Lý thuyết và bài tập:

Nguồn quang
Nhóm 2:
1. Bùi Văn Chiến
2. Hoàng Hữu Chung
3. Nguyễn Văn Chương
4. Phạm Văn Công
5. Nguyễn Văn Cường
Thiết bị chuyển đổi điện thành quang E/O
 Vật liệu nguồn sáng (Leds)
Vật liệu bán dẫn được sử dụng cho lớp tích cực
của nguồn quang phải có vùng cấm năng lượng
có hướng.
• Trong bán dẫn có vùng cấm có hướng, điện tử
và lỗ trống có thể tái hợp 1 cách có hướng mà
không cần hạt thứ 3 để giữ mô men, sự tái tổ
hợp sẽ phát xạ tạo ra các mức năng lượng ánh
sáng.
• Vùng cấm vốn không tồn tại mức năng lượng,
song nếu pha tạp có thể xuất hiện các mức
năng lượng trong vùng cấm, nhiều vật liệu
phức hợp nhóm 3 hoặc 4 vật liệu có thể tạo
được năng lượng dải cấm thích hợp cho
nguồn quang.
 Để hoạt động ở dải phổ 800-900nm, sử dụng
vật liệu pha tạp Ga1-xAlxAs
• Tỉ
  lệ x của Al sẽ xác định độ rộng vùng cấm có
mức năng lượng theo công thức: (0 ≤ x≤ 0.37)
• Eg = 1.424 +1.266x +0.266x2 (1)

• Bước sóng phát xạ tính theo:

• (2)
VD:4.3
• Với
  tỉ lệ x =0.07. Tính theo công thức trên
được:
• Theo (1):
Eg =1.424 + 1.266*(0.07) +0.266*(0.07)2
= 1.51 eV.
Bước sóng đỉnh phát xạ là:

= 0.82 μm =820 nm.

Kết quả được tính toán tương tự cho bài tập 4.3
Đồ thị mô tả sự phụ thuộc năng lượng
vùng cấm và bước sóng theo tỉ lệ x
Hình vẽ thể hiện bước sóng đỉnh phát ra
là 810nm và độ rộng phổ ở mức nửa
công suất là 36nm
 Để hoạt động ở dải phổ lớn hơn từ
0.92 -1.65μm, sử dụng vật liệu pha tạp
In1-xGaxAsyP1-y
• Năng lượng vùng cấm phụ thuộc vào tỉ lệ x và
y trong công thức:
• Eg = 1.35 - 0.72y + 0.12y2 (3)
• Mối liên hệ x và y: y=2.2x với 0 ≤ x ≤ 0.47
• Từ việc tính được x hoặc y ta cũng biết thành
phần tỉ lệ của vật liệu pha tạp.
• Bước sóng ánh sáng được tạo ra ở vật liệu này
lớn hơn 900nm.
VD 4.4
• Xét
  vật liệu In0.74Ga0.26As0.57P0.43 với x= 0.26 , y=
2.2x= 0.57 .
• Từ công thức (3): Năng lượng vùng cấm
• Eg = 1.35 – 0.72*(0.57) +0.12*(0.57)2
= 0.97eV
Từ đó ta tính được bước sóng đỉnh phát ra:
λ = 1.27 μm = 1270nm
Biểu đồ thể hiện mối quan hệ khoảng cách
tinh thể mạng, năng lượng vùng cấm và
bước sóng phát xạ của Leds
BT 4.4
•  
a. Khoảng cách mạng tinh thể là:
a(BC) = a(GaAs) = 5.6536 A°
a(BD) = a(GaP) = 5.4512 A°
a(AC) = a(InAs) = 6.0590 A°
a(AD) = a(InP) = 5.8696 A°
a(x,y) = xy 5.6536 + x(1-y) 5.4512 + (1-x)y 6.0590 + (1-x)(1-
y)5.8696
= 0.1894y - 0.4184x + 0.0130xy + 5.8696

b. Thay a(xy) = a(InP) = 5.8696 A° vào biểu thức a(x,y) ở câu a ta có:

c. Với x = 0.26, y = 0.56 ta có:

Eg = 1.35 + 0.668(.26) - 1.17(.56) + 0.758(.26)2 + 0.18(.56)2 - .
069(.26)(.56) - .322(.26)2(.56) + 0.03(.26)(.56)2
= 0.956 eV