljina - akceptor lako prima
elektron kako bi se kovalentna veza sa +4 +4 +410
lijevim atomom (na slici) kompletirala
 PN spoj
PN spoj nastaje spajanjem dva tipa poluvodia, P i N tipa. Na
graninoj plohi dolazi do formiranja potencijalne barijere koja
sprjeava prijelaz elektrona sa N na P stranu i upljina sa N na P
stranu.
Barijera nastaje radi pomicanja slobodnih
nosioca naboja u okolici dodirne povrine
PN spoja.

Ovisno o polaritetu vanjskog narinutog

napona moe se poveati ili smanjiti
potencijalna barijera, odnosno moe se
regulisati broj elektrona i upljina koje
prelaze barijeru jaina struje.

11
 Dioda
Kad je N kraj prikljuen na negativni, a P kraj na pozitivni napon
PN spoj je propusno polariziran i tada je otpor malen, reda
veliine oma.

12
 Kad je N kraj prikljuen na pozitivni, a P kraj na negativni napon PN
spoj je nepropusno polariziran, a otpor je velik reda veliine
nekoliko desetaka ili stotina megaoma.

13
Diode se izrauju za slabe i za jake struje (od nekoliko mA do 6000 A).

14
 ISPRAVLJAI
Poluvalno i punovalno ispravljanje izmjenine struje

15
 Tranzistori

Tranzistor je dobio ime iz engleskih izraza transfer resistor (prenosni otpor).

Promjena male struje na bazi utie na promjenu velike struje izmeu
kolektora i emitera tranzistora tranzistorski efekt pojaanja struje.
Upravljako svojstvo jedno je od glavnih svojstava tranzistora. Ono
omoguuje upravljanje velikim snagama, strujama i naponima u izlaznom
krugu s malom snagom, strujom i naponom na ulazu.
Osim kao pojaalo, tranzistor se moe koristiti kao oscilator (generira
izmjeninu struju odreene frekvencije) ili kao elektronika sklopka.
16
 IP
Danas se u praksi primjenjuju integrirani sklopovi - chip. Pod
chipom se podrazumijevaju kombinacije sastavnih elektronikih
elemenata (mnotvo tranzistora, dioda...), smjetenih na
poluvodikim materijalima, koji se ne daju razdvojiti, a tvore
funkcionalne jedinice (10 i vie miliuna tranzistora).

17
18
19