Pilar González

Electrónica
Escuela de Física
Facultad de Ciencias Básicas
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
El diodo que tiene la región poco contaminada y casi
intrínseca entre las regiones de p y n se llama diodo
Pinto. Cuando se polariza en directo, la inyección de
portadores minoritarios aumenta la conductividad de la
región intrínseca. Cuando se polariza en inverso, la
región i se vacía totalmente de portadores y la intensidad
del campo a través de la región es constante.
El diodo PIN es un diodo que presenta una
región p y n altamente conductoras junto a una
zona intrínseca poco conductiva. De ahí viene el
significado de sus siglas PIN.
 Zona tipo P. “P”

 Material Intrínseco. “I”

 Zona tipo N. “N”.

Si(Silicio): Sin duda el semiconductor más
frecuentemente utilizado en todo tipo de
dispositivos electrónicos. Tiene la ventaja de su
disponibilidad a bajo costo y sus corrientes de
saturación inversa son relativamente bajas; tiene
buenas características ante la temperatura y
excelentes niveles de voltaje de ruptura. También
se ha beneficiado de las décadas de enorme
atención al diseño de circuitos integrados a gran
escala y a la tecnología de procesamiento.
El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de
alta resistividad. La capa P de baja resistividad
representada, está formada por difusión de
átomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la
capa N muy delgada está formada difundiendo
grandes cantidades de fósforo.
La región intrínseca i es realmente una región P
de alta resistividad y se suele denominar región p.
Cuando el circuito está abierto, los electrones
fluyen desde la región i (p) hasta la región P para
recombinarse con los huecos en exceso, y los
huecos fluyen desde la región i para recombinarse
con los electrones de la región N.
El fotodiodo PIN es el detector más importante utilizado
en los sistemas de comunicación óptica. Es relativamente
fácil de fabricar, altamente fiable, tiene bajo ruido y es
compatible con circuitos amplificadores de baja tensión.
Además, es sensible a un gran ancho de banda debido a
que no tiene mecanismo de ganancia. Unas zonas p y n
altamente conductivas junto a otra intrínseca poco
conductiva, caracterizan al diodo PIN. Los fotones entran
a la zona intrínseca generando pares electrón-hueco. El
diodo se polariza inversamente con el fin de que las cargas
generadas en la zona intrínseca sean aceleradas por el
campo eléctrico presente.
 FOTODIODO PIN

 Su aplicación principal es como receptor de

señales en circuitos de transmisión de datos
por medio de fibra óptica. Estos sistemas están
compuestos por un transmisor, cuya misión es
la de convertir la señal eléctrica en señal óptica
susceptible de ser enviada a través de una fibra
óptica. En el extremo opuesto de la fibra óptica
se encuentra el receptor, cuya misión es la de
convertir la señal óptica en señal eléctrica
nuevamente.
 Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de
microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1
GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo
tiene una impedancia muy alta cuando está
inversamente polarizado y muy baja cuando esta
polarizado en sentido directo. Además, las tensiones de
ruptura están comprendidas en el margen de 100 a
1000 V.
 En virtud de las características del diodo PIN se le
puede utilizar como interruptor o como modulador de
amplitud en frecuencias de microondas ya que para
todos los propósitos se le puede presentar como un
cortocircuito en sentido directo y como un circuito
abierto en sentido inverso. También se le puede utilizar
para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones
muy grandes.
 El dispositivo conmutador, un tipo de
dispositivo para instalaciones eléctricas o
electrónicas que permite modificar el
camino que deben seguir los electrones.