TIPOS DE POLARIZACIÓN

DE UN TRANSISTOR
POLARIZACIÓN DE UN TRANSISTOR

MODOS DE TRABAJO DE UN TRANSISTOR

RECTA DE CARGA
POLARIZACIÓN DEL BJT: POLARIZACIÓN
FIJA O EN EMISOR COMÚN
POLARIZACIÓN DE BASE COMÚN
POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE TENSIÓN
POLARIZACIÓN DE EMISOR SEGUIDOR
EFECTOS DE CAMBIO
DE PARÁMETROS
EFECTOS DE CAMPO
CURVA CARACTERISTICA
¿QUÉ SIGNIFICA MOSFET?
 Tiempos de
conmutación del
transistor
 Tiempos de conmutación del
transistor
Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables. Pero si tenemos en
cuenta los efectos de retardo de conmutación, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de
potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable, por lo
que la potencia media de pérdidas en el transistor va a ser mayor. Estas pérdidas aumentan con la
frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar ésta, también lo hace el número de veces que se
produce el paso de un estado a otro.
Tiempos de conmutación del transistor

Podremos distinguir entre

tiempo de excitación o
encendido (on) y tiempo de
apagado (off). A su vez, cada
uno de estos tiempos se
puede dividir en otros dos.
Tiempo de encendido o conexión (on),se divide
en dos:
 Tiempo de retardo (td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se
aplica la señal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la señal de
salida alcanza el 10% de su valor final.
Este tiempo de retraso se debe , cuando un transistor actúa como conmutador, se
lo polariza inversamente para llevarlo a corte . Con lo cual la capacidad de la
juntura base-emisor se carga a ese valor de tensión negativa ; por tal razón para
pasarlo a la conducción(saturación) se necesita de cierto tiempo para descargar y
cargar ese condensador. A mayor valor de polarización inversa mayor será el
retardo.
 Tiempo de subida (tr): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.
 Tiempos de apagado o desconexión (off),es mas
largo que el conexión y también se divide en dos:
 Tiempo de almacenamiento (ts): Tiempo que transcurre desde que se
quita la excitación de entrada y el instante en que la señal de salida
baja al 90% de su valor final.
 Tiempo de caída (tf): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.
 Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (t off)será siempre mayor que
el tiempo de encendido (t on).

 Los tiempos de encendido (t on) y apagado (t off) limitan la frecuencia máxima a la

cual puede conmutar el transistor.
EL TRANSISTOR COMO
INTERRUPTOR O SWITCH
 Cuando un transistor se utiliza en un circuito , el comportamiento que
este tenga dependerá de sus curvas características .

Cuando el transistor se utiliza como amplificador , el punto de

operación de este se ubica sobre una de las líneas de las funciones de
transferencia que están en la zona activa .

Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch , la

corriente de base debe tener un valor para lograr que el transistor entre en
corte y otro para que entre en saturación .
Transistor en corte : Tiene una corriente de colector Ic mínima
(prácticamente igual a 0) y un voltaje colector – emisor Vce máximo .

Transistor en saturación : Tiene una corriente de colector Ic máxima y

un voltaje colector - emisor Vce casi nulo .
 En pocas palabras para que el transistor entre en corte , el valor de la
corriente de base debe ser baja o mejor aún , cero .

 Mientras para que el transistor entre en saturación , el valor de la

corriente de base debe calcularse dependiendo de la carga que se este
operando entre encendido y apagado que seria el funcionamiento del
interruptor .

 Si se conoce cual es la corriente que necesita la carga para activarse (que

se supone es un foco) , se tiene el valor de corriente que habrá de conducir
el transistor cuando este en saturación y con el valor de la fuente de
alimentación del circuito se puede obtener la recta de carga .

 Esta recta de carga confirmaría lo antes ya mencionado sobre la zona de

corte y la zona de saturación .
EJEMPLO DE DISEÑO DE INTERRUMPTOR
CON UN TRANSISTOR BIPOLAR

Datos :
-Voltaje de alimentación :12v

-Foco 12v ; 1.2W

-B(mínimo) : 200

-Vbe : 0.7v (transistor de sili.)