TRƯỜNG ĐẠI HỌC QUỐC TẾ MIỀN ĐÔNG

KHOA KĨ THUẬT

MÔN: MẠCH ĐIỆN TỬ 1

PROJECT: FET
Giảng Viên: Ngô Thị Kim Linh
Sinh Viên Thực Hiện:
Trần Duy Nhất 1531100031
I. Đại cương và phân loại
* FET ( Field Effect Transistor) -Transistor
hiệu ứng trường – Transistor trường.
* Có 2 loại:
- Junction field-effect transistor (JFET) điều khiển bằng tiếp
xúc P-N
- Insulated gate field effect transistor (IGFET) transistor có cực
cửa cách điện hay còn gọi là metal oxide semiconductor
transistor do dùng lớp cách điện là lớp oxit (MOSFET)
1. Ký hiệu:
2. Cấu tạo chung JFET:
3. Sơ đồ mạch của JFET:
4. Ưu và nhược điểm của FET:
 4. Giống nhau giữa FET và BJT:
• Giống nhau:
- Sử dụng làm bộ khuếch đại.
- Làm thiết bị đóng ngắt bán dẫn.
- Thích ứng với các mạch trở kháng.

• Khác nhau:
- BJT phân cực bằng dòng, FET phân cực bằng điện áp.
- BJT có hệ số khuếch đại cao, FET có trở kháng vào lớn.
- FET ít nhạy cảm với nhiệt độ, nên thường được sử dụng trong
các IC tích hợp.
- Trạng thái ngắt của FET tốt hơn so với BJT.
 II. MOSFET
1. Giới thiệu về MOSFET:
2. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của MOSFET
kênh sẵn:
3. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của MOSFET
kênh cảm ứng:
1. MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor)
- Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ
trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng
đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín
hiệu yếu

Transitor hiệu ứng

trường Mosfet
- Cấu tạo và ký hiệu của Mosfet:
G: Gate gọi là cực cổng
S: Source gọi là cực nguồn
D: Drain goi là cực máng
1.1.Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của MOSFET kênh sẵn:
1.1.1.Cấu tạo:

Tranzito trường MOSFET kênh sẵn còn gọi là MOSFET-chế độ nghèo

(Depletion-Mode) MOSFET viết tắt là DMOSFET.
1.1.2.Nguyên lý hoạt động:

- MOSFET kênh sẵn loại P. MOSFET kênh sẵn loại N

- Khi tranzito làm việc, thông thường cực nguồn S được nối với đế và nối đất nên US = 0.

- Các điện áp đặt vào các chân cực cửa G và cực máng D là so với chân cực S. Nguyên
tắc cung cấp nguồn điện cho các chân cực sao cho hạt dẫn đa số chạy từ cực nguồn S qua
kênh về cực máng D để tạo nên dòng điện ID trong mạch cực máng.

- Nguyên lý làm việc của hai loại tranzitor giống nhau chỉ có cực tính cho các chân cực là
trái dấu nhau.
2. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động MOSFET kênh cảm ứng:
2.1.Cấu tạo:

Tranzitor trường loại MOS kênh cảm ứng còn gọi là MOSFET chế độ giàu
(Enhancement-Mode MOSFET vi ết tắt là E-MOSFET). Khi chế tạo MOSFET
kênh cảm ứng người ta không chế tạo kênh dẫn
 2.2.Nguyên lý hoạt động:

Nguyên lý làm việc của loại kênh P và kênh N giống hệt nhau chỉ khác nhau về
cực tính của nguồn cung cấp đặt lên các chân cực. Trước tiên, nối cực nguồn S
với đế và nối đất, sau đó cấp điện áp giữa cực cửa và cực nguồn để tạo kênh
dẫn.
III. Phân cực cho các loại FET:
1. Phân cực cho JFET

Phân cực cố định Phân cực bằng cầu phân áp Phân cực tự cấp (tự phân áp
Ví dụ Phân cực cố định.
Cho mạch như
VDD  16V , RD  2 K , I DSS  10mA,Vp  8V , RG  1K ,VGG  2V
hình vẽ :
Tìm :VD , VGS , VD , VG VS , I D

VGS  VGG
 2 
2

I D  10 1    5,625mA
 8 
VDS  VD  VDD  I D .RD  16  5,625.2  4,75V
VG  VGS  2V
VS  0
Ví dụ Phân cực bằng cầu phân áp.
Cho mạch như hình vẽ :
𝑉𝐷𝐷 = 16𝑉, 𝑉𝑃 = −4𝑉, 𝑅1 = 2,1K𝛺, 𝑅2 = 270𝐾𝛺, 𝑅𝐷
= 2,4𝐾𝛺, 𝑅𝑆 = 1,5𝐾𝛺

Tìm: VGS VDS VS I R1 I R2

Ta chuyển về dạng tự phân áp để

giải:
RR
RThevenin  RG  1 2  2, 083K 
 R1  R2
R2 .VDD
VThevenin  VG   15,88V
R1  R2
 Ta có:
VGS  VG  VS  VG  I D .RS
VGS   I D RS  1,755V  VP
mà: 2 2 VDS  VDD  I D ( RD  RS )  11.437V
 V   I R 
I D  I DSS 1  GS   8 1  D S  VS  I D RS  1,755V
 VP   VP 
VDD
Ta giải phương trình bậc 2 I R1  I R2   0.06 A
được: R1  R2
 I D  48,6
 I  1,17 (nhận)
D

Chọn 𝐼𝐷 sao cho VGS  VG

:
 2. Phân cực cho MOSFET kênh có sẵn (DE-MOSFET)

Phân cực bằng cầu chia điện thế Phân cực bằng mạch hồi tiếp điện thế
3. Phân cực cho MOSFET kênh cảm ứng (E-MOSFET)

Phân cực bằng cầu phân áp Phân cực bằng mạch hồi tiếp điện thế
 IV. PHÂN TÍCH KHUẾCH ĐẠI CS
(COMMON SOURCE)
• Các phương trình liên hệ dùng để phân giải mạch:
• IG= 0A ( dòng điện cực cổng)
• ID= IS (dòng điện cực phát = dòng điện cực nguồn)
2
 VGS 
I D  I DSS 1   Đối với JFET và DE- MOSFET
 VP 
I D  k VGS  VP (th)  Đối với E- MOSFET
2

• E-MOSFET thông dụng trong mạch số, đặc biệt là

cấu trúc CMOS.

* (CMOS: là công nghệ dùng để chế tạo các mạch tích hợp)
 cx
Hình 4.1 Hình 4.2

• Hình 4.1: Chân S nối mass

• Hình 4.2: Chân S nối mass thông qua điện trở Rs
 Hình 4.4
HìnhH4.3

• Hình 4.3: Chân S nối mass thông qua điện trở Rs (có thêm
tụ điện Cs).
• Hình 4.4: Mach tương đương tín hiệu nhỏ.
Tính toán các giá trị , Av, Zi, Zo khi cực nguồn không mắc với
điện trở RS:

Hình 4.5 Hình 4.6

• vo=gm.Vgs(rd//RD) • Zi = RG
• id=gm.Vgs • Zo= rd//RD
• Av= vo/vi= -gm(RD//rd)
Độ lợi điện thế khi cực nguồn chung với điện trở RS:

Hình 4.7 Hình 4.8

v0 g m RD
Độ lợi điện thế khi có rd: Av  
vi R  RS
1  g m RS  D
rd
v0 g R
Độ lợi điện thế khi không có rd: Av   m D
vi 1  g m RS
VD1: Tìm Av khuếch đại cho hình dưới đây. Điểm Q tại VDSQ=12V;
IDQ=7mA; Các thông số của JFET cho như sau: gm=3.0 mS; rD=200kΩ.

vo
Av 
vin
id ( RD / / rDS )
Av    g m ( RD / / rDS )
vgs
 Av  52

Hình 4.9
 V. PHÂN TÍCH KHUẾCH ĐẠI CD
(COMMON DRAIN)

d Hình 5.2
Hình 5.1

• Hình 5.1: Dùng mạch phân cực tự động

• Hình 5.2: Dùng mạch phân cực bằng cầu chia áp
 Hình 5.3 Hình 5.4

• Zi = RG • Zi = R1//R2
 Hình 5.5

Mạch tương đương xoay chiều

• vgs = vi – gm. vgs(rd//RS) • Zo= rd//RD//1/gm
• Vo = vgsgm(rD//RS)] • Zi = Ri
Rin g m ( RS / / rD ) Rin
Ai  Av  .
rD 1  g m ( RS / / rD ) rD
Vo g m .(R S / / rD ) (R S / / rD )
Av   
Vi 1  g m .(R S / / rD ) R S / / rD  1/ g m
VI. PHÂN TÍCH KHUẾCH ĐẠI CG
(COMMON GATE)

Mạch khuếch đại CG:

Hình 6.1 Hình 6.2

 Từ mạch tương đương xoay chiều ta thấy:
VGS  Vi
V0   g m vgs .RD  g m RD .vi
v0
 Av   g m RD
vi
Ngoài ra:
vi vi 1
ii   g m vgs   g m vi  vi (g m  )
RS RS RS
Hình 6.3 vi RS 1
 Zi    RS / /
v0 1  g m RS gm
Và Z0 = RD
Nếu đưa rd vào mạch tương đương thì: Av  g m (R D / / rd )
1
Zi  RS / /
gm
Z 0  rd / / RD
Ví dụ phân tích khuếch đại CG:
IDSS= 12mA Vp= - 6V
RD= 1,5kΩ VDD=12V
RS=680 Ω VSS= 0 V
ID = 3.85mA

VD, VS, VDS = ??

Hình 6.4

VGS= VSS – ID.RS

VDS= VDD + VSS – ID(RD + RS)= 3,607 V
VD=VDD – ID.RD= 6,225 V
VS= - VSS – IDRS= 2,618 V
VII. THIẾT KẾ KHUẾCH ĐẠI DÙNG FET
• Việc thiết kế mạch phân cực dùng FET không chỉ giới hạn
ở các điều kiện phân cực.
• Từ các thông số của linh kiện, dạng mạch, ta dùng các định
luật Kirchoff, Ohm…và phương trình Schokley hoặc đặc
tuyến truyền, đường phân cực…để tìm những thông số
chưa biết.

• Trị số tốt nhất được chọn là:

I DSS VP
ID  ;VGS 
2 2
VD: Thiết kế mạch khuếch đại phân cực tự động dùng
JFET sao cho độ lợi điện thế bằng 10.

Vì mạch phân cực ở VGS= 0V nên:

2.I DSS
gm  gm0   5mA
VGS (off )
Và:
V0
AV    g m .RD  10
Vin
AV
Hình 7.1  RD    2k 
gm
 KHUẾCH ĐẠI BOOSTRAP SF

* Đây là trường hợp đặc biệt của khuếch đại SF (CD).

Phân cực được đặt qua một phần điện trở cực nguồn, như vậy sẽ nhận điện
trở đầu vào lớn hơn phương pháp thông thường.

Thiết kế này cho phép sử dụng ưu điểm đặc tính trở kháng cao của FET mà
không cần dùng các giá trị lớn của điện trở RG.
 io vo RG RS
• Độ lợi dòng điện: Ai   
iin RLiin RL RS 1  (R S  R L ) / g m

Ai .RL RG RS RL
• Độ lợi điện áp: Av  
Rin Rin [RL RS 1 +(RS  RL )/g m ]
 VI. TRANSISTOR MỐI NỐI RÀO THẾ
KIM LOẠI BÁN DẪN (MESFET)
• MESFET giống như FET, ngoại trừ mối nối rào thế kim loại bán
dẫn, giống như trường hợp DIODE SCHOTTKY (Diode
Schottky là một loại diode bán dẫn với một điện áp rơi phân
cực thuận thấp và ngắt rất nhanh).

• Những MESFET này có độ lợi cao, nhiễu thấp, hiệu suất cao và
trở kháng đầu vào cao, chống nhiễu nhiệt tốt. Thường được sử
dụng dùng làm dao động cao tần, khuếch đại, trộn và chuyển
mạch tốc độ cao.
The end