CHÖÔNG 3

TRANSISTOR LƯỠNG CỰC

(BJT- BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)
I. Đại cương về BJT
1. Caáu truùc transistor:

• E : Emitter (cöïc phaùt)

• C : Collector (cöïc thu)
• B : Base (cöïc neàn).
2. Nguyeân lyù hoaït ñoäng:
a. chế độ khuếch đại
**Transistor pnp

a. Phaân cöïc thuaän moái noái BE b. Phaân cöïc nghòch moái noái
BC
 Xeùt phaân cöïc caû hai moái noái

I E  IC  I B
AÙp duïng ñònh luaät Kirchhoff ta coù:

I C  I Cmajority  I CO min ority

Doøng cuûa caùc haït taûi ña soá ICmajority
Doøng cuûa caùc haït taûi tieåu soá kí hieäu laø ICOminority hay ICBO :
Doøng ICBO coù giaù trò raát nhoû naèm trong khoaûng töø nA ñeán A.
Trong ñoù:
ICmajority = α IE
α: Heä soá truyeàn ñaït, thöôøng coù giaù trò töø 0,9 ñeán
0,998
Vaäy:
IC = α IE + ICBO
• Khi xeùt ñeán nhieät ñoä laøm vieäc cuûa transistor khoâng
thay ñoåi coù theå boû qua ICBO.
IC = α I E
b. Transistor npn

Keát luaän:
Traïng thaùi hoaït ñoäng cuûa transistor vöøa xeùt laø khi
BE ñöôïc phaân cöïc thuaän vaø BC phaân cöïc ngöôïc, ñaây
laø traïng thaùi transistor hoaït ñoäng ôû cheá ñoä khueách
ñaïi.
Hoaït ñoäng khueách ñaïi cuûa BJT:

Vi 200mV
Ii 
Ri

20
 10mA I L  I i  10mA

VL  I L R  (10mA)  (5k)  50V

VL 50V
Av    250
Vi 200mV
b.Chế độ bảo hoøa vaø taét

• Cheá ñoä baûo hoøa:BE vaø BC phaân cöïc

thuaän.
VCE=0; IC=ICSAT. (Rce -> 0)

• Cheá ñoä taét: BE, BC bò phaân cöïc nghòch.

VCE=VCC; IC=0. (Rce -> ∞)
3. Ñaëc tuyeán voân _ ampe:
a. Maïch cöïc B chung – CB (Common Base):
Hoï ñaëc tuyeán ngoõ vaøo
 Hoï ñaëc tuyeán ngoõ ra

Trong vuøng tích cöïc

I C  I E  I CBO
IC  I E
VBE  0,7V
b. Maïch cöïc E chung – CE (Common Emitter):
Hoï ñaëc tính vaøo vaø ñaëc tính ra

Giaù trò doøng ñieän IB vaøo khoaûng A trong khi giaù trò
doøng ñieän IC vaøo khoaûng mA.
 Ta coù:
I C  I E  I CBO
Thay IE = IC + IB : I C   ( I C  I B )  I CBO

I B I CBO
IC  
1 1
Ñaët: I CBO
I CEO 
1 IB  0


1
β: ñöôïc goïi laø heä soá khueách ñaïi doøng ñieän.
I CEO  (   1) I CBO   I CBO
Vaäy coâng thöùc quan heä giöõa doøng ra vaø doøng vaøo trong
maïch CE:
I C  I B  I CEO  I B
Vaø:

I E  I C  I B   I B  I B  (   1) I B
c. Maïch cöïc C chung – CC (Common Collector):
4. Caùc thoâng soá giôùi haïn cuûa BJT:
 Caùc thoâng soá giôùi haïn

I CEO  I C  I C max
1. Doøng ñieän

2. Ñieän aùp
VCEsat  VCE  VCE max

3. Coâng suaát VCE I C  PC max

4. Thôøi gian chuyeån maïch
5. Nhieät ñoä
6. Ñoä aåm…
II. PHAÂN CÖÏC CHO BJT:

Moái noái B-E phaûi phaân cöïc thuaän vôùi ñieän aùp
phaân cöïc vaøo khoaûng 0,6 ñeán 0,7V.
Moái noái B-C phaûi phaân cöïc ngöôïc vôùi ñieän aùp
phaân cöïc naèm trong giôùi haïn cöïc ñaïi cuûa transistor.
II. PHAÂN CÖÏC CHO BJT
1. Caùc daïng maïch phaân cöïc:
a. Maïch khueách ñaïi phaân cöïc ñònh doøng:

Veõ laïïi maïch

• Xeùt maïch voøng BE:
AÙp duïng ñònh luaät
Kirchhoff:
 VCC  I B RB  VBE
Suy ra doøng ñieän
IB: VCC  VBE
IB 
RB
Xeùt maïch voøng CE:
I C  I B
AÙp duïng ñònh luaät Kirchhoff:

VCC  VCE  I C RC
Suy ra:

VCE  VCC  I C RC
b. Maïch phaân cöïc baèng caàu phaân aùp:
 • Phaân tích chính xaùc:
Duøng maïch töông ñöông Thevenin

Xaùc ñònh ñieän trôû Thevenin Xaùc ñònh ñieän aùp Thevenin
RTh Eth:

R2
RTh  R1 R2 ETh  VR 2  VCC
R1  R2
Doøng ñieän IB coù theå xaùc ñònh baèng ñònh luaät Kirchhoff:

ETh  I B RTh  VBE  I E RE  0

Thay theá doøng IE = ( + 1) IB vaøo suy ra doøng IB:

ETh  VBE
IB 
RTh  (   1) RE
Phöông trình maïch voøng CE khoâng coù gì thay ñoåi – keát
quaû ñöôïc:

VCE  VCC  I C ( RC  RE )
• Phaân tích gaàn ñuùng:

Caáu hình maïch phaân aùp ngoõ vaøo coù theå thay theá baèng
maïch ñieän sau:

Ñieän trôû Ri laø ñieän trôû töông ñöông giöõa cöïc B vaø mass
– ñaõ xaùc ñònh ôû phaàn tröôùc baèng ( + 1) RE . Neáu Ri
lôùn hôn nhieàu so vôùi R2 thì doøng IB nhoû hôn doøng qua R2
raát nhieàu coù nghóa laø doøng I1 xaáp xæ baèng doøng I2.
Khi ñoù ñieän aùp treân R2 baèng ñieän aùp VB xaùc ñònh bôûi phöông trình:
R2VCC
VB 
R1  R2
• Coù theå xem Ri = ( + 1) RE  RE thì ñieàu kieän ñeå thoûa maõn
pheùp tính gaàn ñuùng laø
R E  10R2
• Xaùc ñònh ñieän aùp VE:
VE  VB  VBE

• Xaùc ñònh doøng ñieän IE: VE

IE 
RE
• Vaø coù theå xem:
I CQ  I E
• Ñieän aùp VCEQ:
VCEQ  VCC  I C ( RC  RE )

**Vaäy ñieåm tónh Q khoâng phuï thuoäc vaøo heä soá .

c. Maïch phaân cöïc hoài tieáp töø collector :

Xeùt maïch voøng

BE:
VCC  I C' RC  I B RB  VBE  I E RE

Coù theå xem: I C'  I C  I B

I E  IC
• Theá vaøo phöông trình treân ñöôïc:
VCC  VBE   I B ( RC  RE )  RB I B
• Suy ra doøng ñieän IB:
VCC  VBE
IB 
RB   ( RC  RE )
Vaø: ICQ = βIB

• Neáu (RC +RE ) lôùn hôn RB raát nhieàu thì:

VCC  VBE VCC  VBE VCC  VBE

I CQ   
RB   ( RC  RE )  ( RC  RE ) RC  RE

** Vaäy khi ñoù ICQ khoâng phuï thuoäc vaøo heä soá .
 Xeùt maïch voøng CE:
AÙp duïng ñònh luaät Kirchhoff ñöôïc phöông trình:
VCC  I E RE  VCE  I 'C RC

Do C  I C vaøI E  I C neân:
/
I

VCC  I C ( RE  RC )  VCE

Hay: VCE  VCC  I C ( RE  RC )

Keát luaän: Trong caùc daïng maïch phaân cöïc neáu ñieän trôû RE
ñuû lôùn thì ñieåm laøm vieäc Q khoâng phuï thuoäc vaøo heä soá β
cuûa transistor.
2. Phaân tích ñöôøng taûi:
 Ñöôøng taûi dc (DCLL – DC load
line)
• Thieát laäp moät phöông trình
ngoõ ra dieãn taû moái lieân heä
giöõa 2 bieán IC vaø VCE :
VCE  VCC  I C RC

• Hay:
1 VCC
IC   VCE 
RC RC

Phöông trình treân chính laø phöông trình ñöôøng taûi dc cuûa
maïch .
•
Ñoà thò ñöôøng taûi DCLL cuûa maïch treân ñöôøng ñaëc tuyeán
ngoõ ra cuûa transistor treân hình sau:
Neáu doøng ñieän IB thay ñoåi
bôûi caùc giaù trò khaùc nhau
cuûa RB thì ñieåm tónh Q seõ di
chuyeån leân hoaëc di chuyeån
xuoáng nhö hình a. Neáu ñieän
aùp Vcc vaø IB giöõ coá ñònh vaø
ñieän trôû Rc thay ñoåi thì
ñöôøng taûi seõ dòch chuyeån
nhö hình b.

(a) (b)
Neáu RC coá ñònh vaø Vcc thay ñoåi thì ñöôøng taûi dòch
chuyeån nhö hình sau
Ñöôøng taûi ac (ACLL – AC load line):
• Ta coù phöông trình ngoõ ra chæ vôùi tín hieäu ac:

ic ( RC || RL )  vce  0
• Hay
1
ic   vce
( RC || RL )

• Maø iC  ic  I CQ vaøv
CE  v ce  VCEQ

• Vaäy ic  iC  I CQ vaø vce  vCE  VCEQ

• Vaäy phöông ngoõ ra khi coù nguoàn tín hieäu ac laø:

• Hay:
1
(iC  I CQ )   (vCE  VCEQ )
( RC || RL )
Phöông trình treân chính laø phöông trình ñöôøng taûi ac cuûa
maïch .

1 VCEQ
iC   vCE   I CQ
( RC || RL ) ( RC || RL )
 Ñoà thò cuûa ACLL vaø DCLL:

ACLL vaø DCLL luoân luoân giao nhau taïi ñieåm laøm vieäc
tónh Q.
• Taàm dao ñoäng cöïc ñaïi cuûa tín hieäu ngoõ ra
(maxswing):
• Maxswing vce ( p  p)  2vce ( p)  2  min[VCEQ , I CQ Rac ]
coù nghóa laø ta choïn giaù trò nhoû nhaát cuûa
trong 2 ñaïi löôïng
VCEQ Ivaø
CQ Rac ñeå tín hieäu
ra khoâng bò meùo daïng.
• Trong ñoùRac  RC || RL ñoái vôùi maïch ñang
xeùt.
3. Heä soá oån ñònh nhieät
- Doøng ræ:
T2 T1

I CO (T2 )  I CO (T1 )2 T *

Trong ñoù∆T* laø ñoä bieán thieân nhieät ñoä laøm doøng ñieän
baûo hoøa ngöôïc taêng gaáp ñoâi thöôøng baèng 10oC.
- Heä soá truyeàn ñaït doøng ñieän α, β :
T2  T1
 T2   T1 (1  )
75

- Ñieän aùp VBE öùng vôùi IB = const:

VBE  (2  2,5)mV / o C

Söï dòch chuyeån ñieåm laøm vieäc Q khi
nhieät ñoä thay ñoåi
Tieâu chuaån ñaùnh giaù söï baát oån ñònh cuûa maïch theo
nhieät ñoä laø S:
• Heä soá oån ñònh doøng ñieän:

I C
S ( I CO ) 
I CO
• Heä soá oån ñònh ñieän aùp:
I C
S (V BE ) 
V BE
• Heä soá oån ñònh heä soá khueách ñaïi doøng ñieän:

I C
S ( ) 

Ví duï : Xeùt söï baát oån ñònh nhieät cuûa maïch hình sau:

Giaûi:
Xeùt maïch voøng coù chöùa VBE

VCC  I B RB  VBE  I E R E (*)

ta coù: I C  I E  I CO

hay I C  I CO
IE 


Vaø: I C  I CO
I B  I E  IC   IC

Thay IE vaø IB vaøo phöông trình (*)

I I  I I 
VCC   C CO  I C  RB  VBE   C CO  RE
     
 1    RB  RE  I CO
 IC     V   RE  RB 

BE
  

Ruùt ra:
(VCC  VBE ) RE  RB
IC    I CO (**)
RE  RB (1   ) RE  RB (1   )
 
• Thay   vaøo bieåu thöùc (**), ta coù:
 1

(VCC  VBE ) RE  RB
IC    (   1) I CO (***)
RB  (   1) RE R B  (   1) RE

• Vaäy
RE  RB
S ( I CO )  (   1) (1)
RB  (   1) RE
 RE  RB
S ( I CO )  (   1)
RB  (   1) RE

• Neáu RB  (   1) thì ta coùS ( I )  (   1)

CO
RE
RB
• Neáu1  RB  (   1) thì ta coù
S ( I CO ) 
RE R E

• Neáu RB thì ta coùS ( I )  1

 1 CO
RE
Vaø cuõng töø coâng thöùc (***), ta coù:
1
S (V BE )    (2)
RB  (   1) RE
R
I C1 (1  B )
RE
S ( )  (3)
1 (1   2  RB )
RE

• Töø coâng thöùc (1), (2), (3) ta thaáy caùc heä soá baát oån
RB
ñònh nhieät naøy coù giaù trò bieân R (   1nhaát
ñoälôùn ) khi
E

khi RE coù giaù trò nhoû vaø RB coù giaù trò caøng
 4. Thieát keá maïch phaân cöïc:
Ví duï 1: Cho maïch nhö hình veõ, Haõy xaùc ñònh RB vaø RC
cuûa maïch ñeå Q(4mA, 10V). Bieát transistor coù β = 100.
• Giaûi:
+20V
VCC  VCE 20V  10V
RC    2,5k
IC 4mA
I C 4mA
IB    40A
 100
VCC  VBE 20V  0,7V
RB    482,5k
IB 40A
Ví duï 2: Haõy xaùc ñònh caùc giaù trò ñieän trôû cuûa maïch
ñieän hình sau vôùi ñieåm laøm vieäc Q(2mA; 10V) vaø ñieän aùp
nguoàn cung caáp cho trong maïch.
 Giaûi
• Ñieän aùp cöïc E thöôøng choïn baèng 1/10 ñieän aùp nguoàn
cung caáp:1 1
VE  VCC  20V  2V
10 10
• Suy ra:
VE VE 2V
RE     1k
I E I C 2mA
• Vaø:
VC VCC  VCE  VE 20V  10V  2V
RC     4k
IC IC 2mA
• Ta coù:
I C 2mA
IB    13,33A
 150

• Vaäy: VCC  VBE  VE 20V  0,7V  2V

RB    1,3M
IB 13,33A
Ví duï 3: Haõy xaùc ñònh caùc giaù trò ñieän trôû cuûa maïch
ñieän hình sau vôùi ñieåm laøm vieäc Q(10mA; 8V) vaø ñieän aùp
nguoàn cung caáp cho trong maïch.
 Giaûi
• Ñieän aùp cöïc E thöôøng choïn baèng 1/10 ñieän aùp nguoàn cung caáp:

• Suy ra: 1 1
VE  VCC  20V  2V
10 10

• Vaø: VE VE 2V
RE     200
I E I C 10mA

VC VCC  VCE  VE 20V  8V  2V


RCcoù:
• Ta    1k
IC IC 10mA

• Ñeå tìm R1 vaøVRB 2:ñoái  VEcaùc

VBEvôùi  0maïch
,7V ñieän
2V phaân
2,7Vcöïc phaân
aùp thì ñieåm laøm vieäc hieäu quaû khi doøng ñieän chaïy qua
ñieän trôû R1 vaø R2 xaáp xæ gaáp 10 laàn doøng IB hoaëc hôn theá
nöõa gioáng nhö ñieàu kieän ñeå thöïc hieän pheùp tính gaàn
ñuùng.
• Khi ñoù coù theå choïn:
10 R2   RE
• Vaäy: 1
R2  80  200  1,6k
10
• Ta laïi coù: R2
VB  VCC
R1  R2

• Vaäy: VCC R2 20V

R1   R2  1,6k  1,6k  10,25k
VB 2,7V
 Caâu hoûi oân taäp
1. Transistor lưỡng cực (BJT) không có đặc điểm sau
a) gồm hai chuyển tiếp p-n
b) Có ba điện cực
c) Có ba lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ.
d) Gồm một chuyển tiếp p-n
2. Transistor lưỡng cực (BJT) là transistor có dòng ra
e) Được điều khiển bằng áp vào
f) Được điều khiển bằng dòng vào
g) Được điều khiển bằng điện trường ngoài
h) Không điều khiển được
3. Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt
động ở chế độ khuếch đại thì
a) Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b) Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c) Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được
phân cực nghịch.
d) Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực
thuận.
4. Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ khuếch đại thì
a. I C   I B
b. VCE  0
c. I  0
C
d. I   I
C B
5. Dòng ICBO là dòng rỉ
a. Của mối nối CB khi cực E hở mạch
b. Của mối nối CE khi cực B hở mạch
c. Của mối nối BE khi cực C hở mạch
d. Của transistor
6. Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng
e. Qua các chuyển tiếp p-n
f. Qua kênh dẫn
g. Qua bán dẫn
h. Qua hai chuyển tiếp p-n
7. Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt
tải
i. Đa số
j. Thiểu số
k. Đa số và thiểu số
l. Electron