Chương 4: DIODE

ThS. Nguyễn Bá Vương

4.1 Chất bán dẫn điện
 Cấu trúc vùng năng lượng của chất rắn tinh thể
• Vùng hóa trị (hay còn gọi là vùng đầy), trong đó tất cả các mức
năng lượng đều đã bị chiếm chỗ, không còn trạng thái (mức)
năng lượng tự do.
• Vùng dẫn (vùng trống), trong đó các mức năng lượng đều còn
bỏ trống hay chỉ bị chiếm chỗ một phần.
• Vùng cấm, trong đó không tồn tại các mức năng lượng nào để
điện tử có thể chiếm chỗ hay xác suất tìm hạt tại đây bằng 0.

a) Chất cách điện b) chất bán dẫn c) chất dẫn điện

 Chất bán dẫn thuần
• Hai chất bán dẫn thuần điển hình là Gemanium (Ge)
và Silicium (Si) có cấu trúc vùng năng lượng dạng
với Eg = 0,72eV và Eg = 1,12eV
Mẫu nguyên tử Si14 (theo BOHR)
electron -

+P
N n=1 n=3
n=2
 Cấu trúc electron

a) Silicon-Si b) Germanium-Ge c) Gallium-Ga

d) Arsenic-As e) Indium-In
Silicon cấu tạo bền
•Tuy nhiên, dưới tác dụng nhiệt (hoặc ánh sáng, điện
trường…), một số điện tử nhận được năng lượng đủ
lớn hơn năng lượng liên kết cộng hoá trị ( năng lượng
ion hoá 1.12 eV đối với Si và 0,6 eV đối với Ge) nên
có thể bức khỏi sự ràng buộc nói trên để trở thành
điện tử tự do và dễ dàng di chuyển trong mạng tinh
thể  Si trở nên dẫn điện.

•Khi có 1 điện tử rời khỏi vị trí sẽ để lại tại đó một lỗ

trống mang điện tích dương các lỗ trống di chuyển
ngược chiều với điện tử tự do.

•Hiện tượng trên được gọi là hiện tượng sinh tạo

nhiệt cặp điện tử tự do – lỗ trống.
 Chaát baùn daãn pha (dope)
• 1. Chaát baùn daãn loaïi n
Pha nguyeân töû hoaù trò 5 ( P15 )vaøo tinh
theå Si:
 P seõ duøng 4 ñieän töû voøng ngoaøi cuøng
ñeå lieân keát coäng hoaù trò vôùi 4 ñieän
töû cuûa 4 nguyeân töû keá caän
 Coøn laïi 1 ñieän töû thöù 5 vì khoâng lieân
keát neân deã daøng di chuyeån trong maïng
tinh theå ñieän töû töï do  daãn ñieän.
 1 nguyeân töû P cho 1 ñieän töû töï do,Pha
nhieàu nguyeân töû P cho nhieàu ñieän töû
 Chất bán dẫn tạp chất loại n
electron dư (e tự do)

+4 +4 +4

+4 +5 +4

+4 +4 +4
töû – loã troáng nhöng vôùi noàng ñoä raát
beù.
Keát luaän : Chaát baùn daãn loaïi n coù:
Ñieän töû töï do laø haït taûi ña soá maät
ñoä nn,
Loã troáng laø haït taûi thieåu soá , maät ñoä
pn,
Nguyeân töû P laø nguyeân töû cho, maät
ñoä ND,
Trong ñieàu kieän caân baèng nhieät ñoäng
cho: nn .pn  n i
2

nn = ND + pn = ND
2
n
Vaø: pn  i

maät ñoä loã troáng thieåu

N D soá trong chaát baùn
 Chaát baùn daãn pha
• 1. Chaát baùn daãn loaïi p
Pha nguyeân töû hoaù trò 3( B5 )vaøo tinh
theå Si:
 B seõ duøng heát 3 ñieän töû voøng ngoaøi
cuøng ñeå lieân keát coïng hoaù trò vôùi 3
ñieän töû cuûa 3 nguyeân töû keá caän
 Coøn laïi 1 vò trí thieáu vì ñieän töû neân
xem nhö coù ñieän tích döông vaø caùc
ñieän töû laân caän deã ñeán taùi keát vôùi
loã troáng cuûa B vaø ñeå laïi ôûvò trí ñoù
loå troâng môùi vaø hieän töôïng treân cöù
tieáp dieãn daãn ñieänbaèng loã troáng.
 1 nguyeân töû B cho 1 loã troáng,Pha nhieàu
 Chất bán dẫn tạp chất loại p
Lỗ trống

+4 +4 +4

+4 +3 +4

+4 +4 +4
 Ngoaøi ra, trong ñieàu kieän nhieät ñoä trong
phoøng, coøn coù sinh taïo nhieät caëp ñieän
töû – loã troáng nhöng vôùi noàng ñoä raát
beù.
Keát luaän : Chaát baùn daãn loaïi p coù:
Ñieän töû töï do laø haït taûi thieåu soá maät
ñoä np,
Loã troáng laø haït taûi ña soá , maät ñoä pp,
Nguyeân töû P laø nguyeân töû nhaän, maät ñoä
NA, 
Trong ñieàu kieän caân baèng nhieät ñoäng cho:
pp = n +pn
NpA.p p n i NA.
2

Vaø:
2
 ni
maät ñoä ñieän töû
n p tö ïdo thieåu soá trong chaát
NA
baùn daãn loaïi p cho bôûi:
4.2 Mặt ghép p-n và tính chỉnh
lưu của diode bán dẫn
 II. Noái pn
1.Caáu taïo

p+ n+

1μm
lôùp SiO 2

n+ 5μm
maøng moûng
10μm
p
Giaù
(substrate
)
Vùng tiếp xúc
P N
- - + +
- - + +
- - + +
- - + +
- - + +
- - + +
- - + +
- - + +
- - + +
- - + +
- - + +

Lỗ trống
e tự do
 2.Caân baèng nhieät ñoäng
• Do caùc haït taûi khueách taùn vaø taùi
keát trong vuøng gaàn noái vuøng
hieám (vuøng khieám khuyeát) hai beân
noái ( vuøng khoâng coøn haït taûi di
ñoäng maø chæ coønJ caùc ion coá ñònh ).
Vuøng hieám Ei

-- - - - - -- -- ++ + + +
-- - - - - -- -- ++ + + +
-- - - - - -- -- + + + + +

VB Raøo theá
 Mối ghép kim loại
Na Nd

- - - - - - + + + + + +
- - - - - - + + + + + +
P - - - - - - + + + + + + n
- - - - - - + + + + + +
- - - - - - + + + + + +

Space Charge
Nhận ion Region Cho ion

E-Field
_ _
+ +
h+ drift = h+ diffusion e- diffusion = e- drift
• Do có sự chênh lệch lớn về nồng độ (nn >>np và pp
>>pn) tại vùng tiếp xúc có hiện tượng khuếch tán các
hạt đa số qua nơi tiếp giáp, xuất hiện 1 dòng điện
khuếch tán Ikt hướng từ p sang n.
• Tại vùng lân cận hai bên mặt tiếp xúc, xuất hiện một
lớp điện tích khối do ion tạp chất tạo ra, trong đó
nghèo hạt dẫn đa số và có điện trở lớn (hơn nhiều
cấp so với các vùng còn lại), do đó đồng thời xuất
hiện 1 điện trường nội bộ hướng từ vùng N (lớp ion
dương ND) sang vùng P (lớp ion âm NA) gọi là điện
trường tiếp xúc Etx .
• Người ta nói đã xuất hiện 1 hàng rào điện thế hay
một hiệu thế tiếp xúc Utx.
• Khi J=Jtr+Jkt = 0  caân baèng nhieät ñoäng
• Ñieän tröôøng noäi ñaït trò nhaát ñònh Ei vaø
raøo ñieän theá cho bôûi:
N AND
V B  V T ln 2
ni
• ÔÛ 300oK , VB = 0,7 V (Si)
VB = 0,3 V (Ge)
Vaäy noái pn khoâng daãn ñieän (I = 0) khi chöa
ñöôïc caáp ñieän ( phaân cöïc)
• Muoán noái pn daãn ñieän phaûi phaân cöïc
baèng nguoàn caáp ñieän DC ñeå laøm giaûm
raøo ñieän theá hay laøm heïp vuøng hieám.
Mặt ghép p-n khi có điện áp ngoài
Đặc tuyến Von –Ampe
IAK (mA)

Ge

Si
1
IAK=+1mA

UAK (V)

UAK=+0,28(V)

UAK=+0,51(V)
2

3
 Đường thẳng lấy điện
ID ID (mA)

+V - Đư
D E/R ờn
g thẳ
ng
+ + lấy
E R điệ
VR n
- -
IDQ Q

 V 
I D  I 0 exp D  1
 .VT  VDQ E

E  VD  RI D
Phương trình này xác định điểm làm việc của diode tức điểm
điều hành Q, được gọi là phương trình đường thẳng lấy điện.
 Đường thẳng lấy điện
Trong trường hợp

VD  0, E  0  I D R  I D R,  ID  E
R
Trong trường hợp
I D  0, E  VD  (0)R  VD ,  VD  E
2 điểm ID và VD trên trục tung và trục hoành của
biểu đồ đường đặc tính VA. Nối 2 điểm này và
cắt đường đặc tính VA của diode tại điểm Q.
Khi đó ta có VDQ và IDQ.
4.3 Diode trong mạch điện một chiều
 Khi E < VK, khi đó diode phân cực nghịch
• ID = IR = 0mA ; VR = R.IR = 0V ; VD = E - VR = E

ID
+ -
+V - VD=E ID
D ID

+ + + +
E R VR E R VR
- - - -
 Khi E > VK, diode phân cực thuận, mạch được
xem mạch kín
ID = IR = E/R (mA) ; VR = E ;
VD = 0
ID
+ -
+V - VD=0 ID
ID D ID ID

+ + + +
E R R
VR E VR=E
- - - -
4.4. Diode trong mạch điện xoay
chiều – Mạch chỉnh lưu
giá trị trung bình và giá trị hiệu dụng
• Một cách tổng quát, tổng đại số diện tích trong một chu
kỳ T của một sóng tuần hoàn v(t) được tính bằng công
thức:
T
S   v(t ).dt
0

• Do đó giá trị trung bình được tính bằng công thức:

T
1
VDC   v(t ).dt
T0
 Dạng sóng Trị trung bình

S1  S2
V(t)

S1 VDC  0
1 0
S2
t T
T

V(t)

S1  S2
3 0 S1 VDC  0
S2
t
T
T

S1  S2
V(t)

S1 VDC  0
2 0
S2 t T
T
 Dạng sóng

Trị trung bình

 Giá trị hiệu dụng

• là trị số đương của dòng điện một chiều IDC mà khi

chạy qua một điện trở R trong một chu kì sẽ có năng
lượng tỏa nhiệt bằng nhau.
T
1 2
I rms  
T0
i (t ).dt

T
1 2
Vrms  
T0
v (t ).dt
 Dạng sóng Trị trung bình và hiệu dụng
V(t) VDC  0
+VMax
VMax
1 0 t Vrms 
2
-VMax

V(t) 2VMax
VMax VDC   0, 637VM ax

2 VMax
t Vrms 
0
2

VMax
V(t) VDC   0,318VM ax
+VMax 
t
0 VMax
3
Vrms 
2
Mạch chỉnh lưu nửa sóng (một bán kỳ)
Vi(t)
+VMax

0
t

-VMax

ID

+V -
D

+
AC Vi(t) RL VR
-

VRL
Vdcm

0 t

Vdcm
VDC   0,318.Vdcm

 Chỉnh lưu toàn kỳ với biến thế có điểm giữa

V1

AC
V2
(a)

V2
V1
+VMax
+VMax

t 0
t
0

-VMax
-VMax (d)
(b)
 Chỉnh lưu toàn kỳ với biến thế có điểm giữa

D1
RL
AC
+ Vo -

D2 (c)

D1
+ - Vo
Vdcm
RL
AC 0
t
+ Vo -
D2
Chỉnh lưu toàn kỳ với biến thế có điểm giữa

D1
RL
AC
+ Vo -

D2 (c)

Vo
Vdcm

0 t

Vdcm
VDC  2  0, 637.Vdcm

 Chỉnh lưu toàn kỳ dùng cầu diode

D1 D2
AC
D4 D3
VOut

Vout

0 t

Vdcm
VDC  2  0, 637.Vdcm

 Chỉnh lưu với tụ lọc
Tụ Tụ
g iữ n
VC đ iện ạp
D1 C đ iện
Vdcm VDC=Vdcm
AC
+ VC -
0 t

D2 Tụ
Tụ g
C n iữ
ạp đi
VL đ iện ện
D1 Vdcm
RL
AC
+ VL - 0 t
T/2 T
D2

VL(t)
VdcMax
Vr(p-p)
Vdcmin
0,637VdcMax Vr(p  p)
VDC  VdcMax 
2
0 t

T/2 T
Do điện thế đỉnh tối đa là VdcMax nên điện thế trung bình tối thiểu là:
Vdcmin=VdcMax-Vr(p-p)
Khi chưa mắc tụ C vào, giá trị trung bình là:

2VdcMax
Vdc   0,837VdcMax

Khi có tụ lọc C:

Vdc min  VdcMax  Vr ( p  p )

Nên giá trị trung bình ở ngõ ra:

Vr ( p  p )
VDC  VdcMax 
2
 Hệ số sóng dư: (ripple factor)
VL(t) VL(t) VL(t)
Sóng dư
VdcMax t
VDC VDC 0

0 t 0 t

VL(t) VL(t)

0 t 0 t
Vr(p-p) Vr(p-p)

Chu kỳ =T/2 Chu kỳ =T/2

Vr  p  p  Vr  ms  Vr  ms 
Vr  ms   r r%  .100%
2 3 VDC
VDC
 Mạch cắt (Clippers)

D1
VIn R VOut

Mạch cắt nối tiếp

 Dạng sóng đầu vào VIn Dạng sóng đáp ứng (đầu ra VOut)
VIn(t) VOut(t)
+VMax +VMax
0 t 0 t

-VMax -VMax

VIn(t) VOut(t)
+VMax +VMax
0 t 0 t

-VMax -VMax

VIn(t) VOut(t)
+VMax +VMax

t 0 t
0
-VMax
-VMax
 Mạch cắt (Clippers)

R
VIn(t) D1 VOut(t)

Mạch cắt song song

 Dạng sóng đầu vào VIn Dạng sóng đáp ứng (đầu ra VOut)
VIn(t) VOut(t)
+VMax +VMax

t 0 t
0
-VMax
-VMax

VIn(t) VOut(t)
+VMax +VMax

t 0 t
0

-VMax -VMax

VOut(t)
VIn(t) +VMax
+VMax t
0
0 t
-VMax
-VMax
 Mạch cắt Mạch có phân cực
+
VIn(t)
R +16V
VIn(t) D1 VOut(t) t
0

- V=4V -16V

VOut(t)
+16V

+4V
0 t
T/2 T

-16V
 Mạch ghim áp (Mạch kẹp - Clampers)
+ C
VIn(t)
+VMax

VIn(t) D1 R VOut(t) 0 t
T/2 T
- -VMax

VOut(t)

0 t
T/2 T
-2V
 Mạch dùng diode Zener
IR IL

IZ
VIn RL VOut(t)
VZ Z1

Diode zener với điện thế ngõ vào vi và tải RL cố định

- Xác định trạng thái của diode zener bằng cách tháo rời
diode zener ra khỏi mạch và tính hiệu thế V ở hai đầu của
mạch hở.
RL
V  VIn
R  RL
 RL
V  VIn
R  RL
* Nếu V≥Vz diode zener dẫn điện ⇒ VOut=Vz
Khi dẫn điện, dòng điện IZ chạy qua diode zener được xác
định bởi: IZ=IR-IL
Trong đó: V V VZ
IR  In Z IL 
R RL
IZ<IZM
IZM: dòng điện tối đa qua zener mà không làm hỏng
* Nếu V<Vz diode zener không dẫn điện

RL
⇒ VOut=Vz; IZ=0; IR=IL=
R  RL
 Mạch chỉnh lưu bội áp

C1 D2

AC Vm RL VOut=2Vm
D1 C2
 Mạch ghim áp
Mạch chỉnh lưu nữa sóng
C1 D1

C2
D1 VOut=2Vm VOut
AC Vm

VOut
Vm(t) +Vm
+Vm +Vm
0 t
t 0 t
0
-Vm
-Vm -Vm
-2Vm
-2Vm
 D1

C1

AC Vm
RL VOut=2Vm

C2

D2
Mạch chỉnh lưu tăng đôi điện thế 2 bán kỳ
Kiểm tra diode