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Numerical Design of PCF
Numerical Design of PCF
PHOTONIC MICROSTRUCTURES
• Se plantean relaciones empíricas para el parámetro
V y el parámetro W de fibras con revestimiento de
cristal fotónico para predecir las propiedades de
transmisión, basadas en parámetros geométricos
fundamentales; el diámetro de los huecos y la
separación entre huecos.
• De esta manera no es necesario el uso de costosos
cálculos numéricos.
• Las fibras ópticas con revestimiento de cristal
fotónico (PCFs por sus siglas en ingles Photonic
Crystal Fibers) usualmente formadas por un defecto
central rodeado por múltiples huecos en una
disposición triangular periódica tienen algunas
propiedades extraordinarias, como amplio rango de
longitud de onda en transmisión mono modo,
dispersión cromática inusual y alta o baja no
linealidad. Propiedades por las cuales se han
convertido en objeto de intensivo estudio.
• Recientemente una aproximación analítica basada
en la frecuencia normalizada (parámetro V) fue
desarrollada para PCFs de guiado por índices,
simplificando el diseño de las mismas.
• La facilidad de diseño para PCFs requiere relaciones
empíricas del parámetro V y el parámetro W
(Constante de atenuación transversal normalizada)
que dependen únicamente de la longitud de onda y
de los parámetros estructurales de la fibra.
• Considerando una PCF con
un patrón reticular triangular
o hexagonal de huecos como
se muestra en la IMAGEN,
donde d es el diámetro del
hueco, Λ es el espaciado
entre huecos y el índice de
refracción del Silicio es 1.45.
Omitiendo el hueco en el
centro, se crea un defecto
central con un alto índice el
cual se asemeja al núcleo de Fibra con revestimiento de cristal
fotónico
la fibra.
Relación empírica usando
los parámetros V y W
• Las fibras de cristal fotónico con patrón triangular
pueden ser bien parametrizadas por la frecuencia
normalizada dada por:
2𝜋 2 2
𝑉= 𝛼𝑒𝑓𝑓 𝑛𝑐𝑜 − 𝑛𝑓𝑠𝑚 = 𝑈2 − 𝑊 2
𝜆
• Con
2𝜋 2 2
𝑈 = 𝛼𝑒𝑓𝑓 𝑛𝑐𝑜 − 𝑛𝑒𝑓𝑓
𝜆
2𝜋 2 2
𝑊= 𝛼𝑒𝑓𝑓 𝑛𝑒𝑓𝑓 − 𝑛𝑓𝑠𝑚
𝜆
Relación empírica usando
el parámetro V
• Los valores de V pueden ser calculados a través
𝜆
del método
𝑑
vectorial de elemento finito como función de para .
𝛬 𝛬
Representado por la fórmula:
𝜆 𝑑 𝐴2
V , = 𝐴1 + 𝐴4 𝜆
𝛬 𝛬 1+𝐴3 𝑒𝑥𝑝 𝛬
• Para lograr un ajuste preciso, los datos son truncados en
V=0.85. 𝑑Los parámetros de ajuste 𝐴𝑖 de 1 a 4 dependen
solo de . Los datos son bien descritos por la siguiente
𝛬
expresión:
𝑏𝑖1 𝑏𝑖2 𝑏𝑖3
𝑑 𝑑 𝑑
𝐴𝑖 = 𝑎𝑖0 + 𝑎𝑖1 + 𝑎𝑖2 + 𝑎𝑖3
𝛬 𝛬 𝛬
𝜆
Usando los coeficientes de la siguiente tabla, para valores 𝛬 < 2 y V > 0.85.
Se puede observar la condición de corte, dada como V= 2.405, igual que en fibras
de salto de índice (SIFs Step-Index Fibers) convencionales. Usando la relación
empírica y fórmulas en términos del parámetro V para las SIFs, las propiedades
fundamentales de las PCFs, pueden ser estimadas.
expresión:
𝑑 𝑑𝑖1
• 𝐵𝑖 = 𝑐𝑖0 + 𝑐𝑖1 +
𝛬
𝑑 𝑑𝑖2 𝑑 𝑑𝑖3
𝑐𝑖2 + 𝑐𝑖3
𝛬 𝛬
𝜆
• Para valores < 2 y W >
𝛬
0.1 da los valores de W
• Ahora, usando el parámetro V y el parámetro W, el
índice efectivo del modo fundamental, neff, puede
ser obtenido sin cálculos numéricos
Dispersión Cromática
• Las PCFs poseen la propiedad de poder controlar
fácilmente su dispersión cromática variando el
diámetro de los huecos y la separación entre estos
• La dispersión cromática D de una PCF es calculada
fácilmente a partir del índice efectivo del modo
fundamental neff como función de la longitud de onda λ
usada.
𝜆 𝑑 2 𝑛𝑒𝑓𝑓 𝜆
𝐷 𝜆 =−
𝑐 𝑑𝜆2
𝑑
Cuando la relación es muy pequeña y la separación
𝛬
entre huecos es grande, la curva de dispersión es cercana
a la dispersión del silicio puro.
Conclusión
• Usando este método de diseño, obtenemos
fácilmente propiedades fundamentales de las fibras
con revestimiento de cristal fotónico, de manera
similar al cálculo de las mismas para fibras
convencionales, tales como campo modal,
diámetro, divergencia del haz, perdida por
empalme entre otras.